Electrónica Analógica III

Unidad 3.-Descripción de los

elementos de electrónica de potencia

• Diodos de potencia
• Diodos de switcheo y de alta velocidad
• Mosfets
• Empobrecimiento
• Enriquecimiento
• Transistores de potencia
• BJT´s
• IGBT´s
• Rectificador controlado de silicio (SCR)
• Tiristor con apagado por compuerta (GTO)
• Tiristor de corriente alterna (TRIAC)
Diodos de potencia

Mayor tamaño

Mayor capacidad de corriente

Mas lentos (menor frecuencia de trabajo)

Diodos de potencia
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conducción deben ser
capaces de soportar una alta intensidad de corriente con una pequeña caída de
voltaje.

En sentido inverso, deben ser capaces de soportar un fuerte voltaje negativo y tener
muy poca corriente de fuga
Diodos de potencia
Modelo ideal
Como características estáticas tenemos que idealmente deberían tener 0V de voltaje
de caída en la conducción, de tener 0A de corriente de fuga y tolerar un voltaje
negativo infinito.

Caída de voltaje
en conducción

Corriente de
Fuga inversa
Diodos de potencia
Modelo ideal
Si queremos expresar el modelo ideal en condiciones programables.
Diodos de potencia
Modelo ideal
Además de las características estáticas, el modelo ideal del diodo también debe
considerar características dinámicas ideales.

Responder a los cambios

instantáneamente
Diodos de potencia
Modelo ideal
Ejercicio: suponiendo diodos ideales, obtener las corrientes y voltajes de los circuitos
Diodos de potencia
Modelo real
Las características estáticas de un diodo real son:

Corriente máxima

Voltaje de ruptura Caída de voltaje

negativo en conducción

Corriente de
Fuga inversa
Diodos de potencia
Modelo real
Éstas características estáticas se pueden expresar en términos dependientes de
anchos de pulsos, de la duración de cierta forma de voltaje, de la temperatura, etc.

Como ejemplo vemos la hoja de datos de una serie de diodos 1N5400-1N5408 que
por definición es un diodo rectificador con capacidad de 1 a 3 amperes

Corriente máxima
constante

Corriente máxima para un solo

semiciclo senoidal de 8.3ms
Diodos de potencia
Modelo real
Éstas características estáticas se pueden expresar en términos dependientes de
anchos de pulsos, de la duración de cierta forma de voltaje, de la temperatura, etc.

Como ejemplo vemos la hoja de datos de una serie de diodos 1N5400-1N5408 que
por definición es un diodo rectificador con capacidad de 1 a 3 amperes
Voltaje de ruptura

Corriente máxima de fuga Caída de voltaje

Diodos de potencia
Modelo real
Las características dinámicas de un diodo real se dividen en:
• Parámetros de encendido
• Voltaje de recuperación directa (Vf).- Voltaje máximo durante el encendido
• Tiempo de recuperación directa (ton ).- Tiempo para alcanzar el 110% de la
tensión directa.
• Tiempo de subida (tr).- Tiempo en el que la corriente pasa del 10% al 90% de
su valor nominal.
• Parámetros de apagado
• Tiempo de almacenamiento (ta).- Tiempo que transcurre desde el cruce por
cero de la corriente hasta llegar al pico de corriente negativa
• Tiempo de caída (tb).- Tiempo desde el pico de corriente negativo hasta que
se estabiliza al 25% del valor de corriente máximo.
• Tiempo de recuperación inversa ( trr ).- El tiempo total de ta  tb
 Diodos de potencia
Modelo real
Las características dinámicas de un diodo real se dividen en:
• Representación gráfica de parámetros de encendido y apagado
id Corriente de
90% IF conducción directa (IF)
t a tb
10% IF t
tr 25% I RR
Corriente de fuga
Corriente inversa
vd máxima I RR Caída de voltaje en
VF conducción (VD)
110% VD t

VR
ton
 Diodos de potencia
Modelo real
Las características dinámicas de un diodo real se dividen en:
• Carga almacenada en el diodo

trr
ta tb

Corriente de fuga
Corriente inversa
máxima I RR
Carga almacenada QRR

I RR se puede expresar como: QRR se puede expresar como:

di I RR trr
I RR  ta QRR 
dt 2
Diodos de potencia
Modelo real
Influencia de trr en la conmutación

Entre mayor sea trr menor es la frecuencia con la que se puede conmutar

A mayor IF, mayor trr ya que la carga almacenada crece y toma mas tiempo
descargarla

A mayor VR, menor será trr ya que la carga almacenada se descarga más rápido con
mas voltaje inverso

En la práctica es común que el tiempo tb sea mucho mas pequeño que el tiempo ta
por lo que trr  ta y la carga se puede calcular como:

trr 2 di
QRR 
2 dt
Diodos de potencia
Modelo real
Ejercicio:

trr  3 s
di / dt  30 A /  s
QRR  ?
I RR  ?

trr 2 di
QRR 
2 dt
di
I RR  ta
dt
Diodos de potencia
Modelo real
Ejercicio:

trr  3 s
di / dt  30 A /  s
QRR  135 C
I RR  90 A

trr 2 di
QRR 
2 dt
di
I RR  ta
dt
Diodos de potencia
Tipos de diodos de potencia

Dependiendo de las características del diodo se pueden clasificar en 3 tipos:

*Rectificadores o de propósito general

*De recuperación rápida
*Schottky
Diodos de potencia
Rectificadores o de propósito general

- Tiempo de recuperación de 25us

- Usados en aplicaciones de rectificación hasta 1KHz
- Capacidad de corriente desde 1A hasta varios miles de Amperes
- Voltajes desde 50V hasta alrededor de 50,000V.
Diodos de potencia
De recuperación rápida

- Tiempo de recuperación menor a 5us

- Usados en convertidores de CD a CD
- Capacidad de corriente desde 1A hasta cientos de Amperes
- Voltajes desde 50V hasta alrededor de 3,000V.
Diodos de potencia
Schottky

- Bajo voltaje de conducción

- Alta corriente de fuga
- Baja capacidad de voltaje inverso
- Usados en convertidores de CD a CD
- Capacidad de corriente desde 1A hasta 400A
- Voltajes hasta 100V
Mosfets
Su nombre significa “Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor” o en
español “Transistor de efecto de campo de semiconductor de óxido de metal”

Los Mosfets son dispositivos de potencia controlados por voltaje que requieren una
corriente muy pequeña.

Su velocidad de conmutación es muy alta y los tiempos de respuesta están en el

orden de nanosegundos

Son especialmente delicados a la descarga electrostática

Existen 2 tipos principales:

- Empobrecimiento
- Enriquecimiento
Mosfets

Empobrecimiento
canal n

Empobrecimiento
canal p
Mosfets

Enriquecimiento
canal n

Enriquecimiento
canal p
Mosfets
Características
estáticas

Empobrecimiento

Enriquecimiento
Mosfets
Características
estáticas
Mosfets
Características
estáticas IRF640
Mosfets
Características
estáticas IRF640
Mosfets
Características
dinámicas
Mosfets
Características
dinámicas
Transistores de potencia (BJTs)
Su nombre significa “Bipolar Juntion Transistor” o en español “Transistor de unión
bipolar”

Los BJTs se forman añadiendo otra región tipo p o tipo n a un diodo.

Cuando se agrega una región n las 3 regiones se juntan de forma npn y se dice que
este transistor es del tipo NPN

Región
n

Diodo
Transistores de potencia (BJTs)
De forma similar le podemos agregar a un diodo una nueva región p y obtener un
transistor del tipo pnp

Diodo


Región
p
Transistores de potencia (BJTs)
La representación de 3 regiones es solo para entender lo más básico del
funcionamiento, en realidad un BJT cortado trasversalmente puede lucir de la
siguiente manera
Emisor
Emisor

Colector Colector
Transistores de potencia (BJTs)
Analizando el funcionamiento de uno tipo NPN en su región activa (amplificador)

Colector

Base

Ejemplo: Por cada electrón que pasa

de la base al emisor pueden pasar 4
del colector al emisor.
Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Analizando el funcionamiento de uno tipo PNP en su región activa (amplificador)

Colector

Base

Ejemplo: Por cada electrón que pasa

del emisor a la base pueden pasar 4
del emisor al colector
Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Funcionamiento NPN en su región activa (amplificador)

Colector
Para este caso diríamos que el factor
de amplificación entre el colector y la
base es de 4 y le llamaremos Beta y
también se le conoce como hFE
Base
IC
   hFE
IB
IC   I B
I E  IC  I B
Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Funcionamiento PNP en su región activa (amplificador)

Colector
Lo mismo aplica para el PNP

Base
IC

IB
IC   I B
I E  IC  I B
Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Funcionamiento NPN en su región de corte

Colector
Todo BJT tiene 3 regiones de
operación:
-Activa (amplificación)
-Corte
-Saturación Base

La región de corte es cuando el

voltaje Base-Emisor no es suficiente
para activar el transistor y no hay
corriente

Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Funcionamiento NPN en su región de saturación

Colector
La región de saturación es cuando la
corriente de Base multiplicada por
Beta resulta en mas corriente de
colector de la que satura al transistor
Base

Emisor
Transistores de potencia (BJTs)
Polarizado de las uniones de un NPN en sus 3 regiones

-Activa

+
Inversamente
-
+
Directamente

-
Transistores de potencia (BJTs)
Polarizado de las uniones de un NPN en sus 3 regiones

-Corte

+
Inversamente
- -
Inversamente

+
Transistores de potencia (BJTs)
Polarizado de las uniones de un NPN en sus 3 regiones

-Saturación

-
Directamente
+
+
Directamente

-
Transistores de potencia (BJTs)
Características de entrada y de salida

Diagrama Características de entrada

Activa
Saturación

Corte
Características de salida
Transistores de potencia (BJTs)
Modelo de un NPN
Transistores de potencia (BJTs)
Modelo de un NPN

I CEO
Corriente de fuga

I C   I B  I CEO  I B  I CEO
I E  IC  I B IC   I B
Transistores de potencia (BJTs)
Ejercicio

  100
I B  10mA
IC  ?
IE  ?
IC   I B
I E  IC  I B
Transistores de potencia (BJTs)
Ejercicio (resultados)

  100
I B  10mA
I C  1A
I E  1.01A
IC   I B
I E  IC  I B
Transistores de potencia (BJTs)
Punto frontera entre región activa y de saturación

región activa si
VCE  VBE
VBC  0

cuando
VCC  VBE I max
VCE  VBE , VBC  0, I max
 , IB  C
max
C
RC 
Transistores de potencia (BJTs)
Punto de saturación

se asegura la
saturación si
VCE  V sat
CE

VBC  0  0.5V

VCC  VCE
sat
I sat
I Csat  , I Bsat  C , I B  I Bsat
RC 
Transistores de potencia (BJTs)
Pérdidas de potencia en el transistor

PT  VBE I B  VCE I C
Transistores de potencia (BJTs)
Valores de Beta

Un transistor no tiene un valor fijo de Beta

Beta tiene un rango de valores

El Beta comienza en el mayor valor cuando la corriente de base es pequeña y es el

valor mínimo cuando está en saturación

 min
  max

 sat
 min
Transistores de potencia (BJTs)
Ejercicio

Un transistor npn tiene un rango de valores beta de 8 a 40. La resistencia de carga

RC=11ohms, la fuente VCC=200V. La entrada de voltaje VB=10V, VCEsat=1V y VBEsat=1.5V.
Encontrar la corriente de base de saturación, la resistencia de base necesaria y las
pérdidas de potencia.

I Bsat  ?
RB  ?
PT  ?
PT  VBE I B  VCE I C
Transistores de potencia (BJTs)
Ejercicio (resultados)

I Bsat  2.261A
RB  3.759
PT  21.483W
Transistores de potencia (BJTs)
Características estáticas

 min     max
sat
VCE
sat
V BE
 Transistores de potencia (BJTs)
Características dinámicas

td  retraso encendido,
tr  subida,
ts  carga,
t f  bajada,
Transistores de potencia (IGBTs)
Un IGBT en inglés significa “Isolated Gate Bipolar Transistor” y en español se traduce
como “Transistor Bipolar de Compuerta Aislada”

El IGBT combina las ventajas de potencia de un BJT y las ventajas de aislamiento de

un MOSFET.

Tiene una alta impedancia entre la compuerta G y el emisor E como el MOSFET y

bajas pérdidas de conducción como en los BJTs
Transistores de potencia (IGBTs)
Modelo simplificado equivalente de un IGBT
Transistores de potencia (IGBTs)
Características
Tiristores (SCRs)
Un Tiristor SCR es un semiconductor de 4 regiones con una estructura PNPN con tres
uniones del tipo PN.

Tiene 3 terminales las cuales son: ánodo (A), cátodo (K) y compuerta (G).

Las siglas SCR significan “Silicon Controller Rectifier” que significan “Rectificador
Controlado de Silicio”
Tiristores (SCRs)
Bloqueo hacia adelante

Cuando el voltaje en el ánodo (A) es positivo con respecto al cátodo (K), las uniones
J1 y J3 quedan polarizadas directamente y la J2 queda polarizada inversamente de
modo que solo fluye una pequeña corriente de fuga de ánodo a cátodo.

En este estado el SCR hace bloqueo hacia adelante y a su corriente de fuga hacia
adelante también se le llama corriente en apagado.
Tiristores (SCRs)
Voltaje de ruptura hacia adelante

Si el voltaje entre A y K es muy grande, se alcanza el voltaje de ruptura negativa de J2

conduciendo en modo avalancha y a este voltaje de ruptura se le conoce como
voltaje de ruptura hacia adelante VBO

Alcanzar este voltaje implica forzar a que se encienda el SCR y conduzca.

Conduciendo tiene una caída de tensión entre A y K de 1v aproximadamente.

Tiristores (SCRs)
Corriente de bloqueo y Corriente de mantenimiento

Una vez que el SCR está conduciendo por rebasar el voltaje de ruptura, requiere que
se esté consumiendo una corriente mínima de A a K para que se quede encendido.
Esta corriente se le llama corriente de bloqueo I L

Si ya se quedó encendido entonces la corriente de consumo puede bajar de la

corriente de bloqueo pero no debe bajar de la corriente de mantenimiento I H . Si
baja de este nivel entonces apaga.

La corriente de bloqueo siempre es mayor a la de mantenimiento y solo se requiere

al momento de que inicia la conducción.
Tiristores (SCRs)
Características voltaje-corriente
Caída de voltaje
en conducción
Corriente de
bloqueo Voltaje de
ruptura hacia
Corriente de adelante
mantenimiento

Voltaje de
ruptura inverso Corriente de Corriente de fuga
fuga inversa hacia adelante
Tiristores (SCRs)
Disparo en compuerta

Hacer conducir al SCR con el voltaje de ruptura puede ser dañino para el
semiconductor.

La forma correcta de usar un SCR es nunca rebasando ese voltaje. Para hacerlo
conducir por debajo del voltaje de ruptura aplicamos un voltaje positivo entre la
compuerta (G) y el cátodo (K) y la corriente de consumo solo tiene que ser mayor a
la de mantenimiento.

Disparo en Voltaje de
compuerta ruptura hacia
adelante
Tiristores (SCRs)
Modelo del SCR con 2 transistores

Al aplicar el disparo en compuerta sólo se requiere un pulso de duración muy

pequeño para que se quede conduciendo.

Esto queda explicado con el modelo equivalente de 2 transistores

Tiristores (SCRs)
Modos de hacer conducir un SCR

Además de lograr la conducción rebasando el voltaje de ruptura o de dar un disparo

en la compuerta existen otras formas de provocar que conduzca.

Temperatura.- Si el SCR está muy caliente, el número de pares electrón hueco

aumenta y la corriente de fuga aumenta pudiendo auto dispararse con su corriente
de fuga.

Luz.- Si se le permite incidir fotones a las uniones PN del SCR, también los pares
electrón hueco aumentan. Los SCR que tienen una ventana para dejar entrar la luz se
llaman LASCR “Light Activated Silicon Controller Rectifier” o “Rectificador Controlado
de Silicio Activado por Luz”

dv/dt.- Cuando el cambio de voltaje entre el ánodo y el cátodo es muy rápido se

provoca que las capacitancias internas del SCR se “cargen” lo cual lo puede activar e
inclusive dañar
Tiristores (SCRs)
Apagado de un tiristor

El SCR ya conduciendo se puede apagar reduciendo la corriente de conducción a un

nivel por debajo de la corriente de mantenimiento.

Esto significa que si el voltaje del tiristor se invierte, también se invertirá la corriente
de conducción y se bloqueará.

A esto se le conoce como conmutación natural

Tiristores (SCRs)
Características dinámicas

El SCR se comporta como un diodo con la diferencia de que para conducir requiere la
polarización directa y además esperar el disparo en la compuerta (G).

Por esta razón las características dinámicas son iguales que las analizadas para los
diodos donde tenemos tiempos de recuperación y carga de recuperación
Tiristores (GTO)
GTO significa “Gate Turn Off” o “Apagado por Compuerta” y es el equivalente a un
SCR con un diodo en anti paralelo.

La característica principal es que se prende con un pulso positivo entre compuerta

(G) y cátodo (K) y se apaga con un pulso negativo.
Tiristores (GTO)
Encendido

Para encender un GTO se requiere inicialmente un pulso en la compuerta de mayor

duración y la corriente de compuerta debe de tener una rampa de subida
denominada dig / dt

El tiempo tGM que debe durar el pulso y el dig / dt son datos que debe dar el
fabricante
Tiristores (GTO)
Apagado

El apagado del GTO requiere que se descarguen las capacitancias internas del
dispositivo y la duración del pulso negativo dependerá del nivel de carga y la
corriente en compuerta.

El circuito de apagado debe de ser diseñado dependiendo de como fue el circuito de

encendido.
Tiristores (GTO)
Circuito de apagado

Un ejemplo de circuito de apagado es:

Tiristores (Triac)
Un TRIAC a diferencia de un SCR puede conducir en ambas direcciones y es usado
normalmente para controlar voltajes de alterna.

Se puede entender como 2 SCR conectados en anti paralelo donde las compuertas se
unen para tener sólo una compuerta común.
Tiristores (Triac)
Como el Triac puede trabajar en ambas direcciones las terminales ya no se pueden
llamar ánodo y cátodo.

En el Triac se llaman MT1, MT2 y compuerta (G)

Tiristores (Triac)
Encendido

Cuando el voltaje es mayor en MT1 que en MT2, el voltaje en la compuerta debe de

ser positivo con respecto a MT2.

Cuando el voltaje es mayor en MT2 que en MT1, el voltaje en la compuerta debe ser
positivo con respeto a MT1
 Tiristores (Triac)
Encendido

Disparo en G

Disparo en G