Composants Opto PDF

Ph.
Lorenzini Polytech'Nice
composants optoélectroniques 1
Sophia
COURS
COMPOSANTS OPTOÉLECTRONIQUES
Philippe Lorenzini
Polytech Nice Sophia
Références:
• H.Mathieu Physique des SC et Composants électroniques, Dunod, 2002
• F. Schubert, Light emitting diodes, « www.lightemittingdiodes.org »
• J. Singh, optoelectronics devices, McGrawHill, 1996
• D.A. Neamen, « semiconductors physics and devices », McGrawHill, 3° Ed, 2003
Ph. Lorenzini Polytech'Nice
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Composants optoélectroniques
• Interaction Rayonnement – SC
• Photons, électrons
• Interaction électron – Photons
• Absorption
• Émission
• Photo-détecteurs
• LEDs
• Lasers
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Rayonnement électromagnétique
Equations de Maxwell:

  H
ro tE   µ0
t    
 E  E e j ( t  k . r )
  E 0
ro t H  
t

divE  0   2 pulsation

divH  0 k vecteur d’onde
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Rayonnement électromagnétique
• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:

• Onde • « grains » de lumière
  j (t  k .r )
E  E0e • photon
• Énergie
• Vitesse de l’onde
E p  h  

c n : indice
v  
k n • Qté de mouvement
n  r
p  k
• Vitesse de groupe
 • Relation de dispersion
vg  c
k E p   k (vide n =1)
n
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Électrons : dualité onde - corpuscule
• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:

• Dans le vide
1 2
• Relation de de Broglie E  mv
2
p  mv
h
 E
p 2  2k 2

p 2m 2m
• Dans un cristal
p  k p2
E  V (r )
2m
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Sophia
Sophia
Interaction électrons - photons
• 3 processus: 1.24 2
E (eV )  ;k 
• Absorption  ( µm) 
• Émission spontanée
• Émission stimulée (dans les lasers)
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Règles de sélection
Ee-
• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:
• Absorption
E f  Ei  E photon
p f  pi  p photon kélectron
• Émission
Ei  E f  E photon
pi  p f  p photon   1
 1
a
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Règles de sélection
Eph 1  1
2
k photon   
Ee-  1000
• Conservation de l’énergie
et de la qté de
mouvement:
 k f  ki   k photon kphoton
Conservation de l’énergie:
Si absorption, Eph > Eg
Conservation de p:
Ordre de grandeur de k   1
 1 kélectron
a
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Compte tenu du faible kphoton les

transitions optiques ne peuvent
se faire que verticalement en k
Intérêt à adapter Eg à l’énergie du

photon à détecter
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Différents processus de transition inter-

bandes
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RECOMBINAISON
RADIATIVES ET NON
RADIATIVES
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ABSORPTION, ÉMISSION SPONTANÉE

ET STIMULÉE
•Pseudo niveau de Fermi

•Taux net d’émission de photon
•Recombinaison: durées de vie
•Vitesse de recombinaison en surface
•Génération de porteurs en excès
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« envoi » des électrons et des trous
dans les bandes « n’importe comment »!
--------
---- ----
-- --
Recomb
EF e-h
+ + +
++++
Hors équilibre retour équilibre

équilibre
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2 grandeurs régissent les états:

• Temps entre 2 chocs: temps de relaxation : lors 
d’un choc l’électron perd de l’énergie (10-13 à 10-12 s)
• Durée de vie des électrons dans une bande (10-9
à10-3 s) vie 
• Si  vie   les porteurs « ont le temps » de se

thermaliser en bas de bande puis se recombiner.
Du fait de la différence entre ces deux temps il
existe un état de pseudo-équilibre pour les e- et
les h+
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Retour à l’équilibre
EFn --------
---- ----
-- --
EF
+ +
+++ ++++
EFp +++++
On coupe
l’excitation
Hors équilibre équilibre
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Taux net d’émission de photon -1

C’est le nombre de photon d’énergie E émis par unité
de temps et de volume
r ( E )  rspont ( E )  N ( E )rstim ( E )  N ( E )rabs ( E )
nb ph émis nb photon D( E )
de manière spontanée N ( E )  E / kT
dans le matériau e 1
par s et cm3
rspont est indépendant de la présence

de photon dans le matériau
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r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rstim ( E )  rabs ( E ) 
rst: taux d’émission stimulée

(Bilan énergétique de ce qui est
stimulé de haut en bas et
de bas en haut)
r ( E )  rsp ( E )  N ( E )rst ( E )
rst(E)>0  émission de photon (ampli de lum)
rst(E)<0  absorbe un rayonnement de photon
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Soit un système à 2 niveaux Ei et Ej
rsp ( E )  i Aij .g i f i .g j .(1  f j )

Ei , gi j
E = Ei - Ej
nb d’e- ds l’état i
Proba. pour que cette
Ej , gj recombinaison soit radiative

rst ( E )  i Aij .g i .g j f i (1  f j )  f j (1  f i )
j

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E’ Dans le cas d’un SC, il y a
un pseudo continuum d’états
E=E’-E’’ Émission d’un photon d’énergie E
B ( E ' , E ' ' ) : proba pour la transition de E’ à E’’

soit radiative
E’ ’
E'
rsp (E)  B(E' ,E)Nc (E')fc (E')Nv (E'E)(1  fv (E'E))dE'
E'
rst (E)  B(E' ,E)Nc (E')Nv (E'E)[fc (E')  fv (E'E)]dE'
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Rq: on peut montrer que dans les matériaux dopés,
B est constant au voisinage des extrema de bandes
Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)

B (SC gap direct) >> B (SC
Si indirect 1.8 10-15

Ge indirect 5.3 10-14
gap indirect)
GaP indirect 5.4 10-14

GaAs direct 7.2 10-10
GaSb direct 2.4 10-10
InP direct 1.3 10-9
InAs direct 8.5 10-11
InSb direct 4.6 10-11
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Émission spontanée: Rsp   rsp ( E )dE  Bnp
E
 kT 
E  F
Émission stimulée: rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  E f c  E f v

 
L’émission stimulée existe si rst(E) > 0

Efc
--------
La condition d’amplification implique : ----
F  E  E  E f v  Eg h Eg
fc
SC dégénéré n et p ou plutôt Efv ----------

Inversion de population ----------
------------
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Si on écrit le nb de photons dans le matériau:

D( E )
N ( E )  N 0 ( E )  N ( E ) avec N 0 ( E )  E / kT
e 1
Alors
 N ( E ) 1  e ( E  F ) / kT

r ( E )  rsp ( E )1  (1  ) E / kT 
 N0 (E ) e  1 
Taux net d’émission

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• À l’équilibre thermodynamique :
 1  e E / kT 
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E )1  0
 1 e 
E / kT
• Sous faible excitation d’un

rayonnement(E>Eg):
N ( E )
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E ) 0
N0 (E )
Le semi-conducteur absorbe le rayonnement
• Forte excitation (E>Eg et Eg>>kT/e):

 N ( E )  E / kT  F / kT 
N ( E )  0 et F  0  r ( E )  rsp ( E )1  (1  )(e e )   0
 N0 (E) 
Le semi-conducteur émet un rayonnement d’énergie E

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Recombinaison des porteurs en excès –
durée de vie
Comment se recombinent les porteurs et à quelle « vitesse » ?

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Recombinaison des porteurs en excès – durée de
vie
En d’autres termes, 2 « chemins » possibles pour la recombinaison:
- radiatif
- non radiatif
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Recombinaison des porteurs en excès – durée de vie

Taux global d’émission de photon R  taux de recombinaisons
radiatives
n  n0  n et p  p0  p
n concentration en électrons libres
n0 concentration d’équilibre en électrons libres
n, p concentration en excès d’e- et h+
dn dp
R    Bn p  Rst
dt dt
R taux de recombinaisons par cm3 par s
B coefficient ambipolaire de recombinaison
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vie
R  R0  R  B (n0  n)( p0  p )  Rs t 0  Rst

En régime de faible injection (n et p petit / régime d’inversion), Rst
est négligeable et R s’écrit en négligeant le terme du 2° ordre:
Taux de recombinaisons
R  Bn0 p  Bp0 n radiatives des porteurs
p n  rp 
1
et  rn 
1
R   avec
 rp  rn Bn0 Bp0
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vie
• Dans la mesure ou n = p (création de paires électron –

trou):
1 1 1
 
r  rn  rp
• Dans un semi-conducteur dopé, la durée de vie radiative
est celle des porteurs minoritaires (SC n)
n0  p0   rn   rp d' où  r   rp
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vie non radiative
• « chemin non radiatif »:
• Centres de recombinaison
• Émission phonon ou effet Auger
• On attribue à ce type de recombinaisons, une durée

de vie non radiative:
 nr
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Recombinaison des porteurs en excès

• Les processus sont additifs.
• La durée de vie globale est donnée par:
1 1 1
 
 r  nr
• On définit le rendement radiatif par:
1
r  nr
 
1  1  r   nr
 nr r
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Évolution temporelle de la densité de porteurs
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Création de photo-porteurs en excès
• Plusieurs moyens pour la création:

• Photo - excitation avec E>Eg
• Injection électrique
• Effet avalanche ou tunnel
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Photo - excitation
• Les caractéristiques du rayonnement sont:
• Longueur d’onde  ou son énergie E=h
• L’intensité I
• La puissance P en watts
nb de photons qui
 arrive /s et/cm3
T
P(W)=0(E). h
r Puissance
Énergie des
photons
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Photo - excitation
• Soit R(E) le coefficient de réflexion ou pouvoir réflecteur:
r (E)  R(E)0 (E)

T (E)  (1  R(E))0 (E)
• Si E=h >Eg, il y a absorption  on définit le coefficient

d’absorption 
1 d(E, x)

(E, x) dx
(E, x)  T (E,0)e (E)x
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Photo - excitation
• Taux de génération d’électrons g(E,x):

• Si on « perd » d photons, on « gagne » d électrons
(rendement quantique =1)
•  la variation du nombre de photons par unité de volume est :
(E, x)
g(E, x)  
x
• On écrit alors:
g(E, x)  [1  R(E)]0 (E)(E)e (E)x

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Photo - excitation
• Le taux de génération global g(x) (si pas

monochromatique) est alors donné par:
n  r  3.5
• Pour le calculer:
E
g(x)  g(E, x)dE
2
 1n 
• R(E) ? Au voisinage du gap R  cte     30%
1n
• 0(E) ?
• (E) ? On peut l’approximer par 1 échelon
• = 0 si E < Eg
•  cm-1 si E > Eg
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Coefficient d’absorption
• Dans le cas de transitions
verticales, la relation liant
k
l’énergie du photon (>Eg) Ec
et le vecteur d’onde est: Ee
EFn
EFp Eg 
2k2 1 1 2k2 Eh
  Eg  ( *  * )  Eg 
2 mc mv 2m*r Ev
k=0
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Coefficient d’absorption
• Pour une lumière non polarisée dans un SC, le
coefficient s’écrit:
2
 2p2  2pcv
2
e   cv  Ncv () 2 1  20eV
   m m0
• La 2nrc 0m0d’états
densité  3
 m0 jointes:
  (23eV pour GaAs)
2 (m*r )3 / 2 (  Eg )1 / 2 1 3
Ncv ()  2 3
J m
 
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Taux d’émission (expressions)

• Lorsque un électron et un trou se trouvent «vertical en
k », il peuvent se recombiner :
• Spontanément:
2
1 e²nr  2 e ²nr  2p cv 1
Wem ()   pcv  ( ) s
0 30m0c 
• De façon stimulée: 2 3 2 3
60m0c  m02
e²nr  2 1
Wst ()  p n
2 3 2 cv ph
( ω) s
30m0c 
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Gain du matériau
• C’est la différence entre le coefficient d’émission et le
coefficient d’absorption:
 2p2 
 
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h e e h h
g()  f (E )f (E )  (1  f (E ))(1  f (E ))
2nrc 0m0  m0   3

 
k
Ec
 2p2  Ee
 
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h
g()  f (E )  (1  f (E )) EFn
2nr c 0m0  m0   3
 Eg 
  EFp
 2p2 
  Eh
2
e   cv  Ncv () 2 e e h h
g()  f (E )  f (E )  1
2nr c 0m0  m0   3
 Ev
 
k=0
Sophia
Gain du matériau
• Si fe(Ee) = 0 et fh(Eh) =0
2 2p2 
e   cv  Ncv () 2
g() 
2nrc 0m0  m0   3 0  0  1  ()

 
• Pour que le gain soit >0 (inversion de population)
f e (Ee )  f h (Eh )  1
• Et alors
I(x)  I0 exp(g  x)  I0
Sophia
Photo - excitation

x g(x)
g(x)  [1  R]0 (E)e dE
Eg  cm-1
g(x)  [1  R]0e x

x
1 1
(x  0.1µm)   Importance de la vitesse
e 3
1 1 de recombinaison en surface
(x  0.2µm)  
9 10
1 Ex: 10W/cm2, =0.75 µm, =7 103 cm-1 pour GaAs. G?
(x  1µm)  10  0 Popt (7.103 cm1 )(10Wcm2 )
e G   2,65.1023 cm3 s 1
 19
(1.65eV )(1.6.10 J )
Sophia
Injection électrique
Polarisation d’une jonction pn en direct. Le système est hors
équilibre. Le retour à l’équilibre s’accompagne de recombinaisons,
qui si elles sont radiatives, émission de photons.
Sophia
HOMO-JONCTION À
SEMI-CONDUCTEUR
Sophia
Homo-jonction à semi-conducteur
 Dp n2 n2i  eV / kT
I  eA i  Dn (e  1)
 P ND N NA  

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Courant dans une Jonction pn
 Dp D  e(V V ) / kT
I  eA NA  n ND e D
 p  
 n 
eVD  Eg  (EF  EV )p  (EC  EF )n  0
0 0 Vth  VD  Eg / e
Sophia
I(V) fonction du matériau

Sophia
Tension pour I=20 mA (figure de mérite)

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Les photo-détecteurs
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• Rôle : convertir un signal lumineux en signal
électrique
• Propriétés attendues:
• Grande sensibilité
• Linéarité (surtout si signal analogique)
• Large bande passante électrique
• Fiabilité
• Faible coût
• Facilité de mise en œuvre
• Encombrement
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• Solution dans le visible et proche IR:
• Jonction pn montée dans un boîtier comportant une fenêtre
transparente au rayonnement.
• Deux montages possibles:
• Jonction non polarisée  montage photovoltaïque. Il est utilisé
pour la conversion de l’énergie solaire en électricité.
• Jonction polarisée en inverse  montage photoconducteur. Il
est utilisé pour la détection de la lumière : photodiode PIN,
ADP, phototransistors
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I
Vph V
J ph
V
A (b)
(a)
mode photocourant mode photovoltage

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• Matériaux pour les détecteurs optiques
• Disponibilité du substrat
• Si, GaAs, Ge et InP
• SC avec maille « adaptée » à ces substrats
• Application communications longues
distances
• Adaptés aux fibres optiques (1.55µm et 1.3 µm)
• GaAs interdit (0.8 µm)
• InGaAs, InGaAsP, GaAlSb, HgCdTe, GaInNAs …
• In 0.53Ga 0.47As
le plus utilisé
• Ge comme photo-détecteur à avalanche
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• LANs (qq kilomètres)

• GaAs émetteurs (0.8µm) mais pas chers !
• Si comme photo-détecteurs (photodiodes à avalanche)
• Détection « infrarouge »
• >20 µm
• HgCdTe, PbTe, PbSe, InSb
• Détecteurs inter sous-bandes GaAs/AlGaAs
• Détecteurs rapides
• GaAs « low temperature »  1 ps
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Distribution des photo-porteurs
dn( x, t ) 1 dJ n dp ( x, t ) 1 dJ p
  rn  g n   rp  g p
dt e dx dt e dx
Dans le cas des électrons:
n
J n  neµn E  eDn
x
g n  g p  g  (1  R)0e x  e x
n  n0
rn 
n flux qui pénètre le matériau
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Cellule photoconductrice
Vs
d
L
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• Conductance à l’obscurité:
 0  e( µn n0  µ p p0 )
• Conductance sous éclairement:
  e( µn (n0  n)  µ p ( p0  p))

• Soit une variation de la conductance:
µp
  enµn (1  ) avec p  n  GL p
µn
Sophia
• Si on applique une tension courant:
J  ( J d  J L )  ( 0   ) E
• Le photo-courant:
µp
I L  AJ L  Aepµn (1  )E
µn
Sophia
• En se rappelant que µE est la vitesse des porteurs,

on peut définir un temps de transit:
L L
ttr  E
µn E µnttr
• Le photo-courant s’écrit alors:
µp p µp
I L  epµn (1  ) AE  eGL ( )(1  ) AL
µn ttr µn
Sophia
• Le photo-courant « primaire » généré par l’éclairement

est:
I L P  eGL AL
nb photons/s/cm3 surface
• Le gain de la cellule est donné par:
IL  p µp
G  (1  )
IL ttr
P
µn
C’est la rapport entre le taux de collecte des charges par les contacts au taux de
génération de ces charges
Sophia
• C’est quoi le gain ?
• Si >1, les électrons peuvent parcourir plusieurs fois le
circuit avant de se recombiner avec un trou.
• Ex: L=100µm, V=10V, p=1µs
• Comment améliorer le gain de la cellule?

• Durée de vie élevée
• Temps de transit faible (petit L et/ou fort champ E)
• Inconvénient:
• Fort courant d’obscurité bruit
Utilisation de diode en inverse

64
Sophia
Principe de la photodiode p-n
E
F
(a)
recombination
+ +
p ++
+ + (b)
+
0 W
space charge diffusion zone

zone
semitransparent metal contact

metal
SiO (c)
p+ 2
n+
Sophia
Principe de la photodiode p-n

• Seuil de détection: E=h>Eg
1 et 3 : photo-courant de
diffusion
2 : photo-courant de
génération
Sophia
Photodiode sous éclairement
pn  GL po
pn (x)
Sophia
Calcul du courant
 2 (n p ) n p  (n p )
Dn  GL  
x ²  n0 t

x

x
en x  0, n p (0)  n p 0
n p ( x )  Ae Ln
 Be Ln
 SP en x , n p ()  SP  GL n 0
x

n p ( x)  GL n 0  (GL n 0  n p 0 )e Ln
Courant de
d (n p )
saturation, existe
eDn n p 0 même à
J n1 ( x  0)  eDn  eGL Ln  l’obscurité!
dx x 0
Ln
Photocourant dans les
régions de diffusion
Sophia
Calcul du photo-courant
d (n p )
Région p : J n1  eDn
ph
 eGL Ln
dx
d (pn )
Région n : ph
J p1  eD p  eGL L p
dx
Et la ZCE ? J L1  e  GL dx  eGLW Hyp: GL = cte

Sophia
Photodiode p-n
• Le photo-courant est donc généré dans la

ZCE et dans les régions neutres sur la
longueur de diffusion Ln et Lp, soit finalement
sur W+Ln+Lp.
Rem: GL n’et pas constant ! On

I ph  eGL ( L p  Ln  W ) A doit prendre une valeur
moyenne en toute rigueur
Sophia
Photodiode p-n
eV

I   I ph  I 0 (e kT
 1) en inverse I  ( I 0  I ph )
Sophia
Photodiode p-n
• Constante de temps:
• Courant de diffusion : lent 10-8 à 10-9 s
• Courant de génération : rapide ttr =W/vs (10-10 à 10-11
s)
• Donc il « faut »:
• Absorption uniquement dans la ZCE
• Zone frontale très mince
• W large mais pas trop sinon ttr trop grand (W=1/)
Sophia
Photodiode p-n
• Rendement quantique (quantum efficiency):
N e (paires collectées)
  40 à 80 %
N p (photons incidents)
• Fonction du coefficient d’absorption
• Fonction de la longueur d’onde ( fh 
Sophia
Photodiode p-n
• Sensibilité (responsivity):
I ph N e .e e
S    ( )
Poptique N p .h hc
sensibilité
longueur d’onde (µm)

Sophia
Photodiode PIN
• But : améliorer la sensibilité pour les grandes g et la
vitesse .
• Comment ? Augmenter la zone de collecte des
photons (g grand ray. pénétrant)
• On intercale une région intrinsèque entre p et n+. Si
polarisation suffisante, ZCE envahit la région
intrinsèque  vitesse augmente
Sophia
Photodiode PIN
Sophia
Photodiode PIN
• Choix du matériau dépend de l’application:
• Communication (émetteur GaAs/AlGaAs)
• Détecteur Si (vitesse non critique)
• Détecteur Ge (g > 10µm)
• 1.55µm + vitesse  détecteurs InGaAs
• Vision nocturne:
• HgCdTe
• InAs, InSb
• « solar blind » + UV:
• GaN, AlGaN
Sophia
Photodiode PIN
• « design » de la structure:
• Réflexion sur surface (perte :2 – 3%)
• Maximiser l’absorption dans ZCE (*)
• Attention à la vitesse
• Miroir métallique
• Minimiser les recombinaisons
• Matériau de haute pureté
• Minimiser le temps de transit
• ZCE la plus petite possible (voir *)
Sophia
Rendement d’une photodiode PIN

• Taux de génération dans le SC:
GL ( x)  J ph (0)(1  R ) exp(x)
• Jph(0(0) Flux de photons (nombre par cm2 et par
seconde)
• Photocourant
W
I L  eA  GL ( x)dx eAJ ph (0)(1  R )(1  exp(W ))
0
• rendement
IL
det 
eAJph (0)
Sophia
Photodiode pin
• Linéarité de la réponse : meilleure que 1% sur
7 ordres de grandeur
• Capacité de la jonction: limite la vitesse
• C diminue si tension inverse augmente
• C augmente si surface sensible augmente
• Courant d’obscurité:limite la détection
• Élevé pour détection IR
• Fonction de la température (*2 si T=10°C pour Si)
• Tension de claquage
• Tension max supportable par le composant
Sophia
Cellule solaire
• Application importante
des pn : convertir
l’énergie solaire en
énergie électrique
• 2 modes:
• Mode photoconductif
• Mode photovoltaïque
Sophia
Cellule solaire
Courant débitée par la diode (courant inverse compté positif)
eV
I  I ph  I s (e mkT
 1)
Deux paramètres :
• la tension de circuit ouvert
mkT I ph
Vco  ln(1  )
e Is
•Le courant de court circuit
I cc  I ph
Sophia
Cellule solaire
Puissance débitée: Droite de charge 1/Rc
eV
P  VI  VI ph  I s (e  1)V kT
Puissance maximum (dP dV  0)

permet de déterminer la
résistance de charge Rc
 eVm  eVm / kT I ph
1  e  1
 kT  Is
eVm eVm / kT
Im  Is e
kT R 
Vm
 1
c
Im
Sophia
Cellule solaire
Influence de la résistance série
eV j
I  I ph  I s (e mkT  1)
V  V j  rs I
e (V  rs I )
I  I ph  I s (e mkT
 1)
Sophia
Cellule solaire
Rendement de conversion
Vm I m 6.2 eV 0.5 eV
conv 
Psolaire
Fill factor:
I mVm
Ff 
I ccVco
Sophia
Coefficient
d’absorption
Sophia
Cellule solaire à base de silicium amorphe et

polycristallin
• Poly cristallin:
• Le plus courant
• Rendement de l’ordre de 13%
• Rendement faible sous faible éclairement
• Amorphe (a-Si)
• CVD Technique (600°C)
• Surface importante, enroulable
• Règles de sélection verticales en k disparaissent
• Meilleur coefficient d’absorption
• Pas cher !
• Rendement faible (6%)
• vieillissement
Sophia
Cellule solaire
Sophia
Sophia
+50%
Sophia
DIODES
ÉLECTROLUMINESCENTE
LED ou DEL
Sophia
Sophia
Choix du matériau : dépend de l’application
Sophia
LED
• Rapport taux
d’injection:
n n

p p
1. Région la plus radiative: type p

2. Région p : 2 à 3 Ln (h sort !)
3. Modification du gap (fort
dopage)
Sophia
Recombinaisons dans la région p

Sophia
Utilisation d’hétéro-jonction
Sophia
• Améliore le confinement
dans la région active
• Inconvénient:
résistance plus grande
• On fait des hétéro-
structures graduelles
Sophia
Carrier loss in double heterostructures

Sophia
Carrier overflow in double heterostructures

Sophia
Sophia
• Couches de confinement (« blocking layers »)
Sophia
Conversion tension - lumière

Sophia
• L’énergie d’un électron injecté est convertie en énergie

optique:
V = h  / e ≈ Eg / e
• Existence d’une résistance série
• Perte d’énergie par émission d’un phonon

Sophia
Eg EC  E0 EV  E0
V   I Rs  
e e e
I Rs resistive loss
EC – E0 electron energy loss upon injection into quantum well
EV – E0 hole energy loss upon injection into quantum well
Sophia
Leds et rendements
# of photons emitted from active region per second Pint / (h )
int  
# of electrons injected into LED per second I/e
# of photons emitted into free space per second

extraction 
# of photons emitted from active region per second
rendement optique
# of photons emitted into free space per sec. P / (h)

ext    int extraction
# of electrons injected into LED per sec. I/e
P « rendement à la prise »
power 
IV « wallplug efficiency »
Sophia
Spectre d’émission (1)

Sophia
E / (k T)
I(E)  E  Eg e
Maximum de l’intensité d’émission
E  Eg  12 k T
E  1.8 k T
Sophia

Sophia
• Largeur de spectre relativement étroit comparé au

spectre visible
• Pour l’œil humain led  monochromatique
Sophia
LEDS : EXTRACTION
DE LA LUMIÈRE
Sophia
Cône de sortie de la lumière
• Une fraction des photons réfléchie à l’interface semi-conducteur –

air .
• Si l’angle d’incidence proche de la normale, extraction possible.
• Loi de Descartes:
2 2
 n  1   3.5  1 
R     30%
 n  1   3.5  1 
nsc sin  c  nair sin   nair

Sophia
D’après la relation précédente c  16

Entre 0 et 16°, la transmission T varie de 70% à 0
Sophia
Pescape 2r 2 (1  cosc )


Psource 4r 2
Pescape 1   c 2  1
 1  1     c2
Psource 2   2  4
c critical angle of total internal reflection

Problem: Only small fraction of light can escape from semiconductor
Pescape 1 nair 2

Psource 4 ns 2
Sophia
Distribution spatiale du rayonnement
Psource nair 2
Iair  2 2 cos 
4 r ns
Iair emission intensity in air

 angle with respect to surface normal
Sophia
Sophia
Rendement quantique externe
Couplage avec fibre optique:


 n2
n1

n2
n0
pertes
angle maximum
1 2 2 1/ 2  1
 A  sin  (n1  n2 )   sin 1 ( An )
1
 n0  n0
Sophia
Rendement quantique externe
Si la source a une distribution en « cosinus » (Lambertian),

la fraction de lumière couplée dans la fibre est donnée par:
A
 I ph ( ) sin d
 fibre   0
/2  sin 2  A  10%
 0
I ph ( ) sin d
Sophia
LED à émission horizontale

Sophia
LED à émission par la surface

Sophia
Utilisation de substrat transparent
Sophia
Utilisation de substrat transparent
Sophia
Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)
• DBR accordé en maille avec la DH

• DBR doit être conducteur (suivant géométrie de la diode)
• DBR doit être centré sur la longueur d’onde de fctment.
Sophia
Utilisation de miroirs de Bragg (DBR)
(cas de substrat absorbant = 50% perte)
2
 n   2N
 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  
2Bragg  n
stop  _
neff
1
1 1
neff  2  
 n1 n2 
Sophia
Sophia
LE LASER À SEMI-
CONDUCTEUR
Sophia
Laser à SC
• 1° MASER en 1954
• 1° LASER en 1962
• MASER : Microwave Amplification by Stimulated

Emission of Radiation
• LASER : Light Amplification by Stimulated Emission

of Radiation
• Laser à SC : Aigrain en 1958

• Le premier à SC en 1962 avec du GaAs
Sophia
Laser à SC
• Fonctionnement: 0
• Inversion de population
• Laser à 4 niveaux N1
h
N2
• Pompage
• N1 augmente et N2 diminue 3
• Tant que N2>N1 le photon incident induit des transitions de N2 vers
N1
• Si N1>N2, le photon incident induit des transitions de N1 vers N2
par émission stimulée
• N1>N2  inversion de population ( Temp<0) ie l’état d’énergie
supérieur plus peuplé
Sophia
Laser à SC
EFn --------
N1 ----
--
h
h
N2
+
+++
EFp +++++
États discrets États continus
Effet Laser : N1>N2 Ici EF > Eg

EF = EFC -EFV
Sophia
Laser à SC : pertes par effet Auger

2
Dans le SC, le photon incident EFn --------

peut être absorbé par un électron ----
--
(ou trous) de la bande de conduction
qui « saute » sur un niveau énergétique h 1
plus haut: c’est l’effet Auger +

+++
Donc EFp +++++
Effet LASER :
 E F > Eg et effet Auger (2) < Absorption normale (1)
Sophia
Laser à SC
• Jonction PN
doublement dégénérée
!
• La zone active plus côté
p que côté n (voir LED)
Sophia
Laser à SC
• Différences entre laser conventionnel et SC

• La taille : du mètre au µm
• La Puissance : kW au W
• Cohérence spatiale et temporelle plus petites pour
SC
• Rendement : meilleur pour le laser à SC (pas de
pompage)
• Possibilité de modulation : il suffit de moduler le
courant dans la pn !
• Tout le spectre de l’UV à l’IR accessible
Sophia
Laser à SC : gain du Laser
• Gain (ou coeff d’amplification) du Laser: même

définition que le coefficient d’absorption
1 d(E) Avec (E) le flux de photons
g(E) 
(E) dx
• Soit rst(E) le nb de photons émis par émission
stimulée par unité de temps et de volume
d
rst(E)*S*dx = rst(E) dx = d  rst (E)
dx
1
g(E)  rst (E)

Sophia
• Amplification:  g(E) >0  rst(E) >0 EFC-EFV >E
• g(E) >0 condition nécessaire et pas suffisante car il

y a absorption par les porteurs libres (Auger)
g (E)   P (E)
Soit A(E) le gain net :
Si A(E) >0, condition
A( E )  g ( E )   P ( E ) nécessaire et suffisante
Sophia
• si A(E) < 0  LED ( uniquement émission

spontanée
• si A(E) > 0 l’amplification commence dans le
matériau. Or l’émission n’est pas isotrope!
p
Le photon 1 sera bcp plus amplifié

2
Zone 1
que le photon 2 car son chemin est
active
plus long  émission sera
directive
n Ce n’est pas encore un LASER
Sophia
Laser à SC : diode superradiante
Led
2
1
n superradiante
Sophia
Laser à SC
• Le SC a un indice n important (3.5). Il existe une

réflexion (R=30%)  des photons vont « rebrousser »
chemin et être encore amplifiés : on a une cavité
résonnante on va donc encore augmenter la densité
de photons, mais attention, pas « n’importe » lesquels
!!!
Sophia
Laser à SC: cavité de Fabry - Pérot
• Cavité de Fabry – Pérot : sélection de modes

d’oscillations :
k = 2 n L
n : indice du milieu (SC)

L : longueur de la cavité
Sophia
Laser : conditions d’oscillation
• en 1: 1 ( E )
n
• en 2: 2 ( E )  1e A( E ) L
1 2
• en 3: 3 ( E )  1e A( E ) L
R1 4
3
• en 4:  4 ( E )  1e 2 A( E ) L
R1
• en 5: 5 ( E )  1e 2 A( E ) L
R1 R2 p
Sophia
Laser : conditions d’oscillation

En 5 et en 1, on est au même « endroit ».
2 cas :
• soit 5  1
n
• soit 5  1
Dans le cas où 5  1 , le système
1
peut diverger en théorie. 2
4
1
R1 R2e 2 AL  1  2 AL  ln 3
R1 R2 5
1 1
 A ln
2 L R1 R2
1 1 p
 A  ln Si R1=R2
L R
Sophia
Laser
• Condition d’amplification : A(E) > 0
1 1
• Condition d’oscillation : A( E )  ln
L R
• Dans ce cas, le gain est supérieur aux pertes de la cavité
• Résumé:
• g(E) > 0 cond. nécessaire => LED
• g(E) >p(E) cond. suffisante (ampli) => LED
superradiante
1 1 cond. d’oscillation : Laser

• g ( E )   P ( E )  ln
L R
Sophia
Laser
• Pour E>E0 : émission

spontanée : c’est une LED
• Si E<E1 et E>E’1 émission
spontanée car émission
stimulée « mangée » par
P(E)
• E1<E<E2 et E’2<E<E’1
amplification mais pas
oscillation : superradiante
• E2<E<E’2 : laser
Sophia
Laser: émission multimode

Sophia
Laser: émission multimode

• La cavité sélectionne un certain nombre de modes
définis par:
2 nL  k 
• n: indice, L: longueur de la cavité, k: ordre
d’interférence

2
dn 1 dn
avec  1µm 1 pour GaAs
  (n   )
2L d d
Sophia
Laser: distribution spatiale

l=10µm
• L’indice est plus fort dans la

région stimulée: L=100µm
• Amélioration du gain et du
confinement optique
• Émission du photon à
l’extérieur : sortent du coté L p
• Longueur d’onde du 0.2 à 1 µm

rayonnement et largeur de la n
fente similaires (µm) 
diffraction
• Ouverture du faisceau
• horizontal
1
h  
 6
• vertical l 10
 1
 v    60
e 1
Sophia
Laser: courant de seuil
oscillations

• Si pas inversion
LED, le flux est
proportionnel au
1000
courant
• Quand Ef atteint la
bande (BC et BV) et 100
que g(E) > p(E) 

surlinéarité du flux 10
E. spontanée
I0 I
Sophia
• Équation régissant le problème:

• La recombinaison des e- est provoquée par les photons
population d’e- et de photons interdépendantes.
• On pose
• n: l’excédent d’électrons (du à l’injection)
• N: l’excédent de photons
Sophia

• Durée de vie des photons dans la cavité:
• Absorption
• Émission hors de la cavité
• Coefficient effectif d’absorption
1 1
 p  ln
2 L R1 R2
• En moyenne le photon est absorbé sur 1/
1/  1 c 1 1 
N    v   p  ln 
v N n 2 L R1 R2 
Perte globale de la cavité

Sophia
ed 1 1 ed c  1 1  1
J th    p  log   g th
A  n  N A n nindice  2L R1 R2  
Gain au seuil
Facteur de gain, constante de la cavité
propre au composant
Sophia
• Au-delà du seuil:
• Oscillation sur le mode sélectionné par la cavité
• Durée de vie des électrons excédentaires diminue (proba
émission stimulée augmente)
• Densité n=n0
N
N (J  J0 )
ed
Sophia
en0 d
J th 
n
• Courant de seuil est
proportionnel à l’épaisseur
de la cavité si la couche
active est suffisamment
large !
• Si d plus petite que la
longueur d’onde d’émission,
le confinement optique
commence à décroître et le
courant de seuil augmente
• Si d de l’ordre de qq 100
Angstrom, effets quantiques
Sophia
Laser: Confinement optique:
Zone active Onde optique
confinée

 cavité
F ( z ) dz
Constante diélectrique
région p
région n
2
 F ( z) dz
Distance perpendiculaire à la cavité (z)
1 1
=> Condition d’oscillation: g   i  (1  ) e  log
2L R1 R2
Gain modal:
Sophia
Laser: Confinement optique:

D 2
2 2
 avec D  ( n  n 2 1/ 2
e) d
2 D 2
 i
d=250 ang
2 2
sp  (ni2  n 2 ) d 2
2 e
N pd p
mp    N p sp
N p d p  Nb db
Sophia
Diode laser à hétérojonction enterrée

Sophia
Diode laser monomode
• But: obtenir un rayonnement monofréquence

• Idée de base: réduire la longueur L de la cavité
jusqu’à ce que l’espacement entre 2 modes
longitudinaux (c/2nL) soit supérieur à la courbe
de gain.
• Difficultés:
• Cavité très courte (environ 5µm pour les lasers à cavité
verticale = VCSELs)
• Contrôle strict de L pour stabiliser la raie
Sophia
Diode laser monomode

2 dn 1
  (n   )
2L d
Ec Ec
Un seul mode sera amplifié d’énergie EC

 émission monomode
Sophia
Laser à émission verticale : VCSELs

• Jusqu’à présent, on a étudié les lasers à émission par la
tranche (« edge emitting »)
• La condition d’oscillations laser s’écrit:
1 1
g   P  log
2L R1 R2
• Comme R=0.3, on doit avoir L de l’ordre de 100 µm pour
avoir Jth raisonnable.
Sophia
• Dans le cas de VCSELs, les miroirs sont placés au

dessus et au dessous de la couche active on peut
réduire L d’un facteur 10, ie L = 10 µm  possibilité de
monomode
• Pour maintenir un courant de seuil correct, réalisation de
miroirs avec des R=99% voir plus !
Sophia

On adapte le « pic »
de réflexion des DBR
en fonction de la
courbe de gain de la
couche active.
2
 n   2N
 1   r1  
  nr 2  
R 2N 
 1   nr1  
 n  
  r2  
Avec:
• nr1<nr2
• d1=d2
• L de l’ordre de 10 
Sophia
• Avantages:
• Taille réduite du composant
• Lumière sort perpendiculairement (télécom)
• L petite, donc courant de seuil faible (< 100µA)
• Difficultés:
• Injection du courant (DBR dopés)
• Faible puissance de sortie (volume actif petit)!)
• Échauffement du dispositif (résistance importante
• Dégradation de performances
• Courant de seuil
Sophia

• Modification de la condition d’amplification:
R1 R2 e 2 ( gLeff  i Leff  e ( L  Leff ))  1

Leff  N p d P
N P : nb de puits quantiques
d P : largeur des puits quantiques
Sophia
Influence de la température
• Température et courant de seuil:
• Courant de seuil augmente
• « aplatissement » des fonctions de Fermi  augmentation
de l’injection pour atteindre les conditions d’inversion
• Augmentation du courant de fuite
• Les porteurs peuvent franchir les couches de confinement
(« cladding layers ») et une part du courant ne sert pas à
l’effet Laser
• Augmentation de l’effet Auger
• Processus non radiatif !
On essaye d’avoir
J th (T )  J exp(T / T0 )
0
th T0 le plus grand possible.
Pour GaAs , 120 K
Sophia
Influence de la température
• Température et spectre d’émission

• Modification du gap:
• Déplacement du spectre vers les basses énergies
• 3 à 4 Angstrom / K
• Modification de la cavité et des indices:
q 0
qq  2 L ; q 
nr
Sophia
Rendements de la diode Laser

Rendement quantique interne: c’est pareil que pour la LED
NP
i 
Ne
Puissance optique interne: c’est la puissance créée par
émission stimulée. On néglige la puissance émise par
émission spontanée
Pint  i h ( I  I th ) / e
Sophia
Pertes sur Pint: deux contributions
•Contribution proportionnelle aux pertes de

propagation : terme en Pint
•Contribution due à l’émission de lumière vers
l’extérieur: terme en rad Pint
Puissance optique émise par les 2 faces du Laser:
Popt  Pint rad /( rad   )  Pint (1   /  rad )

Popt  i h / e ( I  I th ) /(1   /  rad )
Sophia
Rendement différentiel : deux définitions
dN P d ( Popt / h ) Sans dimension

d    i /(1   /  rad )
dN e d ( I / e)
d ( Popt )
 '
d
en mW/mA
dI
Attention : ici Popt est la puissance émise par les 2 faces!!
Dans les docs, c’est par une face!!
Sophia
• Rendement global
  Popt / Pelec
C’est celui qui intéresse l’utilisateur. Il détermine les

mesures à prendre pour évacuer la chaleur.

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Ph.

• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:

Électrons : dualité onde - corpuscule

• Aspect ondulatoire: • Aspect corpusculaire:

Interaction électrons - photons

Compte tenu du faible kphoton les

Intérêt à adapter Eg à l’énergie du

Différents processus de transition inter-

ABSORPTION, ÉMISSION SPONTANÉE

•Pseudo niveau de Fermi

Hors équilibre retour équilibre

2 grandeurs régissent les états:

• Si  vie   les porteurs « ont le temps » de se

Taux net d’émission de photon -1

rspont est indépendant de la présence

Taux net d’émission de photon -2

rst: taux d’émission stimulée

Taux net d’émission de photon -3

Soit un système à 2 niveaux Ei et Ej

rsp ( E )  i Aij .g i f i .g j .(1  f j )

Taux net d’émission de photon -4

B ( E ' , E ' ' ) : proba pour la transition de E’ à E’’

Semi-conducteur Nature du Gap B (cm-3s-1)

Si indirect 1.8 10-15

GaP indirect 5.4 10-14

Taux net d’émission de photon -6

Émission stimulée: rst ( E )  rsp ( E ) 1  e  avec F  E f c  E f v

L’émission stimulée existe si rst(E) > 0

SC dégénéré n et p ou plutôt Efv ----------

Taux net d’émission de photon -7

Si on écrit le nb de photons dans le matériau:

Taux net d’émission

• Sous faible excitation d’un

• Forte excitation (E>Eg et Eg>>kT/e):

Le semi-conducteur émet un rayonnement d’énergie E

Comment se recombinent les porteurs et à quelle « vitesse » ?

Recombinaison des porteurs en excès – durée de vie

Recombinaison des porteurs en excès – durée de

R  R0  R  B (n0  n)( p0  p )  Rs t 0  Rst

Recombinaison des porteurs en excès – durée de

• Dans la mesure ou n = p (création de paires électron –

• On attribue à ce type de recombinaisons, une durée

Recombinaison des porteurs en excès

Création de photo-porteurs en excès

• Plusieurs moyens pour la création:

r (E)  R(E)0 (E)

• Si E=h >Eg, il y a absorption  on définit le coefficient

• Taux de génération d’électrons g(E,x):

g(E, x)  [1  R(E)]0 (E)(E)e (E)x

• Le taux de génération global g(x) (si pas

Taux d’émission (expressions)

g(x)  [1  R]0e x

Courant dans une Jonction pn

eVD  Eg  (EF  EV )p  (EC  EF )n  0

I(V) fonction du matériau

Tension pour I=20 mA (figure de mérite)

mode photocourant mode photovoltage

• LANs (qq kilomètres)

Distribution des photo-porteurs

• Conductance sous éclairement:

  e( µn (n0  n)  µ p ( p0  p))

• En se rappelant que µE est la vitesse des porteurs,

• Le photo-courant « primaire » généré par l’éclairement