Parte 1

1) Electrónica de potencia y su interrelación con otras disciplinas

La electrónica de potencia combina la energía, la electrónica y el control, y se puede definir
como la aplicación de la electrónica de estado sólido para el control y la conversión de la
energía eléctrica en la figura siguiente se muestra la interrelación de la electrónica de
potencia con la energía la electrónica y el control.

2) Conocimientos adicionales de cuales otras áreas se necesitan para diseñar y construir

la circuiteria de control de una aplicación de electrónica de potencia

Para diseñar y construir la circuitería de control de una aplicación de electrónica de potencia

se necesita tener conocimientos de circuitos básicos, así como de electrónica de potencia; ya
que para realizar el control de un sistema de electrónica de potencia se tiene que:
Los dispositivos semiconductores de potencia se pueden operar como interruptores mediante
la aplicación de señales de control a la terminal de compuerta de los tiristores (y a la base de
los transistores bipolares). La salida requerida se obtiene mediante la variación del tiempo de
conducción de estos dispositivos de conmutación.
El control se encarga del régimen permanente y de las características dinámicas de los
sistemas de lazos cerrados. La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y
rotativa o giratoria, para la generación, transmisión y distribución de energía eléctrica.

3.- Valores RMS, medio, pico – pico, frecuencia, periodo, eficaz y ciclo de
trabajo asociado a las señales eléctricas.
El valor RMSde una forma de onda i(t) se puede calcular como sigue:
Se puede descomponer la formula para obtener lo siguiente:
Esto es, el valor RMS de la forma de onda se puede calcular con la ecuación:

En las siguientes imágenes obtendremos cada una de las RMS dependiendo el tipo
de onda que se quiera estudiar:

Frecuencia: El número de ciclos completos por unidad de tiempo, es decir, por

segundo, es la inversa del periodo y se mide en hertzios. Un hertzio es un ciclo por
segundo. La tensión de red de las casas tiene una frecuencia de 50 Hz y un periodo
de 1/50 s
El ciclo de trabajo relación que existe entre el tiempo en que la señal se encuentra
en estado activo y el periodo de esta. Su valor se encuentra comprendido entre 0 y
1, y viene dado por la siguiente expresión:

D es el ciclo de trabajo
τ es la duración donde la función está en nivel alto Τ es el Periodo de la función.
Amplitud: Es el máximo valor alcanzado en cualquier dirección: por tanto, se mide
en voltios o amperios
Valor eficaz: En una forma de onda senoidal, es el valor máximo dividido por o
el 71 por 100 del valor máximo, aproximadamente.
Valor medio: Se llama valor medio de una tensión (o corriente) alterna a la media
aritmética de todos los valores instantáneos de tensión medidos en un cierto
intervalo de tiempo.
En una corriente alterna sinusoidal, el valor medio durante un período es nulo: en
efecto, los valores positivos se compensan con los negativos. Vm = 0. En cambio,
durante medio periodo, el valor medio es siendo V0 el valor máximo.

.
Periodo: Es el tiempo que tarda la onda en realizar un ciclo; se mide en segundos o
milisegundos.

4) Control de potencia
El control se encarga del régimen permanente y las características dinámicas de los sistemas
de lazo cerrado . La energía tiene que ver con el equipo de potencia estática y rotativa o
giratoria, para la generación, transmisión y distribución de energía. La electrónica se ocupa
de los dispositivos y circuitos de estado sólidos requeridos en el procesamiento de señales
para cumplir con los objetivos de control deseados.
La electrónica de potencia se reencuentran la electricidad y la electrónica, pues se utiliza el
control que permiten los circuitos electrónicos para controlar la conducción (encendido y
apagado) de semiconductores de potencia.
Su aplicación sería dentro de la ingeniería en sistemas. En un sistema de control se
encuentran un conjunto de despóticos encargados de administrar, ordenar, dirigir, regular el
comportamiento de otro sistema, con el fin de reducir las probabilidades de fallo y obtener los
resultados deseados. Por lo general, se usan en equipos o máquinas.

5) Formas principales de conversión de potencia eléctrica.

Consiste en la conversión de energía eléctrica de una forma a otra. Esto puede ser tan sencillo
como un transformador para cambiar el voltaje de redes de corriente alterna, pero incluye
también sistemas mucho más complejos. Los sistemas de conversión de potencia a menudo
incorporan la regulación de tensión (voltaje), que es el control de su valor dentro de ciertos
límites.

Convertidor de corriente continua a corriente continua (DC a DC).

Un convertidor DC-DC es un dispositivo que transforma corriente continua de una cierta
tensión a corriente continua de otra tensión distinta. Suelen ser reguladores de conmutación,
dando a su salida cierta tensión ya regulada, aunque, en la mayoría de las veces con
limitación de corriente.
Su principal ventaja radica en que estos simplifican la alimentación de un sistema, ya que
permiten generar la tensión necesaria en donde se necesita, reduciendo la cantidad de líneas
de potencia necesarias. Sin embargo, estas ventajas vienen de la mano del hecho de que
generan ruido a través de su línea de entrada y este se puede propagar al resto del sistema.
Sus principales tipos son:
Reductores: Este tipo de convertidor obtiene a su salida un voltaje continuo menor que a su
entrada.La forma más simple de reducir una tensión continua (DC) es usar un circuito divisor
de tensión, pero los divisores gastan mucha energía en forma de calor. Por otra parte, un
convertidor reductor puede tener una alta eficiencia (superior al 95% con circuitos
integrados) y autorregulación.
El funcionamiento del reductor es sencillo, consta de un inductor controlado por dos
dispositivos semiconductores los cuales alternan la conexión del inductor bien a la fuente de
alimentación o bien a la carga.El interruptor suele ser un MOSFET, IGBT o BJT.

Elevador: El convertidor elevador es un convertidor DC a DC que devuelve a su salida una

tensión continua mayor a la de su entrada. Es un tipo de fuente de alimentación conmutada
que contiene al menos un diodo y transistor, y al menos un condensador, una bobina o una
combinación de ambos
.El elevador presenta una tensión de salida mayor que la tensión de la fuente, pero la corriente
de salida es menor que la de entrada.
El principio básico consiste en dos estados distintos dependiendo del estado del interruptor S.
1. Cuando el interruptor está cerrado (On-state) la bobina L almacena energía de la
fuente, a la vez la carga es alimentada por el condensador C.

2. Cuando el interruptor está abierto (Off-state) el único camino para la corriente es a

través del diodo D y circula por el condensador (hasta que se carga completamente) y
la carga.
Existen dos situaciones de funcionamiento: Modo continuo y Modo Discontinuo.
Modo Continuo: Cuando un convertidor boost opera en modo continuo, la corriente a través
del inductor (IL) nunca llega a cero.
Modo Discontinuo: En algunas situaciones, la cantidad de energía requerida por la carga es
suficientemente pequeña como para ser transferida en un tiempo menor que el tiempo total
del ciclo de conmutación. En este caso, la corriente a través del inductor cae hasta cero
durante parte del periodo. La única diferencia en el principio descrito antes para el modo
continuo, es que el inductor se descarga completamente al final del ciclo de conmutación.

Convertidor de corriente alterna a corriente continua. Rectificador.

Cuando hablamos de un convertidor rectificador, hablamos de un elemento o circuito que
permite convertir la corriente alterna en corriente continua. Esto se consigue utilizando
diodos rectificadores, estos sean semiconductores de estado sólido, válvulas al vacío o
válvulas gaseosas como las de vapor de mercurio (descontinuados). Estos pueden ser
monofásicos en caso de que se alimenten por medio de una sola fase de la corriente eléctrica
o trifásicos en caso de que se alimente de tres. Al mismo tiempo puede tratarse de
rectificadores de media onda cuando sólo se aprovecha uno de los semiciclos de la onda o de
onda completa en caso de aprovechar ambos. Siendo el más común el rectificador
monofásico de media onda.
Circuitos rectificadores de media onda: Es construido con un diodo ya que este puede
mantener el flujo de corriente en una sola dirección, se puede utilizar para cambiar una señal
de CA a una de CC. Cuando la tensión de entrada es positiva, el diodo se polariza en directo
y se puede sustituir por un corto circuito. Si la tensión de entrada es negativa el diodo se
polariza en inverso y se puede reemplazar por un circuito abierto. Por tanto cuando el diodo
se polariza en directo, la tensión de salida a través de la carga se puede hallar por medio de la
relación de un divisor de tensión. Sabemos además que el diodo requiere 0.7 voltios para
polarizarse, así que la tensión de salida está reducida en esta cantidad (este voltaje depende
del material de la juntura del diodo). Cuando la polarización es inversa, la corriente es cero,
de manera que la tensión de salida también es cero.
Circuitos rectificadores de onda completa: Un rectificador de onda completa convierte la
totalidad de la forma de onda de entrada en una polaridad constante (positiva o negativa) en
la salida, mediante la inversión de los semiciclos (negativos o positivos) de la forma de onda
de entrada. Los semiciclos se combinan para producir una forma de onda parcialmente
positiva o negativa.

Convertidor de corriente continua a corriente alterna. Inversor.

Un inversor es un dispositivo o circuito que cambia o transforma un voltaje de entrada de
corriente continua a un voltaje simétrico de salida de corriente alterna. Un inversor simple
consta de un oscilador que controla a un transistor, el cual se utiliza para interrumpir la
corriente entrante y generar una onda rectangular.
Esta onda rectangular alimenta a un transformador que suaviza su forma, haciéndola parecer
un poco más una onda senoidal y produciendo el voltaje de salida necesario. La forma de
onda de salida del voltaje de un inversor ideal debería ser sinusoidal.

Convertidores de corriente alterna a corriente alterna. (Transformador).

El transformador es un dispositivo que convierte la energía eléctrica alterna de un cierto nivel
de tensión, en energía alterna de otro nivel de tensión, basándose en el fenómeno de la
inducción electromagnética. Está constituido por dos bobinas de material conductor,
devanadas sobre un núcleo cerrado de material ferromagnético, pero aisladas entre sí
eléctricamente. La única conexión entre las bobinas la constituye el flujo magnético común
que se establece en el núcleo. El núcleo, generalmente, es fabricado bien sea de hierro o de
láminas apiladas de acero eléctrico, aleación apropiada para optimizar el flujo magnético.

6) Circuito de conmutación, uso y aplicaciones

Un tiristor en conducción se puede desactivar mediante una conmutación natural o forzada.

En la conmutación natural, la corriente del tiristor se reduce a cero debido a las característi-
cas naturales del voltaje de entrada. En la conmutación forzada la corriente del tiristor se
reduce a cero mediante un circuito adicional llamado circuito de conmutación, dependiendo
del proceso de desactivación de la corriente de carga. PAra garantizar la desactivación de un
tiristor la desactivación del circuito (o la desactivación disponible) debe ser ser mayor que el
tiempo de desactivación del tiristor, lo que normalmente queda especificado por el fabricante
del tiristor.

7) Características dinámicas. Tiempos de conmutación :

Cuando el transistor está en saturación o en corte las pérdidas son despreciables. Pe-
ro si tenemos en cuenta los efectos de retardo de conmutación, al cambiar de un esta-
do a otro se produce un pico de potencia disipada, ya que en esos instantes el produc-
to iC × vCE va a tener un valor apreciable, por lo que la potencia media de pérdidas en
el transistor va a ser mayor. Estas pérdidas aumentan con la frecuencia de trabajo,debido a
que al aumentar ésta, también lo hace el número de veces que se produce el
paso de un estado a otro.
Como siempre, podemos distinguir entre tiempo de excitación o encendido (ton) y
tiempo de apagado (toff). A su vez, cada uno de estos tiempos se puede dividir en
otros dos, quedando así cuatro tiempos a estudiar:
• Tiempo de retardo (Delay Time, td): Es el tiempo que transcurre desde el ins-
tante en que se aplica la señal de entrada en el dispositivo conmutador, hasta
que la señal de salida alcanza el 10% de su valor final.
• Tiempo de subida (Rise time, tr): Tiempo que emplea la señal de salida en
evolucionar entre el 10% y el 90% de su valor final.
• Tiempo de almacenamiento (Storage time, ts): Tiempo que transcurre desde
que se quita la excitación de entrada y el instante en que la señal de salida ba-
ja al 90% de su valor final.
• Tiempo de caída (Fall time, tf): Tiempo que emplea la señal de salida en evo-
lucionar entre el 90% y el 10% de su valor final.

Por tanto, se pueden definir las siguientes relaciones:

ton = td + tr
toff = ts + tf
Es de hacer notar el hecho de que el tiempo de apagado (toff) será siempre mayor que
el tiempo de encendido (ton), como ocurre en la mayoría de los conmutadores, tal y
como se muestra en la siguiente figura.
 Los tiempos de encendido (ton) y apagado (toff) limitan la frecuencia
máxima (fmax) a la
cual puede conmutar el transistor:

8) Interruptores de estado sólido sólido de potencia = Solid State Switching Power

Devices (SSSPDs)
Los interruptores estáticos se pueden aplicar como relevadores de estado sólido (SSR),
utilizados para controlar la potencia de ca y de cd. Los SSR encuentran muchas aplicaciones
en controles industriales (por ejemplo, en el control de carga de motores, transformadores,
calefacción por resistencia, etc.) para reemplazar los relevadores electromecánicos. En el caso
de las aplicaciones de ca, se puede utilizar tiristores o TRIAC; y para las aplicaciones de cd
se utilizan transistores. Normalmente, entre el circuito de control y el de la carga los SSR
están eléctricamente aislados mediante un relevador tipo red o de lengüeta, un transformador
o un acoplamiento óptico.
La figura 12-13 muestra dos circuitos básicos para SSR de cd, uno con aislamiento con
relevador de lengüeta y el otro con un acoplamiento óptico. La figura 12-14 muestra un SSR
con relevador de lengüeta, aislamiento de transformador y acoplamiento óptico. Si los
requisitos de la aplicación exigen tiristores, debido a los altos niveles de potencia.
Los interruptores de estado sólido están disponibles en forma comercial con especificaciones
limitadas de voltaje y de corriente, que van desde 1 A hasta 50 A y hasta 440 V. Si es
necesario diseñar un SSR a fin de cumplir requisitos específicos, el diseño resulta sencillo y
requiere de la determinación de las especificaciones de voltaje y corriente de los dispositivos
semiconductores de potencia.
9) Diodo de potencia interpretar, capacidades eléctricas, mecánicas y térmicas según
hoja de datos del fabricante.
Buena parte de la información que el fabricante facilita en las hojas de características es
oscura y de utilidad solamente para los que diseñan circuitos. Por esta razón solamente
tomaremos algunas especificaciones de la hoja de datos que da el fabricante.
Tensión Inversa de ruptura
Comenzaremos con la hoja de características para un 1N4001, un diodo rectificador muy
popular empleado en fuentes de alimentación (circuitos que convierten una tensión alterna en
una tensión continua). De ejemplo estamos interesados en aprender a leer la hoja de
características para el diodo 1N4001 de esta familia. La primera información con el título de
«Limitaciones máximas» es ésta:
Estos tres símbolos especifican la ruptura en ciertas condiciones de funcionamiento. Lo único
que hay que saber es que la tensión de ruptura para este diodo es de 50 V,
independientemente de cómo se use el diodo. Para un diodo rectificador como el 1N4001, la
ruptura es normalmente destructiva.
Para un 1N4001, una tensión inversa de 50 V supone la destrucción del diodo, lo cual debe
evitar el diseñador para cualquier condición de trabajo. Por este motivo se incluye un factor
de seguridad.
Corriente máxima con polarización directa

Otro dato de interés es la corriente media con polarización directa, que aparece asi en la hoja
de características:

Este parámetro indica que el 1N400] puede soportar hasta 1 A con polarización directa
cuando se le emplea como rectificador. Por el momento, lo único que necesita saber es que 1
A es el nivel de corriente con polarización directa para el cual el diodo se quema debido a una
disipación excesiva de potencia.
De nuevo, 1 A debe ser para el diseñador una limitación máxima absoluta para el 1N4001; es
decir, un nivel de corriente con polarización directa al que nunca deberá llegarse. Por ello,
debe incluirse un factor de seguridad, posiblemente un factor de 2. En otras palabras, un
diseño fiable debe garantizar que la corriente con polarización directa sea menor de 0,5 A en
cualquier condición de funcionamiento.
Caída de tensión con polarización directa

En las <<Características eléctricas», en el Apéndice, el primer dato mostrado es éste:

Estas mediciones se hacen con una señal alterna, y por ello aparece la palabra instantáneo en
la especificación. El 1N4001 tiene una caída de tensión típica con polarización directa de
0,93 V cuando la corriente es de 1 A y la temperatura de la unión es de 25 C. Si se prueban
miles de 1N4001, se hallará que pocos de ellos tienen una caída tan alta como 1,1 V cuando
la corriente es de 1 A.

Corriente Inversa máxima

Otra información de la hoja de características que vale la pena analizar es ésta:

Esta es la corriente con polarización inversa a la tensión continúa indicada (50 V para un
1N4001). A 25 °C, el 1N4001 típico tiene una corriente inversa de 0,05 µA. Pero Obsérvese
cómo aumenta a 1 µA a 100 °C. En el peor de los casos, la corriente inversa es de 10 µA a 25
°C, Y de 50 µA a 100 °C. Recuérdese que esta corriente inversa incluye la corriente
producida térmicamente y la corriente de fugas superficial. De estos números se puede
deducir que la temperatura podría ser importante. Con lo que deducimos que el circuito
basado en una corriente inversa de .05µA va al trabajar bien a 25 °C, pero puede fallar si
cuando se produce un circuito que lo incluya y el proceso conlleve a utilizar temperaturas de
100°C.
Características mecánicas
Algunas de las características físicas mas importantes para el desarrollo de algún circuito
son:
- La temperatura que puede soportar el elemento para una soldadura.
- Como se pueden identificar los polos físicamente
- Peso.

10) Rectificadores controlados y no controlados

En los circuitos rectificadores se pueden sustituir, total o parcialmente, a los diodos por
tiristores, de forma que se pueda obtener un sistema de rectificación controlada o
semicontrolada. Estos sistemas permitirán la regulación del valor medio de la tensión en la
carga. La sustitución del diodo por el tiristor permite retardar la entrada en conducción del
mismo, lo cual ocurre no sólo cuando la tensión entre sus bornes es positiva, sino cuando,
siendo positiva se inyecta un pulso de cebado a la puerta del tiristor.
El parámetro fundamental en estos rectificadores con tiristores será el ángulo de retardo α, de
forma que un tiristor conduce con un retardo de tiempo α/w con relación al instante en el cual
conduciría el diodo al que ha sustituido.
Los rectificadores con tiristores utilizan los mismos esquemas que los rectificadores con
diodos, si bien aquí hay que distinguir entre dos tipos:
• Rectificadores semicontrolados. Formados por tiristores y diodos.
• Rectificadores totalmente controlados. Formados únicamente por tiristores.

Los rectificadores o convertidores de corriente se caracterizan por transformar la corriente

alterna en continua. De esta manera permiten la conversión directa desde un circuito
alimentado con voltaje alterno, poder alimentar a la carga con corriente continua. Los
rectificadores no controlados están formados exclusivamente por diodos, no necesitando
circuitos de mando, por lo que los diodos conmutan de manera natural forzados por la fuente
de alimentación.
Para entender como funciona un rectificador bastan con fijarnos en dos aspectos:
• Los conjuntos de diodos o conmutadores.
• La forma como están conectados los devanados que suministran las tensiones alternas
a rectificar: el tipo de montaje.

11) Modelo lineal-a-tramos del diodo de potencia en polarización directa e inversa.

Los diodos semiconductores de potencia juegan un papel primordial en los circuitos
eléctricos de potencia. Un diodo funciona como un interruptor con el fin de llevar a cabo
ciertas funciones.
Los diodos de potencia tienen mayor capacidad en el manejo de la energía, el voltaje y la
corriente en comparación con los diodos de señal ordinarios.
Características de los diodos: Cuando el potencial del ánodo es positivo con relación al
cátodo, se dice que el diodo tiene polarización directa y este conduce. Un diodo en
conducción tiene una caída de voltaje directo relativamente pequeña a través de sí mismo.
Cuando el potencial del cátodo es positivo con relación al ánodo, se dice que este tiene una
polarización inversa. Bajo esta condiciones fluye una pequeña corriente inversa en el rango
de los mili o microamperes, cuya magnitud crece lentamente con relación del voltaje inverso,
hasta llegar al voltaje de avalancha o zenner. Las características v-i se pueden expresar
mediante la ecuación:
ID=Is(e^(VD/nVT)-1)
Donde:
ID= Corriente a través del diodo.
VD= Voltaje del diodo con el ánodo positivo con respecto al cátodo.
Is= Corriente de fuga, típicamente en el rango de 10^-6 y 10^-15A
n= Constante empírica conocida como coeficiente de emisión o factor de idealidad cuyo valor
varía de 1 a 2. Este depende tanto del material como de la construcción física del diodo. En
los diodos de germanio se considera un valor de 1. En los de silicio el valor n es considerado
como 2, pero en los diodos reales este decae entre 1.1 o 1.8.
VT= Voltaje térmico, y está dado por la ecuación VT=kT/q.
q= Carga del electrón 1.6022 x 10^-19C.
T= Temperatura absoluta en kelvins.
k= constante de Boltzmann 1.3806 x 10^-23 J/K.

Región de polarización directa: VD>0.

La corriente del diodo ID es muy pequeña si el voltaje del diodo VD es menor que el voltaje
específico VTD (alrededor de 0.7V). El diodo conduce completamente si el voltaje VD es
mayor que ese valor, conocido como voltaje de umbral.
En el caso de un voltaje VD =0.1V, n=1 y VT=25.8mV podemos encontrar que la corriente
es:
ID=Is(e^(0.1V / 0.0258V) -1) = Is(48.23 - 1)
Aproximadamente 48.23Is con un error del 2.1%. Por lo tanto para VD>0.1, ID>>Is.

Región de polarización inversa: VD<0.

Si VD es negativo y |VD| >> VT, como en el caso de VD<0.1 el término de la exponencial de
la ecuación se vuelve despreciablemente pequeño en comparación con la unidad, y la
corriente del diodo ID se vuelve:
ID=Is(e^(VD/nVT)-1)=-1
Lo que indica que la corriente en el diodo ID es constante y es igual a Is.
Región de ruptura: VD> 1000.
En este caso la magnitud del voltaje inverso excede el voltaje específico conocido como
voltaje de ruptura (VBR) y la corriente inversa aumenta rápidamente con un cambio en el
voltaje inverso mayor a VBR. Operar en este estado no será destructivo siempre y cuando la
disipación de la potencia esté dentro del “nivel seguro” especificado por el fabricante.

12) Técnicas de control de SSSSPDs

Existen multitud de tipos distintos de relés, dependiendo del número de contactos, de su

intensidad admisible, del tipo de corriente de accionamiento, del tiempo de activación y
desactivación, entre otros. Cuando controlan grandes potencias se llaman contactores en lugar
de relés.

Relés electromecánicos:

● Relés de tipo armadura: pese a ser los más antiguos siguen siendo los más
utilizados en multitud de aplicaciones. Un electro imán provoca la basculación de
una armadura al ser activado, cerrando o abriendo los contactos dependiendo de si
es N.A (normalmente abierto) o N.C (normalmente cerrado).
● Relés de núcleo móvil:a diferencia del anterior modelo estos están formados por
un émbolo en lugar de una armadura. Debido a su mayor fuerza de atracción, se
utiliza un solenoide para cerrar sus contactos. Es muy utilizado cuando hay que
controlar altas corrientes
● Relé tipo reed o de lengüeta: están constituidos por una ampolla de vidrio, con
contactos en su interior, montados sobre delgadas láminas de metal. Estos
contactos conmutan por la activación de una bobina, que se encuentra alrededor
de la mencionada ampolla.
● Relés polarizados o bi estables: se componen de una pequeña armadura, solidaria
a un imán permanente. El extremo inferior gira dentro de los polos de un electro
imán, mientras que el otro lleva una cabeza de contacto. Al excitar el electro imán,
se mueve la armadura y provoca el cierre de los contactos. Si se polariza al revés,
el giro será en sentido contrario, abriendo los contactos ó cerrando otro circuito.

Relé de estado sólido: Se llama relé de estado sólido a un circuito híbrido, normalmente
compuesto por un optoacoplador que aísla la entrada, un circuito de disparo, que detecta el
paso por cero de la corriente de línea y un triac o dispositivo similar que actúa de interruptor
de potencia. Su nombre se debe a la similitud que presenta con un relé electromecánico; este
dispositivo es usado generalmente para aplicaciones donde se presenta un uso continuo de los
contactos del relé que en comparación con un relé convencional generaría un serio desgaste
mecánico, además de poder conmutar altos amperajes que en el caso del relé electromecánico
destruirian en poco tiempo los contactos. Estos relés permiten una velocidad de conmutación
muy superior a la de los relés electromecánicos.

Relé de corriente alterna: Cuando se excita la bobina de un relé con corriente alterna, el flujo
magnético en el circuito magnético, también es alterno, produciendo una fuerza pulsante, con
frecuencia doble, sobre los contactos. Es decir, los contactos de un relé conectado a la red, en
algunos lugares, como varios países de Europa y América Latina oscilarán a 2 x 50 Hz y en
otros, como en Estados Unidos lo harán a 2 x 60 Hz. Este hecho se aprovecha en algunos
timbres y zumbadores, como un activador a distancia. En un relé de corriente alterna se
modifica la resonancia de los contactos para que no oscilen.

Relé de láminas: Este tipo de relé se utilizaba para discriminar distintas frecuencias. Consiste
en un electroimán excitado con la corriente alterna de entrada que atrae varias varillas
sintonizadas para resonar a sendas frecuencias de interés. La varilla que resuena acciona su
contacto, las demás no. Los relés de láminas se utilizaron en aeromodelismo y otros sistemas
de telecontrol.

Relés de acción retardada: Son relés que ya sea por particularidad de diseño o bien por el
sistema de alimentación de la bobina, permiten disponer de retardos en su conexión y/o
desconexión.

● Relés con retardo a la conexión: El retardo a la conexión de relés puede obtenerse

mecánicamente aumentando la masa de la armadura a fin de obtener mayor inercia
del sistema móvil; o bien, aumentando la presión de los resortes que debe vencer
la fuerza de atracción del relé. También se obtiene un efecto similar de retardo
utilizando C.C. para alimentar al relé en una de los dos siguientes formas:
● Relé con resistor previo y capacitor en paralelo con la bobina: cuando
se alimenta con C.C. al relé, el capacitor, hasta entonces descargado,
origina una intensa corriente de carga inicial la cual al atravesar al
resistor origina una apreciable caída en la tensión aplicada a la bobina,
verificándose así un retraso a la conexión. Cabe aclarar que siempre
que se interrumpa la alimentación del relé el capacitor, descargándose
sobre la bobina, establecerá también un cierto retraso en la
desconexión.
● Relé de dos devanados con corriente en oposición: la disposición de
uno de estos relés se basa en la existencia de dos devanados conectados
en oposición; usualmente designados como principal y auxiliar, y que
poseen mayor y menor número de espiras respectivamente. Al
aplicarse tensión de C.C. la corriente se establece rápidamente en el
devanado auxiliar a la vez que con mucha mayor lentitud en el
 principal debido a la marcada diferencia en la reactancia inductiva de
cada uno (debido al diferente número de espiras que tiene cada uno).
De esa manera y debido a que el campo magnético que originan ambos
devanados es opuesto, la actuación del relé se producirá cuando la
fuerza magnetomotriz —en gradual aumento— del devanado principal
sea superior a la del devanado auxiliar y la presión de los resortes del
relé, con lo que se obtiene el buscado retardo en la conexión.
● Relés con retardo a la desconexión: también es posible obtener retardo a la
desconexión por medios mecánicos —disminución de la presión de los resortes
del relé— aunque en la mayoría de los casos se recurre a alguno de los sistemas
que se indican a continuación:
● Relé con capacitor en paralelo: como su nombre lo indica, posee un
capacitor que por su condición en paralelo toda vez que se interrumpa
la alimentación de C.C. al relé considerado, la desconexión resultará
retardada por la descarga de dicho capacitor sobre la bobina, sistema
con el que se obtienen tiempos muy exactos y que en función de los
valores de R y C en consideración puede superar largamente un
segundo.
● Relé con devanado adicional en cortocircuito: estos disponen de dos
devanados: uno de ellos llamado principal o de accionamiento y otro
adicional que se encuentra cortocircuitado. Ya sea que el devanado
principal sea conectado o desconectado de la tensión de alimentación,
la variación de flujo consiguiente inducirá en el devanado adicional
una corriente que oponiéndose a la causa que la produce retarda a dicha
variación, con lo que se produce así un retardo tanto a la conexión
como a la desconexión del relé.
● Relé con devanado adicional controlado por contacto auxiliar: estos
relés son absolutamente similares a los anteriores, con el único
agregado de un contacto auxiliar del propio relé encargado de conectar
o desconectar al devanado auxiliar. Así el relé presentará un retardo a
la desconexión o a la conexión según se utilice un contacto auxiliar
Normal Abierto o Normal Cerrado, respectivamente.

Relés con retención de posición: En este caso los relés poseen un diseño en el cual tienen
remaches de elevada remanencia colocados dentro de orificios practicados en el núcleo y la
armadura de los mismos, y en exacta coincidencia. Por estar perfectamente rectificadas las
caras polares en contacto al cerrar el circuito magnético del relé quedará en esa posición -por
remanencia magnética- aunque la bobina se desconecte, retornando a la posición de reposo
inicial sólo cuando una corriente de sentido contrario vuelva a abrirlo

13) Disipadores de calor:

La selección del disipador de calor correcto depende de la temperatura de unión permisible
que tolera el dispositivo. Para el diseño de los peores casos se especifican la máxima
temperatura de la unión Tj,máx., a máxima temperatura del ambiente Ta,máx., la máxima tensión
de operación y la máxima corriente en estado activo. Las máximas pérdidas en estado activo
del dispositivo de potencia se calculan al conocer la máxima relación de trabajo, la máxima
corriente en estado activo y la máxima resistencia en estado activo (presentes en la hoja de
especificaciones correspondiente a Tj,máx. y a la máxima corriente). Las pérdidas por
conmutación se obtienen al integrar la pérdida de potencia instantánea respecto del tiempo y
promediar a lo largo del periodo de conmutación. Por tanto, se estima PPérdida, que es la suma
de las pérdidas en estado activo y el promedio de las pérdidas por conmutación.
A partir de estas informaciones, la máxima resistencia térmica permisible de unión a
ambiente Rθja se estima como:
Rθja=(Tj,máx. - Ta,máx.)/PPérdida

Ejemplo de disipador:
Para una temperatura de la unión de 125°C, un transistor TO-3 tiene una disipación de
potencia de 26 W. El fabricante del transistor especifica un valor de 0.9°C/W para R θjc. Se
usa un aislante de mica con un espesor de 75 μm con grasa térmica, y la resistencia térmica
de la combinación es 0.4°C/W. La temperatura ambiental en el peor de los casos en el
gabinete donde se debe usar el disipador de calor es 55°C. Por tanto, la resistencia térmica de
disipador al ambiente debe ser:
Rθsa=(125-55)/26 - (0.9+0.4) = 1.39°C/W
El disipador de calor núm. 7 de la figura 29-6 tiene una resistencia térmica de 1.3°C/W, lo
cual es aceptable para esta aplicación.

14) Circuito detector de cruce por cero, variantes y aplicación

El detector de cruce por cero indica cuando la señal de entrada cruza GND. El amplificador
operacional en lazo abierto actúa como un comparador. La salida de este comparador, debido
a que la ganancia es muy alta, se satura. Por lo que la salida de esta configuración es +Vsat o
-Vsat. En donde Vsat es el voltaje de saturación a la salida.
En este caso, el detector tiene referencia de cero en la otra terminal de la señal de entrada,
puede ser detector inversor o no inversor.
DETECTOR DE CRUCE POR CERO INVERSOR
En primer lugar, en el caso de que la entrada del detector de cruce por cero este en la terminal
inversora, la salida será -Vsat para una transición de negativo a positivo. En este caso
también, podemos decir que la salida está en la polaridad inversa que la entrada.

DETECTOR DE CRUCE POR CERO NO INVERSOR

Primeramente, en el caso de que la entrada del detector de cruce por cero este en la terminal
no inversora, la salida será +Vsat para una transición de negativo a positivo. En este caso
también, podemos decir que la salida está en la misma polaridad que la entrada.

DETECTOR DE CRUCE POR CERO CON HISTÉRESIS

Finalmente, en el caso de que la señal tenga mucho ruido, es posible, que la señal de falsos
positivos. En este caso sería que una señal senoidal que cruce el cero, con mucho ruido, va a
haber varias transiciones a la salida. Por ejemplo en la siguiente configuración.

Para evitar esto, implementamos un voltaje de histéresis mediante la retroalimentación de un

voltaje de referencia
Para determinar el voltaje de histéresis, se puede observar que depende del voltaje de salida.
Llamemos el voltaje de salida Vsat, recordemos que puede ser positivo o negativo,
dependiendo del estado actual. Por lo regular se asume que la magnitud de voltaje es igual.
Por lo tanto esta configuración se rige bajo las siguientes ecuaciones.

En donde Vut es el voltaje de histéresis superior y Vlt el inferior. Recordemos que el valor es
el mismo solo con signo diferente.

15) Condiciones para la conducción de un diodo.

Un diodo conduce cuando el voltaje de su ánodo es más alto que el de su cátodo, siendo la
caída de voltaje directa de un diodo de potencia muy baja, típicamente de .5 y 1.2 v. Si el
voltaje de cátodo es más alto que el voltaje de ánodo, se dice que el diodo está en modo de
bloque.
16) Diodo de marcha libre
Elimina el efecto inductivo en una carga como la de un motor, esto es que si existen voltajes
negativos con una carga inductiva, el diodo entra en conducción liberando este voltaje que
puede dañar circuitería o algunos componentes electrónicos.

Si el interruptor S se cierra durante un tiempo t1, se establece una corriente a través de la

carga; si entonces se abre el interruptor, se debe encontrar una trayectoria para la corriente de
la carga inductiva. Esto se efectúa normalmente conectado un diodo DL tal y como se
representa en la figura. Este diodo se denomina de marcha libre o libre circulación (en inglés,
free wheeling diode).
La operación del circuito se puede dividir en ambos modos:
Modo 1.
Comienza cuando se cierra el interruptor en t=0. Acabará con la apertura del mismo en t=t1.

La corriente en el instante de apertura del interruptor (t=t1) es:

Modo 2.
Este modo comienza cuando se abre el interruptor y la corriente de carga empieza a fluir a
través del diodo de marcha libre. Si redefinimos el origen del tiempo al principio de este
modo, la corriente a través del DL se encuentra a partir de:

Con la condición inicial I (t=0) = I1. La solución a la ecuación ideal la corriente libre if = i2
como:
Esta corriente decae en forma exponencial hasta cero en el momento t=t2, siempre y cuando
t2>>L/R. Las formas de onda de las corrientes se pueden observar en la gráfica inferior.

La simulación de Pspice quedará así.

17) Diferencia entre un diodo de silicio y un diodo tipo Schottky

En muchas aplicaciones no son importantes los tiempos de recuperación inversa.
Dependiendo de las características de fabricación y de los tiempos de recuperación, los
diodos de potencia pueden clasificarse en 3 tipos.

Diodos de uso general: Este tipo de diodo tiene un tiempo de recuperación inversa
relativamente alto, aproximadamente unos 25 microsegundos y se utilizan en aplicaciones en
las que el tiempo de recuperación no es crítico. Estos diodos cumplen con especificaciones de
corriente desde menos 1 hasta varios miles de amperes y con especificaciones de voltaje entre
50V y 5kV. Generalmente fabricados por difusión. Sin embargo, los rectificadores de tipo
aleación usados en fuentes de alimentación para máquinas de soldaduras son muy
economicos y duraderos y sus especificaciones pueden llegar hasta 300 A y 1000V.
Diodos de recuperación rápida. Estos diodos poseen un tiempo de recuperación cercano a los
5 microsegundos. Se utilizan en circuitos convertidores cd-cd y cd-ca. Estos diodos cumplen
con especificaciones de corriente desde -1 hasta varios cientos de amperes y con
especificaciones de voltaje que van desde 50V hasta 3kV.
Para especificaciones de voltaje sobre los 400V, por lo general se fabrican por difusión, y el
tiempo de recuperación es controlado por difusión de oro o platino. Para especificaciones de
voltaje por debajo de los 400V, los diodos epitaxiales ofrecen tiempos de conmutación
mayores que los de difusión. Estos diodos tienen una base más angosta lo que permite
tiempos de recuperación de hasta 50ns.

Diodos Schottky. En este tipo de diodo se puede minimizar el problema de almacenamiento

de carga de una unión pn. Esto se logra creando una barrera de potencial con un contacto
entre un metal y un semiconductor. Sobre una capa epitaxial de silicio tipo n se coloca una
capa de metal. La barrera de potencial simula el comportamiento de una unión pn. El efecto
de recuperación se debe a la autocapacitancial de la unión semiconductora. La carga
recuperada en este tipo de diodo es menos a la de uno equivalente de unión pn. Dado a que se
debe solo a la capacitancia de la unión, básicamente es independiente de la di / dt inversa y su
salida de voltaje es relativamente baja.
La corriente de fuga de este tipo de diodo es mayor que la de un diodo de unión pn. Un diodo
Schottky con un voltaje de conducción relativamente bajo tiene una corriente de fuga
relativamente alta y viceversa. Por ende su voltaje máximo permisible está limitado a 100V.
Sus especificaciones de corriente varían entre 1 a 300A. Por último, estos diodos son ideales
para fuentes de alimentación de alta corriente y bajo voltaje en corriente directa. Sin embargo
también se utilizan en fuentes de baja corriente para una mayor eficiencia.

18) Uso de diodos en serie y en paralelo

Diodo en serie:
En muchas aplicaciones de alto voltaje (es decir, líneas de transmisión de HVDC), un iodo
comercialmente disponible no puede dar la especificación de voltaje requerida, por lo que los
diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso.
Consideremos dos diodos conectados en serie, tal y como se muestra en la figura 2-8a. En la
práctica, las características, v-i para el mismo tipo de diodo difieren debido a tolerancias en
su proceso de producción. En condición de polarización directa, ambos diodos conducen la
misma cantidad de corriente, y la caída de voltaje directa de cada diodo debería ser
prácticamente la misma. Sin embargo, en la condición de bloqueo inverso, cada diodo tiene
que llevar la misma corriente de fuga y, como resultado, los voltajes de bloqueo variarán en
forma significativa.
Una solución sencilla a este problema, es obligar a que se comparta el mismo voltaje
conectando una resistencia a través de cada diodo. Debido a esta distribución de voltajes
iguales, la corriente de fuga de cada diodo sería diferente. En vista de que la corriente de fuga
total debe ser compartida por un diodo y su resistencia,

(2-18)
Pero IR1 = VD1/R1 e IR2 = VD2/R2. La ecuación 2-18 proporciona la relación entre R1 y
R2 para una ddistribución de voltaje igual, en la forma

Si las resistencias son iguales, R = R1 = R2 y los dos voltajes del diodo serían ligeramente
distintos, dependiendo de las similitudes entre las dos características v-i.

Los valores de VD1 y VD2 se pueden determinar de las ecuaciones (2-20) y (2-21):
La distribución del voltaje bajo condiciones transitorias (es decir, debido a cargas en
conmutación, aplicaciones iniciales de un voltaje de entrada) se lleva a cabo conectando
capacitores a través de cada diodo, lo que se muestra en la figura 2-10, R1 limita la velocidad
de elevación del volaje.

Diodos en paralelo:
En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la
capacidad de conducción de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente
deseadas. La distribución de corriente de los diodos estaría de acuerdo con sus respectivas
caídas de voltaje directas. Se puede obtener una distribución uniforme de corriente
proporcionando inductancias iguales por ejemplo en las terminales), o conectando
resistencias de distribución de corriente (cosa que puede no ser práctica debido a pérdidas de
energía). Es posible minimizar este problema seleccionando diodos con caídas de voltajes
directas iguales o diodos del mismo tipo. Dado que los diodos están conectados en paralelo,
los voltajes de bloqueo inverso de cada diodo serían los mismos. Las resistencias de la figura
2-11a ayudarán a la repartición de corriente en condiciones de régimen permanente. La
repartición de la corriente bajo condiciones dinámicas se puede llevar a cabo mediante la
conexión de inductores acoplados, tal y como se muestra en la figura 2-11b

Si se eleva la corriente a través de D1, el L di/dt de L1 aumenta y se induce un voltaje

correspondiente de polaridad opuesta a través del inductor L2. El resultado es una trayectoria
de baja impedancia a través del diodo D2 y la corriente se transfiere a D2. Los inductores
generarían picos de voltaje y podrían resultar costosos y voluminosos, especialmente en
corrientes altas.

19) Uso de diodo Zener

El análisis de redes que emplea diodos Zener es muy parecido al análisis de diodos
semiconductores en secciones anteriores. En primer lugar se debe determinar el estado del
diodo y luego se sustituye el modelo apropiado y se determinan las demás cantidades
desconocidas de la red. La figura 2.102 repasa los circuitos equivalentes aproximados en cada
región de un diodo Zener suponiendo aproximaciones de línea recta en cada punto de ruptura.
Observe que se incluye la región de polarización directa porque de vez en cuando una
aplicación también pasará por alto esta región.

Los dos primeros ejemplos demuestran cómo se puede utilizar un diodo Zener para establecer
niveles de voltaje de referencia y actuar como un dispositivo de protección. Entonces, el uso
de un diodo Zener como regulador se describirá en detalle porque es una de sus principales
áreas de aplicación. Un regulador es una combinación de elementos diseñados para garantizar
que el voltaje de salida de una fuente permanezca más o menos constante.

20) MOSFET de potencia tipos enrarecimiento y enriquecimiento. Tiempos de

conmutación, capacidades eléctricas y térmicas.
Un MOSFET de potencia es un dispositivo controlado por voltaje, que requiere sólo de una
pequeña corriente de entrada. La velocidad de conmutación es muy alta siendo los tiempos de
conmutación del orden de los nanosegundos. Los MOSFET de potencia están encontrando
cada vez más aplicaciones en los convertidores de alta frecuencia y baja potencia. Los
MOSFET no tienen los problemas de los fenómenos de ruptura secundaria que tienen los
BJT. Sin embargo, los MOSFET tienen problemas de descargas electrostáticas, por lo que su
manejo requiere de cuidados especiales. Además, es relativamente difícil protegerlos bajo
condiciones de falla por corto circuito.
Los MOSFET son de dos tipos: (1) los MOSFET de agotamiento y (2) los MOSFET de
enriquecimiento. Un MOSFET tipo agotamiento de canal n se forma en un substrato de
silicio de tipo p. tal y como se muestra en la figura 8-19a, con dos silicios n+ fuertemente
dopados para tener conexiones de baja resistencia. La compuerta está aislada del canal
mediante una delgada capa de óxido. Las tres terminales se conocen como compuerta,
drenaje y fuente. Normalmente, el substrato se conecta a la fuente. El voltaje de compuerta a
fuente, VGS, puede ser positivo o negativo. Si Ves es negativo, algunos de los electrones del
área del canal n serán repelidos y se creará una región de agotamiento por debajo de la capa
de óxido, que resultará en un canal efectivo más angosto y en una alta resistencia de drenaje a
fuente, RDS. Si VGS se hace suficientemente negativo, el canal se agotará totalmente,
ofreciendo un alto valor Ros, y no habrá flujo de corriente de drenaje a fuente, IDS = 0.
Cuando esto ocurre, el valor de Ves se conoce como voltaje de estrechamiento, VP. Por otra
parte, VGS se hace positivo, el canal se ensancha, e los aumenta debido a la reducción en
Ros. Con un MOSFET tipo agotamiento de canal p, se invierten las polaridades de VDS, IDS
y VGS.
Un MOSFET tipo enriquecimiento de canal n, no tiene un canal físico, tal y como se puede
observar en la figura 8-20. Si Ves es positivo, un voltaje inducido atraerá los electrones del
substrato p. y los acumulará en la superficie por debajo de la capa de óxido. Si VGS es mayor
que o igual a un valor conocido como voltaje de umbral, VT, se acumulará un número
suficiente de electrones para formar un canal virtual n y la corriente fluirá del drenaje a la
fuente. Si se trata de un MOSFET tipo enriquecimiento de canal p, las polaridades de VDS,
lDS y VGS se invierten.

CARACTERÍSTICAS EN RÉGIMEN PERMANENTE

Los MOSFET son dispositivos controlados por voltaje por lo que tienen una impedancia de
entrada muy alta. La compuerta utiliza una corriente de fuga muy pequeña, del orden de los
nano amperes. La ganancia de corriente, que es la relación entre la corriente de drenaje, ID, y
la corriente de entrada de la compuerta, le, es típicamente del orden de 109• Sin embargo, la
ganancia de corriente no es un parámetro de importancia. La transconductancia, que es la
relación de la corriente de drenaje al voltaje de la compuerta, define las características de
transferencia, siendo un parámetro muy importante.

Las características de transferencia de los MOSFET de canal n y de canal p aparecen en la

figura 8-22. En la figura 8-23 se muestran las características de salida de un MOSFET tipo
enriquecimiento de canal n, Existen tres regiones de operación: (1) región de corte, donde
VGS ≤ VT; (2) región de estrechamiento o de saturación, donde VDS ≤ VGS - VT; y (3)
región lineal, donde VDS = VGS - VT. El estrechamiento ocurre en VDS = VGS - VT. En la
región lineal, la corriente de drenaje ID varía en proporción al voltaje drenaje-fuente, VDS.
Debido a la alta corriente de drenaje y al bajo voltaje de drenaje, los MOSFET de potencia se
operan en la región lineal para acciones de conmutación. En la región de saturación, la
corriente de drenaje se conserva prácticamente constante para cualquier incremento en el
valor de VDS. y los transistores se utilizan en esta región para la amplificación de voltaje.
Debe hacerse notar que la saturación tiene el significado opuesto que en el caso de los
transistores bipolares.

El modelo en régimen permanente, que es el mismo tanto para el MOSFET de agotamiento

como para el tipo enriquecimiento, aparece en la figura 8-24. La transconductancia, gm, se
define como.

La resistencia de salida, ro = RDS, que se define como

Es normalmente muy alta en la región de estrechamiento, típicamente del orden de los

megaohms y muy pequeña en la región lineal, típicamente del orden de los miliohms.
Para los MOSFET tipo agotamiento, el voltaje de compuerta (o de entrada) puede ser positivo
o negativo. Pero los MOSFET tipo enriquecimiento sólo responden a voltajes positivos de
compuerta. Los MOSFET de potencia son generalmente del tipo enriquecimiento. Sin
embargo, los MOSFET tipo agotamiento podrían ser ventajosos y simplificar el diseño lógico
en algunas aplicaciones que requieren de algún tipo de interruptor de ca o cd compatible con
la lógica, y que se mantenga activo cuando el suministro lógico caiga y VGS se haga cero.
Las características de los MOSFET tipo agotamiento no se analizarán con mayor detalle.

CARACTERÍSTICAS DE CONMUTACIÓN
Sin señal de compuerta, un MOSFET tipo enriquecimiento puede considerarse como dos
diodos conectados espalda con espalda o como un transistor NPN. La estructura de la
compuerta tiene capacitancias parásitas con la fuente, Cgs, y con el drenaje Cgd. El transistor
NPN tiene una unión de polarización inversa del drenaje a la fuente y ofrece una capacitancia
Cds. La figura 8-25a muestra el circuito equivalente del transistor bipolar parásito, en
paralelo con un MOSFET. La región base-emisor de un transistor NPN se pone en corto
circuito en el chip, metalizando la terminal de la fuente y la resistencia de la base al emisor,
debido a que la resistencia del material de las regiones n y p, Rbe, es pequeña. Por lo tanto,
un MOSFET se puede considerar como si tuviera un diodo interno (el circuito equivalente
aparece en la figura 8-25b). Las capacitancias parásitas dependen de sus voltajes respectivos.
El modelo de conmutación de los MOSFET aparece en la figura 8-26. En la figura 8-27 se
muestran las formas de onda y los períodos de tiempo de conmutación típicos. El retraso de la
activación td (on) es el tiempo requerido para cargar la resistencia de entrada al nivel de
entrada del umbral. El tiempo de elevación t, es el tiempo de carga de la compuerta desde el
nivel de umbral hasta el voltaje completo de la compuerta VGSP, mismo que se requiere para
excitar el transistor a la región lineal. El tiempo de retraso en la desactivación td (off) es el
tiempo requerido para que la capacitancia de entrada se descargue desde el voltaje en sobre-
excitación de la compuerta V1 hasta la región de estrechamiento. VGS debe reducirse en
forma significativa antes de que VDS empiece a elevarse. El tiempo de abatimiento tres el
tiempo que se requiere para que se descargue la capacitancia de entrada desde la región de
estrechamiento hasta el voltaje del umbral. Si VGS ≤ VT, el transistor se desactiva.

EXCITACIÓN DE COMPUERTA
El tiempo de activación de un MOSFET depende del tiempo de carga de la capacitancia de
entrada o de compuerta. El tiempo de activación se puede reducir conectando un circuito RC,
tal y como se muestra en la figura 8-28, para cargar más aprisa la capacitancia de compuerta.
Cuando se conecta el voltaje de compuerta, la corriente de carga inicial de la capacitancia es

Y el valor en régimen permanente del voltaje de compuerta es

Donde RS es la resistencia interna de la fuente de excitación de la compuerta.

A fin de obtener velocidades de conmutación del orden de 100ns o menos, el circuito de

excitación de compuerta debe tener una baja impedancia de salida y la capacidad de manejar
corrientes relativamente grandes. En la figura 8-29 se muestra una disposición en forma de
poste-tótem, capaz de proveer o absorber una corriente grande. Los transistores PNP y NPN
actúan como seguidores del emisor y ofrecen una impedancia baja de salida. Estos
transistores operan en la región lineal más que en el modo de saturación, minimizando en
consecuencia el tiempo de retraso. La señal de compuerta para el MOSFET de potencia
puede generarse por un amplificador operacional. La retroalimentación vía el capacitor C
regula la velocidad de elevación y de abatimiento del voltaje de compuerta, controlando así la
velocidad y el abatimiento de la corriente de drenaje del MOSFET. Un diodo a través del
capacitor C permite que el voltaje de compuerta cambie rápidamente en una sola dirección.
Existen en el mercado varios circuitos excitadores integrados, diseñados para manejar
transistores, y que son capaces de proveer o absorber corrientes grandes para la mayor parte
de los convertidores.

21) Funcionamiento, circuito equivalente y aplicación del IGBT

Funcionamiento
Cuando se le es aplicado un voltaje VGE a la puerta, el IGBT enciende inmediatamente, la
corriente de colector IC es conducida y el voltaje VCE se va desde el valor de bloqueo hasta
cero. La corriente IC persiste para el tiempo de encendido en que la señal en la puerta es
aplicada. Para encender el IGBT, el terminal C debe ser polarizado positivamente con
respecto a la terminal E. La señal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado a la
puerta G.
Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15 volts, puede causar
que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, después de lo cual la corriente de colector ID es
igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo
se mantiene así por una señal de voltaje en el G. Sin embargo, en virtud del control de voltaje
la disipación de potencia en la puerta es muy baja.
El IGBT se apaga simplemente removiendo la señal de voltaje VG de la terminal G. La
transición del estado de conducción al estado de bloqueo puede tomar apenas 2
microsegundos, por lo que la frecuencia de conmutación puede estar en el rango de los 50
kHz.
EL IGBT requiere un valor límite VGE (TH) para el estado de cambio de encendido a
apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VCE cae a un
valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el G
debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente IC se autolimita.
Aplicaciones
El IGBT es un dispositivo electrónico que generalmente se aplica a circuitos de potencia.
Este es un dispositivo para la conmutación en sistemas de alta tensión. Se usan en los
Variadores de frecuencia así como en las aplicaciones en maquinas eléctricas y convertidores
de potencia que nos acompañan cada día y por todas partes, sin que seamos particularmente
conscientes de eso: automóvil , aviones, electrodomésticos , televisión, domestica, Sistemas
de Alimentación Ininterrumpida o SAI .
22) Polarización de un BJT de potencia con uso del ODF o factor de sobreexcitación.
Determinación de su potencia disipada y calculó de su disipador de calor.
El factor de sobreexcitación de los BJT es la relación entre IB e IBS (corriente base en la
región de saturación).

Ejemplo:

23) Disipación de potencia durante la conmutación de un BJT. Carga resistiva.

La gráfica superior muestra las señales idealizadas de los tiempos de conmutación (ton y toff)
para el caso de una carga resistiva.
Supongamos el momento origen en el comienzo del tiempo de subida (tr) de la corriente de
colector. En estas condiciones (0 t tr) tendremos :

donde IC más vale :

También tenemos que la tensión colector - emisor viene dada como :

Sustituyendo, tendremos que :

Nosotros asumiremos que la VCE en saturación es despreciable en comparación con Vcc.

Así, la potencia instantánea por el transistor durante este intervalo viene dada por :

La energía, Wr, disipada en el transistor durante el tiempo de subida está dada por la integral
de la potencia durante el intervalo del tiempo de caída, con el resultado:

De forma similar, la energía (Wf) disipada en el transistor durante el tiempo de caída, viene
dado como:

La potencia media resultante dependerá de la frecuencia con que se efectúe la conmutación:

Un último paso es considerar tr despreciable frente a tf, con lo que no cometeremos un error
apreciable si finalmente dejamos la potencia media, tras sustituir, como:

24) Disipación de potencia durante conmutación MOSFET. Carga resistiva.

25) Rectificador de media onda con carga resistiva.

Carga resistiva
La Figura 3.13b muestra las formas de onda de la tensión para un rectificador controlado de
media onda con carga resistiva. Se aplica una señal de puerta al SCR en ωt= α, donde α es el
ángulo de disparo. En la Figura 3.13a, la tensión (continua) media en la resistencia de carga
es
 3.52
La potencia absorbida por la resistencia es V2rms/R, donde la tensión eficaz en la resistencia se
calcula mediante

Ejemplo 3.10. Rectificador controlado de media onda con carga resistiva

Diseñe un circuito que genere una tensión media de 40 V en una resistencia de carga de 100Ω
a partir de un generador de alterna de 120 Vrms a 60 Hz. Determine la potencia absorbida por
la resistencia y el factor de potencia.
Solución. Si se utiliza un rectificador no controlado de media onda, la tensión media sería
Vm/π = 120×(2)½ /π = 54 V. Se pueden encontrar algunas formas de reducir la tensión media
en la resistencia a los 40 V especificados para el diseño. Podría añadirse una inductancia o
una resistencia en serie a un rectificador no controlado o se podría utilizar un rectificador
controlado. El rectificador controlado de la Figura 3.13a tiene la ventaja de que no altera la
carga ni introduce pérdidas, de modo que optamos por él para esta aplicación.
Reordenamos la Ecuación 3.52 para determinar el ángulo de disparo:

26) RECTIFICADOR DE MEDIA ONDA CON CARGA RESISTIVA INDUCTIVA

La Figura 3.14a muestra un rectificador controlado de media onda. El análisis de este circuito
es similar al del rectificador no controlado. La corriente es la suma de las respuestas natural y
forzada y se aplica:
La constante A se determina a partir de la condición inicial i(x) = 0:

Sustituyendo A y simplificando:

El ángulo de extinción β se define como el ángulo para el que el valor de la corriente se hace
cero, como ocurre en el caso de un rectificador no controlado. Cuando ωt = β:

Que debe resolverse numéricamente para obtener β. El ángulo β - α se conoce como ángulo
de conducción, y. La Figura 3.14b muestra las formas de onda de la tensión. La corriente
(continua) media de salida es:

La corriente media se calcula a partir de:

Donde i(ωt) se define en la Ecuación 3.55. La potencia absorbida por la carga es lrms2 R,
donde la corriente eficaz se calcula mediante:

Ejemplo. Rectificador controlado de media onda con carga R-L Para el circuito de la Figura
3.14a, el generador es de 120 Vrms a 60 Hz, R = 20 Q, L = 0,04 H y el ángulo de disparo es
45°. Determine: (a) una expresión para i(ωt), (b) la corriente media, (c) la potencia absorbida
por la carga y (d) el factor de potencia.
Resultado. (a) A partir de los parámetros dados:

Sustituyendo las magnitudes anteriores en la Ecuación 3.55, la corriente se expresa como:

La ecuación anterior es válida de α a β, donde β se calcula numéricamente igualando la

ecuación a cero y resolviendo para ωt, dando como resultado β = 3,79 rad (217°). El ángulo
de conducción es y = β - a = 3,79 - 0,785 = 3,01 rad = 172°.
(b) La corriente media se determina a partir de la Ecuación 3.58:

(c) La potencia absorbida por la carga se calcula mediante Irms2R, donde

Obteniéndose

(d) El factor de potencia es

27) Rectificador de media onda con carga resistiva- inductiva y diodo de ML

Digamos que este tipo de rectificación es el caso real, frente al caso ideal que sería con una
carga resistiva pura. Esto es así ya que las cargas industriales suelen contener una cierta
inductancia , además de la resistencia propiamente dicha.
A continuación, procedemos a la explicación teórica de este tipo de rectificación.
La ecuación de la ley de Kirchhoff para tensiones que describe la corriente en el circuito
para el diodo ideal, polarizado en directa sería:

Como podemos ver, la tensión del generador es igual a la tensión que cae en la resistencia
más la tensión que cae en la bobina.
La solución puede obtenerse expresando la corriente como la suma de la respuesta forzada y
natural.

La respuesta forzada será la corriente que hay después de que que la respuesta natural se
convierta en nula. En este caso será la corriente sinusoidal de régimen permanente que habría
en el circuito si consideraríamos el diodo como cortocircuito, esto es:

28) Rectificadores de onda completa con carga resistiva

La tensión en una carga resistiva para el rectificador en puente de la figura se expresa de la
siguiente manera:

La componente continua de la tensión de la salida es el valor medio, y la corriente de carga es

la tensión en la resistencia dividida por la resistencia:
La potencia absorbida por la resistencia de carga viene determinada por Irms^2R, donde Irms
para la forma de onda de la corriente con rectificación de onda completa es la misma que para
una onda sinusoidal sin rectificar:
La corriente del generador para el rectificador de onda completa con una carga resistiva

es una sinusoide en fase con la tensión, por lo que el factor de potencia es igual a 1.

Ejemplo con potencia:

Dado un puente rectificador monofasico de onda completa, con carga resistiva, calcular la
potencia eficaz en la carga:
Datos: R=20ohms; Vs=240V; f=50Hz

Ejemplo con series de Fourier:

El voltaje de salida del rectificador del rectificador puede ser representado or una serie de
Fourier de la siguiente forma:

Donde

Sustituyendo los valores de an y bn la expresión del voltaje de salida es

29) Rectificador de onda completa con carga resistiva-inductiva (RL). Calculo de

potencia y análisis mediante la serie de fourier.

Se tiene un circuito rectificador de onda completa con un transformador con derivación

central. Cada mitad del transformador con su diodo correspondiente actúa como rectificador
de media onda y entregan una salida de rectificador de onda completa . Como no fluye
corriente de cd por el transformador, no hay problema de saturación de su núcleo. El voltaje
promedio de salida es de:

En lugar de usar un transformador con derivación central se pueden usar 4 diodos

Durante el semiciclo positivo del voltaje de entrada se suministra la corriente a la carga a
través de los diodos D1 y D2. Durante el semiciclo negativo los diodos D3 y D4 son los que
conducen.
Mediante el método de series de fourier podemos determinar el voltaje de salida:

en donde
Sustituyendo los valore an y bn’, la expresión para el voltaje de salida es:

El circuito rectificador utiliza una generador de corriente alterna con V=100V a 60Hz y una
carga RL en serie siendo R=10 ohms y L= 10mH. Determine a) La corriente media en la
carga, b) La variación pico pico de la corriente de carga en función del primer término de
corriente continúa de la serie de fourier, c) La potencia absorbida por la carga y el factor de
potencia del circuito.
a)La corriente media de la carga viene determinada por el término de corriente continua de la
serie de fourier. La tensión media de salida es:

y la corriente media de la carga es:

b) Las amplitudes de los términos para los términos de la tensión alterna se obtienen de la
ecuación para n= 2 y 4.

Las amplitudes de los dos primeros términos de alterna para la serie de fourier para la
corriente se obtienen se obtienen a partir de la ecuación:
La corriente I2 es mucho mayor que I4 y que los armónicos de orden mayor, por lo que la
utilizaremos para determinar la variación pico pico de la corriente de carga:

c)La potencia absorbida por la carga viene determinada por I^2rms. La corriente eficaz se
calcula a partir de la ecuación de la siguiente manera:

No sería útil agregar más términos a la carga ya que son pequeños y apenas afectan al
resultado. La potencia de la carga es:

La corriente eficaz del generador es la misma que la corriente eficaz de la carga. El factor de
potencia sería:

30) Rectificador de media onda con carga resistiva y filtro a capacitor con el cálculo de
la corriente máxima del diodo. Especificaciones del semiconductor.

31) cargador de baterías (Carga RL-generador)

Se puede modelar otra carga típica de un entorno industrial mediante una resistencia, una
bobina y un generador de tensión continua conectados en serie, como se muestra en la Figura
4.5a.
Algunas posibles aplicaciones de este modelo son el circuito de un motor de continua y un
cargador de baterías. Este circuito presenta dos modos posibles de operación: el modo de
conducción continua y el modo de conducción discontinua. En el modo de corriente
permanente, la corriente de carga siempre es positiva cuando se opera en estado estacionario
(Figura 4.5b).
La corriente de carga discontinua se caracteriza porque la corriente se hace nula en cada
periodo (Figura 4.5c).
En el modo de conducción continua, un par de diodos siempre conducen y la tensión en la
carga es una onda sinusoidal con rectificación de
onda completa. La única modificación necesaria
en el análisis para una carga R-L es el término de
continua de la serie de Fourier. La componente
(media) continua de corriente en este circuito es

(4.7)

El generador de continua no modifica los

términos sinusoidales del análisis de Fourier si la
corriente es continua. El modo de operación en
corriente discontinua se analiza como en el rectificador de media onda de la Sección 3.5. La
tensión de carga no es una onda sinusoidal con rectificación de onda completa en este caso,
por lo que no se puede aplicar la serie de Fourier dada por la Ecuación 4.4.
Ejemplo 4.3. Rectificador de onda completa con carga RL-generador: corriente permanente
El circuito rectificador de onda completa en puente de la Figura 4.5a presenta una tensión
eficaz de 120 V a 60 Hz, R = 2 Q, L = 10 mH y Vcc = 80 V. Determine la potencia absorbida
por el generador de tensión continua y la potencia absorbida por la resistencia de carga.
Solución. En el modo de conducción continua, la tensión en la carga es una onda sinusoidal
con rectificación de onda completa cuya serie de Fourier viene dada por la Ecuación 4.4. La
Ecuación 4.7 se emplea para calcular la corriente media, que se utiliza para calcular la
potencia absorbida por el generador de continua
32) CARGA RL-GENERADOR
Se puede modelar otra carga típica de un entorno industrial mediante una resistencia, una
bobina y un generador de tensión continua conectados en serie, como se muestra en la Figura
4.5a. Algunas posibles aplicaciones de este modelo son el circuito de un motor de continua y
un cargador de baterías. Este circuito presenta dos modos posibles de operación: el modo de
conducción continua y el modo de conducción discontinua. En el modo de corriente
permanente, la corriente de carga siempre es positiva cuando se opera en estado estacionario
(Figura 4.5b). La corriente de carga discontinua se caracteriza porque la corriente se hace
nula en cada periodo (Figura 4.5c).

En el modo de conducción continua, un par de diodos siempre conducen y la tensión en la

carga es una onda sinusoidal con rectificación de onda completa. La única modificación
necesaria en el análisis para una carga R-L es el término de continua de la serie de Fourier.
La componente (media) continua de corriente en este circuito es

El generador de continua no modifica los términos sinusoidales del análisis de Fourier si la

corriente es continua. El modo de operación en corriente discontinua se analiza como en el
rectificador de media onda. La tensión de carga no es una onda sinusoidal con rectificación
de onda completa en este caso, por lo que no se puede aplicar la serie de Fourier dada por

Ejemplo. Rectificador de onda completa con carga RL-generador: corriente permanente El

circuito rectificador de onda completa en puente de la Figura 4.5a presenta una tensión eficaz
de 120 V a 60 Hz, R = 2 Q, L = 10mH y Vcc = 80 V. Determine la potencia absorbida por el
generador de tensión continua y la potencia absorbida por la resistencia de carga.
Resultado. En el modo de conducción continua, la tensión en la carga es una onda sinusoidal
con rectificación de onda completa cuya serie de Fourier viene dada por la Ecuación 4.4. La
Ecuación 4.7 se emplea para calcular la corriente media, que se utiliza para calcular la
potencia absorbida por el generador de continua:

Los primeros términos de la serie de Fourier obtenidos son los siguientes:

La corriente eficaz se calcula a partir de:

La potencia absorbida por la resistencia es:

33) Modelo lineal a tramos del diodo de potencia en polarización directa e inversa
Al igual que el modelo real, el modelo ideal sigue siendo poco práctico, dado su carácter no
lineal. El modelo lineal por tramos se obtiene como una aproximación del modelo ideal del
diodo de unión PN, considerando las siguientes simplificaciones:
● En inversa, la corriente a través de la unión es nula.
● En directa, la caída de tensión en la unión PN (VON) es constante e independiente de
la intensidad que circule por el diodo.
Para calcular el valor de VON se considera un diodo de unión PN de silicio con una I S= 85 fA
a una temperatura ambiente de T=25 ºC. El potencial térmico a esa temperatura es VT=27
mV. Tomando como variable independiente la intensidad I, la ecuación ideal del diodo
queda:
A partir de esta expresión, se puede calcular la caída de tensión en el diodo para las
magnitudes de corriente habituales en los circuitos electrónicos. Por ejemplo, para un
intervalo de corrientes 1 mA < I < 1 A se tienen tensiones 0.6 V <VDIODO< 0.77 V. Como se
puede apreciar, mientras que la corriente ha variado 3 órdenes de magnitud, la tensión apenas
ha experimentado un cambio de 200 mV, por lo que es posible aproximar la caída de tensión
en la unión PN a un valor constante de 0.7 V.
Con estas simplificaciones se consigue evitar las expresiones exponenciales que complican
los cálculos en la resolución del circuito. Sin embargo, se divide el modelo en dos tramos
lineales denominados inversa y directa (o corte y conducción), cada uno de los cuales
obedecen a ecuaciones diferentes: el diodo queda convertido en un componente biestado.
El modelo lineal por tramos queda sintetizado en la siguiente tabla:

34) Rectificador en serie con polarización inversa

Los diodos se conectan en serie para aumentar las capacidades de bloqueo inverso. En el caso
de tener la polarización inversa, significa que el circuito está abierto.

35) Rectificadores en paralelo para compartir la corriente total de polarización directa.

Análisis con el modelo lineal-a-tramos del diodo y cálculo de la potencia total.
Consideraciones generales.
Esta asociación se emplea par conseguir más altas corrientes. Para que se puedan conectar en
paralelo dos rectificadores hace falta que en vacío, suministren la misma tensión rectificada.
Para que se distribuyan de manera homogénea la corriente total entre ellos es preciso que
cada uno de ellos, a plena carga, tengan la misma caída de tensión. Las condiciones para la
conexión en paralelo de dos conjuntos transformador-diodos, presentan analogías con la
conexión en paralelo de transformadores. Sin embargo, la corriente que suministra el
rectificador no se puede invertir.
a).- De una forma general :

Cuando los dos rectificadores conducen :

Si durante un intervalo, ud1 es mayor que la tensión ud2 que puede suministrar el conjunto
R2 en vacío, todos los diodos de este están bloqueados, entonces : Si de
igual forma, ud2 es mayor que ud1 en vacío, sólo conduce el segundo rectificador, teniendo

b).- Si los dos rectificadores conectados en paralelo utilizan el mismo esquema, suministrarán
tensión rectificada del mismo índice de pulsación formadas por cúspides de senoide en fase,
las dos condiciones que deben cumplirse son :
* Para que los dos rectificadores contribuyan por igual, a partir de pequeñas cargas, los
valores medios de las tensiones rectificadas en vacío deben ser iguales ( Ud10 = Ud20 ).
* Para que los dos rectificadores se reparten la corriente total hace falta que las características
de tensión sean idénticas si están trazadas en función de Id1/Id1nom e Id2/Id2nom.
Supongamos por ejemplo que el rectificador R1 suministra una tensión en vacío mayor que
la de R2, de forma que para pequeños valores de Id sólo conduce el primer rectificador.
Cuando Id aumenta, y la reducción de ud1 son suficientes para hacer que la tensión a la salida
sea igual a Ud2 en vacío, empieza la conducción de R2, tal como se muestra en la siguiente
figura:

En aplicaciones de alta potencia, los diodos se conectan en paralelo para aumentar la

capacidad de conducción de corriente, a fin de llenar las especificaciones de corriente
deseadas. La distribución de corriente de los diodos estará de acuerdo con sus respectivas
caídas de voltaje directas. Se puede obtener una distribución de corriente uniforme
proporcionando inductancias iguales o conectando resistencias de distribución de corriente.
Dado que los diodos están conectados en paralelo, los voltajes de bloqueo inverso de cada
diodo serían los mismos.
Las resistencias ayudarán a la repartición de corriente en condiciones de régimen permanente.
La repartición de la corriente bajo condiciones dinámicas se puede llevar a cabo mediante la
conexión de inductores acoplados, si se eleva la corriente a través de D1, la corriente en L1
aumenta y se induce un voltaje correspondiente de polaridad opuesta a través de L2. El
resultado es una trayectoria de baja impedancia a través de D2 y la corriente se transfiere a
D2. los inductores generarían picos de voltaje y podrían resultar costosos y voluminosos,
especialmente en corrientes altas.