UNIVERSIDAD NACIONAL MAYOR DE SAN MARCOS

FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRONICA Y ELECTRICA

EXPERIENCIA N°2

CONFIGURACION DARLINTONG

I. OBJETIVOS.
 Determinar las características de operación de un amplificador de coriente
transistorizado.
II. EQUIPOS Y MATERIALES
 Osciloscopio
 Multímetro
 Generador de señales
 Fuente de poder DC
 Puntas de prueba de osciloscopio
 2 Transistores 2N2222
 Resistores de 1k,1k5,2k,12k,7k5y 100k
 Condensadores de 16V 22uF(2),100uF
 Computadora con multisim
 III. INFORME PREVIO 3
1. Mencionar aplicaciones de la configuración Darlington y algunos códigos de su
versión de circuito integrado.

*En circuitos integrados como el Open Colector que utiliza en su estructura una configuración
en darlintong: 74LS01,74LS06

*En circuitos donde se necesita mover cargas grandes como motores (dron):ART172S

2. En el circuito de la figura2.2 calcular los puntos de reposo.

ANALISIS EN DC DEL CIRCUITO AMPLIFICADOR

V1
15V
R1
7.5kΩ
Q1

2N2222
R3 Q2
100kΩ

2N2222

R2
12kΩ
R4
1.5kΩ

Utilizando el software de simulación para obtener los puntos reposo

Transistor 1:

 Ic1=28,422uA V1
 Vce1=6.379v 15V

Q1
Transistor 2: RB R3
4.6KΩ
100kΩ 2N2222
 Ic2=5.278mA Q2
 Vce2=7.039v
2N2222

VTH
9.23V

R4
1.5kΩ
Obteniendo los puntos de reposo a partir del cálculo numérico

 RB=R1||R2=4.6KOhm
𝑅2 15.12𝑘
 𝑉𝑡ℎ = 𝑉𝑐𝑐. = = 9.23𝑣
𝑅1+𝑅2 12𝑘+7.5𝑘

EN LA ENTRADA (BASE DEL DARLINTONG)

 𝑉𝑡ℎ = 𝑅𝐵. 𝐼𝑏1 + 𝑅3. 𝐼𝐵1 + 2 ∗ 𝑉𝑏𝑒 + (𝑏𝑒𝑡𝑎1)(𝑏𝑒𝑡𝑎2)𝐼𝐵1. 𝑅4

𝑉𝑡ℎ−2∗𝑉𝑏𝑒 9.23−1.4
𝐼𝑏1 = 𝑅𝐵+𝑅3+𝑅4(𝑏𝑒𝑡𝑎1)(𝑏𝑒𝑡𝑎2) = 4.6𝑘+100𝑘+1.5𝑘∗104 = 518𝑛𝐴

→ 𝐼𝐶1 = 𝑏𝑒𝑡𝑎1(𝐼𝐵1) = 5.18 ∗ 10−5 𝐴

→ 𝑉𝑐𝑒1 = 𝑉𝑐𝑐 − 𝑉𝑏𝑒1 − (𝑏𝑒𝑡𝑎1)(𝑏𝑒𝑡𝑎2)𝐼𝐵1 ∗ 𝑅4 = 15 − 0.7 − 5.18𝑚 = 6.53𝑉
→ 𝐼𝐶2 = (𝑏𝑒𝑡𝑎1)(𝑏𝑒𝑡𝑎2)𝐼𝐵1 = 5.18𝑚𝐴
→ 𝑉𝑐𝑒2 = 𝑉𝑐𝑐 − (𝑏𝑒𝑡𝑎1)(𝑏𝑒𝑡𝑎2)𝐼𝐵1 ∗ 𝑅4 = 15 − 5.18𝑚 ∗ 1.5𝑘 = 7.23𝑣
𝑉𝑇 26𝑚
→ ℎ𝑖𝑒1 = = = 50.19𝑘𝑂ℎ𝑚
𝐼𝐵1 518𝑛
𝑉𝑇 26𝑚
→ ℎ𝑖𝑒2 = = = 501.9𝑂ℎ𝑚
𝐼𝐵2 5,18∗10−5

3. Calcular la ganancia de corriente, voltaje, impedancia de entrada e impedancia

de salida.

V2
15V
R1
7.5kΩ
Q1
Rg C1
V1
1kΩ 22µF R3
120Vrms 100kΩ 2N2222
60Hz
Q2
0°

R2 C2 2N2222 C3
12kΩ
100µF 22µF RL
R4 12kΩ
1.5kΩ
 EQUIVALENTE HIBRIDO DEL CIRCUITO

Rg
1kΩ hie1 hfe1Ib1
50.19kΩ 1A/A

R3
100kΩ hfe2Ib2
hie2 1A/A
501.9Ω

R1 R4 RL R2
7.5kΩ 1.5kΩ 12kΩ 12kΩ

Determinado la Ganancia de Voltaje

𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1
𝐴𝑣 = = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) … … … … … … … … … … … … … … . . (𝜑)
𝑉𝑖 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1 𝑉𝑖
 𝑉𝑜 = 𝐼𝑜(𝑅4||𝑅𝐿||𝑅1||𝑅2)
𝑉𝑜
→ = (𝑅4||𝑅𝐿||𝑅1||𝑅2) = 1.034𝑘𝑂ℎ𝑚 … … … … … … … … … … … … … … … … . (1)
𝐼𝑜
 𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒2𝐼𝑏2 + ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1 + 𝐼𝑥 …………………………………………………………………(2)
 𝐼𝑥. 𝑅3 = 𝐼𝑏1ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1ℎ𝑖𝑒2
𝐼𝑏1(ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝐼𝑥 ≈ … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (3)
𝑅3
(3) 𝑒𝑛 (2)

𝐼𝑏1(ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒2𝐼𝑏2 + ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1 + … … … … … … … … … . . (4)
𝑅3
 𝐼𝑏2 = ℎ𝑓𝑒1𝐼𝑏1 + 𝐼𝑏1
𝐼𝑏2 ≈ ℎ𝑓𝑒1. 𝐼𝑏1
𝐼𝑏2
→ ℎ𝑓𝑒1 = 𝐼𝑏1 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … . (5)

(5) en (4)
𝐼𝑏2 𝐼𝑏2 (ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝐼𝑜 = ℎ𝑓𝑒2𝐼𝑏2 + ℎ𝑓𝑒1 ( )+( )( ) … … … … … … … … … . . (4)
ℎ𝑓𝑒1 ℎ𝑓𝑒1 𝑅3
 𝐼𝑜 (ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
→ ≈ (ℎ𝑓𝑒2 + ) = 101 … … … … … … … … … … … … … … . . … … . (6)
𝐼𝑏2 𝑅3

𝐼𝑏2
 𝐼𝑏1
= ℎ𝑓𝑒1 = 100 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … (7)
 𝐼1 = 𝐼𝑏1 + 𝐼𝑥
𝐼𝑏1 (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
= 1/(1 + )=0.499………………………………………………………………(8)
𝐼1 𝑅3

 −𝐼1𝑅𝑔 + 𝑉𝑖 = 𝐼𝑥 ∗ 𝑅3 + 𝐼𝑜(𝑅´𝐿) ; 𝑅´𝐿 = 𝑅4||𝑅1||𝑅𝐿||𝑅2…………………(9)

(3) y(6) en (9)

𝐼𝑏1(ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2) (ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
−𝐼1𝑅𝑔 + 𝑉𝑖 = ( ) 𝑅3 + (𝐼𝑏1 ∗ ℎ𝑓𝑒1) (ℎ𝑓𝑒2 + ) (𝑅´𝐿)
𝑅3 𝑅3

Pero ib1=I1*0.499
1 (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2)
𝑉𝑖 = 𝐼1[( (ℎ𝑖𝑒1+ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2) )( ℎ𝑖𝑒1 + ℎ𝑓𝑒1ℎ𝑖𝑒2 + (ℎ𝑓𝑒1) (ℎ𝑓𝑒2 + ) (𝑅´𝐿)+Rg]=𝐼1(0.519 ∗ 107 )
1+ 𝑅3
𝑅3

𝐼1
→ = 1.926 ∗ 10−7 … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … … . (10)
𝑉𝑖
Reemplazando en (𝜑)
𝑉𝑜 𝑉𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1
𝐴𝑣 = = ( ) ( ) ( ) ( ) ( ) … … … … … … … … … … … … … … . . (𝜑)
𝑉𝑖 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1 𝑉𝑖
𝐴𝑣 = (1.034𝑘)(101)(100)(0.499)(1.926 ∗ 10−7 ) = 1.0037
Notamos que la ganancia de voltaje es casi uno, lo cual nos indica que es correcto ya que como
sabemos en la configuración darlintong amplificación es de corriente y no de corriente

Determinando la ganancia de Corriente

𝐼𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1
𝐴𝑖 = = ( )( )( )
𝐼1 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1 𝐼1
A partir de los datos obtenidos en la Ganancia de voltaje reemplzamos
𝐼𝑜
 (𝐼𝑏2) = 101
𝐼𝑏2
 (𝐼𝑏1) = 100
𝐼𝑏1
 ( 𝐼1 ) = 0.499

Reemplazando
𝐼𝑜 𝐼𝑜 𝐼𝑏2 𝐼𝑏1
𝐴𝑖 = 𝐼1 = (𝐼𝑏2) (𝐼𝑏1) ( 𝐼1 )=(101)(100)(0.499) =5039.9

Determinando la impedancia de entrada y salida

 𝑉1
𝑍𝑖 = = 5,2𝑀𝑂ℎ𝑚
𝑖1
𝑉0
𝑍𝑜 = = 1.034𝑘𝑂ℎ𝑚
𝐼𝑜

4. Indique el objetivo de utilizar la red constituida por R1, R2, R3, C2, en el circuito
de la figura 2.1.

Estos componentes colocados sirven para aumentar el nivel de impedancia de entrada del
amplificador haciéndolo mucho más apreciable que la impedancia de circuito estándar, esta
técnica se le conoce como ‘’Bootstraping’’.

IV.PROCEDIMIENTO:

1. Realice la simulación del circuito de la figura2.1 con el fin de hallar el punto de reposo
Q así como Av,Ai,Zi y Zo.
Punto de reposo de ambos transitores
 Ganancia de voltaje
=0.986

Ganancia de
corriente=9.83

Impedancia entrada=135.5k
 Impedancia de
salida=11.9kOhm

Vce1 Vce2 Ic1 Ic2 Av Ai Zi Zo

Valor 6.53v 7.23v 51.8u 5.18m 1.0034 5039.9 5.2M 1.034k
Calculado
Valor 6.379 7.039 28,42u 5.278m 0.986 9.83 135.5k 11.9k
simulado

2. Mediante simulación halle fL,fH y BW

Frecuencia de
corte(fL)=587,8mHz
3. Implemente el circuito de la figura 2.1

4. Mida los puntos de reposo y llene los campos de la tabla.

5. Aplicar la señal sinusoidal de 1kHz de frecuencia en la entrada del amplificado. Varie la

amplitud de la señal hasta que se obtenga en la salida del amplificador la señal de mayor
amplitud, distorsionada.

6. Determine Zi,Av,Ai,luego de medir Vo,Vg,Io e If. Realice la simulación respectiva. Llene la

tabla 1.2.Los Valores de Zi,Av y Ai colóquelos en la tabla 2.1

vo vg io if
Valor simulado 98,97mVrms 99.98Vrms 8.23uA 837,512nA

7. Determine experimentalmente el ancho de banda.Para ello determine las frecuencias de

corte inferior y superior.

fL(KHz) fH(KHz) BW(KHZ)

Valor Simulado 5.87*10(-4) 1266000 125999.99

BIBLIOGRAFIA

 http://teslabem.com/2n2222a.html
 https://document/68821184/Medicion-de-impedancia-de-entrada-y-
salida
 http://146.83.206.1/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
 http://tetroniks/~jhuircan/PDF_CTOI/MultIee2.pdf
