ELECTRÓNICA ANALÓGICA Y DE POTENCIA

PRÁCTICA 3: EL TRANSISTOR BIPOLAR.

1. Obtención de curvas características

Montar el circuito mostrado en la figura 1. (Ver esquema del transistor)

R1 = 10 KΩ, R2 es un potenciómetro de 10KΩ R3 = 1KΩ y R4 = 1 KΩ. VB = 9 V y Vi = 9 V.

Ajustando el potenciómetro R2, visualizar en el osciloscopio y representar gráficamente las curvas IC(UCE).
Para ello:
• Medir la tensión UCE con el canal 1 del osciloscopio.(eje X)
• Medir la tensión en la resistencia RC con el canal 2 del osciloscopio con lo que se visualiza la
intensidad IC. (eje Y)
• Visualizar las características IC (VCE) del transistor y la recta de carga (Modo XY).
• Estimar el valor de la tensión VCE SAT del diodo transistor.

∼
C
R1 R2 Vi
B

E
VE
R3
R4

Figura 1

• Determinación de la recta de carga

Con R2 fijo, determinar analíticamente la recta de carga. Dibujarla en la gráfica anterior y comprobar los
diferentes puntos de trabajo variando R2.

• Obtención de ICO.

Realizar el montaje con la base abierta como se indica en la figura 2. Determinar ICO a partir de la medida de la
intensidad de colector. Comprobar la dependencia de ICO con la temperatura. Saca conclusiones:

Figura 2 Esquema del 2N2222

2. -El transistor como amplificador

Montar el circuito mostrado en la figura 3 donde R1 es un potenciómetro de 10KΩ, R2=68KΩ, RC = 10

KΩ, RE = 100Ω , colocar una resistencia de carga RL = 10KΩ en la salida del circuito para medir Vo. Ci = Co =
CE = 10 µF, Vcc = 12V, Vi es una señal pequeña que proviene del generador senoidal y de 1khz de frecuencia y
el transistor es el modelo 2N2222 cuyo patillaje se muestra en la figura 10.

En primer lugar para que el transistor actúe como amplificador debe trabajar en la zona lineal por lo que se ha de
ajustar el punto de trabajo de forma que permita la máxima variación de salida sin que haya distorsión. Así el
punto de trabajo estará situado aproximadamente en la mitad de la recta de carga para que de esta forma , no entre
en saturación cuando la resistencia aumente, ni en corte cuando disminuya.

Para fijar el punto de trabajo se desconecta la tensión de entrada, y se polariza el transistor variando IB (con el
potenciómetro R1) para que VCE tenga el valor deseado (6V aproximadamente).

Aplicar la tensión de entrada al circuito y observar la salida amplificada con el osciloscopio, para ello conectar Vi
al canal I y Vo al canal II. Medir la ganancia en tensión.

Aplicar calor a la cápsula del transistor y observar como varía la tensión de salida del circuito.

Desajustar el punto de trabajo y hacer que el transistor entre en saturación y en corte, observar que le ocurre a la
tensión de salida.
Vcc

Figura 3

R2 RC

Vo

Co

Ci

∼ Vi
R1 RE CE

3. El transistor en conmutación

• Control de relé con transistor

Al trabajar el transistor en conmutación, se comporta como un interruptor estático, esto se consigue actuando
sobre la tensión de entrada, llevándonos el punto de trabajo a los extremos de la recta de carga, y así el transistor
está en la región de saturación o en la de corte.

Pretendemos controlar la activación y desactivación de un relé con un transistor en emisor común

(configuración en la cual la intensidad de base es proporcional a la de colector) trabajando en la región de corte y
saturación. El esquema del circuito se muestra en la figura 4.

El relé se activa con la intensidad de colector, si controlamos la corriente de base, lo hacemos con la colector
y por tanto controlaremos el relé.
 Para valores de Vi altos acercamos el punto de trabajo del transistor al extremo superior de la recta de carga,
con lo cual se encontrará trabajando en saturación y por tanto, circulará corriente por la bobina activándose el
relé. Cuando Vi se hace muy pequeña nos acercamos al extremo inferior de la recta de carga y el transistor entrará
en corte, en consecuencia la intensidad de colector se hará cero y el relé se desactivará.

El circuito mostrado en la figura 11 presenta un problema, cuando el transistor pasa de saturación a corte obliga a
la bobina a cambiar su intensidad muy rápidamente ( tiempo de bloqueo del transistor ) por lo que la tensión entre
di
sus extremos ( VL = L × c ) se hace muy elevada pudiendo provocar daños al transistor.
dt
Para evitar el problema se puede colocar un diodo en paralelo con la bobina, como muestra la figura 4, de
forma que cuando el transistor pasa al estado de corte, la sobretensión se disipe en RL de la bobina. En estas
condiciones, la corriente en el relé permanece constante durante el tiempo de conmutación, lo que hace que toda
la tensión de alimentación sea aplicada al transistor

Ahora el tiempo de descarga de la bobina no viene determinado por el transistor, sino por la constante de
tiempo L/RL y la tensión umbral del diodo. Sin embargo, esta disposición retarda notablemente la apertura del
relé. Si tenemos en cuenta que para que se desactive el relé, la intensidad de la bobina ha de caer a ¼ de su valor
nominal, si planteamos la ecuación diferencial que nos da la evolución de la intensidad en el tiempo, podremos
calcular el tiempo de retardo, así:

di ( t )
L× + RL × i (t ) = Vγ
dt
y resolviendo:
Vγ ⎛ Vγ ⎞ - τt
i (t ) = + ⎜ I0 - ⎟×e
RL ⎝ RL ⎠

al sustituir i(t) por I0/4 podemos obtener el valor del tiempo de retardo, siendo éste mucho mayor que el tiempo de
conmutación del transistor.

+12V
• Realización

Figura 4 Montar el circuito de la figura 4 donde Vi es una onda cuadrada

Ic L D que proviene del generador de funciones, de 5V de amplitud, con
una componente continua de +2V (Offset) y una frecuencia
inicial por debajo de 1Hz, R=8,2 KΩ y el transistor bipolar el
modelo 2N2222.

R Subir la frecuencia hasta que el relé deje de conmutar y anotar el

valor.

∼ Vi