Facultad Electrónica y Control

Laboratorio de Electrónica de Potencia

TRABAJO PREPARATORIO
Nombre: William Apupalo Naranjo Subgrupo: LEP_GR12_1

Practica #05
TEMA
CARACTERIZACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR DE JUNTURA
OBJETIVOS
- Construir el circuito de control para un MOSFET de potencia.
- Tener en cuenta las características de conmutación de un MOSFET.

1. Investigar la curva característica de funcionamiento de un MOSFET, indicar las zonas de

operación. Indique las condiciones para el encendido (Vth) y apagado del MOSFET.

Fig1. Curva de salida y característica de transferencia de un MOSFET

- Región de Corte
Se analiza que el VGS<VT y la corriente ID es nula. En esta zona el MOSFET se comportará como un circuito
abierto, entre los terminales Drain-Source. El dispositivo está apagado

- Región lineal u óhmica.

En esta zona el MOSFET se comportará como resistencia no lineal entre el Drain-Source controlado por tensión
VGS, mediante las siguientes ecuaciones:

El valor RDS(on) y las características en (on), viene especificadas por el fabricante.

 - Región de saturación
Cuando el VDS supera al valor de saturación VDS sat (proporcionado por el fabricante) El transistor se comporta
como fuente de corriente de valor ID Independiente del valor que tenga VDS. Mediante las siguientes
expresiones:

- Región de ruptura
No es utilizado en esta región el Mosfet pierde sus propiedades semiconductoras
Condiciones encendido, apagado:
- En la región de saturación cuando el voltaje de la compuerta es máximo es decir el voltaje Drain-
Source ha superado el voltaje umbral(Vth), lo que resulta una Rds mínima. Por lo que ocasiona una
corriente drenaje máxima, por lo tanto, el dispositivo está en conducción, se lo considere
“encendido”. Si el voltaje de entrada es nulo, se tendrá un corriente drenaje cero, por lo tanto, Drain-
Source estará cerrado, el mosfet estará apagado en este caso.

2. Determinar la importancia de la resistencia conectada en la base del MOSFET. ¿En qué rango
debe estar la misma?
Es importante debido a que se limitara la corriente que entra en la base del MOSFET, y al ser este dispositivo
controlado por voltaje, esta corriente se acostumbra a poner la mínima posible se la puede asumir cualquiera
siempre cuando se reduzca perdidas y aumentar la eficiencia del circuito.

3. Construir los controles PWM para frecuencias 1 [Khz], 10 [Khz] y 30 [Khz], además la relación
de trabajo debe estar entre 0,1 y 0,9

1 KHz
Asumo capacitor 2,2nf

1.46
1000 = (RA+2RB)∗2.2nf

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 𝑌 = 100μs = 2.2nf ∗ RB

𝑅𝐵 = 45.454 kΩ , entonces:
→ 𝑅𝐴 = 572.728 𝑘Ω
 10 KHz
Asumo capacitor 0,1nf

1.46
1000 = (RA+2RB)∗0.1nf

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 𝑌 = 10μs = 0.1nf ∗ RB

𝑅𝐵 = 100 kΩ , entonces:
→ 𝑅𝐴 = 1.26 𝑀Ω

30 KHz
Asumo capacitor 0,1nf

1.46
1000 = (RA+2RB)∗0.1nf

𝑇𝑏𝑎𝑗𝑎 = 𝑌 = 3.33μs = 0.1nf ∗ RB

𝑅𝐵 = 33.33 kΩ , entonces:
→ 𝑅𝐴 = 420.066 𝑘Ω

1KHZ

925𝜇𝑠 1
δ= 1𝑚𝑠
= 0.92 T= 1𝑘𝐻𝑧 = 1𝑚𝑠
10 KHz

94.3𝜇𝑠 1
δ= 100𝑢𝑠
= 0.94 T= 10𝑘𝐻𝑧 = 100𝜇𝑠

30KHZ

31 𝜇𝑠 1
δ= 33.33𝑢𝑠 = 0.93 T= 30𝑘𝐻𝑧 = 33.33𝜇𝑠

4. Dimensionar todos los elementos de la figura presente, para un Vdc=40 y la resistencia de carga
es un foco de 120V/100W. El Vth de estos elementos es mayor de 5V. Indicar formas de onda de
voltaje de compuerta y carga. Voltaje y corriente en los terminales Drain- Source del Mosfet y el
voltaje de carga.
 Fig2. Modelo a implementarse

Debido a que la corriente del máximo es aproximadamente 9.68 mA, esta corriente se verá limitada
Vpulse−Vled 5V−1.3V
𝑅1 = = = 382 Ω ≈ 390 Ω
I 9.68 mA

La corriente del TBJ, del optocoplador es de 10Ma

Vcc 12V
𝑅2 = Itbj = 10 mA = 1.2 𝑘Ω

Para limitar la entrada al MOSFET asumimos IG=120 mA

V 12V
𝑅𝐺 = IG = 120 mA = 100 Ω

Carga:
𝑉2 (120 𝑉)2
𝑅𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎 = = = 144 Ω
P 100𝑊

𝑉2 (40 𝑉)2
𝑅𝑓𝑜𝑐𝑜 = = = 16 Ω
P 100𝑊

Vcc−Vcesat 40𝑉−2𝑉
𝐼𝐷 = = = 2.4 𝐴
R 16𝛺

Los datos que se tiene en el datasheet se toman para este fragmento:

𝐼𝐷(𝑜𝑛) = 8𝐴

𝑉𝐺𝑆(𝑜𝑛) = 10 𝑉

𝑉𝐺𝑆(𝑇𝐻) = 3𝑉
𝐼𝐷(𝑜𝑛)
𝑘= = 0.16
(VGS(on) − VGS(TH))2

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = √ +VT
𝑘

2.4 𝐴
𝑉𝐺𝑆 = √ +3V= 6.87 V
0.16

VGS > VTH, entonces esta en conducción

 Fig3. Diseño implementado con sus respectivos valores

Se puede ver que la señal se ha

desplazado, pero ha mantenido
las mismas características antes
de pasar por el mosfet, con la
diferencia que en el drain se
encuentra amplificada la señal en
amplitud

Fig4. Voltaje de la compuerta y la carga

Fig5. Valores de corriente en el circuito

 Como era de esperarse la señal de
corriente toma valores negativos
aproximándose a -300mA,
manteniendo las mismas
características que se tiene en el
voltaje de carga, exceptuando al valor
de amplitud de corriente.

Fig6. Señal de Corriente del Canal Drain-Source

5. Considerar para el diseño el dimensionamiento de un diodo (Fast Recovery) para trabajar con
carga inductiva que consuma igual potencia que la carga resistiva.

Fig7. Modelo implementado con un diodo

Debido a que consumirá la

misma potencia que una carga
resistiva, no se ha tenido
mucha diferencia en cuanto al
análisis hecho solo con la carga
propuesta anteriormente.

Fig8. Señal de Compuerta y Carga con el diodo

Referencias:
[1] http://www.incb.com.mx/index.php/articulos/9-articulos-tecnicos-y-proyectos/1473-conozca-el-555-cmos-
art235s
[2] https://www.diarioelectronicohoy.com/blog/imagenes/2012/11/curvas_salida_nmosfet.gif
[3] C. J. Savant and G. L. Carpenter, Diseño electrónico circuitos y sistemas.