Caso Examen PDF

707-S09
REV.29 DE JULIO DE 2006
JORDAN I. SIEGEL
JAMES JINHO CHANG
Samsung Electronics
Introducción
Kun Hee Lee, presidente del grupo Samsung, reflexionaba sobre la estrategia de su empresa
sentado en el despacho instalado en el sótano de su casa. De la pared de su despacho colgaba una
pantalla de cien pulgadas, y frente a la pantalla se encontraba una mesita baja, de unos treinta
centímetros de altura. Gran parte de la jornada de Lee transcurría en esta habitación, estudiando las
estrategias de sus competidores y supervisando decisiones de inversión de miles de millones de
dólares. Al lado de la mesita había cientos de cintas de vídeo y DVD, en muchas de las cuales se
analizaba la trayectoria y estrategias de sus competidores. Arrimados a la pared se acumulaban todos
y cada uno de los productos que Samsung y sus competidores iban lanzando. Fiel a su formación
como ingeniero, Lee los iba estudiando uno a uno para examinar su diseño y calidad de fabricación1.
Sentado frente a su mesa baja con una taza de té verde coreano en la mano, Lee se preguntaba si
su legión de empleados de Samsung seguiría su insistente recomendación de exigir siempre lo mejor
en cuanto al diseño del producto y a la eficiencia en los procesos. Le preocupaba mucho que se
produjera cierta autocomplacencia en su empresa. Recordaba cómo había aludido a ello en una
reunión con los altos ejecutivos de la empresa: “Para una persona de fuera, parecería aberrante
reprender al directivo responsable de una división que acumula beneficios (de miles de millones de
dólares). Pero mi punto de vista no es ése. Es cierto que nuestras capacidades y nuestro esfuerzo nos
han ayudado en nuestro éxito, pero debemos ser conscientes de que la mayor parte de dicho éxito
proviene de las negligencias de las empresas líderes, de la pura suerte y del sacrificio de nuestros
predecesores”2.
A las órdenes de Lee, Samsung había logrado convertirse en el primer fabricante mundial de
memorias para todo tipo de ordenadores personales, cámaras digitales, consolas de juegos y otros
aparatos electrónicos. Tan sólo en 1987, Samsung no era más que un pequeño competidor, a años luz
de sus principales rivales japoneses. Pero en 2003, la división de memorias de Samsung destacaba
sobre sus rivales japoneses tanto en volumen como en beneficios. Samsung empleaba las ganancias
de esta división para invertir en otros productos tecnológicos. En el año 2003, gracias a los teléfonos
móviles, las pantallas de cristal líquido y los productos con componentes de memoria, Samsung había
logrado el segundo mayor beneficio neto de todas las empresas electrónicas fuera de Estados Unidos.
A pesar del éxito del que disfrutaba Samsung en aquel momento, a Lee le preocupaban las
compañías de la China continental que estaban empezando a hacer la competencia a Samsung de la
misma forma que Samsung le había hecho la competencia a las empresas japonesas veinte años antes.
En 2005 se esperaba que el sector de los microprocesadores de memoria sufriera un declive cíclico, y
El caso de LACC número 707S09 es la versión en español del caso de HBS número 9-705-508. Los casos de HBS se desarrollan
unicamente para su discusión en clase. No es el objetivo de los casos servir de avales, fuentes de datos primarios, o ejemplos de
una administración buena o deficiente.
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707-S09 Samsung Electronics
aunque Samsung había superado los dos últimos ciclos bajistas con los mejores resultados de todo el
sector, algunos analistas externos pensaban que la entrada de China podría cambiar radicalmente las
condiciones del sector en los próximos años.
El sector de memorias
La importancia económica del sector de los semiconductores había crecido a lo largo de las cinco
últimas décadas. En 2000, se habían alcanzado unas ventas globales de doscientos mil millones de
dólares estadounidenses, y el sector crecía a una media anual del dieciséis por ciento desde 19603.
Dentro de los semiconductores, los productos se englobaban en dos grandes categorías de
microprocesadores: los microprocesadores de memoria y los microprocesadores lógicos. Los
microprocesadores lógicos se empleaban para procesar información y para el control de procesos, y
los microprocesadores de memoria almacenaban información. Los microprocesadores de memoria
pasaron a clasificarse más adelante en tres tipos: memorias DRAM (siglas inglesas de “memoria
dinámica de acceso aleatorio”), memorias SRAM (siglas inglesas de “memoria estática de acceso
aleatorio”) y memorias Flash. Este estudio de caso práctico se centra en el sector mundial de
microprocesadores de memoria, cuyas ventas en 2003 alcanzaron los 33.700 millones de dólares.
Las ventas de memorias DRAM suponían algo más de la mitad del volumen del mercado de los
microprocesadores de memoria en el año 2003. Tradicionalmente, las memorias DRAM se habían
empleado sobre todo en los ordenadores personales, pero la proporción de memorias de este tipo que
se destinaba a este uso había descendido del 80 al 67 por ciento entre 1990 y 2003. En 2003 tanto el
mercado de las telecomunicaciones como el de los aparatos electrónicos de consumo demandaban
cada vez más memorias DRAM. Las previsiones apuntaban a que el peso específico de los productos
relacionados con las comunicaciones, como teléfonos móviles, conmutadores y anillos centrales como
destino de memorias DRAM, iba a crecer del 3,5 al 7,9 por ciento en 2008; los aparatos de televisión,
los módulos de conexión y las consolas de videojuegos, como la PlayStation, suponían en 2003 el 7
por ciento de este mercado.
Entre los demás tipos de microprocesadores de memoria, las memorias SRAM y Flash
representaban en 2003 el 10 y 32 por ciento, respectivamente, de las ventas del sector. La memoria
SRAM era un tipo de memoria intermedia que facilitaba los procesos de los ordenadores y las
funciones de los teléfonos móviles. La memoria Flash, que era el producto con un mayor crecimiento,
se empleaba mucho en cámaras digitales y teléfonos móviles. Mientras que las memorias DRAM
perdían la información cuando se cortaba la alimentación de energía, las memorias Flash podían
seguir almacenando datos aunque no recibieran corriente.
El sector de las memorias contaba con proveedores muy poderosos y con clientes que daban
mucha importancia a los precios. Con cada nueva generación de equipos de semiconductores, la
tecnología se hacía más compleja y se reducía el número de proveedores. Entre sólo dos o tres
grandes empresas, entre ellas Applied Materials, Tokyo Electrón y ASML, dominaban los segmentos
clave del mercado de equipos. Los proveedores de materias primas para la fabricación de memorias
ofrecían descuentos de hasta el 5% a los compradores de grandes volúmenes. Los clientes se
encontraban mucho más fragmentados, no habiendo en 2005 ningún fabricante de equipos originales
que controlara más del 20% del mercado mundial de ordenadores personales. Las memorias
suponían entre el 4 y el 12 por ciento de los costes de material para un fabricante de ordenadores
personales originales, y entre el 4 y el 7 por ciento de los costes de material para un fabricante de
teléfonos móviles. Debido a la gran rivalidad que existía entre los fabricantes de ordenadores
personales y también a que los fabricantes de ordenadores personales tenían que tratar con clientes
que daban mucha importancia a los precios, los fabricantes de equipos originales negociaban muy
duramente los precios. Sin embargo, también influía mucho el hecho de que una memoria defectuosa
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Samsung Electronics 707-S09
podía arruinar el valor de todo el producto. Y dado que las memorias defectuosas eran muy difíciles
de detectar, los fabricantes de equipos originales estaban dispuestos a pagar hasta un 1% más de
media en el precio a un proveedor fiable4.
En 2005, el sector sufrió una dura competencia y la llegada masiva de las empresas chinas. A
finales de 2004, Samsung había anunciado que en 2005 se iba a producir una bajada considerable de
los precios de mercado. La reducción de precios se debía en parte a un aumento de la capacidad del
sector y en parte a un declive cíclico normal. Mientras Samsung lograba comercializar con éxito
nuevos tipos de microprocesadores de memoria de última generación, las empresas chinas que
competían en las líneas de producto más antiguas estaban dispuestas incluso a renunciar a los
beneficios con tal de lograr mayor cuota de mercado. Aunque los costes de construcción de una
nueva fábrica habían aumentado de 200 millones de dólares en 1985 a 3.000 millones de dólares en
2004, las empresas chinas no estaban encontrando muchas dificultades para conseguir el dinero de
fuentes nacionales e internacionales. Las sociedades chinas se habían encontrado con enormes
dificultades incluso para comenzar a fabricar productos de vanguardia, ya que carecían de la
experiencia necesaria en cuanto a la organización y a los conocimientos tácitos necesarios para
controlar el proceso de diseño y fabricación. Aún así, gracias a su facilidad para acceder a la
financiación exterior y a la profesionalidad de sus ingenieros nacionales, los chinos lograron estos
conocimientos y capacidades en la década siguiente. En 2005, no existía ninguna alternativa eficaz
que pudiera hacer la competencia a las memorias DRAM o Flash. Sin embargo, a pesar de que los
beneficios de los nuevos tipos de memoria eran muchas veces únicamente teóricos, se empezaba a
pensar en las memorias basadas en la nanotecnología. Si las pequeñas empresas pioneras del sector
llegaban alguna vez a crear nuevos tipos de tecnología, la opinión de los analistas externos era que las
empresas consolidadas del sector se iban a concentrar en los diseños ya establecidos y en los métodos
de fabricación ya conocidos, y que tendrían una reacción demasiado lenta ante el cambio tecnológico.
El proceso de fabricación de los semiconductores

Los semiconductores se empleaban para desempeñar una función determinada en un dispositivo
electrónico (para almacenar datos o bien para procesar datos). Una vez que los diseñadores habían
confeccionado un proyecto según la función que se persiguiera, la forma física del microprocesador
se plasmaba en una plantilla que podía utilizarse para fabricar microprocesadores idénticos. Aparte,
se moldeaba un lingote cilíndrico de silicio del diámetro deseado (en 2005 era de unos treinta
centímetros), y a continuación este lingote se cortaba en obleas que eran increíblemente delgadas (tan
sólo de entre 250 y 350 micras de espesor, más finas que un cabello humano). A continuación,
empresas como Samsung Electronics empleaban estas obleas para fabricar microprocesadores de
memoria mediante una serie de procesos térmicos, metalúrgicos y químicos. Durante este proceso de
fabricación se definían miles de millones de circuitos electrónicos dentro de varios microprocesadores
individuales (también llamados “dados”) sobre la oblea de treinta centímetros. El resultado de este
proceso de fabricación era la creación de una matriz de microprocesadores rectangulares sobre la
oblea. Por último, las obleas se cortaban para obtener los microprocesadores individuales. Durante
todo el proceso de producción se comprobaba la fiabilidad de los microprocesadores.
Uno de los principales objetivos del fabricante de microprocesadores de memoria era producir la
mayor cantidad posible de chips en un solo paso al tiempo que se minimizaba el número de
microprocesadores defectuosos. Para cumplir este objetivo, los fabricantes realizaban mejoras en
cuanto al diseño y a los procesos que permitieran, por una parte, que cupieran cada vez más circuitos
electrónicos en microprocesadores de tamaño cada vez menor y, por otra, garantizaran una mayor
uniformidad en el proceso de fabricación5. Apenas una vez cada década, las nuevas tecnologías
habían permitido a los fabricantes de microprocesadores de memoria trabajar con obleas de mayor
tamaño de forma que en cada paso de fabricación se pudieran recortar más microprocesadores.
Aparte de esto, los fabricantes de microprocesadores de memoria invertían en tecnología para
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mejorar los procesos de forma que se enviaran cada vez menor número de microprocesadores
defectuosos al fabricante de equipos originales.
Principales competidores del sector de memorias en 2005

En este apartado se analizan los principales competidores de Samsung en el sector de
microprocesadores de memoria en 2005 (las empresas figuran por orden alfabético). Los resultados
económicos de Samsung y de los competidores que cotizan en Bolsa se recogen en el Anexo 1.
Elpida Memory, Inc.

Elpida, única sociedad japonesa que seguía fabricando memorias DRAM, había surgido como una
empresa conjunta constituida por NEC y Hitachi en diciembre de 1999. En sus tres primeros años de
vida, Elpida tuvo que afrontar un período de pérdidas económicas debido a un declive en el mercado
de las memorias DRAM, así como la decisión de no invertir en nuevos productos ni en nueva
capacidad para productos hasta que el mercado se recuperara. Más adelante, Elpida decidió
concentrarse en el desarrollo de productos relacionados con las memorias para dispositivos móviles y
aparatos electrónicos de consumo. De esa forma, Elpida podía intentar vender principalmente a
clientes japoneses que hasta entonces habían comprado los microprocesadores de memoria a
Samsung y a Micron. En junio de 2004, Elpida anunció el inicio de la construcción de su segunda
fábrica de obleas de 30 centímetros cerca de sus actuales instalaciones de producción en Hiroshima.
El coste de las nuevas instalaciones fue de 4.500 millones de dólares, y Elpida financió parcialmente la
nueva planta mediante una inversión de Intel de 100 millones de dólares y una emisión pública de
acciones.
Hynix Semiconductor, Inc.

Esta empresa con sede social en Corea del Sur fue constituida en el año 1983 como Hyundai
Electronics, y cambió su razón social en 2001 cuando se separó del grupo Hyundai, que atravesaba
graves dificultades financieras. A principios de los años noventa, Hynix se benefició de algunas de las
ventajas de costes que también estaba logrando su competidora coreana Samsung, pero perdió el
liderazgo tecnológico. Por otro lado, Hynix tuvo dificultades para sincronizar sus inversiones de
capital a la hora de aprovechar los nuevos avances del mercado. En 1996, año en el que el mercado de
las memorias DRAM estaba experimentando un declive cíclico, Samsung mantuvo los gastos de
capital mínimos imprescindibles para un desarrollo fluido de las operaciones, mientras que Hynix
aumentó de forma drástica sus inversiones de capital cuando se estaba produciendo la fase de
recesión. Hynix perdió aún más terreno frente a Samsung en 1999 cuando el mercado empezó a
crecer de forma importante. Samsung aumentó sus inversiones de forma significativa respondiendo
de forma rápida al crecimiento del mercado, mientras que Hynix de hecho redujo sus inversiones de
capital6. En 1999, Hyundai Electronics compró LG Semiconductor, la unidad de semiconductores del
Grupo LG. Esta adquisición lastró a Hyundai Electronics con la enorme deuda de LG Semiconductor,
lo que unido a un declive cíclico en el sector arrastró a Hynix a estar próxima a la quiebra entre 2001 y
2002. Una ayuda financiera de varios miles de millones de dólares permitió que la empresa pudiera
sobrevivir. Aún así, Hynix se vio obligada a despedir al 30 por ciento de su plantilla y a vender todas
las divisiones de negocio no fundamentales. Hace poco, Hynix constituyó una empresa conjunta con
ST Microelectronics con el fin de construir unas instalaciones de fabricación de memorias cerca de
Shangai, en China.
Además, en abril de 2005 Hynix tuvo que pagar 185 millones de dólares en concepto de sanción
impuesta por el Ministerio de Justicia de Estados Unidos que le acusaba, junto al resto de fabricantes
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de memorias, de conspirar para alterar el precio de éstas en ese país entre abril de 1999 y junio de
2002. A cambio de denunciar dicha infracción ante la justicia estadounidense, el Ministerio de Justicia
se había comprometido a absolver a la empresa Micron. En septiembre de 2004, la empresa Infineon
hizo frente a sus cargos en el sumario mediante el pago de una multa de 160 millones de dólares7. En
diciembre de 2004, Samsung realizó una provisión de 100 millones de dólares en concepto de
contingencias para cubrir un posible pago futuro. Toda la información fundamental que se ha
manejado para la elaboración de este estudio de caso práctico corresponde al año 2003, en el que
según la causa judicial del Ministerio de Justicia estadounidense la supuesta cooperación para alterar
los precios del sector ya había cesado.
Infineon Technologies AG
La empresa Infineon, con sede social en Alemania, se escindió de Siemens en el año 1999. Siemens
había estado en el negocio de los semiconductores desde que se creó este sector. A lo largo de la
historia de la empresa, la unidad de semiconductores de Siemens se había aliado con otras empresas
del sector para reducir el riesgo de inversión y acortar el plazo de lanzamiento de los productos al
mercado. Gracias a esta confianza en las alianzas estratégicas, la empresa siempre había conseguido
permanecer cerca del grupo de cabeza del sector. En los últimos años, Infineon había formalizado un
contrato sobre capacidad y compra de productos con el fabricante de memorias DRAM de Taiwán
Winbond, por el cual Infineon se comprometía a conceder a Winbond la licencia sobre su tecnología
de memorias DRAM de 0,11 um a cambio de la producción resultante de la utilización de dicha
tecnología. Infineon también constituyó una sociedad conjunta con la empresa taiwanesa Nanya
Technology con el propósito de construir una nueva planta en Taiwán. En los años inmediatos,
Infineon tenía previsto invertir 1.500 millones de dólares (más de la mitad de su presupuesto de
capital) en Asia. En 2005, Infineon contaba con más de veinticinco centros de I + D repartidos por
todo el mundo.
Micron Technology
La empresa Micron, con sede social en Boise, en el estado de Idaho (EE UU), se constituyó en el
año 1978. Vendió su primer producto DRAM fabricado en sus propias instalaciones en 1982, y en
1984 empezó a cotizar en Bolsa. Micron era el único fabricante estadounidense que quedaba en este
sector, y había multiplicado su negocio de memorias principalmente a través de adquisiciones. En
1998, Micron compró el negocio de microprocesadores de memoria de Texas Instruments, incluidas
sus fábricas en Texas, Italia, Japón y Singapur. Posteriormente, Micron compró Dominion
Semiconductor, una filial de Toshiba con sede en Virginia (EE UU). A lo largo de sus veintiséis años
de existencia, Micron había atravesado muchos períodos de dificultades económicas graves. A partir
de finales de los noventa, Micron se deshizo de muchas de sus divisiones no relacionadas con las
memorias DRAM y redujo su personal en un diez por ciento. En 2003, Micron ya estaba concentrada
casi completamente en la fabricación de memorias DRAM (lo que representaba el 96% de sus ventas).
En septiembre de 2003, Micron recibió una inversión por parte de Intel de 500 millones de dólares, y
la empresa acordó destinar este dinero a invertir en tecnologías DRAM de nueva generación.
Nanya Technology Corporation

La empresa Nanya, con sede social en Taiwán, era el quinto mayor fabricante de memorias DRAM
del mundo, y contaba con dos plantas de fabricación. En 1998, Nanya compró la actual generación de
tecnología DRAM a IBM Corporation. En diciembre de 2002, Nanya e Infineon pusieron en marcha el
desarrollo de una nueva generación de tecnología para mejorar los procesos. Ambas sociedades
constituyeron una empresa conjunta con la denominación de Inotera, e invirtieron entre las dos un
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total de 2.200 millones de dólares destinados a una gran instalación de fabricación cerca de Taipei.
Inotera comenzó a fabricar memorias DRAM de 256 Mbit en junio de 2004.
Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC)

La empresa SMIC, constituida en el año 2000 y con sede social en Shangai, era la mayor empresa
de fundición de China, y fabricaba productos de lógica y de memoria, incluidas las memorias DRAM.
Las empresas de fundición no diseñaban los microprocesadores, como hacía Samsung, sino que
utilizaban los diseños de otras sociedades para fabricar los microprocesadores a partir de sus
maquetas. En 2003, SMIC e Infineon firmaron un acuerdo por el cual Infineon concedía a SMIC la
licencia para emplear su tecnología y a cambio adquiría los derechos sobre una parte importante de la
producción. SMIC también hizo una alianza similar con la empresa japonesa Elpida. Con el fin de
aumentar su capacidad de producción, SMIC compró a Motorola una planta de fabricación en China
en octubre de 2003 por 1.000 millones de dólares. Como parte de este acuerdo, Motorola adquirió una
participación minoritaria en SMIC y también se comprometió a conceder a su socio chino la licencia
para emplear su tecnología a cambio de la adquisición exclusiva de su capacidad productiva. Los
ingresos de SMIC habían aumentado de 50,3 millones de dólares en 2002 a 365,8 millones de dólares
en 2003. En marzo de 2004, la empresa empezó a cotizar simultáneamente en los mercados bursátiles
de Nueva York y de Hong Kong.
Aunque SMIC era el único fabricante chino de memorias DRAM, otros productores chinos ya se
habían introducido en otros mercados de semiconductores para microprocesadores lógicos. En 2005,
muy pocos fabricantes chinos seguían teniendo todavía capacidad para realizar su propio diseño, y
fabricaban sus microprocesadores bajo licencia de otras empresas consolidadas utilizando para sus
procesos tecnología atrasada en una o dos generaciones. Aún así, debido a la cantidad de recursos
que habían captado de inversores chinos y extranjeros, estos nuevos competidores chinos se podían
permitir el lujo de vender sus productos a bajo precio y aumentar su cuota de mercado a costa de la
rentabilidad. En 2005, entre estos fabricantes chinos de microprocesadores lógicos se encontraban
Advanced Semiconductor Manufacturing Corp. (ASMC), de Shangai, Grace Semiconductor
Manufacturing Corp., HeJian Technology (Suzhou) Co. y Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co.
Grace Semiconductor, fundada en 2000 y uno de cuyos fundadores era el hijo del anterior dirigente
chino Jiang Zemin, comenzó la fabricación de microprocesadores lógicos en 2003, después de
conseguir más de 1.600 millones de dólares8. La suma total de las ventas de los fabricantes chinos se
elevó en 2003 hasta los 771 millones de dólares, frente a sólo 354 millones de dólares en 20029. Este
aumento se debía atribuir principalmente a SMIC, el fabricante más avanzado del país, y a los otros
dos principales fabricantes (Shanghai Hua Hong NEC Electronics y ASMC), que en conjunto eran
responsables en 2003 del 84 por ciento de la producción china de semiconductores10. En 2004, China
contaba con el cuatro por ciento de la capacidad mundial de fabricación de microprocesadores, pero
se esperaba que esa cifra hubiera aumentado en 2007 hasta el nueve por ciento11. Aunque el resto de
fabricantes chinos, aparte de SMIC, se había concentrado hasta ese momento en los
microprocesadores lógicos, cabía la posibilidad de que cualquiera de ellos se introdujera en el
mercado de los microprocesadores de memoria en cualquier momento.
Samsung Electronics: análisis general de la empresa

En 2005, el Grupo Samsung, dentro del cual se encontraba la sociedad Samsung Electronics,
constituía el mayor grupo de empresas (denominado chaebol) de Corea del Sur. Las ventas netas
totales del Grupo Samsung habían alcanzado en 2004 los 135.000 millones de dólares
estadounidenses. Ese mismo año el Grupo contaba con 337 delegaciones en 58 países y daba empleo a
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unas 212.000 personas en todo el mundo. Las tres principales áreas de negocio dentro del Grupo eran
la electrónica, las finanzas y el comercio y servicios.
La sociedad Samsung Electronics, a la que en adelante llamaremos simplemente “Samsung”, fue

constituida en el año 1969 con el objeto de fabricar aparatos de televisión en blanco y negro. A finales
de 2004, la compañía tenía unas ventas netas de 78.500 millones de dólares, unos activos de 66.000
millones de dólares y una plantilla de 113.000 empleados. Según los datos de Interbrand, el valor de
la marca de la empresa aumentó de 5.200 millones de dólares en 2000 (lo que suponía ocupar el
puesto cuarenta y tres de todo el mundo) a 12.600 millones de dólares en 2004 (lo que suponía el
puesto veintiuno de todo el mundo). En 2004, Samsung se mantuvo por delante de muchas marcas
como Philips, Kodak o Panasonic. Sony, por ejemplo, se situó en el puesto veinte de esa misma
clasificación. En 2005, Samsung estaba formada por cinco divisiones de negocio, entre las que se
encontraba la unidad de Semiconductores que es objeto de este caso práctico. El resto de divisiones
eran la unidad de Medios Digitales, que fabricaba televisores, equipos audiovisuales y ordenadores;
la unidad de Telecomunicaciones, que fabricaba teléfonos móviles y equipos para redes; la unidad de
Pantallas LCD, que fabricaba pantallas de cristal líquido para ordenadores portátiles, monitores de
sobremesa y televisores de alta definición; y, por último, la unidad de Electrodomésticos Digitales,
que fabricaba y vendía frigoríficos, aparatos de aire acondicionado y lavadoras. El organigrama de la
empresa se muestra en el Anexo 2.
Evolución del negocio de las memorias

El sector coreano de los semiconductores inició la fabricación de obleas de silicio en 1974, cuando
una joven y pequeña empresa denominada Korea Semiconductor Company comenzó a fabricar
obleas en octubre de dicho año. Sin una financiación sólida ni una tecnología propia específica, esta
pequeña empresa pionera no tardó en encontrarse con problemas financieros. Kun Hee Lee, tercer
hijo del fundador del Grupo Samsung, Byung Chull Lee (y que en ese momento era también
presidente del Grupo), decidió comprar la compañía Korea Semiconductor empleando para ellos sus
ahorros personales12. Kun Hee Lee consideró otras empresas coreanas con inversiones en el sector del
acero y otras industrias pesadas, pero pensó que invertir en el sector de los semiconductores ofrecía
un potencial de crecimiento mayor y la posibilidad de ir más allá de la industria tradicional e
introducirse en el diseño y la comercialización de tecnologías avanzadas. En aquella época, la propia
Samsung Electronics fabricaba aparatos electrónicos de consumo de gama baja. La empresa
concentraba sus actividades en las cadenas de montaje intensivas en mano de obra, e importaba los
semiconductores y otros productos avanzados del extranjero. Kun Hee Lee fusionó las dos empresas
con la intención de crear un gigante mundial de los semiconductores y de los aparatos electrónicos de
consumo. El primer semiconductor que desarrolló la joven empresa fue el “chip para reloj”, que se
utilizaba en los relojes de pulsera. El entonces presidente de Corea del Sur, Jung Hee Park, estaba tan
orgulloso de los logros de la empresa que hizo grabar su nombre en muchos de estos relojes. El
presidente Park en persona entregaba estos relojes como obsequio a los dignatarios extranjeros que
visitaban el país13.
Durante la década de los ochenta, Kun Hee Lee convenció a su padre de que los semiconductores
constituían el futuro del Grupo Samsung, y en este sentido Samsung Electronics se convirtió en la
empresa estrella del Grupo, asignándosele la mayoría de los recursos del mismo. El Grupo quería
entrar en el mercado de las memorias DRAM, que fue el segmento de mayor crecimiento dentro del
sector de las memorias en las décadas de los ochenta y los noventa14. De esta forma, entre los años
1983 y 1985, aún cuando el mercado mundial de los semiconductores estaba sufriendo una recesión y
la empresa Intel había abandonado el negocio de las memorias DRAM, Samsung asignó más de cien
millones de dólares para el desarrollo de las memorias DRAM15. En aquel momento, el coste de
producir un microprocesador sencillo de memoria DRAM de 64K era de 1,30 dólares, mientras que
los precios de mercado del momento estaban por debajo de un dólar. Aún así, Samsung confiaba en
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que el crecimiento del mercado daría la razón a su estrategia de inversión, y por tanto el hecho de
perder dinero durante los primeros años no disuadió al Grupo de seguir realizando inversiones
adicionales. Las necesidades de capital de las empresas aumentaron en los últimos años de la década
de los ochenta y primeros de los noventa, y los competidores japoneses se esforzaban por hacer las
inversiones necesarias para poder competir en las nuevas generaciones de microprocesadores.
A mediados de los ochenta, Samsung estaba construyendo su primer gran centro de fabricación.
Construir las instalaciones para fabricar semiconductores era difícil y exigía mucho tiempo, ya que la
maquinaria necesaria era muy sensible al polvo y a las descargas electrónicas. En aquel momento, el
plazo normal para la construcción de una fábrica nueva era de año y medio. Sin embargo, la empresa
pretendía completar esa misma tarea en sólo seis meses. Para ello, los equipos de obreros de la
construcción trabajaron en turnos que cubrían las veinticuatro horas del día en medio de un crudo
invierno coreano. Un hecho memorable acaecido durante el proceso de construcción fue la
terminación de una carretera de cuatro kilómetros de longitud en un solo día. El día que se recibió
desde el extranjero la mayor parte del equipo de fabricación, el equipo de instaladores de Samsung
no se lo podía creer, ya que el mismo trayecto que por la mañana era un camino en obras se había
convertido por la tarde en una carretera de dos carriles perfectamente asfaltada16. Los trabajadores
manuales no fueron los únicos que demostraron estar dispuestos a trabajar las horas que hiciera falta
por su compromiso voluntario con la misión de la empresa. En la década de los ochenta, la gran
mayoría de los ingenieros que trabajaba en la investigación y desarrollo de las memorias DRAM
reconocía que su horario de trabajo semanal cubría los días siguientes: lunes, martes, miércoles,
jueves, viernes, viernes y viernes17.
La empresa se convirtió en la principal fuente de valor del Grupo Samsung, y cuando el fundador
del Grupo Byung Chull Lee se jubiló, cedió el control al actual presidente, (su hijo) Kun Hee Lee. Era
una recompensa para la que Kun Hee Lee había hecho ya méritos suficientes al haber logrado
convertir a Samsung Electronics en un competidor viable dentro del sector mundial de las memorias.
Desde el año 1992, los semiconductores habían constituido la mayor fuente de exportación para
Corea del Sur, y en 2004 las exportaciones totales de semiconductores de este país alcanzaron los
25.100 millones de dólares, nada menos que el 10,4 por ciento del volumen total de exportaciones del
país. Sólo Samsung fue el responsable en 2004 del 22 por ciento de todas las exportaciones coreanas, y
la empresa representaba el 23 por ciento de la capitalización bursátil total de la Bolsa de Valores de
Corea18.
Evolución de las tecnologías

Con el fin de diseñar y fabricar sus primeras memorias DRAM de 64 K en los años ochenta,
Samsung tuvo que recurrir a tecnología externa. Los directivos de la empresa buscaron por todo el
mundo una empresa que pudiera conceder a Samsung la licencia para utilizar su tecnología DRAM.
De ese modo, descubrieron que la empresa estadounidense Micron estaba dispuesta a aceptar un
pago en metálico a cambio de enseñar a Samsung cómo fabricar memorias DRAM de 64 K19.
Para desarrollar tecnología de vanguardia para la nueva generación de memorias DRAM,

Samsung creó lo que resultaba, en aquel momento, una inusual competencia interna entre los centros
de I+D de todo el mundo. La empresa contrató un equipo compuesto principalmente por
norteamericanos de origen coreano con una amplia experiencia en el sector de los semiconductores y
destinó este equipo a California. Al mismo tiempo, Samsung organizó otro equipo de trabajo en
Corea del Sur, también dirigido por dos norteamericanos de origen coreano con amplia experiencia
en el sector20. Se pidió a los dos grupos que colaboraran, pero cada uno de ellos debía dar con su
propia solución. El equipo de California fue el vencedor de la competición a la hora de diseñar la
memoria DRAM de 256 K, pero en la siguiente generación de tecnología de 1 Mbit el vencedor fue el
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equipo de Corea21. En los años siguientes, la empresa creó grupos competidores para el desarrollo de
productos de todas sus operaciones.
Cuando a finales de los años ochenta se empezó a trabajar con las memorias DRAM de 4 Mbit, las
empresas se enfrentaron a la decisión crítica de cómo encajar cuatro millones de células en un chip
diminuto. Cada célula, un espacio donde almacenar información, estaba formada por un transistor y
un condensador. Dentro del sector se debatían dos ideas posibles sobre cómo colocar más células en
un microprocesador. Una de las ideas, denominada “apilamiento”, suponía desechar lo que había
sido la construcción en un nivel sobre el microprocesador y sustituirlo por una estructura de células
en forma de pisos. Cada nivel de células se apilaría sobre la anterior en la forma conveniente. La otra
idea se denominaba “trincheras”, y consistía en horadar por debajo de la superficie del
microprocesador y crear pisos por debajo del mismo. Las dos tecnologías presentaban ventajas e
inconvenientes, y mientras IBM, Toshiba y NEC utilizaron el método de las trincheras, Matsushita,
Fujitsu e Hitachi adoptaron el método de apilamiento. El presidente Lee era el responsable personal
de tomar la decisión final, por lo que después de estudiar detenidamente la información eligió el
método de apilamiento. Desde su punto de vista, el método de trincheras era demasiado complejo
para su propio funcionamiento22. Si se descubría un problema en un microprocesador de tipo
trinchera, era imposible mirar dentro para localizar dónde estaba el error porque todo estaba cubierto
y carecía de acceso visual. Por el contrario, el proceso de apilamiento era simple y modular, lo cual
hacía mucho más fácil localizar y reparar los errores.
Posteriormente, IBM, Toshiba y NEC se encontraron con problemas en el sistema de trincheras,

pero para entonces ya habían comprometido varios miles de millones de dólares en esa tecnología y
habían creado rutinas de diseño que sólo funcionaban con el sistema de diseño de trincheras. Cuando
estas empresas quisieron cambiar la tecnología al sistema de apilamiento, ya habían perdido años de
trabajo en tareas de desarrollo. Mientras tanto, Hitachi se convirtió por un tiempo en el número uno
del sector, y Samsung comenzó a acercarse cada vez más a Hitachi23.
A principios de los años noventa, Samsung había entrado en el grupo de élite del sector. Pero
Samsung aspiraba a ser la número uno, así que sus altos directivos idearon un plan para agrandar el
tamaño de las obleas de las que posteriormente se recortaban los microprocesadores DRAM hasta
sólo veinte centímetros24. Con una oblea más grande se podían recortar más microprocesadores al
mismo tiempo. Ninguna otra empresa del sector estaba dispuesta a correr el riesgo de invertir en la
fabricación a gran escala en el tamaño de veinte centímetros tan pronto. Aún faltaba mucho para
saber si la tecnología de fabricación que se necesitaba era factible, pero Samsung siguió adelante con
el proyecto e invirtió 1.000 millones de dólares para hacerse con el control de la nueva tecnología. La
decisión dio sus frutos. Samsung logró la primera posición en cuota de mercado del sector de
memorias DRAM en 1992, y mantuvo su liderazgo durante los treces años siguientes25. Este liderazgo
se mantuvo durante las subidas y bajadas del mercado. En el Anexo 3 se muestra la evolución de los
costes y los precios de Samsung a lo largo del tiempo en comparación con los de sus competidores
durante el ciclo más reciente del sector (del primer trimestre de 2000 al primer trimestre de 2004).
Cartera de productos
En el año 2003, Samsung ofrecía más de 1.200 variedades distintas de productos DRAM. Los
productos DRAM siempre se habían considerado como una materia prima, por lo cual tener
capacidad para fabricar 1.200 referencias distintas era algo sin precedentes en el sector de las
memorias. Las gamas de producto iban desde los denominados “productos de vanguardia” (la
memoria DRAM de 512 Mbit, por ejemplo) que incorporaban las últimas tecnologías, hasta los
denominados “productos antiguos” (la memoria DRAM de 64 Mbit, por ejemplo) que Samsung
seguía ofreciendo a sus clientes aunque el sector hubiera evolucionado a nuevas generaciones. Dentro
de cada generación de productos existían también “productos especializados” (las memorias DDR2
9
SDRAM y Rambus DRAM, por ejemplo) que utilizaban arquitecturas personalizadas diseñadas para
demandas de mercados de nicho. En los Anexos 4 y 5 se compara la cartera de productos de Samsung
con las de sus competidores. En el sector de los semiconductores los precios de los productos de
nueva generación permanecían altos sólo durante sólo unos pocos trimestres antes de desplomarse
rápidamente (Anexo 6). Sin embargo, ya pasada una generación, algunas líneas de productos
antiguos podían convertirse en productos de nicho de gran valor. En 2003, por ejemplo, el precio de
un microprocesador de 16 Mbit era de 19,04 dólares, mientras que el precio del microprocesador de
256 Mbit, más avanzado y más extendido, era únicamente de 4,65 dólares. En el Anexo 7a se muestra
el conjunto de precios y estructuras de costes de Samsung en comparación con los de sus
competidores en 2003. En los Anexos del 7b al 7e se comparan los precios y estructuras de costes en
2003 de los distintos competidores para cada distinta generación de productos: 64 Mbit, 128 Mbit, 256
Mbit y 512 Mbit. En los Anexos del 7f al 7i se comparan los precios y las estructuras de costes en 2003
por líneas de producto de la entonces popular generación de 256 Mbit. En los Anexos 7j y 7k se
comparan los precios y las estructuras de costes en 2003 de los productos especializados de la
generación de 128 Mbit.
En 2004, Samsung también intentó obtener con la memoria Flash las mismas ventajas competitivas
que había logrado con las DRAM. Como se muestra en el Anexo 8, Samsung pretendía trasladar parte
de su capacidad de fabricación de las memorias DRAM a la memoria Flash. Mientras el mercado de
las memorias DRAM aún seguía estrechamente ligado al crecimiento del mercado de ordenadores
personales, el cual empezaba a ser un mercado maduro, con un crecimiento de cifras de un solo
digito, la memoria Flash dependía del crecimiento de los mercados de cámaras digitales y de
teléfonos móviles con cámara fotográfica. Se esperaba que el mercado de la memoria Flash tuviera un
fuerte crecimiento durante al menos otros cinco años. Gracias a este crecimiento se esperaba que los
precios de las memorias Flash se mantuvieran bastante altos en comparación con los de las memorias
DRAM26. El presidente de Samsung Semiconductors propuso una nueva “Ley de Hwang” que
superara la teoría de Gordon Moore. En 1965, Moore predijo que la densidad de semiconductores se
duplicaría cada dieciocho meses; su teoría resultó cierta durante los cuarenta años siguientes. Chang
Gyu Hwang, director de la división de Memorias de Samsung, propuso la Ley de Hwang, que
sostenía entre otras cosas que la densidad de memorias Flash se duplicaría cada doce meses. Además,
Hwang pronosticó que Samsung sería la encargada de alcanzar sistemáticamente ese objetivo durante
los años siguientes27. En el Anexo 9 se ofrece un resumen de los resultados obtenidos por Samsung en
el ámbito de la memoria Flash.
Diseño y fabricación
A diferencia de sus competidores, Samsung trataba de crear nuevos usos para sus memorias
DRAM poniendo sus actividades de fabricación y de I+D al servicio de empresas de diseño como
Rambus. Con el paso del tiempo, Samsung había lanzado nuevos productos DRAM con aplicaciones
específicas de productos en ordenadores portátiles y consolas de videojuegos, por ejemplo. Muchas
de estas aplicaciones tenían un diseño básico común. Incluso dos arquitecturas aparentemente
distintas, la memoria DDR DRAM y la Rambus DRAM, tenían el mismo diseño básico. La diferencia
entre ellas era que la memoria Rambus contaba con un componente mejorado, una interfaz de alta
velocidad de entrada y salida (E/S), lo que obligaba a Samsung a realizar un trabajo de diseño
adicional para conectar el diseño principal de la memoria DRAM a la interfaz de alta velocidad de
tipo E/S. Samsung siempre buscó por todos los medios personalizar sus productos en torno a un
diseño básico.
El principal centro de I+D de Samsung y todas sus líneas de fabricación se encontraban en un

único emplazamiento al sur de Seúl (Corea del Sur). Por el contrario, las instalaciones de sus
competidores estaban repartidas por todo el mundo28. Gracias al consiguiente ahorro logístico y a las
economías de escala de sus inversiones de fabricación, se calculaba que Samsung podía haberse
10
ahorrado una media del 12 por ciento en los costes de construcción de las fábricas. En el recinto
principal de investigación de Samsung, los ingenieros de I+D y los ingenieros de fabricación
convivían en las mismas viviendas facilitadas por la empresa. Coincidían a diario en las comidas, y
sus lugares de trabajo se encontraban próximos, de forma que podían resolver con rapidez los
problemas de ingeniería, tanto en el diseño como en los procesos, de forma conjunta. El
emplazamiento estaba situado en un terreno explanado en plena montaña, en un lugar donde el aire
era totalmente puro y sin un rastro de polvo ni otras partículas contaminantes. El terreno tenía una
extensión de varios kilómetros y conservaba el arbolado en su mayor parte.
En sus fábricas, Samsung producía varias arquitecturas de producto en cada línea de fabricación.
Los ingenieros de procesos habían resuelto de forma brillante el problema de modificar sus equipos
de fabricación para todo tipo de contingencias. Como para cualquier fabricante de semiconductores,
la rentabilidad de producción de Samsung dependía del número de microprocesadores no
defectuosos que se pudieran recortar de una oblea, lo cual a su vez dependía totalmente del tamaño
de la oblea y de la precisión de las normas de diseño que se utilizaran para cortar la oblea. Samsung
tenía capacidad para incorporar y aprender nuevas normas de diseño y a continuación aplicar esas
nuevas pautas a la fabricación de todas las clases de producto (incluidos algunos productos
antiguos). En los Anexos del 10a a 10c se comparan los distintos tamaños de oblea, las normas de
diseño y la rentabilidad de Samsung con relación a sus competidores.
Samsung presumía de la fiabilidad de sus productos y de su capacidad para personalizar

productos a la medida de las necesidades de los clientes. Durante los años ochenta y parte de los
noventa, Lee había comprobado que su empresa estaba fabricando algunos productos de muy mala
calidad29. En 1994, envió un manual a todos los empleados en el que explicaba que el Grupo Samsung
había perdido el camino de la calidad porque su negocio había empezado hacía cincuenta y cinco
años vendiendo materias primas como azúcar y tejidos en un mercado coreano en crecimiento. Lee
exponía que en ese momento los empleados debían pensar por encima de todo en la calidad30. Lee
también ordenó quemas masivas de productos de mala calidad de Samsung, lo cual supuso la
destrucción de decenas de millones de dólares en productos con algún defecto se quemaron al aire
libre, al tiempo que el propio Lee reconvenía a sus empleados con tono de predicador sobre la
atención que debían prestar a la calidad. A finales de los años noventa, la empresa ganó
sistemáticamente los principales concursos de fiabilidad del sector. Antes de 1995, la empresa había
ganado un concurso importante. Entre 1995 y 2003, la compañía obtuvo distinciones por su fiabilidad
y sus resultados por parte de la mayoría de sus grandes clientes. Muchos clientes, incluso algunos
que eran rivales entre ellos, eligieron a Samsung como proveedor favorito. Así, por ejemplo, la
empresa estaba desarrollando al mismo tiempo un nuevo microprocesador de memoria Flash para
Sony Ericsson y un microprocesador de memoria Flash personalizado para Nokia.
Políticas de recursos humanos

Tradicionalmente, las empresas coreanas contrataban muy a menudo empleados por provenir del
centro de enseñanza apropiado o de la región adecuada, pero Samsung intentó erradicar esta
costumbre. En Samsung estaba muy mal visto preguntar a un compañero de trabajo acerca de su
universidad o sobre su región de origen31. Los candidatos a empleados debían pasar un examen de
aptitud que incluía pruebas de conocimiento de idiomas, de formación matemática, de razonamiento
y de percepción espacial. Samsung también trató de desmontar el sistema tradicional de promoción
basado únicamente en la antigüedad, aún muy extendido en Asia. Los empleados recibían una
calificación anual en una escala que iba de la A a la D, y únicamente los trabajadores que obtuvieran
dos “A” en el plazo de tres años podían optar a la promoción. Gracias a este sistema de evaluación
centrado más en los méritos, muchos directivos más jóvenes, con gran potencial y que hablaban
inglés pronto ascendieron en el organigrama de la empresa. De entre los directivos de mayor rango
de la compañía, algunos habían alcanzado sus cargos actuales recién cumplidos los cuarenta años, y
11
de esta forma habían dejado atrás a otros empleados de más edad que podrían haber alcanzado con
anterioridad ese nivel gracias a su antigüedad.
Samsung también puso en marcha programas para invertir en la formación de sus empleados en
gestión internacional. El denominado “programa de especialistas regionales”, por ejemplo, destinaba
a empleados con alto potencial a un país extranjero para aprender el idioma y la cultura locales
durante un año. A su regreso, el “especialista regional” elaboraba informes sobre sus experiencias,
que pasaban a formar parte de una base de datos codificada de conocimientos. Samsung financiaba
cientos de cursos MBA y de doctorado en el extranjero para sus empleados.
Al contrario que otras empresas coreanas, Samsung seleccionaba continuamente profesionales

cualificados extranjeros, incluyendo occidentales y coreanos que habían participado en los grandes
movimientos migratorios del país y habían abandonado Corea hacía mucho tiempo para vivir y
trabajar en Estados Unidos y Europa. Después de contratar a un alto directivo norteamericano a
finales de los años noventa, el consejero delegado de Samsung, Jong Yong Yun, temió que la empresa
podía resentirse de esta nueva incorporación, la de un extraño que no sabía hablar coreano
correctamente. Yun declaró entonces: “A algunos de vosotros os gustaría subirlo a lo alto de un árbol
y después tirarlo de allí. ¡Si alguien lo intenta, se deberá atener a las consecuencias!”32. El consejero
delegado logró convencer a sus directivos para que aceptaran al extranjero. En muchos puestos de
alta responsabilidad de Samsung Electronics podía encontrarse personal internacional incorporado a
la empresa que había trabajado anteriormente en importantes empresas tecnológicas
estadounidenses. Entre los casos más destacables estaban los de Chang Gyu Hwang, actual
presidente de la división de Semiconductores de Samsung, Oh Hyun Kwon, director de la división
del Sistema LSI de Samsung, y Dae Je Chin, hasta hacía poco presidente de la división de Medios
Digitales de Samsung y actual ministro coreano de Información y Comunicaciones.
Más recientemente, el presidente Lee había creado el denominado “grupo de estrategia global” de
Samsung, destinado a captar profesionales cualificados de todo el mundo para la organización. Este
grupo de estrategia global constituía un recurso corporativo que ayudaba a resolver problemas de la
empresa en cada una de sus unidades de negocio y formaba a los directivos internacionales para
ocupar puestos de responsabilidad. David Steel, que era el directivo occidental de más alto nivel de
Samsung, entró en el grupo de estrategia global en el año 1997. Posteriormente, Steel fue ascendido al
puesto de vicepresidente de Desarrollo de Negocios de la división de Medios Digitales.
Samsung también presumía de invertir en sus empleados más que casi cualquier otra empresa
competidora del sector. Cuando Lee fue nombrado presidente del Grupo en el año 1987, declaró en el
discurso de su nombramiento: “¿Qué es lo que preocupa a nuestros empleados cuando abren la
puerta de sus casas para ir al trabajo? Probablemente más del noventa por ciento pensará en su salud
y la de su familia, en la educación de sus hijos y en su jubilación”.
En consecuencia, Lee propuso que la empresa se hiciera cargo del 90% de estos gastos, de forma
que ellos pudieran concentrarse en la innovación y la productividad. Lee también declaró que la
empresa recompensaría generosamente a los trabajadores por su rendimiento, pero al mismo tiempo
no despediría a nadie por sus errores. En el manual de la empresa declaraba lo siguiente: “Fijémonos
en el ejemplo del adiestrador de caballos: un buen adiestrador nunca utiliza el látigo ni la fusta, sino
únicamente zanahorias como recompensa. En Samsung, premiamos los resultados extraordinarios;
no castigamos los errores. Esta es mi filosofía personal y en lo que creo. Sólo se debe castigar a
aquéllos que carecen de ética profesional, que no actúan honestamente, que faltan a la verdad, que
perjudican a otros o que se oponen al avance de todo el grupo”33.
En 2003, el sueldo medio en Samsung era de 44.000 dólares; este mismo dato para Micron,
Infineon, Hynix y SMIC se calculaba en unos 54.000, 72.400, 24.600 y 10.800 dólares estadounidenses,
respectivamente. En 2005, además del sueldo base, Samsung ofrecía tres tipos distintos de incentivos
12
en función de los resultados. El primer tipo, denominado incentivos por proyecto, premiaba a los
miembros de un proyecto fuera cual fuera su puesto dentro del mismo con gratificaciones
extraordinarias en metálico cuando un proyecto finalizaba con éxito, como por ejemplo el
lanzamiento de la memoria DDR2. Los incentivos por proyecto podían oscilar entre unos pocos miles
de dólares y más de un millón de dólares para el equipo responsable de un proyecto determinado. El
segundo tipo, los incentivos por productividad, premiaba a los empleados por los resultados de toda
una división (la división de Memorias, por ejemplo), pero estos incentivos se podían modificar para
cada departamento o equipo de la división en función de sus resultados y su contribución. Los
incentivos por productividad podían suponer hasta un 300% del salario base anual. La tercera clase
de incentivos, que consistía en un programa de participación en los beneficios, premiaba a cada
miembro de una división, y podía llegar a suponer hasta el 50% del salario base anual dependiendo
de los resultados de la división medidos por el valor añadido económico logrado por dicha división.
Samsung adoptó procedimientos que favorecían el debate y que alentaban a que todos los
empleados buscaran soluciones consensuadas. Por ejemplo, antes de decidir cómo diseñar y fabricar
un nuevo producto, la empresa animaba a todos los profesionales, desde los de menor nivel y los
ingenieros hasta los más altos directivos, para que debatieran intensamente, y a todos se les pedía
encarecidamente que expresaran sus opiniones. Después de tener en cuenta todos los puntos de vista,
los altos directivos tomaban la decisión final, y se esperaba que todos trabajaran para lograr el
objetivo común.
Retos estratégicos
En el año 2005, ¿había cambiado el entorno competitivo de forma sustancial?, y ¿hacía necesario
este cambio que Samsung modificara su estrategia? La empresa se enfrentaba a nuevas amenazas por
la incorporación de los nuevos competidores chinos que estaban irrumpiendo en el mercado de las
memorias DRAM de una forma muy similar a como lo hiciera Samsung hacía veinte años. Estas
empresas se valían de alianzas para aprender de empresas veteranas en el sector como Infineon o
Elpida, y estaban captando miles de millones de dólares en financiación externa para construir
instalaciones de fabricación equipadas con las últimas tecnologías. Al igual que Samsung en los años
ochenta, estos fabricantes chinos estaban dispuestos a soportar años de pérdidas para lograr una
cuota de mercado significativa. En el Anexo 11 se muestran datos estadísticos en los que se evalúa la
capacidad tecnológica del sector chino de semiconductores. Aunque el gobierno estadounidense
había prohibido a los fabricantes nacionales exportar equipos avanzados de semiconductores a China
y el gobierno de Taiwán había prohibido a sus empresas exportar tecnología de fabricación de última
generación a China, esto sólo iba a significar un pequeño obstáculo temporal para la trayectoria de
China. En vez de adquirir equipos de Taiwán o Estados Unidos, los fabricantes chinos simplemente
los compraban a otros países. China carecía de la infraestructura fundamental que le permitiera
mantener un sector de semiconductores que incorporara las últimas tecnologías, pero el gobierno se
había comprometido firmemente a subvencionar todas las infraestructuras necesarias en los
alrededores de Shangai y Beijing. El gobierno chino estaba en disposición de ofrecer financiación
barata, suelo en abundancia, suministros públicos baratos, ingenieros cualificados, incentivos fiscales
y otros recursos fundamentales para cualquiera que quisiera construir una instalación de
semiconductores con las últimas tecnologías con un socio chino34.
Una de las posibilidades con las que contaban los directivos de Samsung en 2005 era colaborar de
forma activa con un socio chino. Se esperaba que en 2010 China se convirtiera en el segundo mayor
comprador mundial de semiconductores, detrás de Estados Unidos35. A pesar del hecho de que todo
el sector de microprocesadores de memoria había estado creciendo de forma moderada en el último
año, los principales fabricantes se contuvieron a la hora de hacer nuevas inversiones de importancia
en China. Aún así, si el crecimiento del sector se disparara repentinamente, los analistas de Nikkei
13
Electronics Asia preveían que los principales fabricantes de memorias DRAM recurrirían a socios
chinos para desarrollar inversiones conjuntas36. El riesgo de trabajar con fabricantes chinos era que los
derechos de propiedad intelectual aún no contaban con una protección completa, por lo que
compartir proyectos y conocimientos expertos con un socio chino podía llevar a que en algún
momento el socio se convirtiera en rival. Además, si la ventaja competitiva de Samsung se había
logrado creando una cultura de empresa única en su centro principal de actividades de I+D al sur de
Seúl, ¿no pondría en peligro la supervivencia de esa cultura única el hecho de trasladar la fabricación
a China?
Una opción alternativa que tenía Samsung era potenciar sus inversiones en productos de memoria
de vanguardia, sobre todo buscando nuevos nichos de mercado. Si Samsung era líder del mercado en
cuanto a bajos costes y productividad, muchos pensaban que Samsung no debía enseñar a los
competidores chinos cómo lograr costes más bajos y ser más productivos. Al contrario, Samsung
debía posiblemente ceder el segmento más bajo del mercado a los chinos al tiempo que intentaba
desarrollar otros productos de nichos de mercado de valor más elevado.
¿Cómo debían reaccionar el presidente Lee y el equipo de alta dirección de Samsung ante la
amenaza de la competencia china?
14
707-S09 -1 5 -
Anexo 1: Resultados financieros (en millones de dólares estadounidenses)
1985 1986 1987 1988 1989 1990 1991 1992 1993 1994 1995 1996 1997 1998 1999 2000 2001 2002 2003
Samsung*
Ingresos netos 1903 2271 3006 4427 5896 6298 6871 7741 10091 14604 20898 18804 13048 16629 22802 27216 24418 33167 36385
Coste de los productos vendidos 1652 1954 2586 3735 4550 4836 4997 5634 6874 9150 12112 14123 8975 11571 15419 17459 18486 21910 24644
I+D 11 14 22 38 136 231 371 443 678 1392 1454 1512 896 1378 1390 1603 1824 2451 2947
Resultado neto 24 37 44 149 233 102 90 92 191 1198 3234 194 87 259 2768 4775 2222 5875 4975
Flujo de efectivo de explotación 75 116 143 371 1115 1074 947 1177 2050 3925 6069 1978 1967 4426 6179 7506 4744 9325 8222
Caja y equivalentes (a) 49 45 103 199 80 149 222 355 539 1149 1509 1141 966 983 1026 1534 2129 4734 6667
Deuda a largo y corto plazo (b) 435 467 598 1786 2019 3086 4034 4758 4040 4658 6054 9276 9171 8461 5016 3224 2040 1355 968
Deuda neta (b – a) 386 422 495 1587 1940 2938 3812 4402 3501 3509 4546 8135 8205 7477 3990 1690 -89 -3379 -5699
Gastos financieros / Deuda 48 51 61 89 194 302 414 445 433 394 482 480 536 924 630 273 155 84 80
Activo total 748 991 1383 3370 4334 5731 7568 8102 8296 11314 17589 19680 24251 14852 20774 23788 21629 27437 32892
Micron
Ingresos netos 76 49 91 301 446 333 425 506 828 1629 2953 3654 3516 3012 3764 7336 3936 2589 3091
I+D 7 3 5 9 21 36 36 48 57 83 129 192 209 272 322 428 490 561 656
Resultado neto 0 -34 -23 98 106 5 5 7 104 401 844 594 332 -234 -69 1548 -521 -907 -1280
Flujo de efectivo de explotación 18 -13 -1 142 165 84 98 121 231 611 1092 1055 990 242 827 2629 1578 698 447
Deuda neta (b – a) 34 39 35 -141 -110 22 26 16 -106 -279 -400 193 -99 215 26 -1485 -1147 -532 164
Gastos financieros / Deuda 2 0 5 1 -15 11 11 9 8 8 7 9 31 65 132 111 27 27 40
Activo total 133 132 129 388 625 697 706 724 966 1530 2775 3752 4851 4688 6965 9632 8363 7431 7075
Infineon
Ingresos netos 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 2885 3175 4208 7757 6371 4966 4884
I+D 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 457 637 733 1092 1336 1011 864
Resultado neto 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -95 -775 60 1199 -663 -974 -345
Flujo de efectivo de explotación 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 615 -232 613 2077 287 73 757
Deuda neta (b – a) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 799 347 118 -791 -541 -102 -207
Recursos propios totales 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 3205 3078 3861 6368 8093 7735 6539
Activo total 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 4402 4471 6088 9254 10483 9662 8018
Hynix
Ingresos netos 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 4537 6201 6288 8035 9489 4097 3739 4030
I+D 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 21 29 68 254 264 338 296
Resultado neto 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 -474 -599 -129 167 -2280 -3844 -1560 -1770
Flujo de efectivo de explotación 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 966 1192 338 1607 2788 -69 933 1171
Deuda neta (b – a) 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 5699 13165 8388 9568 10265 4458 3159 2702
Recursos propios totales 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 1449 -1662 1096 9204 7097 7892 24813 4267
Activo total 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0 9910 14768 11742 20911 18217 11165 8891 7218
Fuente: Thomson Datastream
Nota: Hyundai Semiconductor salió a cotizar en Bolsa en diciembre de 1996. Esta empresa adquirió LG Semiconductor en 1999 y cambió su nombre por el de Hynix. Micron fue constituida en 1978. Infineon se fundó en abril de 1999, cuando la
división de semiconductores de su compañía matriz Siemens AG se escindió para constituir una entidad legal independiente. En marzo de 2000, esta empresa salió a cotizar en Bolsa y sigue cotizando en las Bolsas de Valores de Frankfurt y
Nueva York. Para los años 1985 a 1998 se han utilizado los datos de Siemens AG.
* Sólo la empresa matriz.

Anexo 2: Organigrama de la empresa en el año 2005
Presidente
Kun Hee Lee
Vicepresidente y Consejero
Delegado
Jong Yong Yun
Director General de Director General de

Tecnología Finanzas
Yoon Woo Lee Doh Seck Choi
Unidad de Unidad de Medios Unidad de Unidad de Pantallas Unidad de

Semiconductores Digitales Telecomunicaciones Electrodomésticos
LCD
Digitales
-Memoria -Frigoríficos
-Televisores -Teléfonos móviles -Pantallas de cristal
-Sistema LSI -Aparatos de aire
-Aparatos audiovisuales -Asistentes personales líquido para ordenadores
-Unidad de disco duro acondicionado
-Monitores digitales portátiles y televisores de
-Almacenamiento óptico -Lavadoras
-Reproductores de DVD -Equipos para redes alta definición
__________________ __________________
__________________ __________________ __________________
Presidente Presidente
Presidente Presidente Presidente
Chang Gyu Hwang Hyun Bong Lee
Gee Sung Choi Ki Tae Lee Sang Wan Lee
Fuente: Datos de la compañía
16
707-S09 -1 7 -
Anexo 3: Precio medio de venta de las memorias DRAM, coste operativo y margen operativo (equivalente a 256 Mbit)
1T 00 2T 00 3T 00 4T 00 1T 01 2T 01 3T 01 4T 01 1T 02 2T 02 3T 02 4T 02 1T 03 2T 03 3T 03 4T 03 1T 04 Media
Samsung
Precio medio de venta ($) 39,08 38,44 43,79 33,42 20,82 13,24 4,86 5,16 9,31 7,75 6,86 7,58 5,76 5,27 5,79 5,90 6,15 15,25
Coste operativo ($) 16,95 13,64 14,41 15,70 12,36 12,02 9,53 7,46 5,72 5,33 4,92 5,33 4,77 4,60 4,00 3,82 3,92 8,50
Margen operativo 57% 65% 67% 53% 41% 9% -96% -45% 39% 31% 28% 30% 17% 13% 31% 35% 36% 44%
Micron
Coste operativo ($) 34,75 24,00 20,31 19,65 15,81 15,96 12,01 6,67 8,28 8,98 7,97 7,25 7,96 6,65 6,06 5,57 4,75 12,51
Margen operativo -7% 4% 34% 23% -26% -92% -219% -134% -65% -20% -52% -45% -56% -53% -22% -5% -5% -13%
Infineon
Coste operativo ($) 18,11 16,69 10,88 14,14 13,46 13,76 12,00 11,00 9,80 8,20 7,50 7,96 5,62 5,10 4,69 4,69 4,75 9,90
Margen operativo 32% 37% 65% 12% -27% -73% -186% -151% -10% -14% -36% -35% -15% -9% 13% 10% 4% 6%
Hynix
Coste operativo ($) 22,21 24,68 23,94 17,40 11,82 8,73 9,33 9,38 6,08 9,15 7,47 6,56 6,16 5,61 4,82 4,37 3,89 10,68
Margen operativo 23% 17% 37% 17% 5% -19% -142% -152% 29% -45% -59% -33% -35% -24% 12% 18% 25% 6%
Mundial
Precio medio de venta ($) 36 33,8 36,5 22,9 14,30 9,02 4,80 3,49 8,58 7,36 6,21 6,14 5,12 4,62 5,47 5,37 5,06 12,63
Variación trimestral del
precio medio de venta -6% 8% -37% -37% -37% -47% -27% 146% -14% -16% -1% -17% -10% 19% -2% -6% -5%
Exceso del precio medio de
venta de Samsung sobre el
de sus competidores 33% 42% 32% 60% 75% 68% 23% 41% 24% 11% 33% 44% 19% 17% 10% 11% 26% 34%
Margen operativo (Samsung

menos la media de los 41% 45% 22% 36% 57% 70% 86% 101% 54% 57% 77% 68% 53% 42% 30% 27% 28% 53%
competidores)
Fuente: Merrill Lynch.

Anexo 4: Volumen de fabricación de memorias DRAM por densidad en 2003
Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC
4 Mbit - - - - - - - - - -
16 Mbit 1,3 0,1% 1,0 0,2% 0,0 0,0% 10,0 1,9% - -
64 Mbit 16,4 1,8% 29,7 4,4% 0,0 0,0% 33,6 6,4% - -
128 Mbit 151,6 16,9% 88,1 13,1% 43,7 8,2% 96,8 18,6% - -
256 Mbit 695,8 77,6% 540,1 80,3% 479,5 89,6% 374,2 71,8% 68,2 100,0%
512 Mbit 30,4 3,4% 13,7 2,0% 11,5 2,1% 6,8 1,3% - -
1 Gbit 1,0 0,1% 0,1 0,0% 0,6 0,1% 0,0 0,0% - -
Total 896,4 100,0% 672,8 100,0% 535,3 100,0% 521,5 100,0% 68,2 100,0%
Fuente: “Estadísticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los años 2003 y 2005”, de
Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene más de doce meses de antigüedad, Gartner lo considera como una perspectiva histórica.
Anexo 5: Volumen de fabricación de memorias DRAM en 2003 por líneas de producto (en
millones, equivalente a 256 Mbit)
Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Samsung Micron Infineon Hynix Mundial
SDRAM 206,1 23,0% 191,8 28,5% 79,1 14,8% 117,5 22,5% 0,0 0,0%
DDR SDRAM 585,3 65,3% 475,6 70,7% 437,8 81,8% 401,4 77,0% 68,2 100,0%
DDR2 SDRAM 40,4 4,5% 0,0 0,0% 1,7 0,3% 0,0 0,0% 0,0 0,0%
RDRAM 37,9 4,2% 0,0 0,0% 2,4 0,4% 0,0 0,0% 0,0 0,0%
Otras DRAM 25,9 2,9% 5,4 0,8% 14,3 2,7% 1,3 0,2% 0,0 0,0%
Total 896,4 100% 672,8 100% 535,3 100% 521,5 100% 68,2 100%
Fuente: “Estadísticas trimestrales de suministros y demanda de memorias DRAM en todo el mundo entre los años 2003 y 2005”, de
Gartner, Inc. Dado que el estudio tiene más de doce meses de antigüedad, Gartner lo considera como una perspectiva histórica.
18
707-S09 --1 9 -
Anexo 6: Datos históricos y previsiones del precio medio de venta de las memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (en dólares estadounidenses)
2000 2001 2002 2003 2004 2005 (E) 2006 (E) 2007 (E) 2008 (E) 2009 (E) 2010 (E)
1 Mbit 1,51 1,06 1,10 - - - - - - - -
4 Mbit 1,90 1,34 1,28 0,97 0,79 0,51 0,40 - - - -
16 Mbit 3,42 1,88 1,61 1,19 0,90 0,62 0,50 0,50 - - -
64 Mbit 7,18 1,88 1,55 1,88 2,13 1,39 0,74 0,70 0,62 - -
128 Mbit 14,41 2,99 3,30 2,75 3,48 2,41 1,28 1,01 0,90 0,66 -
256 Mbit 48,59 6,73 6,22 4,68 4,88 3,67 1,64 1,21 1,10 0,84 0,68
512 Mbit - 150,00 42,11 21,70 12,76 6,75 3,12 2,79 2,53 1,78 1,25
1 Gbit - - - 83,57 40,76 18,04 7,29 5,54 4,81 2,22 1,55
2 Gbit - - - - - 82,93 21,29 11,70 9,68 3,99 3,08
4 Gbit - - - - - - - 125,15 47,00 13,02 7,50
8 Gbit - - - - - - - - - - 93,18
Precio medio de venta por megabyte 0,99 0,22 0,21 0,16 0,17 0,11 0,05 0,04 0,04 0,02 0,01
Precio medio de venta por el equivalente a 256 Mbit 31,63 7,08 6,76 5,19 5,49 3,66 1,65 1,42 1,28 0,58 0,42
Crecimiento anual del precio medio de venta -17,3% -77,6% -4,5% -23,3% 5,8% -33,3% -55,1% -13,7% -9,9% -54,4% -28,3%
Fuente: “Previsiones: estadísticas del mercado de memorias DRAM en todo el mundo entre 2000 y 2010 (actualizado en el primer trimestre de 2005)”, Gartner, Inc.
Anexo 7a: Comparación del beneficio operativo de las memorias DRAM en 2003 (equivalente a 256 Mb)ª
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de Samsung menos la Media ponderada
los competidores media ponderada de de los competidores/
sus competidores Samsung
Precio medio de venta 5,68$ 4,93$ 5,05$ 4,97$ 4,43$ 4,96$ 0,72$ 87,3%
Imputación total de costes 4,31$ 6,61% 5,02% 5,33$ 4,84$ 5,70$ -1,39$ 132,2%
Materias primas 1,18 1,93 1,58 1,93 1,84 1,83 -0,65 155,1%
Mano de obra 0,54 0,94 0,76 0,51 0,23 0,74 -0,19 137,0%
Amortización 1,35 1,88 1,50 1,48 1,63 1,64 -0,29 121,5%
I+D 0,60 0,57 0,71 0,58 0,80 0,62 -0,02 103,3%
Gastos generales, comerciales y administrativos 0,65 1,28 0,46 0,83 0,34 0,87 -0,22 133,8%
Beneficio operativo (a) 1,37$ -1,68$ 0,02$ -0,36$ -0,41$ -0,74$
Margen operativo 24,1% -34,1% 0,5% -7,3% -9,3% -15%
Volumen de fabricación equivalente a 256 Mbit (b) 896,4 672,8 535,3 521,5 68,2
Beneficio operativo en millones de dólares (a x b) 1224,3$ -1129,5$ 12,9$ -188,1$ -28,1$
ª Explicación a la expresión anteriormente utilizada “equivalente a 256 Mbit”: cada empresa dentro del sector utiliza unas pautas de diseño y una tecnología de procesos para cada producto que presentan ligeras diferencias, además de
fabricar combinaciones diferentes en cuanto a arquitectura y tamaño de las memorias. Por eso es muy difícil hacer comparaciones de igual a igual incluso para un mismo producto. Por ello los analistas del sector han establecido un criterio
común para comparar la competitividad general de costes de una empresa. Las ventas totales y los costes de fabricación de cada empresa se ponderan según cada generación de memorias, asignándosele a la generación de memorias de 256
Mbit una ponderación de 1,00, a las generaciones por encima de 256 Mbit una ponderación por encima de 1,00 y proporcional a 256 Mbit, y a las generaciones por debajo de 256 Mbit una ponderación por debajo de 1,00 proporcional a 256
Mbit.
b El volumen total de fabricación es la suma de los volúmenes de fabricación de memorias DRAM de todas las densidades (incluidas 16 Mb, 64 Mb, 128 Mb, 256 Mb, 512 Mb y 1 Gb).
Anexo 7b: Estructura de costes de las memorias DRAM de 64 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media

ponderada de
los
competidores
Precio medio de venta 8,63 $ 7,88$ - 8,10 $ - 8,00 $
Imputación total de costes 2,99 $ 4,19 $ - 3,98 $ - 4,07 $
Materias primas 0,99 0,98 - 1,67 - 1,35
Mano de obra 0,54 0,76 - 0,51 - 0,63
Amortización 0,35 0,42 - 0,43 - 0,42
I+D 0,15 0,13 - 0,17 - 0,15
Gastos generales, comerciales y 0,96 1,90 - 1,20 - 1,53
administrativos
Beneficio operativo 5,64 $ 3,69 $ - 4,13 $ - 3,92 $
Margen operativo 65,4% 46,9% - 50,9% - 49,0%
Volumen de fabricación (millones 16,4 29,7 0,0 33,6 0,0 63,3
de unidades)
Volumen de fabricación / Volumen
total de fabricación 1,8% 4,4% 0,0% 6,4% 0,0% 3,5%
Anexo 7c: Estructura de costes de las memorias DRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media

ponderada de
los
competidoresª
Precio medio de venta 6,45 $ 5,56$ 6,34 $ 5,45 $ - 5,66 $
Imputación total de costes 3,89 $ 6,22 $ 4,49 $ 5,08 $ - 5,40 $
Materias primas 1,09 1,81 1,43 1,83 - 1,75
Mano de obra 0,54 0,94 0,75 0,51 - 0,72
Amortización 1,09 1,60 1,21 1,33 - 1,41
I+D 0,48 0,48 0,57 0,52 - 0,52
Gastos generales, comerciales y 0,70 1,39 0,52 0,88 - 1,01
administrativos
Beneficio operativo 2,56 $ -0,66 $ 1,85 $ 0,37 $ - 0,25 $
Margen operativo 39,6% -11,9% 29,2% 6,8% - 3,9%
Volumen de producción 151,6 88,1 43,7 96,8 0,0 228,6
(millones de unidades)
Volumen de fabricación /
Volumen total de fabricación 16,9% 13,1% 8,2% 18,6% 0,0% 12,7%
ª Dentro del volumen de fabricación de memorias DRAM de 128 Mbit está incluido el volumen de fabricación de varias líneas
de producto de memorias DRAM de 128 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 ó Rambus DRAM).
20
Anexo 7d: Estructura de costes de las memorias DRAM de 256 Mbit en 2003 (equivalente a 256 Mbit)
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada

de los
competidoresª
Precio medio de venta 5,08 $ 4,48$ 4,73 $ 4,58 $ 4,43$ 4,57 $
Imputación total de costes 4,15 $ 6,52 $ 4,84 $ 5,42 $ 4,84$ 5,61 $
Materias primas 1,19 1,98 1,57 2,01 1,84 1,84
Mano de obra 0,54 0,94 0,75 0,51 0,23 0,74
Amortización 1,27 1,86 1,41 1,56 1,63 1,63
I+D 0,56 0,56 0,67 0,61 0,80 0,62
Gastos generales, comerciales y 0,59 1,18 0,44 0,74 0,34 0,79
administrativos
Beneficio operativo 0,94 $ -2,04 $ -0,11 $ -0,85 $ -0,41$ -1,04 $
Margen operativo 18,4% -45,5% -2,2% -18,5% -9,3% -22,8%
Volumen de producción (millones 695,8 540,1 479,5 374,2 68,2 1462,1
de unidades)
Volumen de fabricación / Volumen 77,6% 80,3% 89,6% 71,8% 100% 81,3%
total de fabricación
ª Dentro del volumen de fabricación de memorias DRAM de 256 Mbit está incluido el volumen de fabricación de varias líneas
de producto de memorias DRAM de 256 Mbit (como las memorias SDRAM, DDR, DDR2 ó Rambus DRAM).
Anexo 7e: Estructura de costes de las memorias DRAM de 512 Mbit en 2003 (equivalente a 256
Mbit)

de los
competidoresª
Materias primas 1,29 3,17 2,47 2,97 - 2,87
Mano de obra 0,80 1,52 1,20 0,77 - 1,25
Amortización 4,89 7,78 5,82 6,00 - 6,70
I+D 2,16 2,36 2,74 2,34 - 2,49
Gastos generales, comerciales y 1,38 2,75 1,02 1,73 - 1,91
administrativos
Beneficio operativo 3,69 $ -5,47 $ 0,34 $ -1,82 $ - -2,60 $
Margen operativo 26,0% -45,1% 2,5% -15,2% - -21,6%
Volumen de producción (millones
de unidades) 30,4 13,7 11,5 6,8 0,0 32,0
21
Anexo 7f: Estructura de costes de las memorias SDRAM de 256 Mbit en 2003.
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de

los competidoresª
Materias primas 1,20 2,01 1,61 2,05 - 1,92
Mano de obra 0,54 0,95 0,77 0,52 - 0,80
Amortización 1,28 1,89 1,45 1,59 - 1,71
I+D 0,57 0,57 0,68 0,62 - 0,61
Gastos generales, comerciales 0,58 1,21 0,46 0,74 - 0,91
y administrativos
Beneficio operativo 0,79 $ -2,06 $ 0,03 $ -0,95 $ - -1,28 $
Margen operativo 15,9% -45,2% 0,5% -20,8% - -28,0%
Volumen de producción 160,0 162,0 76,7 84,2 0,0 323,0
(millones de unidades)
Anexo 7g: Estructura de costes de las memorias DDR SDRAM de 256 Mbit en 2003.

de los
competidoresª
Precio medio de venta 4,72$ 4,45$ 4,65$ 4,57$ 4,43$ 4,55$
Imputación total de costes 4,06$ 6,48$ 4,81$ 5,39$ 4,84$ 5,51$
Materias primas 1,18 1,97 1,56 1,99 1,84 1,82
Mano de obra 0,53 0,93 0,75 0,51 0,23 0,72
Amortización 1,25 1,85 1,41 1,55 1,63 1,60
I+D 0,55 0,56 0,66 0,60 0,80 0,62
Gastos generales, comerciales y 0,55 1,17 0,43 0,74 0,34 0,75
administrativos
Beneficio operativo 0,66$ -2,03$ -0,16$ -0,82$ -0,41$ -0,96$
Margen operativo 13,9% -45,6% -3,4% -18,0% -9,3% -21,2%
Volumen de producción 290,0 68,2 1136,0
(millones de unidades) 485,0 378,1 399,7
22
Anexo 7h: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 256 Mbit en 2003.
Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de los

competidoresª
Precio medio de venta 8,83$ - 8,67 $ - - 8,67 $
Imputación total de costes 4,93$ - 5,72 $ - - 5,72 $
Materias primas 1,31 - 1,75 - - 1,75
Mano de obra 0,59 - 0,84 - - 0,84
Amortización 1,39 - 1,58 - - 1,58
I+D 0,62 - 0,74 - - 0,74
Gastos generales, comerciales 1,03 - 0,80 - - 0,80
y administrativos
Beneficio operativo 3,90 $ - 2,95 $ - - 2,95$
Margen operativo 44,1% - 34,0% 34,0%
Volumen de producción
(millones de unidades) 25,7 0,0 1,2 0,0 0,0 1,2
Anexo 7i: Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 256 Mbit en 2003.

competidoresª
Precio medio de venta 9,21 $ - 8,45 $ - - 8,45 $
Imputación total de costes 4,89 $ - 5,59 $ - - 5,59 $
Materias primas 1,28 - 1,71 - - 1,71
Mano de obra 0,57 - 0,82 - - 0,82
Amortización 1,36 - 1,55 - - 1,55
I+D 0,60 - 0,73 - - 0,73
y administrativos
Beneficio operativo 4,32 $ - 2,86 $ - - 2,86 $
Margen operativo 46,9% - 33,8% - - 33,8%
23
Anexo 7j: Estructura de costes de las memorias DDR2 SDRAM de 128 Mbit en 2003 (equivalente a 256
Mbit).

competidoresª
Precio medio de venta 11,30$ - 9,74 $ - - 9,74 $
Materias primas 1,13 - 1,58 - - 1,58
Mano de obra 0,55 - 0,83 - - 0,83
Amortización 1,12 - 1,34 - - 1,34
I+D 0,50 - 0,63 - - 0,63
y administrativos
Beneficio operativo 6,81$ - 4,47 $ - - 4,47$
Margen operativo 60,3% - 45,9% 45,9%
Anexo 7k: Estructura de costes de las memorias Rambus DRAM de 128 Mbit en 2003
(equivalente a 256 Mbit).

competidoresª
Precio medio de venta 11,06 $ - 9,64 $ - - 9,64 $
Materias primas 1,19 - 1,58 - - 1,58
Mano de obra 0,58 - 0,83 - - 0,83
Amortización 1,18 - 1,34 - - 1,34
I+D 0,52 - 0,63 - - 0,63
y administrativos
Beneficio operativo 6,41$ - 4,38 $ - - 4,38 $
Margen operativo 58,0% - 45,5% - - 45,5%
Fuente: Estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico a partir del informe de Merrill Lynch.
24
Anexo 8: Composición de la línea de fabricación de Samsung (línea A)
1998 1999 2000 2001 2002

DRAM 78% 45% 28% 40% 27%
Gráfica 19% 13% 3% 2% 0%
SRAM 3% 41% 52% 46% 44%
Flash 0% 2% 15% 8% 24%
MROM 0% 0% 2% 5% 5%
Total 100% 100% 100% 100% 100%
Fuente: Datos de la compañía.
Anexo 9: Estructura de costes de la memoria NAND Flash (equivalente a 512 Mbit, primer
trimestre de 2004)
Toshiba (a) Samsung (b) (a) / (b) Toshiba Samsung
Precio medio de venta (en 9,51 9,48 100,3%

dólares)
Imputación total de costes 4,55 3,28 138,5% 100,0% 100,0%
Materias primas 1,15 0,79 144,8% 25,2% 24,1%
Mano de obra 0,74 0,45 165,3% 16,3% 13,6%
Suministros públicos 0,13 0,10 138,5% 2,9% 2,9%
Gastos generales, 0,28 0,24 119,3% 6,2% 7,2%
comerciales y administrativos
Amortización 1,10 1,19 92,8% 24,2% 36,1%
I+D 0,51 0,30 170,9% 11,3% 9,1%
Otros 0,63 0,22 281,4% 13,9% 6,9%
Beneficio operativo 4,97 6,20 80,1%
Fuente: Merrill Lynch
25
Anexo 10a: Cuadro comparativo entre la oblea de veinte centímetros y la oblea de treinta
centímetros
Oblea de 20 cm. Oblea de 30 cm. Oblea de 30 cm. / oblea de 20 cm.
Número de dados por obleaª 257 616 240%

Índice esperado de rentabilidad 87% 87% 100%
Dados no defectuosos por oblea 224 536 240%
Coste de fabricación por oblea - - 210%
Amortización por oblea n.d. n.d. 200%
Coste de material por oblea n.d. n.d. 270%
Coste por microprocesador n.d n.d. 90%
Fuente: Datos de la compañía y estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico.
ª El número de dados por oblea está calculado para la tecnología de 0,13 µm.
Anexo 10b: Tecnología de procesos, tamaño de las obleas y producción neta de dados
0,25 µm 0,18 µm 0,15 µm 0,13 µm 0,11 µm
Tamaño del microprocesador 208,9 mm² 159,4 mm² 120,9 mm² 91,3 mm² 68,6 mm²
Número de dados netos obtenidos
de una oblea de 20 cm. 100 137 188 257 352
Número de dados netos obtenidos
de una oblea de 30 cm. 240 329 451 616 845
Fuente: Cálculos realizados por los autores de este caso práctico.
Anexo 10c: Cuadro comparativo de la fabricación en función del tamaño de la oblea, las normas
de diseño y el índice de rentabilidad.
Volumen de fabricación por tamaño Tecnología de procesos Índice de

de oblea rentabilidadª
Oblea de Oblea de Total Norma de diseño % de
20 cm. 30 cm. principal (um) utilización
Samsung 88% 12% 100% 0,11 67% 80%
Micron 97% 3% 100% 0,13 80% 60%
Infineon 67% 33% 100% 0,14 80% 67%
Hynix 100% 0% 100% 0,13 72% 50%
Fuente: Cálculos realizados por los autores de este caso práctico a partir del informe de Gartner, Inc. de febrero de 2004.
ª La tasa de rentabilidad se basa en una tecnología de 0,11 µm para 256 Mbit.
26
Anexo 11: Estructura de la capacidad china de fabricación de microprocesadores en 2001
Fuente: Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semicondutor Industry: What Are the Implications for Singapore?,
publicado en Thunderbird International Business Review 46 (2004): pág. 109-131.
27
Notas incluidas en el texto
1
La información sobre el despacho del presidente Lee proviene de Lee Kun Hee,s 10 year Reform, de Kim
Sung-Hong y Woo In-Ho, (Seúl: Kimyoungsa, 2003).
2
Samsung,s Second New Management Vision, Monthly Chosun, julio de 2003.
3
Oliver Wojahn: Semiconductors: A Silver Lining on the Horizon, Berenberg Bank, 27 de agosto de 2001, pág.
5.
4
Estimaciones realizadas por los autores de este caso práctico.
5
Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pág. 7.
6
Samsung Electronics; To Be Better than the Best, informe elaborado por J. J. Park y Seung-Hoon Lee, J.P.,
Morgan Securities (Far East) Ltd., febrero de 2004, pág. 13.
7
Korean Chipmaker Hynix Semiconductor Admits Price Fixing, publicado por Associated Press, 25 de abril de
2005.
8
La información que se ofrece en esta sección proviene de Foundries in China Gearing Up for Rapid
Expansion, de James Hines y Kay-Yang Tan, Gartner Dataquest Research Brief, 27 de enero de 2004.
9
Kay-Yang Tang: Market Focus; China,s Foundry Industry Gaining Strength, Gartner Dataquest Focus
Report, 22 de julio de 2004; pág. 3.
10
Ibídem.
11
Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the
Implications for Singapore?, Thunderbird International Business Review 46 (2004): pág. 109-131.
12
Samsung, Semiconductor Stories Series #42: 15 de junio de 2004, Samsung Electronics (Corea); página web:
http://www.sec.co.kr/index.jsp
13
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, publicado por el periódico Korea Economic Daily, 2002, pág. 35.
14
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pág. 67.
15
Korean Semiconductor Industry, documento interno de Samsung, 2004, pág. 21.
16
Korean Semiconductor Industry, pág. 19.
17
Samsung, Semiconductor Stories Series #43: 20 de julio de 2004, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp
18
Just Being a Good Company is Not Enough, Maeil Business Newspaper, 2 de junio de 2005, A13.,
http://www.mk.co.kr/
28
19
20
Ibídem.
21
Linsu Kim: The Dynamics of Samsung,s Technological Learning in Semiconductors, California Management
Review 39: 3 (1997): pág. 86-100.
22
Samsung Rising: Why Is Samsung Strong?, pág. 74.
23
Samsung, Semiconductor Stories Series #7: 2 de junio de 2003, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp
24
25
Samsung, Semiconductor Stories Series #3: 5 de mayo de 2003, página web http://www.sec.co.kr/index.jsp
26
Richard Gordon y Andrew Norwood: Worldwide Memory Forecast, 1Q04 Update, informe Gartner
Dataquest, febrero de 2004.
27
28
Ibídem, pág. 50.
29
Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pág. 69.
30
Kun Hee Lee: Samsung,s New Management (Seúl: Office of the Executive Staff of the Samsung Group,
Second Revised Edition, 1997), pág. 69.
31
Samsung Rising: Why is Samsung Strong?, pág. 182.
32
Business Week, 16 de junio de 2003, pág. 64. Samsung Electronics esclareció las palabras utilizadas en la
segunda frase de la cita mediante un correo electrónico enviado a los autores de este caso práctico el 22 de junio
de 2005.
33
Kun Hee Lee: Samsung,s New Management, pág. 57.
34
Friedrich Wu y Chua Boon Loy: Rapid Rise of China,s Semiconductor Industry: What are the Implications
for Singapore?
35
Ibídem.
36
Dorothy Lai: 2004: A Turning Point for China,s Semiconductor Industry, Nikkei Electronics Asia, diciembre
de 2003, página web http://neasia.nikkeibp.com/nea/200312/srep_278997.html
29

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707-S09

REV.29 DE JULIO DE 2006

JAMES JINHO CHANG

El proceso de fabricación de los semiconductores

Principales competidores del sector de memorias en 2005

Elpida Memory, Inc.

Hynix Semiconductor, Inc.

Nanya Technology Corporation

Semiconductor Manufacturing International Corp. (SMIC)

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La sociedad Samsung Electronics, a la que en adelante llamaremos simplemente “Samsung”, fue

Evolución del negocio de las memorias

Evolución de las tecnologías

Para desarrollar tecnología de vanguardia para la nueva generación de memorias DRAM,

Posteriormente, IBM, Toshiba y NEC se encontraron con problemas en el sistema de trincheras,

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Políticas de recursos humanos

Al contrario que otras empresas coreanas, Samsung seleccionaba continuamente profesionales

Anexo 1: Resultados financieros (en millones de dólares estadounidenses)

* Sólo la empresa matriz.

Anexo 2: Organigrama de la empresa en el año 2005

Director General de Director General de

Unidad de Unidad de Medios Unidad de Unidad de Pantallas Unidad de

Fuente: Datos de la compañía

Margen operativo (Samsung

Fuente: Merrill Lynch.

Anexo 4: Volumen de fabricación de memorias DRAM por densidad en 2003

Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Volumen de fabricación (millones de unidades, equivalente a 256 Mbit)

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de los

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de los

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de los

Samsung Micron Infineon Hynix SMIC Media ponderada de los

Anexo 8: Composición de la línea de fabricación de Samsung (línea A)

1998 1999 2000 2001 2002

Total 100% 100% 100% 100% 100%

Fuente: Datos de la compañía.

Toshiba (a) Samsung (b) (a) / (b) Toshiba Samsung

Precio medio de venta (en 9,51 9,48 100,3%

Fuente: Merrill Lynch

Oblea de 20 cm. Oblea de 30 cm. Oblea de 30 cm. / oblea de 20 cm.

Número de dados por obleaª 257 616 240%

0,25 µm 0,18 µm 0,15 µm 0,13 µm 0,11 µm

Fuente: Cálculos realizados por los autores de este caso práctico.

Volumen de fabricación por tamaño Tecnología de procesos Índice de

ª La tasa de rentabilidad se basa en una tecnología de 0,11 µm para 256 Mbit.

Anexo 11: Estructura de la capacidad china de fabricación de microprocesadores en 2001

Notas incluidas en el texto

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