Líneas de transmisión.

Tecnologías

TAF 1- 1
 LÍNEA COAXIAL (I)

•Problema electrostático:
⎧ ωε ' ' ω 2πε ' '
b ⎪G= =
ln K b
2πε ' ε ' η b ⎪ ln
C= = ⇒ K = a ⇒ Z0 = η ⋅ K = ln ⇒ ⎨ a
b K 2π 2π a ⎪
ln µ b
a ⎪ L = µK = ln
⎩ 2π a
• El cable coaxial es capaz de soportar modos superiores TE o TM

TAF 1- 2
 LÍNEA COAXIAL (II)

• Es necesario conocer los valores de la función potencial Φ(ρ,φ)

• Ecuaciones a considerar:
ρ ∂ ⎛ dR ⎞ − 1 d 2 P
⎜ρ ⎟=
1 ∂ ⎛ ∂Φ ( ρ , φ ) ⎞ 1 ∂ 2 Φ ( ρ , φ )
⎜ρ ⎟+ R ∂ρ ⎜⎝ dρ ⎟⎠ P dφ 2
=0
ρ ∂ρ ⎜⎝ ∂ρ ⎟⎠ ρ 2 ∂φ 2
d 2P ρ ∂ ⎛ dR ⎞ 2
+ kφ2 P = 0 ⎜ρ ⎟ − kφ = 0
Φ ( ρ , φ ) = R ( ρ ) P (φ ) dφ 2 R ∂ρ ⎜⎝ dρ ⎟⎠

• Soluciones:
∂ ⎛ dR⎞ V lnb ρ
⎜⎜ ρ ⎟⎟ = 0 ⇒Φ(ρ,φ) = 0
∂ρ ⎝ dρ ⎠ lnb a
V0
P (φ ) = Asen ( kφ φ ) + B cos( kφ φ ) e(ρ,φ) = −∇t Φ(ρ,φ) = ρˆ
ρ lnb a
1 I
h(ρ,φ) = zˆ ×e(ρ,φ) = 0 φˆ
ZTEM 2πρ
V0 η ln b a
Z0 = =
I0 2π
TAF 1- 3
 TECNOLOGÍAS PLANAS

• Características:
– Coste económico. Chapa barata y proceso de fabricación sencillo mediante fotograbado.
– Reducido peso que los hace ligeros.
– Dimensiones reducidas
– Permiten la integración de circuitos MIC y MMIC
– Están formados por materiales metálicos y dieléctricos.
• Opciones tecnológicas:
– Línea stripline (triplaca)
– Línea microstrip
– Línea coplanar
– Línea de ranura

TAF 1- 4
 LÍNEA STRIPLINE: INTRODUCCIÓN

• Se puede considerar derivada de la coaxial.

• Proceso de construcción: superposición de
placas
• Recinto doblemente conexo: modos TEM
• También soporta modos TE y TM que
conviene eliminar
– Tornillos entre los planos de masa
– Separación entre planos menor de λ/4
• Análisis:
– Expresiones semi-empíricas
– Ábacos y curvas
– Aproximación electrostática.
• Formulación:

ϖ 1 ϖ Z0 =
L
=
LC
=
1
vp = = β= = ϖ µ 0ε 0ε r = γ 0 ε r
β µε vp C C v pC

TAF 1- 5
 LÍNEA STRIPLINE: FORMULACIÓN

⎧ W
30π b We W ⎪⎪ 0 for > 0.35
Impedancia característica Z0 = = −⎨ b
ε r We + 0.441b b b ⎪ W
⎪⎩( 0.35 − W b ) 2
for < 0.35
b

⎧ 30π
Anchura de la línea W ⎪x for ε r Z 0 < 120 x= − 0.441
=⎨ ε r Z0
b ⎪
⎩
0.85 − 0.6 − x for ε r Z 0 > 120

⎧ 2.7 ⋅ 10 −3 ⋅ Rsε r Z o
Atenuación en los conductores ⎪⎪ A para ε r Z 0 < 120
αc = ⎨ 30 π (b − t ) Np / m
⎪ 0 .16 R s
B para ε r Z 0 > 120
⎪⎩ Z 0b
2W 1 (b + t ) (2b − t )
A =1+ + ⋅ ln
(b − t ) π (b − t ) t
b ⎛ 0.414t 1 4πW ⎞
B =1+ ⋅ ⎜ 0.5 + + ln ⎟
(0.5W + 0.7t ) ⎝ W 2π t ⎠

TAF 1- 6
LÍNEA STRIPLINE: ÁBACOS

TAF 1- 7
 LÍNEA MICROSTRIP: INTRODUCCIÓN

• Proceso de construcción: placa fotograbada

• Recinto NO homogéneo no soporta modos
TEM sino cuasi TEM
• Separación entre planos menor de λ/4
• Aplicaciones:
– Estructuras de transmisión: pocos campos
desbordados, altas permitividades, bajos
espesores.
– Estructuras radiantes: gran campo
desbordado bajas permitividades, espesores
grandes.
• Análisis:
– Expresiones semiempíricas
ϖ 1 c – Ábacos y curvas
vp = = =
β µε εe

ϖ
β= = ϖ µ0ε 0ε e = k0 ε e
vp
TAF 1- 8
 LÍNEA MICROSTRIP (II)

Concepto de permitividad efectiva

1 < εe < εr
εr +1 εr −1 1
εe = +
2 2 1 + 12 d W

Modelo con medio homogéneo de permitividad efectiva εe Impedancia característica

⎧ 60 ⎛ 8d W ⎞
⎪ ln⎜ + ⎟ for W d ≤ 1
⎪ ε r ⎝ W 4d ⎠
Z0 = ⎨
⎪ 120π
for W d ≥ 1
⎪⎩ ε e [W d + 1.393 + 0.667 ln (W d + 1.444 )]
Anchura de línea
⎧ 8e A Z0 ε r + 1 ε r − 1 ⎛ 0.11 ⎞
⎪ for W d < 2 A= + ⎜⎜ 0.23 + ⎟
W ⎪ e2 A − 2 60 2 εr +1⎝ ε r ⎟⎠
=⎨
d ⎪2 ⎡ εr −1 ⎧ 0.61 ⎫⎤ 377π
⎢ B − 1 − ln (2 B − 1) + ⎨ln( B − 1) + 0.39 − ⎬⎥ for W d > 2 B=
⎪⎩ π ⎣ 2ε r ⎩ ε r ⎭⎦ 2Z 0 ε r

k tan δ ε r (ε e − 1) k0 tan δ ε r (ε e − 1) Rs ϖµ0

Atenuación αd = = Np m αc = Np m Rs =
2 ε e (ε r − 1) 2 ε e (ε r − 1) Z 0W 2σ

TAF 1- 9
LÍNEA MICROSTRIP (III)

TAF 1- 10
LÍNEA MICROSTRIP (IV)

TAF 1- 11
 LÍNEA DE RANURA (SLOTLINE)

• Es la línea dual de la microstrip pero con campos magnéticos

• Soporta modos cuasi TEM
• La eficiencia es menor que la microstrip
• Modificando la separación entre placas se consigue variar la impedancia

TAF 1- 12
 LÍNEA COPLANAR

• Es como una línea slotline pero con un conductor central

• El voltaje de la señal es aplicado entre el conductor central y los planos de masa.
• Soporta modos cuasi-TEM pares o impares εr +1
• Constante dieléctrica efectiva: ε e =
2
• Menos dispersión que la microstrip en bajas frecuencias
• Formulación: ⎧ η ⎛ a ⎞
⎪ ln⎜⎜ 2 ⎟
⎟ for 0 < W a ≤ 0.173
⎪ π ε e ⎝ W ⎠
Z0 = ⎨ −1
⎪ πη ⎡ln⎛⎜ 2 1 + W a a ⎞⎤
⎟⎥ for 0.173 < W a < 1
⎪4 ε ⎢ ⎜ 1− ⎟
⎩ e ⎣⎢ ⎝ W a W ⎠⎦⎥

TAF 1- 13
TABLA COMPARATIVA (I)

TAF 1- 14
 TABLA COMPARATIVA (II)

Características Coaxial Guía onda Stripline Microstrip

Modos: Habitual TEM TE10 TEM Cuasi-TEM

Secundario TM,TE TM,TE TM,TE Híbrido TM,TE

Dispersión No Media No Baja

Ancho de Banda Alto Bajo Alto Alto

Pérdidas Medias Bajas Altas Altas

Capacidad de Potencia Media Alta Baja Baja

Tamaño Grande Grande Medio Pequeño

Dificultad de Fabricación Media Media Fácil Fácil

Integración con otros Difícil Difícil Regular Fácil

Elementos

TAF 1- 15
CALCULADOR DE LINEAS DE TRANSMISIÓN

TAF 1- 16
 BIBLIOGRAFÍA

• Wadell, B.C.: "Transmisión Line Design Handbook", Artech House, 1991.

• David M.Pozar: "Microwave Engeneering" Second Edition 1998, John
Wiley&Sons. (capítulo 3)
• Robert E. Collin: "Foundations for microwave engineering" New York McGraw-
Hill, 1992. (capítulo 3)
• Bahl y Bhartia: "Microwave Solid State Circuit Design", Wiley Interscience,
1988. (capítulo 2)
• Harlan Howe: "Stripline Circuit Design"; Microwave Associates Burlington;
Artech House 1974.

TAF 1- 17