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INTEGRADOS
TRABAJO DE INVESTIGACION
AUTOR PRINCIPAL
Villanueva
TUTORES ASOCIADOS
Romero
Arequipa-Perú
2018
AGRADECIMIENTOS
Quiero expresar mi sincero agradecimiento a todos los docentes de la escuela de Ing.
temas de nuestra competencia. Así como a mis padres que me apoyaron en todo
INTRODUCCION…………………………………………………………………………………………………….………1
OBJETIVOS……………………………………………………………………………………………………………………2
ASPECTOS TEORICOS…………………………………………………………………………………………………….3
TRANSISTOR FET………………………………………………………………………………………………..3
ZONA DE SATURACIÓN………………………………………………………………………….7
ZONA DE CORTE…………………………………………………………………………………….7
TÉCNICAS DE MANUFACTURA………………………………………………………………………….10
AMPLIFICADOR BUFFER…………………………………………………………………………………..18
BUFFER DE CORRIENTE………………………………………………………………………..18
BUFFER DE VOLTAJE…………………………………………………………………………….19
IMPLEMENTACIONES………………………………………………………………………………………20
BUFFER DE VOLTAJE…………………………………………………………………………….20
OPERACIONAL………………………………………………………………………….20
TRANSISTORES………………………………………………………………………….20
AMPLIFICADORES…………………………………………………………………………………………….21
AMPLIFICADORES RF……………………………………………………………………………21
MICROELECTRÓNICA ………………………………………………………………………………….27
CONCLUSIONES…………………………………………………………………………………………………………32
BIBLIOGRAFIA…………………………………………………………………………………………………………….33
1
INTRODUCCION
A lo largo de la carrera de Ing. Electrónica, desarrollamos muchos cursos acerca de
circuitos integrados. Se escogió este tema porque es indispensable saber que tipos de
OBJETIVOS
En una primera parte, se rocara el tema de funcionamiento de los FET, analizaremos los
diferentes tipos de FET que existen actualmente.
ASPECTOS TEORICOS:
TRANSISTOR FET
Los transistores más conocidos son los llamados bipolares (NPN y PNP), llamados así
número de aplicaciones, pero tienen ciertos inconvenientes, entre los que se encuentra
mismo), aunque hay que notar que también fluye una corriente despreciable entre el
surtidor (o drenador) y la puerta, ya que el diodo formado por la unión canal – puerta,
huecos fluyen hacia la terminal negativa de la batería y los electrones del material N,
Un transistor de efecto campo (FET) típico está formado por una barrita de material p ó
n, llamada canal, rodeada en parte de su longitud por un collar del otro tipo de material
que forma con el canal una unión p-n. En los extremos del canal se hacen sendas
muestran en la tabla.
forma que no existe otra corriente que la inversa de saturación de la unión PN. La zona
ZONA ÓHMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia
resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS.
A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden
intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la característica V-I (se
que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario
Siempre nos va a interesar estar en la región de saturación, para que la única variable
que me controle la cantidad de corriente que pase por el drenador sea la tensión de
puerta.
Ecuación de Shockley:
Donde:
puerta Vgs. Como la unión está polarizada inversamente, suponemos que la corriente
En la zona de estricción (saturación) en que las características son casi rectas (en el
gráfico, son horizontales, pero en realidad tienen una pendiente positiva) podemos
escribir la respuesta del transistor para pequeños incrementos de Vds y Vgs en esta
forma
realidad, como he dicho antes existe algo de pendiente), entonces la rd es infinita (muy
TÉCNICAS DE MANUFACTURA.
Es un dispositivo de tres terminales y dos junturas, creado en un material
El primer transistor se creó en los laboratorios Bell (Estados Unidos de N.A.) en 1947,
partiendo de una oblea de germanio, gracias a los trabajos de William Shockley, John
transistor de silicio, lo cual bajó los costos y permitió, gracias a nuevas técnicas de
una de ellas capaz de controlar el flujo de corriente entre las otras dos. En nuestra
parte de las secciones de análisis y diseño, con una sección dedicada a los efectos
que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las
capas difundidas en material tipo p. El extremo superior del canal tipo n se conecta
mientras que el extremo inferior del mismo material se conecta por medio de contacto
óhmico a la terminal llamada la fuente (source) (S). Los dos materiales tipo p se
(gate) (Q). Por tanto, esencialmente el drenaje y la fuente se conectan en esencia a los
extremos del canal tipo n y la compuerta, a las dos capas del material tipo p. En
ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo
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como se ilustra en la figura siguiente, que se parece a la misma región de un diodo bajo
Muy pocas veces las analogías son perfectas y en ocasiones pueden ser engañosas,
terminales del dispositivo. La fuente de la presión del agua puede semejarse al voltaje
aplicado del drenaje a la fuente, el cual establecerá un flujo de agua (electrones) desde
el grifo o llave (fuente). La "compuerta", por medio de una señal aplicada (potencial),
controla el flujo del agua (carga) hacia el "drenaje". Las terminales del drenaje y la
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fuente están en los extremos opuestos del canal-n, como se ilustra en la figura anterior,
FET. En el instante que el voltaje vDD ( = VDS) se aplica, los electrones serán atraídos
con la dirección definida de la figura siguiente la trayectoria del flujo de carga revela
con claridad que las comentes de fuente y drenaje son equivalentes ( ID = Is). Bajo las
fuente.
Es importante observar que la región de agotamiento es más ancha cerca del extremo
resistencia uniforme en el canal-n, la resistencia del canal puede dividirse en las partes
través del canal, como se indica en la misma figura. El resultado es que la región
superior del material tipo p estará inversamente polarizada alrededor de los 1.5 V, con
de la operación del diodo, que cuanto mayor sea la polarización inversa aplicada,
de agotamiento que se muestra en la figura siguiente. El hecho de que la unión p-n esté
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de canal n .
en una misma oblea de silicio, permitió crear los circuitos integrados o chips, base de
elevada potencia, crear osciladores desde frecuencias bajas hasta frecuencias de radio,
etc.
Según sea el orden de los materiales que forman las junturas, existen los transistores
tipo NPN ó PNP, los cuales, en disposiciones circuitales apropiadas permiten crear una
una gran variedad de transistores, de efecto de campo o FET (el electrodo de control
actúa por medio de campo eléctrico), los tipos unijuntura, los MOS o de óxido metálico
(variante de los FET), y otras variaciones como los VMOS (usados para controlar
Existe una innumerable cantidad de diseños, especializados para alta potencia, bajo
ruido eléctrico, alta frecuencia, alta ganancia de corriente, alta tensión, aplicaciones de
conmutación, etc.
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Amplificador buffer
Un amplificador búfer (del inglés buffer amplifier), a veces llamado simplemente búfer,
Buffer de corriente
Se utiliza para transferir una corriente desde un primer circuito, que tiene un nivel de
salida de baja impedancia, a un segundo circuito con una entrada de alta impedancia.
corriente no varía.
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Buffer de voltaje
Se utiliza para transferir una tensión de un primer circuito, que tiene un nivel de salida
varía.
IMPLEMENTACIONES
Buferes de voltaje.
Operacional
Transistores
También se pueden crear este tipo de dispositivos con transistores bipolares y NMOS.
Buferes de corriente
Estos búferes se realizan con la configuración de colector común de un transistor
AMPIFICADORES
Un amplificador es un dispositivo que es capaz de aumentar la amplitud de un
AMPLIFICADORES RF
Estos amplificadores por lo general son proyectados con transistores FET como su
componente activo, los transistores BJT pueden ser usados, pero se prefieren los FET
por su alta impedancia de entrada, lo que mejora mucho la sensibilidad del circuito.Los
señal de RF al espacio.
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propósito:
sirven.
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CARACTERISTICAS DE UN AMPLIFICADOR RF
Estos amplificadores de RF son de alta ganancia, bajo ruido y sintonizado, que, cuando
Amplificación: la señal que llega a la antena por lo general es muy baja, para esto, la
de ruido y debe estar sintonizado para aceptar solo las frecuencias de la portadora y
la de las bandas laterales, para eliminar las interferencias de otras estaciones y para
las señales deseadas y las otras, entre aceptar una determinada banda de
banda del receptor en los puntos de atenuación de -3db y de -60db.La relación de esos
dos anchos de banda se llama factor de forma, y se define con la siguiente ecuación:
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60db seria igual, y el factor de forma seria 1. Los factores de forma normales varian
puede detectar a la entrada del receptor y producir una señal útil de información.El
bajo costo hasta la región de los nanovolts para unidades muy sofisticadas.En general
se usa la relación de señal a ruido y la potencia de la señal a la salida del audio, para
normales, se considera como útil una relación de señal a ruido de 10db o mas, con ½ W
Bajo ruido.
Selectividad moderada.
PARTES DE UN AMPLIFICADOR RF
impedancia especifica a otra y por lo general son sin pérdidas, es decir, no tiene
existen redes de adaptación de interetapa las cuales adaptan la salida con la entrada
de los transistores.
operando en modo lineal (modo activo para BJT, saturación para FET), a bajas
y microondas aparecen elementos parásitos que hacen más complejo el análisis con
este modelo, por esta razón se utilizan los parámetros S del transistor que permiten
mencionar que los parámetros S del transistor están en función del punto de
operación en DC, y por lo tanto, los parámetros S son validos solamente para las
condiciones de polarización en los cuales fueron medidos. Es por esta razón que la
El termino "monolítico" se deriva de las palabras griegas mono que significa único, y
lithos que significa piedra. Así un circuito integrado monolítico se construye en una
única piedra o cristal de silicio. la palabra integrado se debe a que todos los
prácticos. La variedad de procesos con los que se fabrican estos circuitos se desarrolla
materialización del circuito de la figura 1(b). En la figura 2 se pueden ver varias capas
también capa de oxido, y las zonas metálicas. Las capas de silicio forman los elementos
del sistema así como el Sustrato o Cuerpo en el que se construye el circuito integrado.
Además las zonas de silicio se emplean para aislar unos de otros componentes. para
formar las capas de silicio se emplean tres procesos distintos que son el epitaxial, de
superficie del chip de los contaminantes externos y para permitir la formación selectiva
de las regiones n y p. El oxido se elimina por corrosión química que descubre las partes
de la superficie en las que se deberán formar esas regiones n y p. Las zonas a corroer se
delimitan por técnicas de fotolitografia. La fina capa metálica se obtiene por deposición
química de vapor de aluminio sobre la superficie del chip. Para delimitar los trazos se
solo las conexiones entre componentes. Las figuras 1 y 2 son solo parte de un conjunto
más complejo, sobre una oblea única de silicio se fabrican simultáneamente muchos de
tales circuitos. El cristal de silicio (oblea) forma el sustrato sobre el que se hacen todos
los componentes del circuito. En la actualidad las obleas empleadas tienen un diámetro
100 a 8000 partes rectangulares con 1 a 10 mm de lado. Cada una de estas partes
constituye un circuito único como la figura 3 que puede contener desde una decena
mayor parte de los circuitos integrados cuentan con esta tecnología, es decir,
procesadores, tarjetas gráficas, memorias, placas base, etc. Además por su reducido
portátiles, que de otra manera por su elevado consumo no permitiría su uso continuado
necesita una corriente de polarización, así para que un transistor funcione solamente se
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resistencia cuyo valor depende de la superficie del transistor. Es decir, que si se le piden
corrientes reducidas, la caída de tensión en el transistor llega a ser muy reducida. Estas
conmutadas.
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CONCLUSIONES:
- Los dispositivos FET son capaces de controlar la corriente de salida por medio de una
fuente de voltaje.
dimensiones y costes.
- Existen diferentes tipos de FET entre los que más destacan son los MOSFET,
complicado la red de interconexión, además que se vuelven mas sensibles a los cambios
de corriente.
implementación de automatización en las industrias tiene mas acogida y por tal motivo,
BIBLIOGRAFIA
- http://www.interempresas.net/Electronica/Articulos/180228-Componentes-
electronicos-para-la-nueva-industria.html
- http://www.ieec.uned.es/investigacion/Dipseil/PAC/archivos/Informacion_de_
referencia_ISE3_1_1.pdf
- http://www.edutecne.utn.edu.ar/microelectronica/02-
FABRICACION%20DE%20CIRCUITOS%20INTEGRADOS.pdf
- https://es.wikipedia.org/wiki/Fabricaci%C3%B3n_de_circuitos_integrados
- http://www.angelfire.com/la/SEMICONDUCTORES/cipruev.html
- https://blogs.publico.es/ignacio-martil/2017/04/21/como-se-fabrica-un-chip/