INSTITUTO TECNOLÓGICO SUPERIOR DE LIBRES

Organismo Público Descentralizado del Gobierno del Estado de Puebla

INGENIERÍA EN
INGENIERÍA EN SISTEMAS AUTOMOTRICES

ELECTRONICA DE POTENCIA
SIMULACIONES DE TRANSISTORES Y
TIRISTORES
NOMBRE DEL PROFESOR:

Román Pérez Saldaña

PRESENTA:
ERIC RIVERA SOTO

LIBRES, PUEBLA, (30 DE NOVIEMBRE) (2018)

Contenido
INTRODUCCIÓN ................................................................................................................................... 3
MATERIALES Y HERRAMIENTAS .......................................................................................................... 4
DESARROLLO ....................................................................................................................................... 5
SIMULACIÓN COMPARACIÓN DE ACTIVACIÓN Y DESACTIVACIÓN DE 3 DIODOS .......................... 5
DIODO SCHOTTKY................................................................................................................................ 8
DIODO ULTRARRÁPIDO ..................................................................................................................... 10
SIMULACION 1 .................................................................................................................................. 12
CONTROL DEL TRANSISTOR BJT....................................................................................................... 12
SIMULACIÓN 2 .................................................................................................................................. 15
ACTIVACIÓN DEL TRANSISTOR MOSFET .......................................................................................... 15
SIMULACIÓN 3 CONTROL IGBT ......................................................................................................... 17
SIMULACIÓN 4 CONTROL SCR RESISTIVO......................................................................................... 19
SIMULACIÓN 5 CONTROL SCR CAPASITIVO .................................................................................... 21
SIMULACIÓN 6 CONTROL DEL TRIAC RESISTIVO ............................................................................. 22
SIMULACIÓN 7CONTROL DEL TRIAC CAPACITIVO ........................................................................... 24
CONCLUSIONES .................................................................................................................... 25
INTRODUCCIÓN
Un transistor es un dispositivo que regula el flujo de corriente o de tensión actuando
como un interruptor o amplificador para señales electrónicas.

Un tiristor es un componente electrónico que conduce la corriente eléctrica en un

solo sentido (como un diodo) y que además para que conduzca en ese sentido tiene
que ser activado con una pequeña corriente eléctrica (como un transistor). Podemos
decir que es un interruptor que se activa (abre o cierra) eléctricamente, pero a
diferencia del transistor, que hace lo mismo, se puede utilizar con grandes corrientes
(grandes potencias). Las corrientes que controlan son de 100A (amperios) o más.

Se dice que los tiristores son biestables (porque tienen dos posiciones) y
unidireccionales (porque conducen en una sola dirección. Ahora veamos su símbolo
electrónico y como es el componente en realidad y luego explicaremos paso a paso
su funcionamiento.
MATERIALES Y HERRAMIENTAS
 Multisim
DESARROLLO

SIMULACIÓN COMPARACIÓN DE ACTIVACIÓN Y

DESACTIVACIÓN DE 3 DIODOS
Para esta primera practica se lleva a cabo la comparación de tres diodos los
cuales se utilizo el diodo convencional, diodo schosky y un diodo ultrarrápido
como ya se sabe un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente
eléctrica en una única dirección con características similares a un interruptor. De
forma simplificada, la curva característica de un diodo consta de dos regiones: por
debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito abierto no
conduce, y por encima de ella como un circuito cerrado con una resistencia eléctrica
muy pequeña.
Para lo cual se propuso los siguiente circuito es el de un diodo convencional
En la imagen se puede observar el tiempo de activación

Aquí se puede observar el tiempo de desactivación del diodo convencional.

Aquí se puede observar el tiempo de recuperación inversa.
DIODO SCHOTTKY

En la imagen se puede observar que el tiempo de activación es mucho más

rápida que el de un convencional.
También observamos el tiempo de caída para este diodo lo cual podemos
observar que es más rápido.
DIODO ULTRARRÁPIDO

Para el diodo ultra rápido se puede observar que su activación casi es

inmediata a diferencia del diodo convencional y el diodo schottky.
SIMULACION 1

CONTROL DEL TRANSISTOR BJT

En la imagen se puede observa el circuito de activación para el transistor

BJT como sabemos un BJT tiene las siguientes características tiene 3
terminales, la base (B), el colector (C) y el emisor (E) y por lo tanto tenemos tres
corrientes que circulan por él : la intensidad de la base, la intensidad del colector y
la intensidad del emisor.
La clave es que el transistor es capaz de activarse con pequeñas corrientes en la
base, que se amplifica en el colector y que permite la activación del circuito
Y de acuerda la data sheet se buscó las características del BJT 2N2222A
para lo cual en nuestro circuito utilizamos una resistencia de 238Ω
alimentando el circuito de control con un voltaje de 5v a una frecuencia de 6º
Hertz y ala potencia con 12 volts .
En la siguiente imagen mostramos la señal que nos da en respuesta a nuestro
circuito.
 Tabla.1

Para las primeras mediciones que se realizaron fueron el tiempo de

activación de nuestro transistor. El cual nos arrojó el tiempo de activación en
la tabla .1

En esta imagen se observa el tiempo de desactivación el cual se midió de

un 90° a un 10°.
En la siguiente imagen se puede observar que tiempo permanece en
activación o el transistor aplicando un señal de onda cuadrada a 60 Hertz.
SIMULACIÓN 2

ACTIVACIÓN DEL TRANSISTOR MOSFET

En este circuito se re utilizo una resistencia de 48 Ω de acuerdo a los cálculos

y de acuerdo al data-sheet utilizando el MOSFET IRF 7403 a una frecuencia
de 60 Hertz.

En este tiempo de activación podemos observar que el tiempo de subida es

más rápido que el BJT.
En la imagen anterior se puede apreciar el tiempo de desactivación del
MOSFET y enseguida podemos observar el tiempo que permanece en alto.
SIMULACIÓN 3 CONTROL IGBT

Buscando el data-sheet se pudo observar que ya venía propuesta la resistencia

para la base al igual que el MOSFET.
En la siguiente esta imagen se puede observar como el BJT tiene mayor
respuesta de activación que el BJT pero menor que el MOSFET ya que este
se activa por voltaje y tiene respuesta de conducción y conmutación al igual
que el IGBT se podría decir que es una combinación de ambos aunque
tiene menor respuesta de activación del MOSFET se puede activar con poco
voltaje y soportar altas corrientes.

En la siguiente imagen se observa el tiempo de bajada.

SIMULACIÓN 4 CONTROL SCR RESISTIVO

El circuito que se eligió fue el sui ente de acuerdo a los cálculos una
resistencia de 62.5 Ω y otra resistencia variable de 1437.5Ω y un diodo ala
compuerta
La señal que nos arrojo fue la siguiente figura la cual nos muestra el
Angulo de disparo y un ángulo de conducción. Como se en la imagen
siguiente.
En la imagen anterior se apreciar el voltaje por el cual se puede activar
el SCR.
SIMULACIÓN 5 CONTROL SCR CAPASITIVO

De acuerdo a los cálculos realizados se determino la resistencia y capacitor

lo que se pudo observar que en este circuito hubo un ángulo de disparo
menor al resistivo y más lento.
SIMULACIÓN 6 CONTROL DEL TRIAC RESISTIVO

Ya obtenidos los cálculos se armo el circuito y se utilizo un diac para la

activación del triac ya que con este se puede controlar corriente en ambos
sentidos a diferencia d un diodo convencional.
Aquí en la imagen podemos observar la señal del voltaje que esta en la
carga
Y la ultima grafica muestra el voltaje con el cual se está activando el TRIAC.
SIMULACIÓN 7CONTROL DEL TRIAC CAPACITIVO

En la anteriores imágenes se observa las señales de disparo de un triac

mediante un capacitor.
 CONCLUSIONES
como conclusión de esta práctica fue de gran ayuda para conocer mejor el
funcionamiento de los transistores y tiristores ya que se pudo observar las
diferentes señales de activación y desactivación de cada uno así como
también se pudo determinar cuáles eran más eficientes en cuanto a la
velocidad de activación y conducción o conmutación de cada dispositivo.