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UNIVERSIDAD POLITECNICA SALESIANA


PRACTICA #1
POLARIZACIÓN DEL FET
Autor:
Bryan Leonardo Siavichay Cabrera
bsiavichayc@est.ups.edu.ec

Grupo: 1
22/11/2018
AZUAY-CUENCA

1. ABSTRACT 4. MARCO TEÓRICO


In the present practice, the characteristic TRANSISTOR FET.
parameters of the JFET transistor (2N2222A)
El transistor de efecto de campo (FET) es un
were checked, the data obtained from the test
dispositivo de tres terminales que se utiliza en
was compared with the data from its datasheet.
varias aplicaciones que coinciden, en gran
Based on the data obtained, the following types
medida, con las del transistor BJT,[1] el
of polarization were performed: Fixed
transistor JFET es un dispositivo controlado por
polarization, Auto polarization with and without
voltaje, como se muestra en la figura:
RS, Voltage divider and Double Source.

2. RESUMEN
En la presente práctica se realizó la
comprobación de los parámetros característicos
del transistor JFET (2N2222A), se comparó los
datos obtenidos de la comprobación con los
datos de su datasheet. Partiendo de los datos
obtenidos se realizó los siguientes tipos de
polarización: Polarización fija, Auto polarización Fig.1. Amplificador controlado por voltaje.
con y sin RS, Divisor de tensión y Doble Fuente.
Así como hay transistores bipolares npn y pnp,
3. OBJETIVOS también existen transistores de efecto de
campo de canal n y de canal p. El FET es un
dispositivo unipolar que depende no sólo tanto
3.1 Objetivo General:
de la conducción de electrones (canal n) como
 Comprobar el funcionamiento de las de la condición de huecos (canal p). [2]
cinco configuraciones de polarización
del JFET. Los símbolos gráficos para los JFET de canal n y
de canal p se dan en la figura 2. Observe que la
flecha apunta hacia dentro para el dispositivo de
3.2 Objetivos Específicos:
canal n de la figura 2a para representar la
 Diseñar, calcular y armar las diferentes
dirección en la cual IG fluiría si la unión p-n se
configuraciones del JFET.
polarizará en directa. Para el dispositivo de canal
 Realizar las respectivas mediciones y
p (fig. 2b) la única dirección en el símbolo es la
simulaciones de los circuitos analizados
dirección de la flecha.
2

5. DESARROLLO
5.1 Materiales:
NOMBRES CANT. C/UNIT. C/TOTAL
Cables tipo 10 $1 $10
bananas.
Resistencias 10 $0.05 $0.50
1k, 4.7k,
10k, 10,
Multímetro 1 $13 $13
Fuente 1 $35 $35
regulable
Fig.2. Símbolos de JFET: (a) canal n; (b) canal p. Transistor 3 $1.10 $3.30
2N2222A
Tab.1.Lista de materiales y precios.

TRANSISTOR MOSFET 5.2 Cálculos:


El transistor de efecto de campo metal-óxido- Polarización Fija:
semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-
oxide-semiconductor Field effect transistor) es 𝑉𝐶𝐶 = 25𝑉
un transistor utilizado para amplificar o 𝑉𝐷𝑆 = 11.5𝑉
conmutar señales electrónicas.
𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴
El MOSFET es un dispositivo de cuatro
terminales llamados fuente (S, Source), 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐷 . 𝑅𝐷
drenador (D, Drain), puerta (G, Gate) y sustrato 𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷𝑆
(B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente 𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
está conectado internamente al terminal de
fuente y por este motivo se pueden encontrar 25𝑉 − 11.5𝑉
𝑅𝐷 = = 4.5𝑘Ω
dispositivos MOSFET de tres terminales. [3] 3𝑚𝐴

De esta familia de curvas se puede obtener la Auto Polarización con RS:


curva de transconductancia, que nos indica la 𝑉𝐶𝐶 = 25𝑉
relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la
forma que se muestra en la siguiente curva 𝑉𝐷𝑆 = 15𝑉
abajo a la derecha:
𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴

𝑅𝑆 = 10Ω

𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷𝑆 = 𝐼𝐷 (𝑅𝐷 + 𝑅𝑆 )

25 − 15 = 3𝑚(𝑅𝐷 + 10)

𝑅𝐷 = 3.32𝑘Ω

Auto Polarización sin RS:

𝑉𝐶𝐶 = 25𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 11𝑉
Fig. 3. Curva de transconductancia de un 𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴
MOSFET.
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
3

25𝑉 − 11𝑉 𝑉𝐺𝑆 = 3,2𝑉


𝑅𝐷 = = 4.66𝑘Ω
3𝑚𝐴
𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑅𝐷 − 𝑉𝐺𝑆 = 0
Divisor de tensión:
𝑉𝐷𝐷 = 𝐼𝐷 𝑅𝐷 + 𝑉𝐺𝑆
𝑉𝐶𝐶 = 25𝑉

𝑉𝐷𝑆 = 12.5𝑉 𝑉𝐷𝐷 − 𝑉𝐺𝑆


𝑅𝐷 =
𝐼𝐷
𝐼𝐷 = 3𝑚𝐴
15𝑉 − 3𝑉
𝑉𝐶𝐶 − 𝐼𝐷 . 𝑅𝐷 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝐼𝑆 . 𝑅𝑆 = 0 𝑅𝐷 =
1𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝐷𝑆 − 𝐼𝑆 . 𝑅𝑆
𝑅𝐷 = 𝑅𝐷 = 12𝐾𝛺
𝐼𝐷

𝑅𝐷 = 166.66Ω
5.3 Simulaciones:
Doble Fuente (+-):
Polarización Fija:
𝑉𝐶𝐶 = 24

𝑉𝑆𝑆 = −24

𝑉𝐷𝑆 = 10𝑉

𝐼𝐷 = 2.67𝑚𝐴
𝑉𝐶𝐶
𝑅𝑆 = = 8.98𝑘Ω
𝐼𝐷
𝑉𝐶𝐶 − 𝑉𝑆𝑆 − 𝑉𝐷𝑆
𝑅𝐷 = − 𝑅𝑆
𝐼𝐷
24 + 24 − 10.8
𝑅𝐷 = − 8.98𝑘
2.67𝑚𝐴
𝑅𝐷 = 4.95𝑘Ω
Fig.4. Simulación Polarización fija.
Polarización del MOSFET enriquecimiento:

𝑉𝐷𝐷 = 15 𝑅𝐺 = 1𝑀𝛺 𝐼𝐷 = 1𝑚𝐴


𝑉𝑃 = 4 𝐼𝐷𝑆𝑆 = 25𝑚𝐴 Auto Polarización con RS:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 (1 − )
𝑉𝑃

𝐼𝐷 𝑉𝐺𝑆 2
= (1 − )
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑃

𝐼𝐷 𝑉𝐺𝑆
√ =1−
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑉𝑃

𝐼𝐷
𝑉𝐺𝑆 = (1 − √ )𝑉
𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑃
Fig. 5. Simulación Auto Polarización con RS.
1𝑚𝐴
𝑉𝐺𝑆 = (1 − √ ) 4𝑉
25𝑚𝐴
4

Auto Polarización sin RS: Polarización del MOSFET enriquecimiento:

Fig. 9. Simulación Circuito de Prueba.


Fig. 6. Simulación Auto Polarización sin RS.
5.4 Resultados:
Parámetros característicos del transistor JFET:
Divisor de tensión:
Vp IDSS
Datasheet (0.5 a -4)V (1 a 5)mA
Medido -2V 3.40mA
Tab.2. Parámetros característicos del JFET.

Polarización Fija:

𝐕𝐃𝐒 (𝐕) 𝐈𝐃 (𝐦𝐀)


Calculado 11.5 3
Medido 11.01 3.02
Simulado 10.68 3.28
Tab.3. Polarización Fija

Fig. 7. Simulación Divisor de tensión. Auto Polarización con RS:

𝐕𝐃𝐒 (𝐕) 𝐈𝐃 (𝐦𝐀)


Calculado 15 3
Doble Fuente (+-):
Medido 15.2 3.08
Simulado 14.921 3.006
Tab.4. Auto Polarización con RS.

Auto Polarización sin RS:

𝐕𝐃𝐒 (𝐕) 𝐈𝐃 (𝐦𝐀)


Calculado 11 3
Medido 10.89 3.07
Simulado 10.68 3.30
Tab.5. Auto Polarización sin RS.

Divisor de tensión:

𝐕𝐃𝐒 (𝐕) 𝐈𝐃 (𝐦𝐀)


Calculado 12 3
Fig. 8. Simulación Doble Fuente. Medido 12.09 3.2
Simulado 11.93 3.13
Tab.6. Divisor de tensión.
5

Doble Fuente (+-): Una vez obtenidos los valores de IDSS y de Vp


estos datos permitieron realizar todas las
𝐕𝐃𝐒 (𝐕) 𝐈𝐃 (𝐦𝐀) polarizaciones garantizando que el transistor
Calculado 10 2.67
funcione en la zona activa.
Medido 10.63 2.73
Simulado 10.57 2.68 Durante la medición de las prácticas armadas se
Tab.7. Doble fuente. tiene un error del 2% a 5% con respecto a los
datos calculados y simulados, debido a la
Polarización del MOSFET enriquecimiento:
variación del valor de las resistencias respecto a
Calculada Simulada sus valores comerciales.
ID 1mA 1mA 7. CONCLUSIONS
Tab.8. Valores ID.
With the measured result of the characteristic
5.5 Imágenes: parameters of the FET (2N5457) it can be seen
that it is at an optimum work point and is in the
middle of the range established in the data of its
data sheet.

Once the values of IDSS and Vp were given, this


data allowed us to perform all the polarizations,
guaranteeing that the transistor works in the
active zone.

During the measurement of armed practices,


Fig. 10. Armado de los circuitos. there is an error of 2% to 5% with respect to the
calculated and simulated data, due to the
variation in the value of the resistances with
respect to their commercial values.

8. BIBLIOGRAFIA

[1] F. Transistor, “Field-Effect Transistor (


FET ),” pp. 1–11.

Fig. 11. Medición de los parámetros [2] R. Boylestad, Electrónica: Teoría de


característicos. Circuitos y Dispositivos Eléctricos, vol. 6.
1997.

[3] J. I. Huircan and R. A. Carrillo, “El


Transistor de Efecto de Campo (FET),”
pp. 1–8, 2011.

Fig. 12. Medición de cada polarización.


6. CONCLUSIONES
Con el resultado medido de los parámetros
característicos del FET (2N5457) se puede
observar que está en un punto óptimo de
trabajo ya que se encuentra en la mitad del
rango establecido por los datos de su datasheet.