Modelo de cavidad

Las antenas microstrip se asemejan a las cavidades con carga diel�ctrica y exhiben
resonancias de orden superior. Los campos normalizados dentro del sustrato
diel�ctrico (entre el parche y el plano del suelo) se pueden encontrar con mayor
precisi�n al tratar esa regi�n como una cavidad limitada por conductores el�ctricos
(arriba y abajo) y por paredes magn�ticas (para simular un circuito de circuito) a
lo largo del per�metro del parche. Este es un modelo aproximado, que en principio
conduce a una impedancia de entrada reactiva (de cero o infinito valor de
resonancia), y no irradia ninguna potencia. Sin embargo, suponiendo que los campos
reales son aproximados a los generados por dicho modelo, el patr�n calculado, la
admitancia de entrada y las frecuencias resonantes se comparan bien con las
mediciones [12], [16], [18]. Este es un enfoque aceptado, y es similar a los
m�todos de perturbaci�n que han tenido mucho �xito en el an�lisis de gu�as de onda,
cavidades y radiadores [81].
Para conocer mejor el modelo de cavidad, intentemos presentar una interpretaci�n
f�sica de la formaci�n de los campos dentro de la cavidad y la radiaci�n a trav�s
de sus paredes laterales. Cuando se energiza el parche de microcinta, se establece
una distribuci�n de carga en las superficies superior e inferior del parche, as�
como en la superficie del plano de tierra, como se muestra en la Figura 14.12. La
distribuci�n de carga es controlada por dos mecanismos; Un mecanismo atractivo y
repulsivo [34]. El mecanismo atractivo est� entre las cargas opuestas
correspondientes en el lado inferior del parche y el plano del suelo, que tiende a
mantener la concentraci�n de carga en la parte inferior del parche. El mecanismo
repulsivo se encuentra entre las cargas iguales en la superficie inferior del
parche, que tiende a empujar algunas cargas desde la parte inferior del parche,
alrededor de sus bordes, hasta su superficie superior. El movimiento de estas
cargas crea las correspondientes densidades de corriente Jb y Jt, en las
superficies inferior y superior del parche, respectivamente, como se muestra en la
Figura 14.12. Dado que para la mayor�a de los microstrips pr�cticos, la relaci�n
altura-ancho es muy peque�a, el mecanismo atractivo domina y la mayor parte de la
concentraci�n de carga y el flujo de corriente permanecen debajo del parche. Una
peque�a cantidad de corriente fluye alrededor de los bordes del parche hasta su
superficie superior. Sin embargo, este flujo de corriente disminuye a medida que
disminuye la relaci�n altura-ancho. En el l�mite, el flujo de corriente hacia la
parte superior ser�a cero, lo que idealmente no crear�a ning�n componente del campo
magn�tico tangencial en los bordes del parche. Esto permitir�a que las cuatro
paredes laterales se modelasen como superficies conductoras magn�ticas perfectas
que idealmente no perturbaran el campo magn�tico y, a su vez, las distribuciones
del campo el�ctrico debajo del parche. Como en la pr�ctica hay una relaci�n finita
de altura a anchura, aunque peque�a, los campos magn�ticos tangenciales en los
bordes no ser�an exactamente cero. Sin embargo, dado que ser�n peque�os, una buena
aproximaci�n al modelo de cavidad es tratar las paredes laterales como una
conducci�n perfectamente magn�tica. Este modelo produce buenas distribuciones
normalizadas de campo el�ctrico y magn�tico (modos) debajo del parche. Si la antena
de microcinta se tratara solo como una cavidad, no ser�a suficiente encontrar las
amplitudes absolutas de los campos el�ctrico y magn�tico. De hecho, al tratar las
paredes de la cavidad, as� como el material dentro de ella como sin p�rdidas, la
cavidad no se irradiar�a y su impedancia de entrada ser�a puramente reactiva.
Tambi�n la funci�n que representa la impedancia solo tendr�a polos reales. Para
tener en cuenta la radiaci�n, se debe introducir un mecanismo de p�rdida. En las
Figuras 2.27 y 2.28 del Cap�tulo 2, esto se tuvo en cuenta por la resistencia a la
radiaci�n Rr y la resistencia a la p�rdida RL. Estas dos resistencias permiten que
la impedancia de entrada sea compleja y que su funci�n tenga polos complejos; Los
polos imaginarios representan, a trav�s de Rr y RL, las p�rdidas de radiaci�n y
conducci�n diel�ctrica. Para hacer que el microstrip tenga p�rdidas utilizando el
modelo de cavidad, que luego representar�a una antena, la p�rdida se tiene en
cuenta al introducir una p�rdida efectiva tangente deff. La tangente de p�rdida
efectiva se elige apropiadamente para representar el mecanismo de p�rdida de la
cavidad, que ahora se comporta como una antena y se toma como el rec�proco del
factor de calidad de la antena Q (deff = 1 / Q).

Debido a que el grosor del microstrip suele ser muy peque�o, las ondas generadas
dentro del sustrato diel�ctrico (entre el parche y el plano del suelo) experimentan
considerables reflexiones cuando llegan al borde del parche. Por lo tanto, solo se
irradia una peque�a fracci�n de la energ�a incidente; por lo tanto la antena se
considera muy ineficiente. Los campos debajo del parche forman ondas estacionarias
que pueden representarse mediante funciones de onda cosinusoidal. Como la altura
del sustrato es muy peque�a (h � �donde λ es la longitud de onda dentro del
diel�ctrico), las variaciones de campo a lo largo de la altura se considerar�n
constantes. Adem�s, debido a la muy peque�a altura del sustrato, la franja de los
campos a lo largo de los bordes del parche tambi�n es muy peque�a, por lo que el
campo el�ctrico es casi normal a la superficie del parche. Por lo tanto, solo se
considerar�n las configuraciones de campo TMx dentro de la cavidad. Mientras que
las paredes superior e inferior de la cavidad son perfectamente conductoras
el�ctricas, las cuatro paredes laterales se modelar�n como paredes magn�ticas de
conducci�n perfecta (los campos magn�ticos tangenciales desaparecen a lo largo de
esas cuatro paredes).