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2.-INTRODUCCION
Están constituidos por tres capas de semiconductor que se llaman emisor (E),
base (B) y colector (C), en el transistor NPN la base es semiconductor P, el emisor y
el colector de semiconductor N, en el transistor PNP es lo contrario.
FIG TRANSITOR
3.- DESARROLLO
Cuando el interruptor SW1 está abierto no circula intensidad por la base del transistor por
lo que la lámpara no se encenderá, ya que, toda la tensión se encuentra entre colector y
emisor.
Cuando se cierra el interruptor SW1, una intensidad muy pequeña circulará por la
base. Así el transistor disminuirá su resistencia entre colector y emisor por lo que pasará
una intensidad muy grande, haciendo que se encienda la lámpara.
El pequeño tamaño real de las uniones PNP y NPN queda compensado por
la necesidad de colocarle superficies radiantes del calor o disipadores
que permitan al transistor evacuar el calor y manejar potencias más elevadas,
sin que la temperatura aumente excesivamente. Eso hace que la ventaja de
su pequeño tamaño desaparezca en cuanto aumentamos la potencia .
Un transistor NPN recibe tensión positiva en el terminal del colector. Este voltaje positivo
al colector permite que la corriente fluya a través del colector al emisor, dado que hay una
suficiente corriente base para encender el transistor.
Existen varias formas de polarizar un transistor, los más usados son fija, divisor de voltaje,
realimentación por colector, realimentación por emisor, seguidor emisor y demás
configuraciones.
3.5.1 CORTE.- No circula intensidad por la Base, por lo que, la intensidad de Colector
y Emisor también es nula. La tensión entre Colector y Emisor es la de la batería. El
transistor, entre Colector y Emisor se comporta como un interruptor abierto.
Si se aumenta la VCE demasiado se puede producir la destrucción del transistor
IB = IC = IE = 0; VCE = Vbat
3.5.3 ACTIVA.- Actúa como amplificador lineal. Puede dejar pasar más o menos
corriente. Dependiendo de la corriente de base y de la ganancia del transistor (β).
Puede variar desde el corte hasta la saturación. Cuando trabaja en la zona de corte y la de
saturación se dice que trabaja en conmutación. En definitiva, como si fuera un interruptor.
β = IC / IB
3.6 MEDICION DE LOS TRANSITORES
Un transistor bipolar equivale a dos diodos en oposición (tiene dos uniones), por
lo tanto las medidas deben realizarse sobre cada una de ellas por separado, pensando
que el electrodo base es común a ambas direcciones.
Para el caso (NPN) se situará la punta ROJA (positivo) del multímetro sobre el terminal
de la base y se aplicará la punta NEGRA (NEGATIVO) sobre las patillas correspondientes
al emisor y colector.
Con esto se habrá aplicado entre la base y el emisor o colector, una polarización
directa, lo que traerá como consecuencia la entrada en conducción de ambas uniones,
moviéndose la aguja del multímetro hasta indicar un cierto valor de resistencia
generalmente baja (algunos ohm) y que depende de muchos factores.
A continuación se invertirá la posición colocando la punta NEGRA (negativa) sobre la
base y la punta roja sobre el emisor y después sobre el colector. De esta manera el
transistor recibirá una tensión inversa sobre sus uniones con lo que circulará por él una
corriente muy débil, traduciéndose en un pequeño o incluso nulo movimiento de la aguja.
Si se tratara de un transistor PNP el método a seguir es justamente el opuesto al descrito,
ya que las polaridades directas e inversas de las uniones son las contrarias a las del tipo
NPN.
Cuando marca 0 Cero Ohmios de una terminal a otra. (Está en corto entre las
dos terminales).