IKI20210

Pengantar Organisasi Komputer

Kuliah no. 6b: Memori

Bobby Nazief (nazief@cs.ui.ac.id)

Johny Moningka (moningka@cs.ui.ac.id)

Agenda
° Review teknologi memori
° Static RAM (SRAM)
° Dynamic RAM (DRAM)
° Struktur Memori Besar

° Referensi: Ch. 5 (Computer Organization,

Harmarcher)

1
 Review: 5 Komponen Komputer

Computer Keyboard,
Processor Mouse
Memory Devices
(active) (passive)
Control Input
(“brain”)
(where Disk
programs, (permanent
data
Datapath storages)
live when Output
(“brawn”) running)

Display,
Printer

Istilah/Jenis Semikonduktor Memori

RAM -- Random Access Memory time taken to access any arbitrary location
in memory is constant

SRAM -- Static RAM A RAM chip design technology (see later)

DRAM -- Dynamic RAM A RAM chip design technology (see later)

ROM -- Read Only Memory R O M s are R A M s with data built-i n w h e n t h e

chip is created. Usually stores BIOS info.
Older uses included storage of bootstrap info

PROM -- Programmable ROM A ROM which can be programmed

EPROM -- Erasable PROM A PROM which can be programmed, erased

by exposure to UV radiation

E E R O M – Electrical E P R O M A PROM programmed & erased electrically

2
 Istilah …??

Tambahan istilah:

SIMM Single In- Line Memory Module

A packaging technology (single 32-bit data path)
DIMM Dual In - Line Memory Module
A packaging technology (dual 32-bit data paths)
FPM RAM Fast Page- M o d e R A M
An older technology capable of about 60ns cycle time
EDO RAM Extended -data -out RAM
More modern FPM RAM, exploiting address coherency (see
cachelater) capable of about 20ns access speed
SDRAM Synchronous DRAM
Synchronous Dynamic RAM; allows access speeds as
low as about 10ns
PC 100, PC133, PC2100, PC2600 => memory product you can buy

Connection: Memory - Processor

Processor k-bit address bus Memory

Sampai 2k
MAR
addressable
locations
n-bit data bus
Panjang word
MDR
= n bits

Control lines,
R/W, MFC, etc.

3
Konsep Dasar
° Memory: akses per byte
• Transfer dilakukan per-word (cepat, kelipatan
bytes)
• Misalkan: 32-bit komputer => address 32 bit
Kemampuan addressing: 2 ^ 32 = 4 Gbytes
• Jika transfer data per-word: 32 bit (data bus) =>
4 bytes

• Bytes mana yang diakses dari kemungkinan

word tsb?
- Perlu 2 bits untuk menentukan bytes yang
mana dari word
- Sisa bit: 30 bits digunakan untuk address
word

Organisasi Internal Memori

° Bentuk array: terdiri dari sel memori
• Sel berisi 1 bit informasi
• Baris dari sel membentuk untaian satu word
• Contoh: 16 x 8 memori
- memori SRAM mengandung 16 words
- setiap words terdiri dari 8 bit data
- Kapasitas memori: 16 x 8 = 128 bits

• Decoder digunakan untuk memilih baris word

mana yang akan diakses
- Tipikal SRAM, array 1 dimensi => indeks
dari baris pada array tersebut.

4
 Review: Static RAM Cell
6-Transistor SRAM Cell
word Latch => menyimpan state 1 bit
0 1 (row select) Transistor T bertindak sebagai switch
Contoh: state 1
T T
0 1 Latch dapat berubah dengan:
- put bit value pada b dan b’
b’ b - word line pull high (select)

° Write:
1. Drive bit lines sesuai dengan bit (mis. b = 1, b’ = 0)
2. Select row => store nilai b dan b’ menjadi state latch
° Read:
1. Precharge (set) bit lines high
2. Select row
3. Sense amp mendeteksi bit lines mana yang low => state bit

Static RAM (SRAM)

° SRAM dapat menyimpan “state” (isi RAM)
selama terdapat “tegangan” power supply

° Sangat cepat, 10 nano-detik

° Densitas rendah (bits per chip) =>

memerlukan 6 transistor per-sel => mahal

° Pilihan teknologi memori: sangat cepat

dengan kapasitas kecil

10

5
 Contoh: 1-level-decode SRAM (16 x 8)
Word => 8 bit data

b7 b7’ b1 b1’ b0 b0’

W0

A0 W1

A1 Address memory
Address
A2 decoder
decoder cells

A3
W15

16 words sense/write sense/write sense/write R/W’

sense/write sense/write sense/write
amps
amps amps
amps amps
amps
CS

Input/output lines d7 d1 d0

11

Review: Kuliah Lalu

° Random Access Memory (RAM)
• Tempat penyimpanan dimana waktu akses
konstan untuk setiap lokasi memori
• Waktu akses: 5 nsec sampai 100 nsec.
° Static RAM (SRAM)
• Semikonduktor RAM yang dapat menyimpan
data (state 1 dan 0) selama terdapat “power”.
• Sangat cepat (orde 10 nsec), kapasitas kecil,
dan mahal.
• Digunakan: high speed memori (super-
computer) dan cache memori

12

6
 Review: 1-Transistor Memory Cell (DRAM)

Kapasitor menyimpan row select

state 1 (charged) atau 0 (discharge)
Perlu refresh! row high,
T “on”,
° Write: T
1. Drive bit line
C
2. Select row
(T sebagai switch “on” =>
charge atau recharge C) bit
° Read:
1. Select row, T switch “on”, C terhubung dengan bit line.
2. Sense Amp (terhubung dengan bit line): sense sesuai
ambang batas (threshold) tegangan.
Jika di bawah ambang batas, state 0, di atas maka state 1
3. Write: jika 1, maka Sense Amp drive “high” => recharge C
supaya state tetap 1
° Refresh
• Just do a dummy read to every cell.
13

Refreshing the Memory

1 written refreshes
Vcap

V CC

HIGH
threshold
LOW

0V
time

0 stored

Secara periodik refresh memori sel dengan melakukan

operasi read setiap sel (mis. setiap 1 msec)

14

7
 Classical DRAM Organization (square)
bit (data) lines

r
o Each intersection represents
w a 1-T DRAM Cell

d RAM Cell
e Array
c
o
d word (row) select
e
r

row Column Selector &

I/O Circuits Column
address Address

data
° Row and Column
Address together:
• Memilih 1 bit 15

Contoh: 1 K x 1 memory chip

W0
5-bit W1
decoder 32 x 32
W31 Memory cell array

5-bit row address

Sense/write
circuitry
32 x 1 R/W
Output/input multiplexer
CS

5-bit column address

10-bit address
Data Input/Output (1 bit)

16

8
 Dynamic RAM (DRAM)
° Slower than SRAM
• access time ~60 ns
° Nonpersistant
• every row must be accessed every ~1 ms,
(refreshed); karena “leakage” tegangan
kapasitor
° Densitas tinggi: 1 transistor/bit
• Lebih murah dari SRAM
• ~$1/MByte [2002]
° Fragile
• electrical noise, light, radiation
° Pilihan teknologi memori untuk kapasitas
besar dan “low cost”
17

Struktur Memori Besar (1/4)

Misalkan: Chip memori 128 x 8

8 data lines
17 address lines

/CS
Chips select

/WE

/CS /WE Function Data Lines

H X not selected Hi- Z
L H Read data at location on address lines
L L Write write data on data lines to address
on address lines

18

9
 Contoh: Struktur 1 MB (2/4)

1 MB dapat dikonstruksi dengan

organisasi 8 chips memori 128 KB (8 x 128 x 8 = 1 MB)

The address space is This will be chip 0

partitioned into 128K
blocks; This will be chip 1

block 0 has addresses 0 -- 1 2 8 K -1

block 1 has addresses 128K -- 2 5 6 K-1
block 2 has addresses 256K -- 3 8 4 K -1
:
:
:
:
block 7 has addresses 896K -- 1 0 2 4 K -1 This will be chip 7

Berapa banyak bits yang diperlukan untuk alamat pada chips?

memilih chips yang mana?

19

Contoh: Pembagian field address (3/4)

1MB requires 20 bits of address,

Ide: membagi field address menjadi 2 yakni:
bits untuk memilih chips dan address pada field tsb.

Bits 19 - - 17 (3 address bits) Bits 16 - - 0 (17 address bits)

17 bits select the address in each

128KB block (== each chip)

3 address bits select on of the 8

128KB blocks (chips)

20

10
Contoh: Struktur 1MB memory (4/4)

20 Address Lines

17 Address Lines A16 -- A0

Write
3 Address Lines
A19 --A17
3- to- 8
decoder
/WE

Data Lines

21

Ringkasan (.. To remember)

° DRAM lambat tapi murah dan kapasitas
besar (densitas tinggi)
• Pilihan untuk memberikan kapasitas BESAR
pada sistem memori.
° SRAM cepat tapi mahal dan kapasitas kecil
• Pilihan untuk menyediakan sistem memori yang
waktu aksesnya CEPAT.
° Struktur memori besar dapat dibangun dari
kumpulan chips memori kecil:
• Field alamat dibagi: field address dan field
untuk memilih chips/memori yang mana.

• Next topic: Trend teknologi memori

(go to: http//www.tomshardware.com, search
SDRAM guide) 22

11