PRÁCTICA Nº 11

CARACTERIZACIÓN DE MATERIALES SEMICONDUCTORES

OBJETIVOS:

1. Determinar Las características intermedias responsables de la

semiconducción eléctrica de los materiales semiconductores
2. Definir a los electrones y huecos electrónicos como portadores de carga
3. Relacionar cuantitativamente la semiconductividad intrínseca con la
temperatura absoluta mediante ecuaciones adecuadas

CONDUCTIVIDAD DE SÓLIDOS

- Conductividad < 10-12 ohms-1, cm-1 son aislantes.

- Conductividad > 103 ohms-1, cm-1 son conductores.

Los sólidos con conductividad entre estos dos rangos son

SEMICONDUCTORES.
CLASIFICACIÓN DE LOS SEMICONDUCTORES

Semiconductores

Elementales: su conductividad Compuestos: su conductividad no

depende de su pureza y depende de la Tº sino, de la introducción
sobretodo de la temperatura. de impurezas o dopantes elementos Grupo
Ejm. Si, Ge. III o V. Ejm. GaAs, SiC, etc.

Intrínsecos: Extrínsecos Intrínsecos: Extrínsecos

(# e-= # huecos) (# e-= # huecos)

Dopantes Dopantes
Dopantes
elementos Grupos
elementos
Grupo III. Ej. Al Grupo V. Ej. P.

Tipo P Tipo N Tipo P Tipo N

Portadores de Portadores de Portadores de Portadores de

carga positivos carga negativos carga positivos carga negativos

Se utilizan para fabricar transistores, Se utilizan para fabricar láser, LED y

diodos y circuitos integrados. similares.

PORTADORES DE CARGA

1. Electrones

(conductividad)

q = carga por portador, para los e- = 1.6 x 10 -19 amp.s

n = portadores / cm3
µ = movilidad de los electrones, en cm 2 / volt. seg.

2. Huecos electrones

nn = número de portadores negativos (electrones)

µn = movilidad electrones
np = número de portadores positivos (huecos)
µp = movilidad huecos

µn > µp

Problema 1.

Un semiconductor de germanio tipo p, contiene 10 18 electrón-hueco/cm3

¿Cuál es su conductividad?

Solución

El término tipo “p” se refiere a semiconductores que tienen más portadores

positivos (huecos) que portadores negativos (electrones).

Problema 2.

El Fosfuro de indio (InP) es un semiconductor que tiene el mismo número de

portadores positivos y negativos, es decir de electrones y de huecos. Tiene
una estructura con una arista cúbica de 5,78 Å. Su conductividad es de 4
ohm-1.cm-1. ¿Cuántas celdas unitarias existen por portador, dado que las
movilidades µn y µp son 4000 y 100 cm2/volt. seg. respectivamente?

Solución:

Como despejando tenemos

 Reemplazando:

= 6,1x1015 / cm3

n=

n = 1,22 x portadores /cm3

Portadores celda/unitaria = (1,22x10 16 portadores/cm3) (5,87x10-8)3/celda unitaria

Portadores por celda unitaria = 2,5 x 10-6 portadores / celda unitaria

Celdas unitarias/portador será el inverso:

Celdas unitarias/portador =

Nota: Como este material fosfuro de indio) tiene igual número de portadores
positivos y negativos, no puede ser considerado ni tipo “p” ni tipo “n”. El término
intrínseco se aplica comúnmente al fosfuro de indio, significando que se trata de
un semiconductor en estado puro.

SEMICONDUCTIVIDAD (INTRÍNSECA) CONTRA TEMPERATURA

A más temperatura más conductividad, la energía promedio de los electrones se

incrementa en forma proporcional a la temperatura absoluta ºK.
 Conductividad (ec.1)

= Conductividad 1
= Conductividad 2
Eg = Salto energía (en eV)
T1 = Temperatura 1 (ºK)
T2 = Temperatura 2 (ºK)
P = resistividad

Problema 3.

La resistividad del germanio a 20ºC es de 50 ohm.cm ¿Cuál es su resistividad a

40ºC? Eg = 0.72 eV

Fórmula:

Reemplazando:
Problema 4.

Un semiconductor tiene una conductividad de 1,11 ohm -1.cm-1 a 10 ºC y 1,72

ohm-1.cm-1 a 17ºC ¿Cuál es su salto de energía?

Solución
Datos

= 1,11
T1 = 10 + 273 = 283ºK
= 1,72
T2 = 17 + 273 = 290ºK

Reemplazamos en la fórmula:
Eg = 0.89 eV