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Normas de examen
• El alumno debe dejar bien visible sobre la mesa una identificación válida (carné de la escuela, DNI…).
• No se pueden usar libros ni apuntes y, por tanto, una vez empezado el examen, no deben quedar a la vista.
• Se pueden usar calculadora y material de dibujo. No está permitido compartir las herramientas de cálculo.
• Los ejercicios han de realizarse en orden y se recogerán al finalizar el tiempo asignado a cada uno de ellos.
• No se admitirán soluciones hechas a lápiz. La tinta roja sólo podrá usarse para las gráficas.
Nota: En todos los apartados salvo el primero se tendrá en cuenta la caída de tensión en los diodos.
Datos: Rl = 11 Ω
Características Tiristor Diodo
40TPS08 40EPS08
Tensión de codo (VT) 1,02 V 0,74 V
Resistencia dinámica (rd) 9,74 mΩ 7,16 mΩ
Temperatura máx. de la unión (Tjmax) 125 ºC 150 ºC
Resistencia térmica unión-encapsulado (Rθjc) 0,6 K/W 0,6 K/W
Resistencia térmica encapsulado-disipador (Rθcs) 0,2 K/W 0,2 K/W
2
3. Dibuje las formas de onda de Φ, uSW, uD1, iL1, e iL2 durante SW1
al menos 10 µs para d = 0,5. Indíque los valores más
significativos.
1
Datos: f = 100 kHz, Cl = ∞, Rl = 120 Ω, AL = 250 nH/vuelta2, N1 = 20, N2 = 40
Uˆ
R1
Uˆ ⋅ cos π6
R1
Uˆ ⋅ cos π6
−
R1
ˆ
−U
R1
Û
Uˆ ⋅ cos π6
Û sec
Uˆ sec ⋅ cos π6
6 ˆ π πU
U = U sen ⇒ Uˆ = = 50,3V
π 6 π
6 sen
6
En cada instante, la carga se encuentra en serie con dos diodos y sus correspondientes caídas de tensión: uno de la fila
superior (fase de mayor tensión) y otro de la inferior (fase de menor tensión). Por otro lado, al estar en todo momento las
fases de mayor y menor tensión en contrafase, la amplitud de la senoide de entrada al rectificador será dos veces la amplitud
de la tensión de fase. Luego la amplitud de la tensión en el secundario habrá de ser:
Uˆ = 2Uˆ sec − 2VT ⇒ Uˆ sec = 26,25V
En hexafásica, las tensiones de línea y de fase coinciden:
380 2 V
n= = 20,5
26,25V
La tensión inversa máxima y la corriente directa máxima son iguales para todos los diodos. En el caso de D1, la tensión
inversa máxima se produce cuando la fase R pasa por su mínimo y la U por su máximo. El ánodo de D1 se haya conectado
directamente a la fase R y el cátodo se conecta a la fase U a través de D4, luego:
Uˆ
I F máx = = 1,07 A
R1
El rizado pico a pico de la tensión de salida es:
π
U rizado pp = Uˆ − Uˆsen = 6,7V
6
220 2V
311 ⋅ sen π3 V
-269,3V
-311V
269,3V
-269,3V
28,3A
24,5A
-24,5A
En los cálculos siguientes supondremos que la caída de tensión en los semiconductores tiene un efecto despreciable sobre la
corriente por la carga:
1 1 1 1
∫ [V + rd ⋅ i (θ )]⋅ i (θ )dθ =VT
2π 2π 2π 2π
Pd = ∫ u (θ ) ⋅ i (θ )dθ = ∫ i (θ )dθ + rd ∫ i (θ ) 2 dθ
2π 2π 2π 2π
T
0 0 0
0
= VT ⋅ I + rd ⋅ I 2
1 U (α ) Uˆ α sen 2α
I (α ) = = 1− +
2 R1 2 R1 π 2π
1 2π 1 π U ˆ U ˆ
I (α ) = ∫ i (θ )dθ = ∫α R sen(θ )dθ = 2πR (1 + cos α )
2π 0 2π 1 1
−1
R1 ⋅ I (α ) I (α )
2
η= = 1,0031 + 0,32 2
R1 ⋅ I (α ) + 3,52 I (α ) + 0,0338I (α ) I (α )
2 2
El peor caso para la potencia disipada en X1 corresponde a α = 0, ya que la corriente eficaz es máxima y cada semiconductor
conduce un semiciclo completo:
Uˆ Uˆ 2
Pd X 1máx = VT X 1 + rd X 1 = 11,13W
πR1 8 R1
T j máx − Ta máx
Rθ s ≤ − ( Rθ jc + Rθ cs ) = 4,1 K/W
Pd X 1máx
L1 Io 24V
24V
12V
2
0 0
ton ≤ t < T
L2 24V
12V
12V
1
N1*(Io+V1*ton/L1)/N2
0 0
1 ton V ⋅t
∆Φ1 =
N1 ∫0
V1dt = 1 on
N1
1 T U s ⋅ (T − t on ) V1 ⋅ t on U s ⋅ (T − t on ) N d
∆Φ 2 = ∫
N 2 ton
− U s dt = −
N2
⇒
N1
−
N2
= 0 ⇒ U s = 2 V1
N1 1 − d
∆Φ1 + ∆Φ 2 = 0
U2 U s2 ⋅ T V1 2
Pe = Ps V1 ⋅ I e = s − ⋅ t on
R1 R1 ⋅V1 2 L1 U s2 V ⋅ d ⋅T
1 ton V1 ⇒ ⇒ iL1 (0 ) = = − 1
I e = ∫ i L1 (0) + ⋅ t dt 1 V 2
t on R1 ⋅V1 ⋅ d 2 L1
T 0 L1 I e = i L1 (0) ⋅ t on + 1 ⋅ t on
T 2 L1
10 µWb
5,5 µWb
5 µWb
2,5 µWb
0 Wb
24 V
-48 V
1,1 A
0,55 A
0,5 A
0,25 A