INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO

PÚBLICO DE LAS FUERZAS ARMADAS

ELECTRÓNICA INDUSTRIAL
UNIDAD DIDÁCTICA:
INTERPRETACIÓN Y PRODUCCIÓN DE TEXTOS
DOCENTE:
MG. RAFAEL VARGAS MÁRQUEZ
TÍTULO DEL PROYECTO:
DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS
EJECUTORES:
SALVA ZEGARRA SAYRA MABEL
RENTERIA CRUZ DIMAR IVAN
FRIAS ALAVE MANUEL JESÚS

LIMA – PERÚ
2017
 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS

POR:
SALVA ZEGARRA SAYRA MABEL
RENTERIA CRUZ DIMAR IVAN
FRIAS ALAVE MANUEL JESÚS

INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO

PÚBLICO DE LAS FUERZAS ARMADAS
 DISPOSITIVOS SEMICONDUCTORES BÁSICOS

POR:
SALVA ZEGARRA SAYRA MABEL
RENTERIA CRUZ DIMAR IVAN
FRIAS ALAVE MANUEL JESÚS
Docente:

MG. RAFAEL VARGAS MÁRQUEZ

INSTITUTO DE EDUCACIÓN SUPERIOR TECNOLÓGICO

PÚBLICO DE LAS FUERZAS ARMADAS
 DEDICATORIA

Dedicamos este trabajo principalmente a Dios

por habernos dado la vida y permitirnos el
haber concluido con éxito la presente
monografía.

A nuestros padres por siempre demostrarnos

su amor y preocupación en todas las etapas de
nuestras vidas.

A nuestro profesor MG. RAFAEL VARGAS

MÁRQUEZ que estuvo siempre apoyándonos.
 INDICE

PRÓLOGO ............................................................................................................... 8

INTRODUCCIÓN ..................................................................................................... 9

MARCO TEÓRICO CONCEPTUAL ....................................................................... 10

1. LA ELECTRICIDAD ........................................................................................... 10

1.1. Composición y esencia de la electricidad .................................................... 10

1.2. Conductor y no conductor ............................................................................ 11

1.2.1. Conductor ............................................................................................. 11

1.2.2. No conductor ........................................................................................ 11

1.2.3. Semiconductor...................................................................................... 11

4. Semiconductor ................................................................................................... 12

4.1 Definición ...................................................................................................... 12

4.2 Material del Semiconductor .......................................................................... 12

4.3 Clasificación del semiconductor ................................................................... 13

4.3.1 Semiconductor Intrínseco ...................................................................... 13

4.3.2 Semiconductor de Impurezas ................................................................ 14

5. Diodo ................................................................................................................. 16

5.1 Definición ...................................................................................................... 16

5.2 Usos del diodo y símbolos de representación ............................................... 16

5.3 Funcionamiento del Diodo ............................................................................ 16

 5.2.1 Polarización directa del diodo ................................................................ 17

5.2.2 Polarización inversa del diodo ............................................................... 17

5.4 Característica del diodo ................................................................................ 17

5.5 Funcionamiento del Diodo Rectificador ........................................................ 18

5.5. 1 Circuito de rectificador de media onda.................................................. 18

5.5.2 Circuito rectificador de onda completa ................................................... 19

5.8. Tipos de Diodos ........................................................................................... 19

5.8.1 Diodo Zener ........................................................................................... 19

5.8.2 Foto diodo .................................................................................................. 20

5.8.3 LED (Diodo emisor de luz) ..................................................................... 21

6. Transistor ........................................................................................................... 22

6.1 ¿Qué es un transistor?.................................................................................. 22

6.2 Funcionamiento Básico del Transistor .......................................................... 23

6.2.1 Operación Básica del transistor tipo NPN .............................................. 23

6.2.2 Operación Básica del transistor tipo NPN .............................................. 23

6.2.3 Función de amplificación del transistor .................................................. 24

6.3 El transistor de efecto de Campo (FET) ....................................................... 25

6.3.1 Transistor J FET ................................................................................. 25

6.3.2 Principio de funcionamiento. .................................................................. 25

6.3.3 Zonas de trabajo del J FET .................................................................... 26

6.4. (MOSFET) ................................................................................................... 26

6.4.1 Estructura y tipos de MOSFET. ............................................................ 26

6.4.2 Principio de funcionamiento. .................................................................. 27

7. Termistor ............................................................................................................ 29
 7.1 Termistor NTC (Coeficiente de Temperatura Negativa) ............................... 29

7.2 Termistor PTC (Coeficiente positivo de temperatura) ................................... 29

8. Tiristores ............................................................................................................ 30

8.1 Características de los tiristores: .................................................................... 30

8.2 Activación del tiristor ..................................................................................... 31

8.3 Tipos de tiristores. ........................................................................................ 31

9. Circuito Integrado (IC) ........................................................................................ 33

9.1 Generalidades .............................................................................................. 33

9.2 CI Análogo .................................................................................................... 36

9.3 CI Digital ....................................................................................................... 37

9.4 Circuitos Lógicos .......................................................................................... 37

9.4.1. Circuito AND (producto lógico) ............................................................ 37

9.4.2 Circuito OR (suma lógica) ...................................................................... 38

9.4.3 Circuito NOT (negación) ........................................................................ 38

9.4.4 Circuitos NAND ...................................................................................... 38

9.4.5 El circuito NOR es un circuito OR seguido por un circuito NOT. ........... 38

CONCLUSIONES .................................................................................................. 39

BIBLIOGRAFÍA ...................................................................................................... 52
 PRÓLOGO

Se eligió este tema sobre los dispositivos semiconductores básicos por, la rápida
evolución de la tecnología electrónica obliga a una renovación y actualización
constante de sus enseñanzas. Deben introducirse nuevos conceptos. En partículas
en la actualidad conviene considerar desde el principio en la formación del
estudiante, la utilización de herramientas informáticas para el análisis y diseño de
circuitos electrónicos, y proporcionar al estudiante una visión global de la ingeniería
electrónica.
 INTRODUCCIÓN

Este documento constituye una bibliografía complementaria para la asignatura de

Electrónica, que se imparte a las carreras de Ingeniería que no son derivadas de la
especialidad de Ingeniería Eléctrica, como es el caso de las asignaturas de las
facultades de Industrial-Economía y de Ingeniería Química y Mecánica.
Queda lejos del propósito de los autores exponer un estudio profundo y detallado
de los temas que aquí aparecen. Solamente se pretende dar una breve
caracterización que sirva como introducción a un estudio posterior para aquellos
que les resulte de interés, y cumplir con los objetivos definidos por las diferentes
carreras para las disciplinas que tienen vínculo con los dispositivos y circuitos de la
Electrónica.
Para su elaboración se consultó una extensa bibliografía que incluyó artículos, libros
de texto y manuales así como sitios Web en Internet.

Temáticas que serán abordadas en el presente trabajo:

Materiales semiconductores. Semiconductor tipo N y P. Unión PN como diodo.
Polarización de una unión PN. Característica volt-ampere de un diodo. Uso del diodo
como rectificador. Diodo Zener. Diodo Varactor. Diodo Shottky. Diodos Varistores.
Diodos emisores de luz. Parámetros más usados en los diodos. El transistor bipolar.
Características funcionales del transistor bipolar. Zonas de trabajo del transistor
bipolar. Configuraciones circuitales básicas. Parámetros de los transistores
bipolares. El transistor como amplificador y como interruptor. Polarizaciones de los
transistores y estabilización del punto de operación. El transistor de efecto de
Campo (FET). Principio de funcionamiento y zonas de trabajo. El transistor de efecto
de campo de Compuerta Aislada (MOSFET). Estructura y tipos. Principio de
Funcionamiento. Tiristores. Características... Tipos. Circuitos integrados.
 MARCO TEÓRICO CONCEPTUAL

1. LA ELECTRICIDAD

1.1. Composición y esencia de la electricidad

La materia está compuesta de moléculas, las cuales a su vez están compuestas

químicamente de átomos.

Ejemplo: molécula de agua (H2O) = dos átomos de hidrógeno (H2) + un átomo de

oxígeno (O)

Generalmente, el núcleo tiene electricidad positiva (+) y el electrón tiene electricidad

negativa (-), estos dos tienen características de atracción mutua, por lo que el átomo
se mantiene eléctricamente neutro (cantidad de electricidad positiva = cantidad de
electricidad negativa). Debido a la fuerza de atracción del núcleo atómico que va
hacia los electrones de la órbita más externa (valencia de electrones) es el más
débil, estos electrones se escapan fácilmente desde la órbita con estímulos externos
(calor, electricidad, luz....) moviéndose a otras órbitas. Estos electrones que salieron
de la órbita, son llamados electrones libres, los cuales son la esencia de la
electricidad. El movimiento de estos electrones libres produce directamente la
corriente eléctrica. Esto significa que el movimiento que iniciaron estos electrones
libres corresponde al flujo de corriente eléctrica.
1.2. Conductor y no conductor

La materia se clasifica eléctricamente y puede dividirse en conductores, que

transmiten la electricidad y no conductores que no transmiten bien la electricidad,
además de los semiconductores con características intermedias, estando estas
determinadas por la configuración electrónica de acuerdo a la estructura del
material.

1.2.1. Conductor

Donde la electricidad fluye bien

Aquí se encuentran la mayoría de los metales, los electrones libres pueden moverse
bien en el interior del material. El orden de una buena conductividad de electricidad
es: Plata  Cobre  Oro  Aluminio  Tungsteno Zinc  Níquel ....

1.2.2. No conductor

Donde la electricidad no fluye bien

Es llamado aislante, los electrones libres se generan fácilmente, por ejemplo:
cerámica, vidrio, goma, plástico, madera, etc.

1.2.3. Semiconductor

Tiene las características medias entre el conductor y el no conductor.

Entre estos están el silicio (Si), germanio (Ge), selenio (Se) etc. los que son usados
como materia prima de la parte electrónica.
 4. Semiconductor

4.1 Definición

En la materia, hay conductores donde la corriente eléctrica fluye con facilidad, y no

conductores donde es difícil que el flujo de corriente. El semiconductor denota un
material de mediana propiedad entre el conductor y el aislante. Particularmente, en
este, la corriente eléctrica no fluye con facilidad como en el conductor, ni difícil como
en el no conductor. El semiconductor es un material que tiene ciertas propiedades
eléctricas, por lo tanto el semiconductor es un material que tiene características
medias entre el conductor y el no conductor.

4.2 Material del Semiconductor

La resistencia específica del cobre usado como conductor eléctrico es de 10 -6Ωcm

(la más baja) y la resistencia específica del Ni-Cr usado como cable eléctrico es de
10-4Ωcm, estos materiales son llamados conductores, porque conducen la
electricidad con facilidad. Si la resistencia específica es más de 1010Ωcm entonces
se puede conducir muy poca electricidad, de manera que este material es usado
como aislante. El material entre el conductor y aislador, que no pertenece a los
materiales conductores ni a los no conductores, reciben el nombre de
semiconductores, entre los que están el germanio y el silicio, los que son utilizados
en la fabricación del diodo y el transistor.

Los Semiconductores juegan el rol de conductores o no conductores de acuerdo

a la condición específica (relación entre el voltaje, corriente eléctrica, temperatura,
etc.). Los elementos principales que se utilizan comúnmente usados son el silicio
 (Si) y el germanio (Ge), algunos semiconductores de alta pureza son llamados
intrínsecos. El silicio y el germanio respectivamente tienen cuatro electrones en
la órbita más externa.
Particularmente, en su estructura de cristal, cada átomo comparte sus propios
cuatro electrones con su átomo par. Debido a tal enlace covalente, el material es
un aislador eléctrico y tiene un valor de utilización eléctrica bajo, de modo que no
puede ser usado independientemente como semiconductor. Por lo tanto, es usado
como semiconductor agregando una pequeña cantidad de impurezas, en forma
proporcional a otros elementos del átomo.

4.3 Clasificación del semiconductor

El Semiconductor está mayoritariamente constituido de dos formas.

Está el semiconductor intrínseco que no contiene impurezas en el material de cristal
y el semiconductor que se le agregan impureza de materias específicas al interior
del semiconductor intrínseco para mejorar la conductividad.
Generalmente el diodo y el transistor pertenecen al tipo de semiconductor con
impurezas.
Este semiconductor con impurezas se clasifica de acuerdo a rol del material añadido
como impureza, en dos tipos.
El material agregado como impureza aumenta en el semiconductor el número de
electrones libres dentro del semiconductor huecos dentro del semiconductor
Por lo tanto los semiconductores que añaden impurezas para aumentar el número
de electrones libres son llamados semiconductores de tipo negativo, mientras que
aquellos que añaden impurezas para aumentar el número de huecos son llamados
semiconductores tipo positivo.

4.3.1 Semiconductor Intrínseco

 El semiconductor intrínseco no contiene ningún material impuro en su estructura

de cristal.
  La pureza del semiconductor intrínseco es refinada en alrededor de
99.999999999 %
 El Germanio y el Silicio pertenecen a este tipo.

4.3.2 Semiconductor de Impurezas

Este semiconductor agregada materiales de impureza específica dentro del

semiconductor intrínseco para mejorar la conductividad.
Los semiconductores comunes como el diodo o transistor pertenecen a este tipo de
semiconductor.
Clasificación de semiconductores de impureza
El semiconductor tipo N agrega impurezas para aumentar el número de electrones
libres en el semiconductor.
El semiconductor tipo P agrega impureza para aumentar el número de huecos en el
semiconductor.

a).Semiconductor tipo P

Es fabricado agregando algunos materiales que tienen tres electrones de valencia

(Ga : galio; In : galio; B : boro) en el semiconductor intrínseco. Aunque el silicio
tiene un electrón de cuatro capas externas, si estos dos tipos de materiales se
encuentran entre ellos, entonces el átomo de silicio desde estos dos tipos de
átomos, no pueden compartir un electrón, de modo que la corriente eléctrica puede
fluir mas fácil, mientras que este espacio disponible en el octeto es llamado hueco.
Por lo que recibe el nombre de semiconductor tipo P (positivo) porque asume la
electricidad positiva (+) por deficiencia de electrones. Cuando se aplica voltaje, el
electrón llena el espacio hueco, por lo que el hueco se mueve continuamente hacia
abajo; la corriente eléctrica entonces fluye a través del hueco en el semiconductor
tipo P.
b).Semiconductor tipo N

Es fabricado agregando materiales que tiene cinco capas externas de electrones

(P : fósforo; As: arsénico ; Sb: antimonio) en el semiconductor intrínseco. Si el
elemento de valencia 5 es agregado como unión con el silicio, entonces un electrón
permanece como exceso en el octeto, por lo tanto la conductividad eléctrica puede
ser realizada más fácilmente mediante la actividad de este electrón libre. Es
llamado semiconductor tipo N (negativo) porque asume la electricidad negativa (-).
La corriente eléctrica fluye mediante el electrón en el semiconductor tipo N
(portador: electrón ).

c).Enlace P-N

Si el semiconductor tipo P y el semiconductor tipo N se unen químicamente unidos

entre sí, habrá una porción del portador donde no existen huecos, mientras que
los electrones libres se enlazarán en la parte angosta de la superficie de unión.
Esta superficie de unión es llamada barrera iónica mientras que el semiconductor
enlazado así es llamado semiconductor de enlace PN o diodo. De acuerdo a esto,
existe carga eléctrica de distinta polaridad entre ellos en ambos lados de la barrera
iónica y allí se genera una pequeña cantidad de diferencia potencial eléctrica, la
cual es llamada barrera potencial eléctrica.
 5. Diodo

5.1 Definición

Diodo es la parte sustancial del semiconductor donde la corriente eléctrica fluye

siempre en una sola dirección. Es decir, un semiconductor es llamado así porque
tiene intrínsecamente este tipo de propiedad. Aunque el transistor es también un
tipo de semiconductor, el diodo específicamente da a entender que la corriente
eléctrica fluye siempre en una sola dirección. El silicio como material semiconductor
es el utilizado, además del germanio y el selenio para este mismo propósito.

5.2 Usos del diodo y símbolos de representación

La función principal del diodo es rectificar la corriente eléctrica para que fluya
siempre en una sola dirección. Pero es usado también en muchas otras funciones,
estas funciones principales pueden resumirse como sigue:
 Utilizado como rectificador de corriente eléctrica para cambiar la corriente
alterna en corriente continua en instalaciones de suministro eléctrico.
 Se usa como detector para sacar la señal desde la frecuencia de radio
 Usado como conmutador de control de corriente eléctrica ON/OFF
 Prevenir el flujo de corriente inversa
 Usado como protector de circuitos

5.3 Funcionamiento del Diodo

Diodo de avance para la polarización directa

Diodo de avance para polarización inversa
5.2.1 Polarización directa del diodo

El diodo tiene terminales conectados en ambos lados del semiconductor de enlace

P-N, el que posee características para que la corriente eléctrica siempre fluya en
una sola dirección.

En dirección de avance como se muestra en la figura, si el voltaje positivo (+) es

aplicado en el semiconductor tipo P y el voltaje negativo (-) es aplicado en el
semiconductor tipo N, el hueco y el electrón repelen la fuente eléctrica, por lo tanto
la barrera potencial eléctrica disminuye y también se reduce la barrera iónica. En
consecuencia, el hueco y el electrón pueden moverse entre ellos a través de la
superficie de enlace. De acuerdo a esto, la corriente eléctrica fluye por el
movimiento del hueco y el electrón.

5.2.2 Polarización inversa del diodo

Esta vez conectamos en dirección inversa, el voltaje negativo (-) al semiconductor

tipo P y el voltaje positivo (+) al semiconductor tipo N. Entonces el hueco del
semiconductor tipo P es atraído al lado negativo (-) del suministro eléctrico, mientras
que el electrón del semiconductor N es atraído al lado positivo (+) del suministro
eléctrico. En consecuencia la barrera de potencial eléctrico aumenta y de acuerdo
con esto la barrera iónica se amplía impidiendo el movimiento entre los dos tipos de
semiconductores.
Como resultado, la corriente eléctrica no fluye.

5.4 Característica del diodo

Se puede apreciar que, si el voltaje directo se incrementa gradualmente desde 0V,

la corriente eléctrica fluye abruptamente si alcanza un cierto voltaje.
Particularmente, la corriente eléctrica sólo fluye si el voltaje aplicado es de
alrededor de 0.6~0.7 V (Diodo de Ge: 0.3~0.4 V). Si se aplica voltaje inverso, la
 corriente eléctrica no fluye hasta un cierto valor de voltaje, pero fluye abruptamente
sobre este valor de voltaje. El Voltaje en este instante es llamado voltaje de
ruptura.
Particularmente, el diodo se rompe, si es conectado en dirección inversa y se
aplica un voltaje por sobre el voltaje de ruptura.

Características de Voltaje-Corriente

Gráfico de Voltaje-Corriente directa característico del diodo: Flujo de corriente

en el diodo al aplicar voltaje.
Cuando el voltaje de polarización directa es aplicado bajo 0.7 V → fluye micro
corriente: el diodo no opera.
Cuando en polarización directa se aplica el voltaje del umbral, 0.7V → la
corriente de operación del diodo fluye: el diodo funciona

5.5 Funcionamiento del Diodo Rectificador

Una señal de corriente alterna puede ser rectificada en corriente continua usando
las características del diodo para que la corriente eléctrica fluya siempre en una
sola dirección. El circuito rectificador se puede clasificar principalmente en circuito
rectificador de media onda y circuito rectificador de onda completa.

5.5. 1 Circuito de rectificador de media onda

Cuando se aplica corriente alterna al circuito, cuando se produce la señal del lado
positivo (+), la corriente eléctrica fluye en dirección directa, pero en el momento en
que se produce la señal de lado negativo (-), la corriente eléctrica no fluye porque
se convierte en corriente de dirección inversa. En este tipo de circuito, la corriente
eléctrica fluye solo hacia un lado y es llamado circuito de rectificador de media onda.
5.5.2 Circuito rectificador de onda completa

Cando se aplica corriente alterna al circuito, la corriente eléctrica fluye positiva (+)
a través de D1 y D4 durante medio período del ciclo de la señal de corriente
alterna, mientras que la corriente fluye a través de D2 y D3 durante el medio
período negativo (-). En este tipo de circuito la corriente eléctrica fluye en ambos
medios períodos y corresponde al circuito rectificador de onda completa.
( *Aunque aquí particularmente, es representado un recitificador de onda completa
usando un puente, hay también un circuito rectificador de onda completa usando
la tapa central del transformador, el circuito rectificador de doble voltaje, etc. )

5.8. Tipos de Diodos

Los diodos son usados para gran un número de propósitos.

La rectificación de Voltaje, la regulación y aún en la producción de luz son algunos
de los varios usos.
Los siguientes son una breve muestra de los tipos de diodo que usted podría
encontrar.

5.8.1 Diodo Zener

Características del diodo Zener

Cuando el diodo es polarizado en forma parcial, actúa como diodo inverso o

interruptor cerrado.
Sin embargo, el diodo Zener tiene cualidades únicas de polaridad inversa que lo
hacen diferente del diodo típico.
El diodo Zener tiene polaridad inversa en diferentes voltajes. La cantidad de voltaje
requerido para la polaridad inversa varía de acuerdo al diodo zener seleccionado.
Algunos voltajes típicos de polaridad inversa son 2.4V, 5.1V, 6.0V, 9.1V, 12.0V, etc.
En este punto, cuando el voltaje aplicado aumenta, la corriente directa aumenta.
Esta pequeña corriente inversa fluye hasta que el diodo alcanza el punto de ruptura,
V2 en la figura. En el punto de ruptura, el diodo zener es capaz de mantener un
voltaje constante cuando la corriente varía sobre cierto rango. Debido a este
atributo, el diodo provee excelente regulación de voltaje.

a) Uso del diodo Zener

El diodo zener es un dispositivo electrónico que puede ser usado como regulador
de voltaje.

b) Ejemplos del diodo zener utilizado en circuitos

 Voltaje de ruptura del diodo Zener inferior a 12 V.

 El suministro de voltaje al controlador a través de C1 en el circuito nunca
excederá 12 V.
 Si el suministro de voltaje excede 12V, entonces está conectado a tierra a
través del diodo zener.
 Debido a que la corriente es descargada a tierra cuando el voltaje superior a
12V, ningún voltaje superior a 12V es suministrado al controlador.

5.8.2 Foto diodo

Características del foto diodo

La corriente eléctrica fluye si la superficie del enlace PN es iluminada bajo ciertas

condiciones, donde un voltaje es aplicado en dirección inversa. Si la cantidad de
irradiación de luz cambia, la corriente eléctrica también cambia en proporción a la
cantidad de luz. La barrera de potencial eléctrico es construida en la superficie del
enlace PN y aumenta si el voltaje inverso es aplicado, de modo que se convierte
totalmente en un aislante. Si la luz ilumina la superficie del enlace PN bajo esta
condición, el cambio se produce sobre la superficie del enlace. El electrón y el
hueco son activados por la energía de la luz externa a lo largo del Ion positivo (+)
en el área de lado N y el Ion negativo (-) en el área de lado P. El hueco y el electrón
libre separados de sus respectivos iones se mueven a lo largo del semiconductor,
por lo tanto la corriente eléctrica comienza a fluir. Este diodo es usado en circuitos
de transformación de electricidad.

Por consiguiente si el voltaje se mantiene constante, la corriente eléctrica que fluye

en el circuito es proporcional a la cantidad de luz recibida en el elemento.

5.8.3 LED (Diodo emisor de luz)

Características del diodo emisor de luz

Este diodo se ilumina cuando la corriente eléctrica fluye aplicándole voltaje

directo en el diodo de enlace PN. Sus características son las siguientes:

o Tiene mayor vida útil y el consumo de energía eléctrica es más

pequeño en comparación con la luz eléctrica incandescente.
o La respuesta es más rápida.
o Se ilumina aún con poco voltaje de 2 ~ 3V.
o El consumo de energía es pequeño (alrededor de 0.05 W ) ,
o La respuesta de encendido y apagado es rápida (una millonésima de
segundo).
o Como color de iluminación, están el rojo, verde, amarillo, etc., de
acuerdo al material del semiconductor.
 6. Transistor

6.1 ¿Qué es un transistor?

El transistor tipo PNP es aquel donde un semiconductor delgado tipo N en un cristal

semiconductor se ha insertado entre dos semiconductores tipo P. Mientras que el
transistor tipo NPN es aquel donde un semiconductor delgado tipo P ha sido
insertado entre dos semiconductores tipo N. En la configuración de los símbolos
del semiconductor, la letra E indica el terminal del Emisor, la letra B indica el
terminal de la Base y la letra C indica el terminal del Colector.

El transistor según la asociación de los semiconductores, son de tipo PNP y tipo NPN.

El nombre del transistor es anexado según el uso y tipo.

2SA××× ----- Transistor de tipo PNP para alta frecuencia

2SB××× ----- Transistor de tipo PNP para baja frecuencia

2SC××× ----- Transistor de tipo NPN para alta frecuencia

2SD××× ----- Transistor de tipo NPN para baja frecuencia

6.2 Funcionamiento Básico del Transistor

6.2.1 Operación Básica del transistor tipo NPN

Este tipo se conecta en forma opuesta al del tipo PNP; como se muestra en la
figura inferior, unos pocos huecos son proporcionados desde el polo positivo de la
fuente eléctrica, de modo que estos producen una pequeña porción de corriente
base IB. Los electrones que provienen desde el emisor no han sido capaces de
unirse con los huecos de la base para moverse hacia el lado del colector, debido
al VCB del lado del colector estos producen la corriente I C. Normalmente el
95~98 % entre la corriente del emisor IE llega a IC pero el resto, 2~5 %, llega a
IB .

6.2.2 Operación Básica del transistor tipo NPN

Si el voltaje continuo VBE se aplica entre el emisor y la base, la barrera potencial

eléctrica en el enlace PN disminuye. En el emisor del lado P, muchos huecos se
generan porque la concentración de material con impurezas se fortalece. En la base
de lado N, debido a que es muy delgada, la concentración del material de impurezas
es más débil, ya que sólo hay unos pocos electrones. Los huecos en el emisor que
cruzan sobre la barrera de potencial eléctrico y entran al lado de la base por difusión,
desaparecen en el enlace con una parte de los electrones de la base. Pero debido
a que estos pocos electrones están continuamente alimentados por la fuente
eléctrica de polo negativo “-“, se produce una pequeña corriente de base IB.
Si el voltaje inverso VC B es aplicado entre la base y el colector, la barrera de
potencial eléctrico es incrementada en la superficie de enlace PN de modo que la
corriente eléctrica no fluye entre la base y el colector.
Los huecos que no podrán unirse con los electrones, pero como provienen desde el
emisor, ahora se mueven hacia el lado del colector debido a la V CB del lado del
colector. Estos producen la corriente I C del colector. Los huecos del emisor son
suministrados gradualmente desde el polo positivo, de modo que producen la
corriente Ic del emisor. La mayor parte de IE llega a IC, no obstante una muy pequeña
porción se genera como corriente IB de base.

6.2.3 Función de amplificación del transistor

Como ya hemos descrito en la sección “Funcionamiento Básico”, la mayoría de los

electrones (no menos de 95%) se mueven hacia el colector, pero sólo unos pocos
electrones (no más del 5%) se juntan con los huecos de la base. De modo que la
dirección de la corriente eléctrica y la corriente de electrones se definen
comúnmente como corrientes opuestas, donde la corriente del emisor I E es dividida

en corriente I C del colector y corriente base I B , la siguiente ecuación sostiene que:

IE = IB + IC I E  I B  IC

De esta forma, la corriente alta del colector puede ser deducida desde una pequeña
corriente de base, por lo tanto para se llama amplificación de corriente eléctrica,
mientras la relación (razón) entre I B e I C son llamadas factor de amplificación de

corriente eléctrica. (h F E ).

IC 100
hFE    100
IB , 1
6.3 El transistor de efecto de Campo (FET)

Otro tipo de transistor además del bipolar (BJT) es el llamado transistor de efecto
de campo (FET, acrónimo inglés de Field-Effect Transistor), que funciona sobre la
base del principio de repulsión o de atracción de cargas debido a la superposición
de un campo eléctrico. Los transistores de efecto de campo funcionan de forma
más eficaz que los bipolares, ya que es posible controlar una señal grande con una
cantidad de energía muy pequeña. Los transistores de efecto de campo son
transistores unipolares porque poseen un solo tipo de portadores (mayoritarios). Se
consideran tres tipos principales de FET:

 FET de unión (JFET)

 FET metal óxido semiconductor de empobrecimiento (MOSFET de
empobrecimiento)
 FET metal óxido semiconductor de enriquecimiento (MOSFET de
enriquecimiento)

6.3.1 Transistor J FET

El JFET de canal n, mostrado en la figura, se construye utilizando una cinta de

material de tipo n con dos materiales de tipo p difundidos en ella, uno en cada lado.
El JFET de canal p tiene una cinta de material de tipo p con dos materiales de tipo
n difundidos en ella

6.3.2 Principio de funcionamiento.

Analicemos el caso del dispositivo denominado como J FET canal N. La zona

intermedia que se encuentra rodeada por la compuerta es la que se denomina canal.
En una parte extrema de este canal se encuentra el drenaje y en el lado opuesto se
halla la fuente; las dos zonas tipo p interconectadas entre sí en el esquema, se
denominan compuerta. Tanto el drenaje como la compuerta se polarizan con
respecto a la fuente.
Cuando el voltaje VGS = 0 existe una pequeña diferencia de potencial entre el
drenaje y la fuente y circula una corriente pequeña ID. La zona de carga espacial
(ZCE) de la unión P-N formada entre el canal y la compuerta es uniforme. Para
pequeños valores de voltaje drenaje fuente VDS el canal se comporta como una
resistencia por lo que existe una relación lineal entre ID y VDS.

6.3.3 Zonas de trabajo del J FET

Al igual que ocurre con el transistor bipolar, en el JFET existen tres zonas de trabajo
cuyas características se describen a continuación:

Zona lineal. En ella la corriente de drenaje Id, varia linealmente con el voltaje
aplicado entre drenaje y fuente VDS. El canal se comporta como una resistencia
para VDS<VDSP Zona de saturación. En esta situación se cumple que VDS >
VDSP. La corriente ID es prácticamente constante y el canal se ha pellizcado Zona
de corte. En este caso no existe corriente a través del canal, por lo que la IDS = 0.

6.4. (MOSFET)

6.4.1 Estructura y tipos de MOSFET.

En el MOSFET, dos regiones similares muy contaminadas llamadas igualmente la

fuente y el drenaje se difunden en la superficie superior de un cristal semiconductor
menos contaminado, que se conoce como substrato. Para que fluya corriente de
una de estas regiones a la otra tiene que hacerlo por el estrecho canal del substrato
entre ellas. Una capa suavemente delgada de dióxido de silicio, un aislador casi
perfecto, se deposita sobre la superficie del substrato, practicándosele una pequeña
abertura para permitir realizar el contacto con la fuente (S) y el drenador (D). Una
placa metálica llamada compuerta (G) se coloca sobre esta capa en el espacio
comprendida entre la puerta y el drenador. Observe que la compuerta, el aislador y
el substrato forman un condensador. Por causa de esta construcción, el transistor
de compuerta aislada se llaman con frecuencia FET de metal –Oxido –
Semiconductor (MOSFET).

Hay dos tipos de MOSFET: el de enriquecimiento, acumulación o acrecentamiento,

que tiene el substrato de un tipo de material distrito que el de la fuente y el drenaje,
por ejemplo, substrato N y fuente y drenaje tipo P, por lo que se forma un conjunto
PNP.

6.4.2 Principio de funcionamiento.

Normalmente no fluirá corriente entre la fuente y el drenaje, porque la unión PN que

se forma entre D y el Substrato, en el paso de la corriente, se polariza inversamente
por la fuente VDD. Pero como la fuente VGG aplica una carga negativa sobre la
placa metálica G, esta carga mediante la acción del condensador, repele todos los
electrones del canal en la porción del substrato colocado directamente debajo de la
compuerta. Cuanto más electrones sean repelidos de esta zona del canal, más
adoptará el material en este lugar las características de una región P. El voltaje de
polarización de VGG se mantiene en un punto en el que el canal aún tiene
suficientes características del tipo N para bloquear el flujo de corriente entre la
fuente y el drenaje. Ahora, si el voltaje de la señal aumenta el voltaje VGG, la región
del canal perderá aún más electrones, de manera que empezará en efecto, a
transformarse en una región P. Entonces, la zona de paso entre la fuente y el
drenaje cambiará algo del tipo PNP al tipo PPP, y la corriente comenzará a fluir
entre la fuente y el drenaje.

El otro tipo de MOSFET tiene la zona del canal del mismo tipo de material que la
fuente y el drenaje y se llama de agotamiento, deplexión o empobrecimiento.
Observe que como aquí tenemos un conjunto PPP como en la figura, o NNN, sin
unión de polarización inversa, por lo que la corriente fluirá entre S y D con una
polarización cero en la compuerta. Si la señal de entrada hace negativa la
compuerta, el canal atraería los huecos del substrato, aumentando la conductividad
del canal y por tanto, el flujo de corriente a través del mismo. Si por el contrario la
compuerta se hace positiva, se repelen los huecos del canal hacia el substrato.
Como resultado se reduce la conductividad del canal y la corriente que fluye por el
se reduce. Si la compuerta se hace bastante positiva, se repelarán suficientes
huecos para que el canal adopte las características de una región N. En este punto,
debido a la unión de polarización inversa entre ellas, cesará la corriente entre la
fuente y el drenaje. Se puede ver que el voltaje que se aplica en la compuerta en un
MOSFET de este tipo, es efectivo en ambas direcciones

El MOSFET es muy usado en los circuitos digitales, además de poder utilizarse

como amplificador.

Un MOSFET de agotamiento puede funcionar también como de acumulación. Basta

con aplicar una tensión positiva a la puerta, de modo que se induzcan cargas
negativas en el canal tipo N.

Actualmente los MOSFET de canal P de acumulación es el más difundido en los

sistemas MOS ya que son mucho más fáciles de producir, a pesar de tener ciertas
desventajas con respecto a los del canal N.

Los MOSFET de canal N ocupan menos espacio en un Circuito Integrado, además

de ser más rápidos.
 7. Termistor

Los elementos semiconductores que cambian el valor de la resistencia de acuerdo

a las variaciones de temperatura, son el termistor NTC y termistor PTC

7.1 Termistor NTC (Coeficiente de Temperatura Negativa)

Características

Si la temperatura sube, la resistencia disminuye.

Descripción del circuito con termistor NTC.

 El voltaje de polaridad del transistor depende del termistor NTC en el circuito
inferior.
 Si la temperatura sube, el voltaje entre la base y el emisor se incrementa.
 Por lo tanto, el TR se pone en ON y la luz se enciende.

7.2 Termistor PTC (Coeficiente positivo de temperatura)

Características
Si la temperatura sube, la resistencia aumenta
Descripción del circuito con termistor PTC.
En el circuito de abajo, la luz se enciende cuando el interruptor está en ON.
Si el exceso de corriente pasa hacia la Luz, el calor por exceso de corriente es
producido hacia el termistor, en este momento, la Resistencia aumenta y disminuye
la corriente eléctrica. Por lo tanto, previene la sobre corriente en el circuito.
 8. Tiristores

Un tiristor es uno de los tipos más importantes de los dispositivos semiconductores

de potencia. Los tiristores se utilizan en forma extensa en los circuitos electrónicos
de potencia. Se operan como conmutadores biestables, pasando de un estado no
conductor a un estado conductor. Para muchas aplicaciones se puede suponer que
los Tiristores son interruptores o conmutadores ideales, aunque los tiristores
prácticos exhiben ciertas características y limitaciones.

8.1 Características de los tiristores:

Un Tiristor es dispositivo semiconductor de cuatro capas de estructura pnpn con

tres uniones pn tiene tres terminales: ánodo cátodo y compuerta. La figura mas
abajo muestra el símbolo del tiristor y una sección recta de tres uniones pn. Los
tiristores se fabrican por difusión. Cuando el voltaje del ánodo se hace positivo con
respecto al cátodo, las uniones J1 y J3 tienen polarización directa o positiva. La
unión J2 tiene polarización inversa, y solo fluirá una pequeña corriente de fuga del
ánodo al cátodo. Se dice entonces que el tiristor está en condición de bloqueo
directo o en estado desactivado llamándose a la corriente fuga corriente de estado
inactivo ID. Si el voltaje ánodo a cátodo VAK se incrementa a un valor lo
suficientemente grande la unión J2 polarizada inversamente entrará en ruptura.
Esto se conoce como ruptura por avalancha y el voltaje correspondiente se llama
voltaje de ruptura directa VBO. Dado que las uniones J1 y J3 ya tienen polarización
directa, habrá un movimiento libre de portadores a través de las tres uniones que
provocará una gran corriente directa del ánodo. Se dice entonces que el dispositivo
está en estado de conducción o activado
8.2 Activación del tiristor

Un tiristor se activa incrementando la corriente del ánodo. Esto se puede llevar a

cabo mediante una de las siguientes formas: Térmica. Si la temperatura de un
tiristor es alta habrá un aumento en el número de pares electrón-hueco, lo que
aumentará las corrientes de fuga. Este aumento en las corrientes hará que 1y
2 aumenten. Debido a la acción regenerativa ( 1+ 2) puede tender a la unidad y
el tiristor pudiera activarse. Este tipo de activación puede causar una fuga térmica
que por lo general se evita. Luz. Si se permite que la luz llegue a las uniones de
un tiristor, aumentaran los pares electrón-hueco pudiéndose activar el tiristor. La
activación de tiristores por luz se logra permitiendo que esta llegue a los discos de
silicio. Alto voltaje. Si el voltaje directo ánodo a cátodo es mayor que el voltaje de
ruptura directo VBO, fluirá una corriente de fuga suficiente para iniciar una activación
regenerativa. Este tipo de activación puede resultar destructiva por lo que se debe
evitar. dv/dt. Si la velocidad de elevación del voltaje ánodo-cátodo es alta, la
corriente de carga de los capacitores formados en las uniones puede ser suficiente
para activar el tiristor. Un valor alto de corriente de carga puede dañar el tiristor por
lo que el dispositivo debe protegerse contra dv/dt alto. Los fabricantes especifican
el dv/dt máximo permisible de los tiristores. Corriente de compuerta. Si un tiristor
está polarizado en directa, la inyección de una corriente de compuerta al aplicar un
voltaje positivo de compuerta entre la compuerta y las terminales del cátodo activará
al tiristor. Conforme aumenta la corriente de compuerta, se reduce el voltaje de
bloqueo directo.

8.3 Tipos de tiristores.

Los tiristores se fabrican casi exclusivamente por difusión. La corriente del ánodo
requiere de un tiempo finito para propagarse por toda el área de la unión, desde el
punto cercano a la compuerta cuando inicia la señal de la compuerta para activar el
tiristor. Para controlar el di/dt, el tiempo de activación y el tiempo de desactivación,
los fabricantes utilizan varias estructuras de compuerta. Dependiendo de la
construcción física y del comportamiento de activación y desactivación, en general
los tiristores pueden clasificarse en nueve categorías:

a) Tiristores de control de fase (SCR).

b) Tiristores de conmutación rápida (SCR).
c) Tiristores de desactivación por compuerta (GTO).
d) Tiristores de tríodo bidireccional (TRIAC).
e) Tiristores de conducción inversa (RTC).
f) Tiristores de inducción estática (SITH).
g) Rectificadores controlados por silicio activados por luz (LASCR)
h) Tiristores controlados por FET (FET-CTH)
i) Tiristores controlados por MOS (MCT)
 9. Circuito Integrado (IC)

9.1 Generalidades

Un circuito integrado o CI, está formado por varios de cientos de resistores,

transistores y otros elementos incorporados sobre un sustrato formando un solo
dispositivo. Cuando se lee un circuito con un IC, es muy importante la comprensión
de las condiciones de operación, como se indican en la tabla o esquema. En este
capítulo, se describe como se debe leer un circuito IC.

Un circuito integrado, como su nombre lo indica, es un conjunto de componentes

concentrados dentro de una sola pastilla de material semiconductor y puede verse
como un pequeño circuito electrónico utilizado para realizar una función electrónica
específica, como la amplificación. Se combina por lo general con otros componentes
para formar un sistema más complejo y se fabrica mediante la difusión de impurezas
en silicio monocristalino, que sirve como material semiconductor, o mediante la
soldadura del silicio con un haz de flujo de electrones.

Varios cientos de circuitos integrados idénticos se fabrican a la vez sobre una oblea
de pocos centímetros de diámetro. Esta oblea a continuación se corta en circuitos
integrados individuales denominados chips.

En la integración a gran escala (LSI, acrónimo de Large-Scale Integration) se

combinan aproximadamente 5.000 elementos, como resistencias y transistores, en
un cuadrado de silicio que mide aproximadamente 1,3 cm. de lado. Cientos de estos
circuitos integrados pueden colocarse en una oblea de silicio de 8 a 15 cm. de
diámetro. Se presentan en encapsulados plásticos con terminales en forma de patas
de araña, que salen por el costado del encapsulado.
Dependiendo del tipo de encapsulado, se los conocen como SIP (Single In-line
Package = Encapsulado en hilera simple), o DIP (Dual In-line Package =
Encapsulado en hilera doble).

Existen otros encapsulados, pero no los trataremos por ser más específicos para
ciertos tipos de integrados. La integración a mayor escala puede producir un chip
de silicio con millones de elementos. Los elementos individuales de un chip se
interconectan con películas finas de metal o de material semiconductor aisladas del
resto del circuito por capas dieléctricas. Para interconectarlos con otros circuitos o
componentes, los chips se montan en cápsulas que contienen conductores
eléctricos externos. De esta forma se facilita su inserción en placas. Durante los
últimos años la capacidad funcional de los circuitos integrados ha ido en aumento
de forma constante, y el coste de las funciones que realizan ha disminuido
igualmente. Esto ha producido cambios revolucionarios en la fabricación de
equipamientos electrónicos, que han ganado enormemente en capacidad funcional
y en fiabilidad.

También se ha conseguido reducir el tamaño de los equipos y disminuir su

complejidad física y su consumo de energía. La tecnología de los ordenadores o
computadoras se ha beneficiado especialmente de todo ello. Las funciones lógicas
y aritméticas de una computadora pequeña pueden realizarse en la actualidad
mediante un único chip con integración a escala muy grande (VLSI, acrónimo de
Very Large Scale Integration) llamado microprocesador, y todas las funciones
lógicas, aritméticas y de memoria de una computadora, pueden almacenarse en
una única placa de circuito impreso, o incluso en un único chip. Un dispositivo así
se denomina microordenador o microcomputadora.

En electrónica de consumo, los circuitos integrados han hecho posible el desarrollo

de muchos nuevos productos, como computadoras y calculadoras personales,
relojes digitales y videojuegos. Se han utilizado también para mejorar y rebajar el
coste de muchos productos existentes, como los televisores, los receptores de radio
y los equipos de alta fidelidad.
Su uso está muy extendido en la industria, la medicina, el control de tráfico (tanto
aéreo como terrestre), control medioambiental y comunicaciones. El desarrollo de
los circuitos integrados ha revolucionado los campos de las comunicaciones, la
gestión de la información y la informática. Los circuitos integrados han permitido
reducir el tamaño de los dispositivos con el consiguiente descenso de los costes de
fabricación y de mantenimiento de los sistemas. Al mismo tiempo, ofrecen mayor
velocidad y fiabilidad.

Los relojes digitales, las computadoras portátiles y los juegos electrónicos son
sistemas basados en microprocesadores. Otro avance importante es la
digitalización de las señales de sonido, proceso en el cual la frecuencia y la amplitud
de una señal de sonido se codifica digitalmente mediante técnicas de muestreo
adecuadas, es decir, técnicas para medir la amplitud de la señal a intervalos muy
cortos. La música grabada de forma digital, como la de los discos compactos, se
caracteriza por una fidelidad que no era posible alcanzar con los métodos de
grabación directa.

La electrónica médica ha llegado hasta a sistemas que pueden diferenciar aún más
los órganos del cuerpo humano. Se han desarrollado asimismo dispositivos que
permiten ver los vasos sanguíneos y el sistema respiratorio. También la alta
definición promete sustituir a numerosos procesos fotográficos al eliminar la
necesidad de utilizar plata. La investigación actual dirigida a aumentar la velocidad
y capacidad de las computadoras se centra sobre todo en la mejora de la tecnología
de los circuitos integrados y en el desarrollo de componentes de conmutación aún
más rápidos. Se han construido circuitos integrados a gran escala que contienen
varios centenares de miles de componentes en un solo chip. Han llegado a
fabricarse computadoras que alcanzan altísimas velocidades en las cuales los
semiconductores son reemplazados por circuitos superconductores que utilizan las
uniones de Josephson y que funcionan a temperaturas cercanas al cero absoluto.
Recientemente, se alcanzó la barrera de la integración.
Los fabricantes llegaron a un punto que no pudieron comprimir más los transistores
para aumentar las prestaciones de los procesadores. Por eso, ahora comenzó una
nueva era en la historia de los procesadores: los “doble núcleo”, dos procesadores
totalmente independientes dentro de una sola pastilla

Tipos de CI

Clasificación por escala de integración

 SSI (Circuito integrado de escala pequeña): menos de 100 elementos

 MSI (Circuito Integrado de escala media): 100 a 1.000 elementos
 LSI (Circuito integrado de gran escala): 1.000 a 100.000 elementos
 VLSI (Circuito Integrado de escala muy grande): 100.000 elementos o más.

Características del IC

 Tamaño reducido al mínimo para mayor integración

 Alta confiabilidad gracias a la estructura integrada
 Bajo precio gracias al volumen de producción
 Bajo consumo de energía

9.2 CI Análogo

El CI mostrado aquí es llamado comparador. El terminal de energía y “b” es el

terminal de tierra, ambos son requeridos para el suministro de energía hacia el
comparador durante su funcionamiento, pero no están directamente asociados con
la operación en sí.
El comparador compara el potencial en el Terminal “c” y terminal “d” y en estas
condiciones de operación mostradas, proporciona la salida va[v] en el punto “e”,
sólo cuando el potencial en el punto “c” es más alto que el potencial del punto “d”.

El voltaje de los dos terminales de entrada, permanece constante y es llamado

voltaje de referencia, mientras que el que cambia es llamado voltaje de
comparación, los dos terminales de entrada tienen un voltaje de referencia que
puede ser conocido a partir del circuito conectado al comparador.

9.3 CI Digital

En un circuito digital, las dos señales son usadas, es decir, la señal con el voltaje
alto (H) y la señal con voltaje bajo (L) o la presencia de señal y ausencia de señal.

Convencionalmente estas dos señales son representadas por “1” y “0”.

Cuando el interruptor es puesto en ON para activar a ON el transistor, el VCE llega

a ser 0V y este estado es tomado como “0”.

Un circuito digital es distinto al análogo, mucha información es expresada por la

combinación de dos señales que pueden tener solo dos estados, llamados “1” ó “0”.

Un circuito lógico es aquel que genera una salida de “1” ó “0” cuando la señal de
entrada aplica la combinación de “1” y “0”.

9.4 Circuitos Lógicos

9.4.1. Circuito AND (producto lógico)

La operación AND proporciona sólo un resultado cuando todas la condiciones

se cumplen, como por ejemplo: "la luz de advertencia de frenos se ilumina
Particularmente, el circuito AND es un circuito en el cual la señal de salida
puede ser “1” cuando las señales de entrada son todas “1”.
9.4.2 Circuito OR (suma lógica)

La operación OR es aquella que da un resultado cuando al menos una condición

entre varias se cumple, por ejemplo: “cuando cualquier puerta se abre, la luz
indicadora de puerta abierta se enciende”

Particularmente, el circuito OR es aquel cuya salida llega a ser “1” cuando al menos
una señal de entrada es “1”.

Contrariamente al circuito AND cuya salida es “1” cuando todas las entradas son
“1”, el circuito OR puede ser considerado como un circuito en el que la salida es “0”
cuando todas las salidas están en “0”.

9.4.3 Circuito NOT (negación)

El circuito NOT es aquel cuya salida es inversa a la entrada, tales como cuando
la señal de entrada es “1” y la señal de salida es “0” o viceversa.
Por esta razón, el circuito NOT es a veces llamada inversor.

9.4.4 Circuitos NAND

El circuito NAND es un circuito AND seguido por un circuito NOT, por esta razón
es llamado NAND (significa NOT + AND)

9.4.5 El circuito NOR es un circuito OR seguido por un circuito NOT.

En cualquier circuito, la salida es la inversa del circuito AND y OR.

 CONCLUSIONES

En el trabajo se han expuesto las principales características de los dispositivos

semiconductores que se emplean más comúnmente en los circuitos electrónicos
básicos. En temas posteriores de la asignatura, se profundizará en sus aplicaciones
como parte de amplificadores, fuentes, circuitos digitales, etc., No se entrará en
aspectos referentes al diseño de estos circuitos por estar ajeno a los propósitos
planteados para los usuarios a quienes van dirigidas los presentes apuntes.

RECOMENDACIONES
ANEXOS
 ANTECEDENTES

CIRCUITO CON RESISTENCIAS EN SERIE

MEDICION DE LAS SRESISTENCIAS
SIMULACION DE PROTEUS CON RESISTENCIAS EN SERIE

CIRCUITO CON TRANSISTOR

CIRCUITO CON TRANSISTOR

SIMULACION EN PRTEUS CON TRANSISTOR

CUANDO DE CUBRE DE LA LUZ AL LDR, EL LED PRENDE

CUANDO LE INCIDE LA LUZ, EL LED SE APAGA

SIMULACION EN PROTEUS CON LDR
SE OBSERVÓ QUE AL MOMENTO QUE SE INCIDÍA LUZ AL TRANSISTOR
LOS VOLTAJES ERAN MÍNIMO Y EL LED SE APAGABA, Y CUANDO SE
CUBRÍA DE LA LUZ EL LED SE ENCENDÍA Y EL VOLTAJE ERAN MÁXIMOS
SIMULACION EN PROTEUS CON LDR Y RELAY

SE CUBRE DE LA LUZ AL LDR Y EL FOCO SE ENCIENDE

SE OBSERVÓ QUE AL MOMENTO QUE SE INCIDÍA LUZ LDR NO PRENDE EL
FOCO, Y CUANDO SE CUBRÍA DE LA LUZ EL FOCO SE PRENDE.
EL TIMER SE USÓ PARA VARIAR LA VELOCIDAD DEL MOTOR, YA QUE
FUNCIONA COMO UN MODULADOR DE ANCHO DE PULSO.

CIRCUITO CON CIRCUITOS INTEGRADOS

 BIBLIOGRAFÍA

 García, A, (2000), Circuito eléctricos digitales II. Edición Revolucionaria.

 Millman, J, (1997), Circuitos de pulsos digitales y de conmutación, Editorial
Pueblo y Educación.
 Montoya, O, (1998) Circuitos de soldadura superficial. Revista “Electrónica y
servicio”.
 González, E, (2000), Electrónica y sus aplicaciones, Editorial Pueblo y
Educación.
 De Luis Cordova (1999), Códigos y series de las resistencias. Recuperado
de http://www.arrakis.es/
 Sanchez, W, (2006), Curso de electrónica digital. Recuperado de
http://www.cienciasmisticas.com.ar/