IPN 
Unidad Profesional Interdisciplinaria en 
Ingeniería y Tecnologías Avanzadas 
 
Práctica IV 
CIRCUITOS DE POLARIZACIÓN Y REGIONES DE OPERACIÓN 
DEL BJT 
 
 
 

Fundamentos de Electrónica 
 

 
Autores: 
Piña Velasco Iván de Jesús 
Zavala Rangel Alejandro 
Grupo:  
1MM8 
Profesor: 
M. en C. Sergio Garduza González 
 
 
 
 
 
Fecha de entrega: 03 de Octubre de 2018 
UPIITA-IPN    
IMM8 

Índice
1. Objetivo 2

2. Palabras clave 2

3. Introducción teórica 2

4. Desarrollo 4
4.1. Experimento 1. Comprobación de estabilidad de circuitos ante variaciones de cd del BJT. 4
4.2. Experimento 2. Estabilidad del circuito de polarización estabilizado en emisor, ante
variaciones de cd del BJT. 6
4.3. Experimento 3. Estabilidad del circuito de polarización por divisor de tensión, ante
variaciones de cd del BJT. 7
4.4. Experimento 4. Regiones de operación del BJT. 8

Conclusiones 9

Referencias 9

 
 

 
 
 
 
 
 

 
Fundamentos de Electrónica 1   CREC 
   
Polarización del BJT 
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1. Objetivo

El alumno caracterizará la estabilidad de los circuitos de polarización ante

variaciones de beta (CD) e identificará las regiones de operación del BJT.

2. Palabras clave

● Transistor bipolar de unión npn.

● Región de operación.
● Punto de operación.
● Polarización del BJT.

3. Introducción teórica

El transistor de unión bipolar es un dispositivo electrónico de estado sólido

consistente en dos uniones PN muy cercanas entre sí, que permite aumentar la
corriente y disminuir el voltaje, además de controlar el paso de la corriente a través
de sus terminales. La denominación de bipolar se debe a que la conducción tiene
lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos
positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran número de
aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos, su impedancia de
entrada bastante baja.

 
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Polarización del BJT 
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Polarización de los Diodos del BJT en cada una de las regiones de

funcionamiento

Región de Corte Región Activa Región de

Saturación

VCB p.inversa p.inversa p.directa

VBE p.directa p.directa p.directa

Existen configuraciones del BJT que nos permitirán que este tenga una mayor estabilidad
ante variaciones de Beta debido a variaciones en la temperatura, algunos ejemplos de
ellos son los siguientes:

Circuito de polarización de base

Se tiene la malla de entrada:

RB · I B + V CE = V BB
Se puede tener I B
V BB −V CE
IB = RB
Como V BB = V CC
V CC −V CE
IB = RB
El valor de I B depende del valor de RB
V BB −V CE
I C = β CC · I B = RB
· β CC
Recta de carga (malla de salida):

RC · I C + V CE = V CC
Se puede tener I C
V CC −V CE
IC = RC
Se puede graficar I C en función de V CE
1 V CC
I C =− RC
· V CE + RC
y = mx + b

 
Fundamentos de Electrónica 3   CREC 
   
Polarización del BJT 
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Los valores iniciales en este caso

1 V CC
V CE = 0 ⇒− RC
·0+ RC
= 15
3
= 5 mA
V CE V
I C = 0 ⇒ 0 =− RC
+ RCC
C

V CE = V CC = 15 V

Ya que el transistor podía trabajar como un amplificador y también como un

conmutador:

Conmutación:
Saturación y corte.

Amplificación:
Activa.

Ya que el valor de I B depende de la RB , por lo tanto podemos controlar la posición

del punto Q variando el valor de la RB .

Analizando la estabilidad del circuito

β CC puede variar, por lo que Q es inestable

 
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Circuito de polarización emisor

Si se quiere amplificar, se necesitan circuitos cuyos puntos Q sean inmunes a los cambios
en la ganancia de corriente, esto es, interesa que el punto Q sea lo más estable posible.
Para este propósito ahora se analizará el ​Circuito de polarización de Emisor​​.

El propósito es amplificar, por esa razón el transistor tiene que trabajar en la zona
activa.
La zona activa es cuando V BE = 0.7 V​. Por lo tanto, según la malla de entrada, la
tensión V C será de 4.3 ​V​. Entonces la intensidad I E por la resistencia RE será
de:
I E = I C = 4.3
2.2
= 1.95 mA
La malla de salida:
RC · I C + V CE = V CC + V E

RC · I C + V CE = V CC + RE · I C
V CC −V CE
IC = RC + RE
Se grafica:

1 V CC
I C =− RC + RE
V CE + RC + RE
0 15
V CE = 0 ⇒ I C = RC + RE
+ 15+ 2.2
= 4.7 mA
−V CE V CC
IC = 0 ⇒ 0 = RC + RE
+ RC + RE
mA

⇒ V CE = V CC = 15 v
IC 1.95
IB = β CC
= 100
= 19.5 ㎂

Si β CC = 150 sólo varía I B

IC 1.95
IB = β CC
= 150
= 13 ㎂
Varía la IB pero lo demás se mantiene y Q no varía, el transistor se autorregula y
hace que varíe IB sin que nada más varíe, por lo tanto: "El punto Q es muy estable"

 
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En el circuito podemos notar la presencia de una resistencia RE , la cual comienza

a generar una independencia del colector con respecto a Beta. Lo cual podemos
observar en la expresión que define a Ic:

Notemos que el término en el denominador ayuda a la independencia de Ic

con respecto a Beta.

En este segundo circuito también existe una independencia de Ic con respecto a

Beta. Ic únicamente dependerá de VB, determinado por RB1 & RB2; lo cual
podemos corroborar con las siguientes expresiones:

 
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Las regiones de corte y saturación del BJT son utilizadas para electrónica digital,
representando el estado lógico alto y bajo, respectivamente; es decir, el transistor
BJT se puede usar en circuitos de control en los cuales es necesario activar o
desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en regiones
de corte y saturación en forma alternada, se dice que el transistor BJT trabajará
como conmutador, como interruptor o como switch.
El uso del BJT en corte y saturación es muy útil, por ejemplo, si se tiene un circuito
mediante el cual se quiere controlar el encendido y el apagado de una bombilla,
pero resulta que el circuito no es capaz de suministrar suficiente corriente para
encender la bombilla, en estos casos se utiliza el BJT en corte y saturación.

4. Desarrollo

4.1. Experimento 1. Comprobación de estabilidad de circuitos ante

variaciones de β cd del BJT.

Arme el circuito y mida las tensiones y corrientes solicitados en la

Tabla.

Parám Mediciones    Cálculos    Variacione

.  s 

 
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  BC547A  TIP41  BC547A  TIP41  𝚫

(​𝛽​ ->​110-220)   (​​𝛽 -> ​15-75)  

β cd 187.78 70.81 200 80 116.97

V CE 8.71 V 7.54 V 10.19 V 6.52 V 1.17

V BE 0.67 V 0.59 V 0.7 V 0.7 V 0.08

V CB 5.38 V 7.06 V 9.49 V 5.82 V 1.68

IB 24.07 μA 110.57 μA 24.09 μA 106 μA 86.5x10^-6

IC 4.52 mA 7.83 mA 4.81mA 8.48 mA 3.31x10^-3

IE 8.45 mA 7.79 mA 4.84mA 8.58 mA 0.66x10^-3

Se utilizó una 𝛽 aproximada a los datos obtenidos experimentalmente. 
 
*NOTA: Para el transistor TIP41 se cambió RB de 220k a 50k, debido a que el
valor de VCE & VCB se aproximaban mucho a VCC

Determine los siguientes factores de estabilidad:

ΔV CE
S (V CE ) = Δβ cd
= 0.01000256476
ΔV BE −4
S (V BE ) = Δβ cd = 6.83936052 * 10
ΔI C −3
S (V C ) = Δβ cd = 0.02829785415 * 10

4.2. Experimento 2. Estabilidad del circuito de polarización

estabilizado en emisor, ante variaciones de β cd del BJT.

Arme el circuito y mida las tensiones y corrientes solicitados en la

Tabla.

 
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Polarización del BJT 
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Parám Mediciones    Cálculos    Variacione

.  s 

  BC547A  TIP41  BC547A  TIP41  𝚫

(​𝛽​ ->​110-220)  (​​𝛽 -> ​15-75) 

β cd 358.90 68.39 340 70 290.51

V CE 5.60 V 10.78 V 4.81 V 10.89 V 5.18

V BE 0.66 V 0.57 V 0.7 V 0.7 V 0.09

V CB 3.7 V 10.12 V 4.11 V 10.19 V 6.42

IB 19.81 μA 41.38 μA 20.36 μA 39.73 μA 21.57x10^-6

IC 7.11 mA 2.83 mA 6.92 mA 2.78 mA 4.28x10^-3

IE 5.56 mA 2.84 mA 6.94 mA 2.82 mA 2.72x10^-3

Se utilizó una 𝛽 aproximada a los datos obtenidos experimentalmente. 
 
Determine los siguientes factores de estabilidad:

ΔV CE
S (V CE ) = Δβ cd
= 0.01783071151
ΔV BE −4
S (V BE ) = Δβ cd = 3.098000069 * 10
ΔI C −3
S (V C ) = Δβ cd = 0.01473271144 * 10

4.3. Experimento 3. Estabilidad del circuito de polarización por

divisor de tensión, ante variaciones de β cd del BJT.

 
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Arme el circuito y mida las tensiones y corrientes solicitados en la

Tabla.

Parám Mediciones    Cálculos    Variacione

.  s 

  TIP41TIP41  BC547ABC5 TIP41  BC547A  𝚫

47A  (​𝛽​ -> ​15-75)  (​𝛽​ ->​110-220) 

β cd 69.69 339.61 70 340 269.92

V CE 3.54 V 2.53V 6.88 V 6.84 1.01

V BE 0.61 V 0.68 V 0.7 V 0.7 V 0.07

V CB 2.91 V 1.81 V 6.18 V 6.14 1.1

IB 162 μA 36.6 μA 57.60 μA 11.99 μA 125.4x10^-6

IC 11.24 mA 12.43 mA 4.03 mA 4.07 mA 1.19x10^-3

IE 11.32 mA 12.17 mA 4.09 mA 4.09 mA 0.85x10^-3

Se utilizó una 𝛽 aproximada a los datos obtenidos experimentalmente. 

Determine los siguientes factores de estabilidad:

ΔV CE
S (V CE ) = Δβ cd
= 3.741849437 * 10−3
ΔV BE −4
S (V BE ) = Δβ cd = 2.593360996 * 10
ΔI C −6
S (V C ) = Δβ cd = 4.408713693 * 10

 
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4.4. Experimento 4. Regiones de operación del BJT.

Arme el circuito y mida las tensiones y corrientes solicitados en la
Tabla.

Región de operación  V CE V BE V CB IC IB

Región de corte  13.07 V 0.052 V 13.31 V 0.0033 μA 0.05 μA

Región activa  7.5 V 0.65 V 0.59 V 3.52 mA 9.08 μA

Región de saturación 0.14 V 0.69 V -0.55 V 8.02 mA 51.91μA

Polarización de los Diodos del BJT en cada una de las regiones de

funcionamiento

Región de Corte Región Activa Región de

Saturación

VCB p.inversa p.inversa p.directa

VBE p.directa p.directa p.directa

 
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Conclusiones
Durante el desarrollo de la presente práctica se pudo observar y distinguir cada
una de las regiones de operación del transistor BJT, así como las características
de cada una y los límites entre ellas. Tuvimos la oportunidad de comparar las
mediciones con los resultados teóricos y analizar la polarización de las uniones PN
del BJT en cada región de operación.

Después de haber trabajado con la práctica, quedó más claro el funcionamiento del
BJT y se conocieron distintas configuraciones del mismo, con las cuales se
obtienen distintos comportamientos que pueden ser aprovechados para diversas
aplicaciones.

Referencias
● https://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_uni%C3%B3n_bipolar
● http://mrelbernitutoriales.com/corte-y-saturacion-bjt/
● https://unicrom.com/transistor-como-interruptor-switch/
● https://www.academia.edu/18928644/Transistor_como_interruptor

 
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