Eletrônica

Aula 04 - transistor
CIN-UPPE
Transistor

O transistor é um dispositivo semicondutor que tem como função
principal amplificar um sinal elétrico, principalmente pequenos
sinais, tais como:
– Sinal de TV
– Sinal de rádio
– Sinal biológico
– ...............

O primeiro transistor de junção foi inventado em 1951, por
Shockley.
Transistor

O transistor substituiu as válvulas, anteriormente utilizadas

como dispositivos amplificadores de sinais, mas que
apresentavam desvantagens, tais como:
– Alto aquecimento
– Pequena vida útil (alguns milhares de horas)
– Ocupa mais espaço que os transistores

A invenção do transistor permitiu uma revolução na integração

de funções em um único componente, o circuito integrado.
Transistores

Válvula
Primeiro transistor de germânio
John Bardeen and Walter Brattain at
Bell Laboratories.(1947)

Primeiro transistor PDP-8 Primeiro 4004 Primeiro

comercial em silício(1954) Microcomputador Microcomputador
Em transistor(1965) Em CI (1971)
Evolução da
complexidade
dos CIs
Transistor

Tipos
– BJT – Transistor de juncao bipolar
• Bipolar (elétrons e buracos)
– MOS – Metal Óxido Silício
• Unipolar (elétrons)
Transistor de Junção (BJT) - NPN

E
Transistor de Junção (BJT) - PNP

E
Correntes no transistor

IE = IB + IC

Modelo Real Modelo convencional

IC IC
IB IB

IE IE
 Transistor

O que torna o transistor interessante e útil é o fato de que a corrente

de coletor é bem maior que a corrente de base.

Para um transistor típico, 95% a 99% dos portadores da carga do
emissor são emitidos pelo coletor e constituem-nos quase toda a
corrente de coletor.

IC e ligeiramente menor do que IE

α = IC / IE α ≅ 0.95

O ganho de corrente de um transistor é definido como a corrente

do coletor dividida pela corrente da base
β = IC / IB
Transistor - característcas

Transistores de baixa potência têm ganho de corrente da ordem

de 100 a 200.

Transistores de alta potência têm ganho de corrente da ordem
de 20 a 100.
Transistor - Configurações

Emisor comum Coletor comum Base comum

Características EC CC BC
Ganho de potência sim sim sim
Ganho de tensão sim não sim
Ganho de corrente sim sim sim
Resistência de entrada 3.5KΩ 580KΩ 30KΩ
Resistência de saída 200KΩ 3.5KΩ 3.1MΩ
Mudança de fase da tensão sim não não
Transistor – Emissor comum - características
Curva da base
IB = (VBB - VBE )/RB

IE = IB + IC

0.7V

VCE = VC – VE

VCB = VC – VB
 Transistor – Curvas do coletor
Corrente IC constante
(região ativa) VBE =Vγ
Joelho da curva IB > 0
IC/IB = β ≈ constante

Região de saturação
VBE =Vγ
IB > 0
IC/IB < β

Região de corte
VBE < Vγ
IB = 0
IC≈ IE ≈ 0 Tensão de ruptura
Transistor – regiões de operação

Modo de Junção EB Junção BC Aplicações

operação (emissor-base) (emissor-coletor)
Zona ativa Polarização Polarização Amplificadores
direta inversa

Zona de corte Polarização Polarização Interruptores,

inversa inversa Portas Lógicas,
Circuitos TTL,
Zona de Polarização Polarização etc.
saturação direta direta
Transistor – Região de saturação

Região de saturação
– Está região representa a região no qual a corrente do coletor
cresce bastante com o aumento da tensão entre o coletor e
emissor (0 a 1 V)
– Nesta região o diodo coletor base está diretamente polarizado.
– O valor de resistência da carga deve ser pequena bastante para
levar o transistor para a saturação, de forma que quase toda a
tensão da fonte é aplicada na carga.

VBE =Vγ
IB > 0
IC/IB < β
VC=0,2V carga

VB=0,6V

VE=0V
 Transistor – Região de corte

Região de corte
– Nesta região a corrente de base é nula.
– Existe apenas nesta configuração uma pequena corrente de fuga do
coletor.

VBE < Vγ
IB = 0
IC≈ IE ≈ 0
VC=10V

IC≈0mA
VBE<0,7V

VE=0V
 Transistor – Região ativa

Região ativa
– Está região representa a operação normal do transistor. Nesta
região o diodo emissor está polarizado diretamente e o diodo
coletor inversamente polarizado.
– Nesta região, o coletor captura praticamente todos o elétrons que
o emissor está jogando na base.

VBE =Vγ
IB > 0
IC/IB = β ≈ constante
VC
VC> VB
IC
VBE>0,7V

VE=0V
 Transistor – Reta de carga - Polarização

A reta de carga possui todos os pontos de operação do circuito,
considerando as características do transistor.
Ponto de saturação – ponto onde a reta de carga intercepta a região de
saturação das curvas do coletor.
Ponto de corrente Ic máxima do circuito
VCC=IC.RC+VCE

Ponto Q

Ponto de corte – corrente Ic mínima do circuito

Polarização de amplificadores
emissor comum

Transistores BJT
 BJT – Polarização de amplificadores
base comum
Encontrar um ponto adequado
de operação com o mínimo de
Instabilidade possível
Parâmetros de instabilidade
• temperatura
• o ganho de corrente β pode
variar bastante entre transistores

Vout=VCC-IC.RC, onde IC/IB=β

Vout=VCC-β. IB.RC, com IB=(VIN-Vf)/RB =>
Observe que a tensão de saída depende
Vout=VCC-β.(RC /RB)(VIN-Vf) diretamente de β (ganho do transistor).

http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf
 BJT – Polarização de amplificadores
base comum
Tensão de saída em função
da tensão de entrada. Vout
muda linearmente com a
mudança de Vin, desde que os
outros parâmetros são
constantes.

 Neste tipo de configuração a necessidade de mudança de transistores,

por exemplo, o 2N3904, que pode ter ganho entre 130-200, pode
acarretar mudanças significativas na amplificação do sinal.
 Observe que a tensão de saída depende diretamente de β (ganho do
transistor).
 O transistor pode ir da região ativa para a de saturação.
http://www.eng.fsu.edu/~ejaz/EEL3300L/lab8.pdf
 Transistor – Ponto de operação
(região ativa)

RB = 300KΩ

10 V 10 V 3,1

6,9

Considere VBE = 0,7V ; β = 100

IB = (10-0,7)V/300KΩ= 31µA

IC = β. IB => IC = 3,1 mA

VCE = 10-IC.RC => VCE = 10-3,1= 6,9 V

Laboratório Transistor - região ativa

Operação em
Região ativa
 Laboratório No ponto de operação:
IB = 10 µA
IC = 1 mA
VCE = 5 V

IB = 10 µA + 5 µA

15
10
5
IB = 10 µA - 5 µA
2.5 5 7.5

Se um sinal senoidal de
Se IB varia, VBE também varia e conseqüentemente amplitude 10µA é aplicado à
IC e VCE. Assim, com valor central no ponto de base com o transistor neste
operação: ponto de operação:
IC + ∆CE = 1.0 + 1.5 cos(ωt) IB + ∆IB = 10 µA + 5 cos(ωt)
VCE + ∆VCE = 5.0 – 2.5 cos(ωt)
 Polarização – (fonte de tensão comum)
Calcular Vout (VCE) no ponto de operação (Q) no circuito abaixo:

Out
In
?

O ponto de operação do circuito (ponto Q) pode ser

calculado a partir do cálculo de RB, RC, VCC e ganho β.
Observamos que VCE depende de β diretamente.
Exemplo - Laboratório

Calcular no circuito abaixo os valores

de RC, RB, considerando β = 100, VCC
= 15 V, de forma que no ponto de
polarização (Q), IC = 25 mA e VCE =
7.5 V.

Considerando os resultados obtidos

acima, qual será o novo ponto Q
quando β = 200.
 BJT – Polarização de amplificadores
emissor comum (realimentação no emissor)
Calcular VOUT no ponto de operação (Q) no circuito abaixo:

considerando
temos que:
Vf=VBE
IB=(VIN-Vf-IE.RE)/RB

Assim, no ponto Q, Vout é dado por:

Neste modelo de polarização observamos que o valor do parametro β não

Interfere significativamente se considerarmos certas relações entre RB e RE
BJT – Polarização com divisor de tensão
Calcular VOUT no ponto de operação (Q) no circuito abaixo:

Equivalente Thevenin

VIN
VOUT

Encontrar VBB e RBB

 Tensão na base Resistência equivalente

IB

Considerando: IE≈ IC ≈ βIB

VBB VBE

IB deve ser pequena para não afetar a polarização

Polarização com realimentação

Em geral, devemos escolher um valor RB << β RE para termos uma
condição de realimentação efetiva, ou seja, fazer com que a corrente
do coletor, e conseqüentemente VCE, independam (muito) do ganho do
transistor, assim:

≈ => ≈

=> ≈

Observe que VCE independe do ganho

 Polarização com realimentação

Cálculo do valor para VE:

Observe que VBE pode variar (0.6 a 0.8 V) para o silício,
principalmente com o aumento da temperatura.

Assim para que esta oscilação VBE não interfira no circuito de
polarização, devemos fazer com que a tensão no emissor seja
imune a está variação. Assim, se considerarmos a variação de
0.1 V, teríamos:

Se VBE oscila em torno e 0.1 V, VE = IE.RE >> 0.1 V or VE > 10*0.1 = 1V

Polarização
Calcular VOUT no ponto de operação (Q) no circuito abaixo:

I1 = IC+IB , como IC>>IB

I1 ≅ IC

VOUT =VCE
VIN
VBE

Se ou temos:

BE Desde que IC é independente de β o ponto

de operação é estável.

Cálculo de VCE (verificação do ponto de operação)

BE BE
Laboratório

Projetar um circuito estável, com realimentação, com um ponto Q de
IC = 2.5mA e VCE = 7.5V. Considere β entre 50 e 200.

Considere que o ponto Q se localiza no meio da curva da região ativa
e que VCC = 2*VCE

Para:
– na configuração realimentação simples via emissor;
– na configuração realimentação divisor de tensão na base;
– na configuração realimentação coletor-base.

2.5

7.5