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Escola Politécnica
Departamento de Engenharia Elétrica
Eduardo Simas
(eduardo.simas@ufba.br)
Aula 8
Sumário
Introdução
Circuitos Amaciadores (Snubbers)
Perdas Térmicas
Exercícios de Fixação
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1. Introdução
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Introdução
DEE
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2. Circuitos Amaciadores
DEE
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Circuitos Amaciadores
Etc.
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Amaciadores para limitar dV/dt
Circuito Tipo 1
Um circuito RC conectado em paralelo com o dispositivo
semicondutor (diodo, tiristor, TRIAC, GTO, etc) é capaz de:
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Amaciadores para limitar dV/dt
Circuito Tipo 2
Neste caso o pico de corrente produzido pela descarga do
capacitor pode ser minimizado pela escolha adequada dos
resistores R1 e R2.
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Amaciadores para limitar dV/dt
Circuito Tipo 3
De modo semelhante ao circuito 2, o diodo cria um
caminho preferencial para a corrente de carga do
capacitor enquanto o tiristor está em bloqueio direto.
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Amaciadores para Chaveamento de
Transistores
Os transistores de potência (TBJ, MOSFET, IGBT, etc) se comportam de modo
diferente de uma “chave ideal” durante os transitórios de chaveamento:
Dependendo das
características do circuito
podem ocorrer:
Picos de corrente
Corrente de bloqueio
não nula
Tensão no estado
ligado não nula
Chaveamentos não
instantâneos
etc
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Amaciadores para Chaveamento de
Transistores
Considerando as características dinâmicas, o aumento de Vce é atrasado, evitando o
pico de dissipação de potência, e consequentemente protegendo e aumentando a
vida útil do dispositivo.
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3. Perdas Térmicas
DEE
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Introdução
1 J = 1 W.s
1 cal = 4,187 J
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Estimativa das Perdas (aprox. linear)
Considerando um dispositivo
semicondutor genérico:
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Comportamento em Regime Permanente
Resistência Térmica:
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Comportamento em Regime Permanente
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Comportamento com Ventilação Forçada
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Exemplos de Dissipadores de Calor
...
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4. Exercícios de Fixação
DEE
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Exercícios de Fixação
1) Um MOSFET utilizado num conversor DC-DC abaixador tem perda no estado ligado igual a 50 W, ciclo de trabalho 50 % e perda de
chaveamento dada por: 10-3fs (em watts), sendo fs a frequência de chaveamento em Hz. A resistência térmica da junção para a cápsula é
Rtjc = 1 oC/W e máxima temperatura na junção igual a 150 oC. Assumindo que os tempos de comutação do dispositivo são desprezíveis e
que a temperatura na capusula é 50 oC, calcule a máxima frequência de chaveamento que pode ser utilizada no dispositivo.
2) O MOSFET da Questão 01 é montado juntamente com um dissipador de calor. Sabendo que a temperatura ambiente é de 35 oC e que a
Resistência Térmica entre a cápsula e o ambiente é da ordem 0,5 oC/W, encontre a resistência térmica necessária para o dissipador de
calor de modo que o dispositivo possa operar com uma margem de segurança de 20 % em relação à máxima temperatura na junção.
3) Para o diodo BYC8-600 encontre a frequência máxima de chaveamento que garante que a máxima temperatura de operação no dispositivo
seja menor que 70 % da temperatura máxima permitida.
4) Um certo dispositivo semicondutor dissipa 10 w durante o ciclo de operação. Considerando que Rtjc = 4 oC/W e Rtca = 60 oC/W, verifique a
necessidade de utilização de dissipador de calor se a temperatura máxima da junção é 150 oC. Caso seja necessário utilizar um dissipador,
encontre o valor da Rtda.
5) Para o problema da Questão 05, considerando que está disponível apenas um dissipador de calor com Rtda = 20 oC/W, o que pode ser feito
para garantir a operação segura do dispositivo semicondutor ?
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Referências
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