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EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Normas de examen
• El alumno debe dejar bien visible sobre la mesa una identificación válida (carné de la escuela, DNI…).
• No se pueden usar libros ni apuntes y, por tanto, una vez empezado el examen, no deben quedar a la vista.
• Se pueden usar calculadora y material de dibujo. No está permitido compartir las herramientas de cálculo.
• Los ejercicios han de realizarse en orden y se recogerán al finalizar el tiempo asignado a cada uno de ellos.
• No se admitirán soluciones hechas a lápiz. La tinta roja sólo podrá usarse para las gráficas.

Ejercicio 1 (3 puntos, 50 minutos)


El circuito de la figura se emplea para obtener una tensión media de salida de 48 V a partir de la tensión obtenida del
secundario de un transformador hexafásico conectado a una red de 380 V y 50 Hz.
1. Suponiendo los diodos ideales, dibuje durante
20 ms las formas de onda de todas las tensiones de
fase, la tensión sobre R1 y la corriente por la fase R.
D1 D2 D3 D4 D5 D6
Indique los valores más significativos.
2. Teniendo en cuenta la caída de tensión en los R
diodos, calcule la relación de transformación que S
R1
T
ha de tener el transformador. U 47
3. Calcule la tensión inversa máxima y la corriente V
W
directa máxima que deben soportar los diodos.
4. Calcule el rizado pico a pico de la tensión de salida D7 D8 D9 D10 D11 D12
(diferencia entre la tensión máxima y la mínima
sobre R1).

Nota: En todos los apartados salvo el primero se tendrá en cuenta la caída de tensión en los diodos.

Datos: Tensión de codo (VT) = 1,1 V

Ejercicio 2 (3 puntos, 50 minutos)


El convertidor CA/CA de la figura se alimenta con una tensión de 220 V a R1
50 Hz.
1. Dibuje las formas de onda de uX1, uD2, uR1, iD1 e iR1 durante al menos
X1
20 ms para α = π/3. Indique los valores más significativos. D1
G1
2. Calcule la potencia media total disipada por los semiconductores en V1
función del ángulo de disparo α y el rendimiento η del convertidor.
3. Calcule la resistencia térmica del disipador necesario para X1 de forma G2
que el circuito pueda funcionar para cualquier ángulo de disparo hasta D2
X2
una temperatura ambiente de 70ºC.

Datos: Rl = 11 Ω
Características Tiristor Diodo
40TPS08 40EPS08
Tensión de codo (VT) 1,02 V 0,74 V
Resistencia dinámica (rd) 9,74 mΩ 7,16 mΩ
Temperatura máx. de la unión (Tjmax) 125 ºC 150 ºC
Resistencia térmica unión-encapsulado (Rθjc) 0,6 K/W 0,6 K/W
Resistencia térmica encapsulado-disipador (Rθcs) 0,2 K/W 0,2 K/W

Dpto. Electrónica, Automática e Informática Industrial


Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Madrid
EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Ejercicio 3 (4 puntos, 50 minutos)


El convertidor CC/CC de la figura funciona en modo continuo, TX1
D1
es decir, el núcleo del componente magnético no llega a
desmagnetizarse antes de que comience el siguiente ciclo.
C1 R1
1. Dibuje los circuitos equivalentes de las distintas fases por
las que pasa el circuito.
V1
2. Deduzca la fórmula que relaciona la tensión de salida, us, 12V
con el ciclo de trabajo d.

2
3. Dibuje las formas de onda de Φ, uSW, uD1, iL1, e iL2 durante SW1
al menos 10 µs para d = 0,5. Indíque los valores más
significativos.

1
Datos: f = 100 kHz, Cl = ∞, Rl = 120 Ω, AL = 250 nH/vuelta2, N1 = 20, N2 = 40

Publicación de las notas provisionales: lunes, 5 de febrero de 2007


Revisión: miércoles, 7 de febrero de 2007 en el despacho C-304 de 11:00 a 13:00.

Dpto. Electrónica, Automática e Informática Industrial


Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Madrid
EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Ejercicio 1 (3 puntos, 50 minutos)


R1
Uˆ ⋅ cos π6
R1

Uˆ ⋅ cos π6

R1
ˆ
−U
R1

Uˆ ⋅ cos π6
Û sec
Uˆ sec ⋅ cos π6

−Uˆ sec ⋅ cos π6


− Û sec

Dpto. Electrónica, Automática e Informática Industrial


Escuela Universitaria de Ingeniería Técnica Industrial de Madrid
EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Calculamos la tensión de pico sobre la carga:

6 ˆ π πU
U = U sen ⇒ Uˆ = = 50,3V
π 6 π
6 sen
6
En cada instante, la carga se encuentra en serie con dos diodos y sus correspondientes caídas de tensión: uno de la fila
superior (fase de mayor tensión) y otro de la inferior (fase de menor tensión). Por otro lado, al estar en todo momento las
fases de mayor y menor tensión en contrafase, la amplitud de la senoide de entrada al rectificador será dos veces la amplitud
de la tensión de fase. Luego la amplitud de la tensión en el secundario habrá de ser:
Uˆ = 2Uˆ sec − 2VT ⇒ Uˆ sec = 26,25V
En hexafásica, las tensiones de línea y de fase coinciden:

U FASE = U LÍNEA = 380V


Por tanto, la relación de transformación necesaria será:

380 2 V
n= = 20,5
26,25V
La tensión inversa máxima y la corriente directa máxima son iguales para todos los diodos. En el caso de D1, la tensión
inversa máxima se produce cuando la fase R pasa por su mínimo y la U por su máximo. El ánodo de D1 se haya conectado
directamente a la fase R y el cátodo se conecta a la fase U a través de D4, luego:

U R máx = −Uˆ sec − (Uˆ sec − VT ) = −51,4V


La corriente instantánea máxima será igual a:


I F máx = = 1,07 A
R1
El rizado pico a pico de la tensión de salida es:
π
U rizado pp = Uˆ − Uˆsen = 6,7V
6

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EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Ejercicio 2 (3 puntos, 50 minutos)

220 2V
311 ⋅ sen π3 V

-269,3V
-311V

269,3V

-269,3V

28,3A
24,5A

-24,5A

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EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

En los cálculos siguientes supondremos que la caída de tensión en los semiconductores tiene un efecto despreciable sobre la
corriente por la carga:

1 1  1   1 
∫ [V + rd ⋅ i (θ )]⋅ i (θ )dθ =VT 
2π 2π 2π 2π
Pd = ∫ u (θ ) ⋅ i (θ )dθ = ∫ i (θ )dθ  + rd  ∫ i (θ ) 2 dθ 
2π 2π  2π  2π
T
0 0 0
 0

= VT ⋅ I + rd ⋅ I 2

1 U (α ) Uˆ α sen 2α
I (α ) = = 1− +
2 R1 2 R1 π 2π

1 2π 1 π U ˆ U ˆ
I (α ) = ∫ i (θ )dθ = ∫α R sen(θ )dθ = 2πR (1 + cos α )
2π 0 2π 1 1

Pd total (α ) = ∑ Pdi (α ) =∑VTi I (α ) + rdi I (α ) = I (α )∑VTi + I (α ) ∑r = 3,52 I (α ) + 0,0338I (α )


2 2 i 2
d

−1
R1 ⋅ I (α ) I (α ) 
2

η= = 1,0031 + 0,32 2
R1 ⋅ I (α ) + 3,52 I (α ) + 0,0338I (α )  I (α ) 
2 2

El peor caso para la potencia disipada en X1 corresponde a α = 0, ya que la corriente eficaz es máxima y cada semiconductor
conduce un semiciclo completo:

Uˆ Uˆ 2
Pd X 1máx = VT X 1 + rd X 1 = 11,13W
πR1 8 R1
T j máx − Ta máx
Rθ s ≤ − ( Rθ jc + Rθ cs ) = 4,1 K/W
Pd X 1máx

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EXAMEN FINAL DE FEBRERO DE ELECTRÓNICA DE POTENCIA (06/07)

Ejercicio 3 (4 puntos, 50 minutos)


0 ≤ t < ton

L1 Io 24V
24V
12V
2

0 0

ton ≤ t < T

L2 24V
12V
12V
1

N1*(Io+V1*ton/L1)/N2

0 0

1 ton V ⋅t 
∆Φ1 =
N1 ∫0
V1dt = 1 on
N1 

1 T U s ⋅ (T − t on )  V1 ⋅ t on U s ⋅ (T − t on ) N d
∆Φ 2 = ∫
N 2 ton
− U s dt = −
N2
 ⇒
N1

N2
= 0 ⇒ U s = 2 V1
N1 1 − d

∆Φ1 + ∆Φ 2 = 0 


U2  U s2 ⋅ T V1 2
Pe = Ps  V1 ⋅ I e = s  − ⋅ t on
 R1  R1 ⋅V1 2 L1 U s2 V ⋅ d ⋅T
1 ton  V1   ⇒  ⇒ iL1 (0 ) = = − 1
I e = ∫ i L1 (0) + ⋅ t  dt  1 V 2 
t on R1 ⋅V1 ⋅ d 2 L1
T 0  L1   I e = i L1 (0) ⋅ t on + 1 ⋅ t on 
T 2 L1 

L1 = AL N12 = 100µH L2 = AL N 22 = 400µH


L1 ⋅ i L1 (0 )
i L1 (0) = 0,5A ⇒ Φ 0 = = 2,5 µWb
N1
V1 ⋅ d ⋅ T L ⋅ ∆i L1
∆i L1 = = 0,6A ⇒ ∆Φ = 1 = 3 µWb
L1 N1
L2 ⋅ Φ(t on )
i L 2 (t on ) = = 0,55A
N2
L2 ⋅ Φ 0
i L 2 (T ) = = 0,25A
N2

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10 µWb

5,5 µWb
5 µWb

2,5 µWb

0 Wb

24 V

-48 V

1,1 A

0,55 A
0,5 A
0,25 A

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