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Caracterización de componentes electrónicos

Trabajo práctico Nº1 – Procesos de micro y nano fabricación

Jeremias Vozzi
Universidad Nacional de San Martín
Buenos Aires, Argentina
jeremias.vozzi@gmail.com

Abstract—En el siguiente trabajo se identificará un En resumen, las capas que se encuentran sobre la oblea
dispositivo y se desarrollará un flujo del proceso de de Si son:
fabricación. En segunda instancia se caracterizó el dispositivo
en una sala limpia y se calculó a partir de la curva I-V la 1. SiO2 (Dióxido de Silicio)
Resistencia y el espesor de una barra de Au. Por último, se 2. Au (Oro)
realizaron mediciones de un MOScap para calcular la
constante dieléctrica del SiO2 y la concentración del dopaje del 3. TiO2 (Dióxido de Titanio)
sustrato (Abstract)
4. Al (Aluminio)
Keywords—x-bar, TiO2, Al, Au, fabricación, crecimiento,
depósito, ataque, caracterización, resistividad, MOScap,
capacidad, concentración de dopaje (key words) Dado que el SiO2 se creció en toda la oblea, no fue necesario
diseñar una máscara, sin embargo para las otras 3 capas si.
I. DISPOSITIVO X-BAR En las Figuras 3, 4 y 5 se muestran las máscaras para la capa
de Au, TiO2 y Al respectivamente. En las tres, los dibujos en
En la Figura 1 se observa como primera instancia que los negro representan los lugares donde se dejará pasar la luz
metales no deben tocarse, dado que esto generaría un hasta la fotoresina positiva.
cortocircuito y el dispositivo no cumpliría con el
funcionamiento esperado. Por esta razón se deduce que el
TiO2, por su característica de óxido aislante, debe estar en
medio de ambos metales.

Figura 3. Máscara para realizar deposición de Au mediante


fotoresina positiva.

Figura 1. Dispositivos x-bar sobre una oblea de Si con


SiO2 Figura 4. Máscara para realizar deposición de TiO2 mediante
fotoresina positiva.
En la Figura 2, una magnificación del dispositivo, puede
observarse que el material ubicado sobre la capa de TiO2 es
el aluminio.

Figura 5. Máscara para realizar deposición de Al mediante


fotoresina positiva.

Figura 2. Magnificación del dispositivo.

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Para realizar la capa de SiO2 se realizará una oxidación
térmica húmeda de la oblea de Si (crecimiento). Usando la
técnica húmeda en vez de la seca se logrará un espesor de
óxido más grueso en menos tiempo, por lo que se obtendrá
una mejor aislación entre el conjunto de barras de metal y la
oblea.

En los tres elementos restantes (Au, TiO2 y Al) se utilizarán


las técnicas de fotolitografía para obtener las formas
deseadas donde se debe depositar cada material como se
ejemplifica en la Figura 6, la deposición de cada material y el
decapado de la fotoresina ,utilizada como capa de sacrificio,
junto con el excendente de cada material.

Figura 8. Esquema de equipo para PVD-Thermal


Evaporation

7. Decapado de la fotoresina por lift-off con Acetona


8. Se realizan nuevamente los puntos del 2 al 5
cambiando la máscara con diseño para Au por la
máscara con diseño para el TiO2
9. Deposición de capa de TiO2 mediante Plasma-
Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD)
utilizando TiCl4 y O2 como precursores a una
Figura 6. Proceso de fotolitografia temperatura entre 100 y 500°C [2]
10. Eliminación de la fotoresina por lift-off con Acetona
A continuación se enumerará el flujo del proceso de 11. Se realizan nuevamente los puntos del 2 al 5
fabricación del dispositivo completo, partiendo de una oblea cambiando la máscara con diseño para Au por la
de silicio limpia. máscara con diseño para el Al
12. Deposición de Al mediante Physical Vapour
Deposition – Thermal Deposition
1. Oxidación térmica húmeda para el crecimiento del
SiO2 13. Eliminacion de la fotoresina por lift-off con Acetona
Se realiza este método dado que se obtiene un óxido
más grueso en menor tiempo siguiendo la siguiente
fórmula química: II. OBTENCION DEL ESPESOR DEL FILM DE AU
Si (s) + 2 H2O (g) => SiO2 (s) + 2 H2 (g) Se caracterizó en la sala limpia una barra corta de Au,
como se ven en la Figura 1. Se controló la tensión
2. Colocación de fotoresina mediante spin-coating, suministrada a través de las puntas de la SMU y se midió la
ejemplificada en Figura 7 corriente que pasa a través del metal. Con los datos obtenidos
se graficó la curva completa como se ve en la Figura 9.

Figura 7. Proceso de Spin-coating


3. Precurado de la fotoresina mediante aplicación de
calor
4. Alineación de la máscara (Diseño para Au) y
exposición a luz ultravioleta (revelado)
5. Post-Curado de la fotoresina Figura 9. Gráfico corriente en función de la tensión
6. Deposición de Au mediante Physical Vapour aplicada en una barra de Au.
Deposition – Thermal Evaporation, esquematizada
en la Figura 8.

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III. CAPACITOR MOS ( MOSCAP )
Dado que para obtener la resistencia sólo se necesita un Se utilizó una oblea de silicio de 525 µm de espesor con
tramo del gráfico, se recorta el mismo con los valores orientación (100), de tipo p dopada con Boro. Esta oblea
positivos como se muestra en la Figura 10. Mediante ajuste contiene un conjunto de chips de geometría rectangular,
lineal se resuelve el valor de la resistencia, siendo la donde cada chip contiene un conjunto de estructuras
pendiente de la recta de ajuste. capacitivas MOS, según muestra la Figura 11.

Figura 10. Gráfico acotado, con ajuste lineal. Figura 11. Estructuras capacitivas MOS en un chip.
En la Tabla 1 se observan los resultados del ajuste lineal,
donde slope es la pendiente del ajuste, y por lo tanto el valor Para obtener la constante dieléctrica del SiO2 se precisa
de la resistencia. saber la capacidad de la estructura en su zona de
Acumulación. Para esto, se utilizó una SMU inyectando en el
Pad 1 tensiones desde -10 V a 0 V. Luego se promediaron
los valores de capacidad obtenidos desde -10 V a -5 V donde
se mantenia una mayor linealidad de los valores y se obtuvo
un valor de Capacidad
Ca = 555,5 · 10-12 F = 555,5 pF
Idealizando el MOSCap en acumulación como un capacitor
Tabla 1. Resultados del ajuste lineal de la recta. de placas paralelas, utilizamos la fórmula para este tipo de
capacitores
𝑘 𝜀0 𝐴
𝐶=
RAU = 94,3192 Ω 𝑑
(Ec. 2)
Donde ɛ0 = 8,854 ·10-12 F/m, A=9,216 · 10-7 m2 (Área) y d=
Con este valor de resistencia (RAU) se obtiene el espesor 50·10-9 m (Espesor del SiO2)
de la barra de Au utilizando la Ecuación 1

Despejando k obtenemos la constante dieléctrica relativa del


(Ec. 1) SiO2, resultando en
Utilizando el valor de resistividad de película delgada k = 3,40386
para el Au de 2,5 · 10-2  m, el largo de la barra L de 1000
m y el ancho w de 20 m, se calcula el valor del espesor. El error de k se obtiene mediante la siguiente ecuación

t = 0,013253 m = 13,253 nm ∆𝑘 =
𝑑 𝐶
( ∗ 𝐶𝑒 )2 + ( ∗ 𝑑𝑒 )2
𝐴 𝐴
Se destaca que en este caso se desprecian los contactos
cuadrados ya que por su tamaño, la resistencia que presentan
en comparación con la barra es despreciable. Donde Ce = 247,5861·10-15 F = 0,2 pF es el error de la
medición de capacidad y de = 7 · 10-9 m el error del espesor.
Como resultado
Δk = 0,042205 ·10-12
La concentración del dopaje del sustrato se puede obtener a
partir de la siguiente expresión:

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𝑁𝑎 𝑞 𝑛𝑖 𝑊 2 𝑁𝑎 𝑁𝑎 𝑞 𝑛𝑖 𝑊 2
ln( ) − =0 𝑥= ; = 𝛼
𝑛𝑖 4 𝜀 𝑘 𝑇 𝑛𝑖 𝑛𝑖 4 𝜀 𝑘 𝑇
(Ec. 3)
Donde Na es la concentración de impurezas del sustrato
(Dopaje), q es la carga del electrón, ni es la concentración ln 𝑥 − 𝛼 𝑥 = 0
intrínseca del silicio, W el ancho de la zona de depleción, ɛ la
constante dieléctrica del silicio, k la constante de Boltzmann El resultado luego de 200 iteraciones es x200 = 1 por lo que se
y T la temperatura del sustrato. concluye que Na = ni,
Para calcular W, partimos de la capacidad de la zona de Na = 1,5 · 1010 cm-3
depleción (Cinv) la cual es igual a la capacidad de portadores
minoritarios (Cmin) en serie con la capacidad del óxido (Cox) CONCLUSIONES
1 1 −1 Se logró comprender los distintos procesos de fabricación
𝐶𝑖𝑛𝑣 = ( + ) para poder armar un dispositivo completo, obteniendo el
𝐶𝑜𝑥 𝐶𝑚𝑖𝑛 diseño pedido.
Mediante la caracterización del dispositivo en una sala
Cinv se obtiene promediando los valores de capacitancia del limpia, pudimos obtener valores de una precisión aceptable
MOSCap con tensiones entre 5 y 10 Volts. con los que se calculó el espesor de una barra de Au.
Cinv = 139,4 · 10-12 F = 139,4 pF Se estudió el funcionamiento de un MOSCap y sus
Sabiendo que la ecuación para obtener Cmin es valores de capacidad en función de la tensión aplicada sobre
él.
𝜀𝑟 𝜀0 𝐴
𝐶𝑚𝑖𝑛 = Se conoció equipamiento muy interesante para la
𝑊 fabricación y la caracterización de componentes electrónicos,
entendiendo su uso y correcta manipulación.
Se despeja W resultando
W = 149,1 nm BIBLIOGRAFIA

Por último, se resuelve la Ec. 3 numéricamente por el [1] S. Franssila, “Introduction to Microfabrication” John Wiley & Sons,
método de Newton-Raphson. Second Edition, 2010.
[2] M. Ohring, “Materials Science of Thin Films” 2nd ed., p. 324.

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