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UNIDAD II DEFECTOS

CRISTALINOS
Defectos cristalinos
No existen cristales perfectos (sólo en el cero absoluto).
Muchas de las propiedades más importantes de los
sólidos cristalinos (eléctricas, plásticas) son
determinadas por los defectos.

• Resistencia de metales o aleaciones.


• Imanes de mayor potencia.
• Fotoceldas solares de eficiencia.
• Vidriera, etc.
Clasificación de los defectos
cristalinos
• Vacancia
• Intersticial
PUNTUALES • Sustitucional
• Frenkel
• Schottky

• Dislocación de borde o cuña


LINEALES • Dislocación de tornillo o alabeo

• Bordes de grano
SUPERFICIALES • Bordes de macla o gemelación.
• Apilamiento
Defectos puntuales
Se dan a nivel de las posiciones atómicas. Entre ellos
están:
• Vacancia: puntos de red vacíos en la estructura del
material. Se producen durante la solidificación, a
temperaturas elevadas o como consecuencia de un
daño por radiación.
Estructura ideal

Vacancias
Concentración en el equilibrio:
Defectos puntuales.
• La concentración de vacancias varia con la temperatura!

No. de defectos Energía de activación

 -Q v 
= exp  
Nv
No. de sitios
potenciales de N  kT 
defectos Temperatura
Constante de Boltzmann
(1.38 x 10 -23 J/atom-K)

(8.62 x 10 -5 eV/atom-K)

Cada punto de red


es un sitio potencial
de vacancias
5
Calculo de la energía de activación
 -Q v 
• Se obtiene Qv a partir de un experimento. Nv
= exp  
N  kT 
• Graficando con ln

Nv Nv slope
ln
N N
- Q v /k

función exponencial

T
1/ T
Concentración de defectos N A  No.atomos / celda
N= =
ACu Vcelda
6
Ejercicio:
Calcular el número de vacancias por metro cúbico en el cobre
en equilibrio a 1000°C. La energía de activación para la
formación de vacancias es 0.9 eV/átomo. El peso atómico del
cobre es de 63.5 g/mol y la densidad 8.4 g/cm3.

Determinación de N, es decir el número de sitios atómicos


por metro cubico para el cobre. Se calcula a partir de su peso
atómico ACu, su densidad  y el número de Avogadro NA .
N A  No.atomos / celda
N= =
ACu Vcelda
(6.023*1023 atomos / mol )(8.4 g / cm3 )(106 cm3 / m3 )
N=
63.5g / mol
N = 8.0*1028 atomo / m3
VACANCIAS

El número de vacancias a 1000°C (1273K) es:


 Q 
Nv = N exp  - v 
 kT 
 (0.9eV ) 
Nv = (8.0*1028 atomos / m3 ) exp  - -5 
 (8.62*10 eV / K )(1273K ) 
Nv = 2.2*1025 vacancias / m3
VACANCIAS
Ejercicio:

Determinar el número de átomos por metro cúbico


del plomo.

R = 3.31*1028 atomo / m3
VACANCIAS
Ejercicio:

Calcular la fracción de sitios atómicos que son


vacancias en el cobre a 1357°K. La energía de
activación es 0.9eV/átomo.

R = 4.56*10-4
VACANCIAS
Ejercicio:

Determinación del número de vacancias por metro


cúbico en el oro a 900°K. La energía de activación es
0.98 eV/átomo.

R = 1.93*1023 vacancias / m3
VACANCIAS
Ejercicio:

El litio BCC tiene un parámetro de red de 3.5089*10-


8 cm y contiene una vacancia por cada 200 celdas

unitarias. Calcular el número de vacancias por


centímetro cúbico.

R = 1.573*1020 vac / cm3


VACANCIAS
Ejercicio:

Si a 700°C la concentración de vacancias en el


equilibrio térmico en la plata es de 1.7*1017
vacancias/cm3 , calcular la energía de formación de
vacancias, sabiendo que la plata tiene una estructura
fcc con un parámetro de red de a=0.40853nm.

𝑅 = 1.1𝑒𝑉/á𝑡𝑜𝑚𝑜
VACANCIAS
Ejercicio:

La energía de formación de vacancias para el hierro


 es 1.5eV/átomo. A una temperatura de 1200°K
tendrá una concentración determinada de vacancias.
¿A qué temperatura se deberá llegar para aumentar
esa concentración por un factor de 10?

𝑅 = 1426°𝐾
DEFECTOS PUNTUALES
• Átomos sustitucionales: como su nombre lo dice,
un átomo diferente reemplaza al átomo original
ocupando su punto de red. El número de este
defecto es independiente de la temperatura.
Estructura ideal

Átomo sustitucional
DEFECTOS PUNTUALES
• Átomos intersticiales: son átomos que ocupan
lugares que no están definidos en la estructura
cristalina. Éstos, se colocan en los intersticios que
se forman entre los átomos originales.

Estructura ideal

Átomos intersticiales
DEFECTOS PUNTUALES
• Defecto Frenkel, es una pareja vacante-intersticial
formada cuando un ión salta de un vértice normal a
un sitio intersticial, dejando atrás una vacancia.
DEFECTOS PUNTUALES
• Defecto Schottki, es un par de vacancias dentro de
un material con enlace iónico. Con la finalidad de
mantener la carga neutra en el cristal, tanto el anión
como el catión deben de salir de la red.
DEFECTOS PUNTUALES
𝑄𝑠
𝑁𝑠 = 𝑁𝑒𝑥𝑝 −
2𝑘𝑇
𝑄𝑓
𝑁𝑓 = 𝑁𝑒𝑥𝑝 −
2𝑘𝑇

Calcular el número de defectos Schottky por metro


cubico del cloruro de potasio a 500°C. La energía
requerida para formar cada defecto es 2.6eV, mientras
que la densidad de KCl es de 1.955g/cm3.

𝑅 = 5.31 ∗ 1019 𝑑𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑜𝑠/𝑚3


Vacancia o átomo sustitucional pequeño

Átomos colapsan al defecto Esfuerzo de tracción

Átomo intersticial o sustitucional grande

Presiona átomos circundantes Esfuerzo de compresión

Adición de átomos sustitucionales e intersticiales


Endurecimiento por solución sólida
DEFECTOS LINEALES
TORNILLO O
ALABEO

DISLOCACIONES

BORDE O
ARISTA
Concepto de dislocación
Es un defecto lineal o
unidimensional que causa un
desalineamiento de los
átomos. Es decir, medio plano
de átomos extra entre otros.

Permiten el deslizamiento de
un plano atómico sobre otro.
DISLOCACION
.
BORDE: En un cristal perfecto se encuentra un
semiplano adicional de átomos.
DISLOCACION
Propiedades de la dislocación de
borde
Se visualiza dividiendo parcialmente a un cristal
perfecto, separando el cristal y llenando el corte con
un plano adicional de átomos.
Dislocación de tornillo
Se representa mediante un corte parcial a través de un
cristal perfecto y volviendo a unir el cristal
desviándolo un espacio atómico.
Caracterización de las dislocaciones

• Plano sobre el
Plano de que se
deslizamiento desplaza una
dislocación.

• Marca el
Vector de deslizamiento
Burgers b sufrido por los
átomos.
Vector de Burgers
• Es la magnitud y dirección de la distorsión de la red
asociada o causada por la dislocación, es denotado
como b.

• La naturaleza de una dislocación (borde, tornillo o


mixta) es definida por la orientación relativa de la línea
de dislocación y el vector de Burgers.

• En una dislocación de borde el vector de Burgers es


perpendicular a la línea de dislocación.

• En una de tornillo, el vector de Burgers es paralelo a la


línea de dislocación
Circuito de Burgers

Representa un circuito cerrado alrededor de una


dislocación. El vector b cierra el circuito uniendo el
punto final con el inicial.
Energía de las dislocaciones
• Existe una energía elástica a la distorsión atómica
entorno a la dislocación.

Movimiento de
dislocaciones Las dislocaciones
tratan de minimizar
la energía
Conclusiones:

▪ La energía de cualquier dislocación es


proporcional a b, por lo tanto las dislocaciones
mas estables serán las que tengan menor b.

▪ Dislocaciones deslizan por direcciones de


deslizamiento más compacto. Menor distancia que
recorrer. Necesitan menor esfuerzo para deslizar.
DISLOCACIONES
Las dislocaciones pueden ser observadas en un
microscopio electrónico de transmisión.
DISLOCACIONES

Formación de dislocaciones:

• Durante la solidificación.

• Deformación plástica.

• Esfuerzos térmicos.

• Enfriamientos rápidos.
Fuente de dislocaciones
Multiplicación de dislocaciones por el mecanismo de Frank-Read

Gb
 máx 
L
Otras fuentes de dislocaciones
• Mecanismo de creación: Son necesarias tensiones
del orden del limite elástico teórico para engendrar
dislocaciones. Esto puede producirse cuando hay
concentración de tensiones en un pequeño volumen.

Contracción
Inclusiones
térmica del Tensiones
duras
metal
Otras fuentes de dislocaciones
• Defectos congénitos del cristal. La solidificación se
efectúa por crecimiento de dendritas, entre las ramas
de las cuales existen pequeñas desorientaciones, lo
que da lugar a redes de dislocaciones o a defectos
que quedan incorporados a la red.
Movimientos de las dislocaciones

Al igual que los defectos puntuales, las dislocaciones


se pueden mover. Sus movimientos son mas limitados
debido a que debe formar una línea continua.
Movimientos de las dislocaciones

Movimientos

Deslizamiento Subida

Fuerza de corte Difusión de


Planos
débil en el plano defectos
compactos
de deslizamiento puntuales
Movimiento de deslizamiento

Se produce bajo la acción de una fuerza de corte muy débil aplicada en el


plano de deslizamiento. Los desplazamientos son más fáciles en los
planos compactos {111} en BCC, {0001} en HCP, etc.
Movimiento de subida o escalada

 

En lugar de un esfuerzo de corte, se aplica un esfuerzo normal , es decir


paralelo a b. Bajo este esfuerzo (tensión o compresión) el cristal tiende a
aniquilarse o aplastarse, subiendo o bajando. En los dos casos se llama
movimiento de subida.
Movimientos de subida
• El movimiento de subida es muy distinto al de
desplazamiento.
• Para que el plano extra se reduzca o amplié, es
necesario quitarle o añadirle átomos
respectivamente.
• En este movimiento se crean autointersticiales,
eliminan vacancias y existe migración de estos
defectos hacia la red o hacia la dislocación.
Movimientos de subida
• El movimiento de subida es posible solamente por
difusión de defectos puntuales.
• Es un fenómeno activado térmicamente, que sólo
puede producirse a alta temperatura, a través del
deslizamiento.
Consecuencias de los movimientos
• La deformación en caliente puede efectuarse gracias a
la acción de los dos movimientos.

• Da formación al fenómeno de poligonización que se


presenta en un metal deformado y llevado a altas
temperaturas, las dislocaciones podrán moverse y
formar configuraciones estables a manera de paredes.

• No existe relación entre la densidad de dislocaciones y


la temperatura.

• Dicha densidad depende de las condiciones de


elaboración y de su historia de deformación previa.
IMPORTANCIA DE LAS
DISLOCACIONES
• Explica la deformación plástica de los metales, ya que el
esfuerzo aplicado causa el movimiento de las dislocaciones.

• El deslizamiento proporciona ductilidad a los metales, de lo


contrario éstos serian frágiles y no podrían ser conformados.

• Se tiene control sobre las propiedades mecánicas de un metal


o aleación interfiriendo el movimiento de las dislocaciones
(un obstáculos introducido en el cristal evita que una
dislocación se deslice, a menos que se apliquen esfuerzos
mayores, por lo tanto aumenta su resistencia)
DEFECTOS DE SUPERFICIE
• Son límites de grano que tienen 2 direcciones y
normalmente separan regiones del material que tienen
diferente estructura cristalina u orientación
cristalográfica.
• Superficies externas.
• Limites de grano.
• Limites de macla.
Defectos
• Defectos de
superficiales
apilamiento.
• Limites de fase
LIMITES O BORDES DE GRANO
• Separa dos granos o cristales que tienen diferente
orientación cristalográfica
• Ligero desorden
• Baja densidad
• Difusividad y reactividad química alta
LIMITES O BORDES DE GRANO
Limites de macla (gemelación)
• Es un tipo especial de limite de grano en el cual los
átomos de un lado están localizados en una
posición que es la imagen especular de los átomos
del otro limite o lado. En otras palabras, es un
limite de grano que separa dos regiones con una
simetría tipo espejo.
Defectos y sus propiedades
Soluciones sólidas

UNIDAD III
Soluciones sólidas
Una fase tiene las siguientes características:

o Misma estructura y ordenamiento atómico.

o Misma composición y propiedades.

o Hay una interfase definida entre la fase y cualquier


otra fase circundante.
SOLUCIONES SÓLIDAS
• Solución se compone por un soluto y un solvente, el
soluto es la menor parte de la solución (material
disuelto) y el solvente constituye la mayor parte de
la solución.
• Función de la temperatura.
• Solución: no saturada, saturada y sobresaturada.
SOLUCIONES SÓLIDAS

• Solución en estado sólido y consta de dos clases de


átomos combinados en un tipo de red. El soluto
suele ser más soluble en el estado liquido que en el
estado sólido.
SOLUCIONES SÓLIDAS

Soluciones
sólidas

Sustitucionales Intersticiales
SOLUCIONES SÓLIDAS
INTERSTICIALES: Los átomos de soluto se sitúan en
los intersticios (espacios) que hay entre el cristal
matriz. El átomo del soluto debe tener un diámetro
menor que 0.59 que el átomo del solvente. Los tres
átomos intersticiales más importantes son: carbono,
nitrógeno e hidrógeno.

Átomos de soluto o intersticiales

Átomos solventes
SOLUCIONES SÓLIDAS
SUSTITICIONALES: Los átomos del soluto
sustituyen átomos del solvente en la estructura
reticular del solvente; por ejemplo, los átomos de plata
pueden sustituir átomos de oro sin que se pierda la
estructura FCC del oro.

Átomo sustitucional
Reglas de la solubilidad de Hume-Rothery
❖Factor de la estructura del cristal. La solubilidad
sólida total o completa se logra con elementos que
tengan el mismo tipo de estructura cristalina.
❖Factor de tamaño relativo. Los átomos deben tener
tamaño semejante o con una diferencia de radio
atómico no mayor del 15%.
❖Factor de electronegatividad. La electronegatividad
entre los elementos debe ser similar para que la
solubilidad sea ilimitada.
❖Factor de valencia relativa. Un metal de menor
valencia tiende a disolver más a un metal de mayor
valencia. Es decir, si la valencia del soluto es mayor
que la valencia del solvente aumenta la solubilidad.

Si no se cumplen 1 o mas reglas, sólo habrá


solubilidad parcial.
Ejercicios
• Discutir el grado relativo de solubilidad sólida en
aluminio que los siguientes elementos pueden
presentar: cobre, manganeso, magnesio, cinc y
silicio. Tómese de escala: muy alto 70-100%, alto
30-70%, moderado 10-30%, bajo 1-10% y muy bajo
<1%.
Ejercicios
Utilizando los datos de la tabla de abajo, predecir el
grado relativo de solubilidad sólida de los siguientes
elementos en hierro:
a) Níquel
b) Cromo Elemento Radio atomico (nm) Estructura cristalina Electronegatividad Valencia

c) Molibdeno Hierro 0.124 BCC 1.7 ´+2,+3

Níquel 0.125 FCC 1.8 ´+2


d) Titanio Cromo 0.125 BCC 1.6 ´+2,+3,+6

e) Manganeso Molibdeno 0.136 BCC 1.3 ´+3,+4,+6

Titanio 0.147 HCP 1.3 ´+2,+3,+4

Manganeso 0.112 CS 1.6 ´+2,+3,+6,+7