<m^ UNIVERSIDAD NACIONAL DE E^GExNEERIA Ciclo Académico: 2018-2

FACULTAD DE INGEiNIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 19/09/18

DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50'

CURSO: _ D I S P O S I T I V O S ELECTRÓNICOS COD. C U R S O : E E 4 1 1 M,N,0

UPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 1 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX.SUST.

Con tabla de propiedades de semiconductores.

f0 S e tiene una barra cilindrica de silicio d e 15 centímetros de largo y 99.9999995% d e pureza

) q u e tiene una resistencia entre s u s extremos de 150 ohmios a temperatura ambiente. Determinar
/ el radio en milímetros de la barra, en c a s o d e que las impurezas presentes fueran d e tipoil
a) A c e p t o r a s (3 ptos.) •// • ¿ c - Py^
b) D o n a d o r a s (2 ptos.) /'é^J ' i'c? '7^
c) S i la barra tiene el radio del valor encontrado en b); pero, fuese de germanio intrínseco.
Determinar con, al m e n o s 5 grados centígrados d e precisión, la nueva temperatura de la ban-a
(2 ptos.)
2.- a1) E n una muestra de silicio tipo-p, la concentración de aceptores corresponde a 1 átomo por
10* átomos de silicio. S u p o n e r que mp = 0,6m. A temperatura ambiente, ¿ a qué distancia del
borde de la banda de valencia está el nivel d e Fermi? ¿ E s t á Ep e n c i m a o debajo de E v ^ ^ T p t o i p
a2) Repetir a l ) si se añaden impurezas en la proporción de 1 átomo aceptor por 5x10^ de silicio.
^-^"pto^) a3) ¿ E n qué caso Ep coincidirá con Ev?4?rg¿|'
b) En una muestra de silicio tipo-n la c o n c e n t r a c i ó f r d e donadores es 1 átomo por 2x10* de silicio.
^ \r que la m a s a efectiva del electrón es igual a la m a s a real. ¿ A qué temperatura en " C
' ^ J coincidirá él nivel de Fermi con el borde de la banda de conducción?,-(2 p p s . )
'.c) P a r a germanio tipo-p, a temperatura ambiente (300°K), ¿ a qué concentración de impurezas
/coincidirá el nivel de Fermi con el borde de la banda de valenc¡a?.^Suponer mp=0,4mi. d o n d e mp
l e s jpiasa efectiva de huecos y m es la m a s a real del electrÓQ.^gjtos.)^
E n el semiconductor que s e _ m u e s t r a en la figura, se tiene un material de G e intrínseco
yas dimensiones son de 25 um de área transversal, mientras que tiene una longitud de
um. S i en la cara superior se coloca una p l a n c h a de metal a una temperatura de
200''C , de m a n e r a que la distribución de la concentración de electrones y h u e c o s es:
1^ / —^ - 3 16 - 3
expié cm p(x) = vio + 1 0 cvri
Donde i g = Longitud de difusión de electrones =.^¡D~vl

I/j = Longitud de difusión de huecos = ^Dfji^

Si la vida media de los electrones es X g = 50 ns y la de los huecos es - 200 ns. C a l c u l a n

a) L a resistencia entre A y B a la temperatura ambiente y sin aplicar tensión al circuito. (3 ptos.)
b) V o , si la temperatura a la que está todo ei s e m i c o n d u c t o r es de 50°C. (3 ptos.)

-A

B
Vo

iOk

Los profesores
 UP4IVERS{DÁI> N A C I O N A L D E I N G E N I E R Í A Ciclo Académico: 2018-!
í'ACL'í ,TAD D E INGENIERÍA E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A Fecha: 10-10-18
j' OEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1H.50 m.

C i J R S O : Dispositivos Eiectrónicos COD. CURSO: E E 4 1 IMITO

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No Ex. PARCIAL EX. F I N A L ' EX. SÜST.

MOTA: Sin copia ni apuntes de cíase, s o l o s e permiten tablas.

P r o b l o m a 1.- (6 P u n t o s )
E n el circuito m o s t r a d o l o s D i o d o s D1 y D2 s o n Ideales g r a f i c a r i ¡a f u n c i ó n de t r a n s f e r e n c i a V o V s V i para t o d o V i .
2ook V Y •

JO

Vi
300k
Vo
1 OOV r
50 V

D ' FIGURA 1 FIGURA2

P r o b l e m a 2.- {7 P u n t o s )
E n el s i g u i e n t e c i r c u i t o Figura2 l o s d i o d o s s o n i d e a l e s y el voltaje dei z é n e r e s de 30v. S I V i e s una o n d a triangular d e
50v de a m p l i t u d y i O H z , determinar:
a) E! g r á f i c o de V o c o n i n d i c a c i o n e s de p u n t o s de c a m b i o s e n !a f o r m a de o n d a (3 ptos.)
b) P o t e n c i a p r o m e d i o P z e n v a t i o s q u e d i s i p a ei z é n e r {2 ptos.).
c) C o r r i e n t e p r o m e d i o ío y voltaje p i c o i n v e r s o P i V del d i o d o D (2 píos.).

P r o b l e m a 3.- (7Puntos)

D
Característica l 'i ( m A )

del /
/
Zener -12 /
1 niA (Volt)

- ^ mA

F i g u r a del p r o b l e m a

S e tiene u n a fuente de t e n s i ó n c o m o s e m u e s t r a e n la s i g u i e n t e f i g u r a .
D o n d e V e es u n a t e n s i ó n s i n u s o i d a l de f r e c u e n c i a 6 0 Hz. Y u n a a m p l i t u d de 24 v o l t i o s R M S (Eficaces), Y e! d i o d o
r e n e r debe t r a b a j a r o n la r e g i ó n do ruptura permitida (en la c u r v a entre -•tmA y - 5 m A ) o l a a s í l l a m a d a z o n a de
r e g u l a c i ó n . L a r e s i s t e n c i a d i n á m i c a del z e n e r e s c e r o . V z = 1 2 V o l t i o s .
:;i !•:; f u e r Se tiene que s e r d i s e ñ a d a para Vo = 12v DC y la c a r g a ( R L ) tiene u n a r e s i s t e n c i a RL. = 1 K O..
A d e m á s ,se c o n s i d e r a q u e c-i v s i c r m e d i o de la t e n s i ó n entre Á y B e s la mitad de! v a l o r p i c o - p i c o entre esos
T7 ^AV> pica—pico
puntos A y B , O sea : =

a) ¿ C u á l s e r á el v a l o r m e d i o de I I ?
b) ¿ C u á ! s o r á ei v a l o r efectivo de !L?
c) Si sf. d i s e ñ a el s i s t e m a para el m í n i m o c o n s u m o de corriente. ¿ C u á n t o vale IR?
d) Si ía t e n s i ó n p i c o de Ve es de 18v
¿ C u á n t o d e b a valer R i ?

El profesor coordinador Ing. Lazo Ochoa Domingo Pedro

 • UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA Ciclo Académico: 2018-11
Fecha: 17-10-18
É'f 11 FACULTAD DE INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA
DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1H.50m.

i S O : Dispositivos Electrónicos COD. CURSO: EE411MNO

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL EX. FINAL n I EX. SUST.

N O T A : S i n c o p i a ni a p u n t e s de c l a s e , s o l o s e p e r m i t e n t a b l a s .

Problema 1.- (7 p u n t o s )

El diodo s e m i c o n d u c t o r que está e x c i t a d o p o r u n a t e n s i ó n e x t e r n a V^^, e n t r e án

cátodo.

A d e m á s b a j o la c o n s i d e r a c i ó n d e I n v e c c i ó n a b a j o n i v e l d e o b t i e n e q u e :

1. / í = P „ „ . e x p /''^

a) . - C a l c u l a r l a t e n s i ó n d e p o l a r i z a c i ó n V e x t p a r a la c u a l la c o n c e n t r a c i ó n d e portadores
m i n o r i t a r i o s e n el l a d o n i g u a l a a la d e p o r t a d o r e s m a y o r i t a r i o s .
(3 p u n t o s )
C o n s i d e r e q u e iV^ =1000N^y = l0^^cm~', el m a t e r i a l e s d e g e r m a n i o .
b) . - d i b u j a r l a s c o n c e n t r a c i o n e s de electrones y huecos si s e a p l i c a u n a t e n s i ó n e x t e r n a de
Vext=-1 voltio. (1 p u n t o )

c) .- C a l c u l a r l a capacidad de transición ( c o n Vext=-1v) y la capacidad de difusión

{cuando Vext=1v). S i la s e c c i ó n t r a n s v e r s a ! d e l d i o d o e s u n r e c t á n g u l o d e 0.01 u m p o r 0.1
um y las vidas m e d i a s o n : d e e l e c t r o n e s 0.3 u s e g y de h u e c o s d e 0.8 u s e g . ( S p u n t o s )
P r o b l e m a 2.- (6 P u n t o s )

D o s d i o d o s i g u a l e s d e S i s o n c o n e c t a d o s c o m o s e m u e s t r a e n la f i g u r a a H a l l a r (a) i (2
P u n t o s ) (b) V I (2 P u n t o s ) (c) S i la CTi = 1 0 p F d e l d i o d o d e u n i ó n a b r u p t a c o n V I N V I = 5 V o l t
C o n q u e v o l t a j e VINV2 t e n d r á la C T 2 = 2 0 p F (2 P u n t o s ) A s u m i r ND = 10^^ cm"^ ( t i p o n), NA =10''^
cm-3(tipop), e r = 1 2 ; n,Y3oo°/<j = 1 0 ^ ° c m - 3 , 1A/T= 4 0 ; A = lO'^ cm2;^^,= 1 3 0 0 c m W s y "
3 5 0 c m W s ; Dp= 1 0 cm^/s; Dn= 2 5 cm2/s
Tn (tipon) = 4x10"^ s e g . Tp(t¡pop) = 10-^ s e g . T = 3 0 0 ° K .

DI D2

^ W--]
+V1- +V2-

r 19" u - a a

P r o b l e m a 3.- (TPuntos)

E n el s i g u i e n t e c i r c u i t o l a s r e s i s t e n c i a s e s t á n e n o h m i o s y e i d i o d o z é n e r e s d e 1 W .
C o n s i d e r a n d o q u e IZMIN=5% IZMAX:

a) D e t e r m i n a r el r a n g o d e V b b p a r a q u e s e m a n t e n g a el v o l t a j e d e 5 v s o b r e ia c a r g a
(3 ptos.) y ia p o t e n c i a m á x i m a q u e d e b e p o d e r d i s i p a r la r e s i s t e n c i a d e 4 8 . 7 o h m i o s
(1 pto.).

b) E n c a s o d e que V b b t e n g a el r a n g o e n c o n t r a d o e n a), la p o t e n c i a d e l d i o d o z é n e r
c a m b i e a 2VV y la c a r g a v a r í e ent(eRLMf^)e infinito, h a l l a r el m e n o r v a l o r p o s i b l e d e

Los profesores.
^ UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERÍA Ciclo Académico: 2018-1
Mf^M FACULTAD D E INGENIERÍA ELÉCTRICA Y ELECTRÓNICA Fecha: 14/11/18
DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50'

C U R S O : _ D I S P 0 S I T I V 0 S ELECTRÓNICOS C O D . C U R S O : E E 4 1 1 M,N,0

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. 3 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

C o n s i d e r a r p a r a todos los transistores material Silicio, hFE=lOO

1.- E n el circuito m o s t r a d o c a l c u l a r el punto d e o p e r a c i ó n (IB, IC, IE, V C E ) (3 ptos.) y las
g a n a n c i a s d e t e n s i ó n , corriente, p o t e n c i a , i m p e d a n c i a d e e n t r a d a y s a l i d a (Av, A i , A p , Z i y
Zo) (4 ptos.)

-12V
-Vl 2.- E n el s i g u i e n t e circuito R 3 = R D = R I = R 2 = R L = 1 K. V z = 1 2 v (ideal).
C a l c u l a r , a p r o x i m a d a m e n t e , c o n errores m e n o r e s a 10%:
a) El punto d e r e p o s o d e c a d a transistor p a r a V i = 5 0 v (2 ptos. c/u). ' ^/
b) L a p o t e n c i a m á x i m a q u e d i s i p a ei d i o d o z é n e r p a r a V i = 5 0 v +/-10% (1pto.).
c) V o p a r a V¡=55v (Iptos.). '
d) R e p e t i r c) si RL=0.1 K (1 pto.)f
3. E n el siguiente circuito (se c o n s i d e r a r á un análisis estático c o n s i d e r a n d o q u e los
transistores e n c a d a tramo e s t á n o s a t u r a d o s o cortados, s e g ú n el c a s o ; pero, p u e d e aplicar
criterios d i n á m i c o s q u e usted b o s q u e j e y c o n s i d e r e a d e c u a d o s )
a) . - C a l c u l a r y dibujar c o n t e n s i o n e s e n voltios y t i e m p o s e n m i l i s e g u n d o s la figura q u e m á s
s e a p r o x i m a a l a s t e n s i o n e s Voi, V02 y V03. (4 ptos.)
b) .- B o s q u e j a r y dibujar la figura q u e m á s s e a p r o x i m a a las c o r n e n t e s e n los c o l e c t o r e s
d e los 5 transistores corriente e n miliamperios y s i e m p r e dibujadas v e r s u s el tiempo (
m i l i s e g u n d o s ) (2 ptos.). E n el circuito s e tiene q u e los transistores s o n 2 N 2 2 2 2 , c u y a hoja d e
d a t o s t é c n i c o s s e adjunta. Vc=5Voltios, R=2K.

- 0 \\
SILICON PLANAR WjÉ^ÉmM
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 UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERIA Ciclo Académico: 2018-2
FACULT/VD DE INGENIERÍA E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A Fecha: 28/11/18
DEPARTAIVIENI'OS A C A D É M I C O S Duración: 1h50'

CURSO: _ D I S P O S I T I V O S ELECTRONICOS COD. CURSO: E E 4 1 1 M, N, O

TIPO D E P R U E B A : PRACTICA No. 4 Ex. PARCIAL EX. FINAL EX. SUST.

Con tabla de propiedades de semiconductores.

P r o b l e m a 1.- (7 Puntos)
En el circuito se aplica una señal Vin con 10 mv de amplitud. Si Vout es el voltaje sobre R L ,
hallar:
a) (VDS, ID) (2 ptos.) y Vout (2 ptos.) si el P E I tiene IDSS=5 m A y V G S (off)=-3v.
b) Un juego de nuevos valores para IDSS y V G S (off) para que Vout=-30 mv con V D S - 1 2 V. (3
ptos.)

III k í l

P r o b l e m a 2.- (6 Puntos)

E n el circuito m o s t r a d o H a l l a r los p u n t o s d e o p e r a c i ó n a) le, IE, IB, V C E , V G S , ID y V D S

(3Puntos) b) G a n a n c i a d e t e n s i ó n A v y Z¡ (3 Puntos), si J F E T : lDss=10mA;
V p = 4 V o l t . ; rds^lOOK; P a r a el transistor: p=100; V E D = 0 . 7 V O I L Vsaiu= 0.2V. T o d o s los
c o n d e n s a d o r e s s o n d e c a p a c i d a d infinita.

-2 0V
o

C3

MSc. Ing. Juan F. T!.sza Coordinador de la prueba

Dispositivos Electrónicos UNt-FlEE-Lima Perú.
P r o b l e m a 3.- (7 puntos)

S i los t r a n s i s t o r e s t i e n e n las s i g u i e n t e s dimensiones W 1 =80nm,

W 2 = 1 0 0 n m , W 3 = 2 0 0 n m , W 4 = 3 0 0 n m , W 5 = 5 0 0 n m , L= 4 0 nm y es igual para
t o d o s los M O S , el e s p e s o r d e l ó x i d o d e silicio e s d e 2 n m , el m a t e r i a l e s d e silicio
y la t e n s i ó n u m b r a l e s d e 1.5 V . y L a corriente que p a s a por c a d a transistor es
d e l O O n A , igual v a l o r p a r a t o d o s los MOS.
Calcular: a).- L a s t e n s i o n e s V 3 , V 4 V5 (3 puntos).

A h o r a s o l o v a h a n d o los a n c h o s d e los c a n a l e s d é l o s MOS.

b).- Evaluar: ¿ C u á n t o d e b e n v a l e r las d i m e n s i o n e s W 1 , W 2 , W 3 , W 4 y W 5 ? Si

s e q u i e r e q u e V 3 = O voltios, V 4 = 3 . 5 V y V 5 = 7.5 V o l t i o s , (4 puntos)

m O

.4'í Ó

Los profesores

MSc. Ing. .Tuan F'. Tisza Coordinador de la prueba

Dispositivos Electrónicos U N I - F I E E - L i i n a Perú.
^ UiNiVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERLV Ciclo Académico: 2018-11
F A C U L T A D D E INGENIERÍA E L É C T R I C A Y E L E C T R Ó N I C A Fecha: 12/12/18
DEPARTAMENTOS ACADÉMICOS Duración: 1h50'

CURSO: _ D I S P O S I T I V O S E L E C T R O N I C O S COD. C U R S O : E E 4 1 1 M, N, O

TIPO DE PRUEBA: PRACTICA No. Ex. PARCIAL EX. FINAL f x ~ EX. SUST.

E n las figuras 1 y 2 las reactancias son despreciables.

1. E n el circuito de la figura 1, si Vcc=15v, los transistores s o n iguales en h p E y V B E = 0 . 7 V
determinar: a) Un valor aproximado de h p E para q ) ^ c Q i = 0 . 5 m A (2ptos.). C o n el h p E
hallado evaluar: b) El punto de reposo de Q2 (2ptos/)/^'Av=Vo/V¡ (2ptos.) d) Zi (1pto.).
2. E n el circuito de la figura 2, hallar: a) El punto de operación de los transistores Qi y Q2
(ID; V D S y V G S ) (2ptos. c/u)' ¿f b) G a n a n c i a de tensión A v = Vo/Vi (3 ptos.).
Qi: IDSSI= 3mA, Vpi= - 4v. Q2: IDSS2= 4mA, Vp2= - 5v.

Fig.1 Fig.2
3. Los MOS de tipo enriquecimiento canal N tienen los siguientes parámetros:
KpRocEso=1uA/v2 y VT=0.8V; (W/L)6=(W/L)4=(W/L)i=0.5 y en los demás (W/L)=50.
a) .- Dibujar en el tiempo V Q I , V02 y V03 (4 ptos.)
b) .- Presentar un bosquejo de las corrientes que pasarían por los M O S : M2, M4 y M6 en
forma gráfica. (2 puntos)

I,..

• o

F i g u r a a. Circuito Figura b. S e ñ a l e s

Los profesores