Indice

1 Objetivos............................................................................................ 1
1.1 Objetivo General ........................................................................... 1
1.2 Objetivo especifico ......................................................................... 1
2 Fundamentos Teóricos ......................................................................... 2
2.1 Transformador............................................................................... 2
2.2 Impedancia y tensión del transformador ........................................... 3
3 Procedimientos y descripción de actividades ........................................... 4
4 Resultados.......................................................................................... 5
5 Conclusión .......................................................................................... 5
6 Bibliografía ......................................................................................... 5
7 Anexo ................................................................................................ 6
Indice de figuras
I. OBJETIVOS

1.1 Objetivo General

1.1.1 Obtener la gráfica del paso de banda en la salida del
transistor BJT con el graficador de Bode (simulado)

1.2 Objetivos Específicos

1.2.1 Comprobar en el osciloscopio que el opam realice la
suma de dos señales senoidales.

1.2.2 Obtener las frecuencias de corte bajos en la base,

colector y emisor del transistor.
 II. FUNDAMENTO TEÓRICO

1. Capacitancias parásitas

Capacitancia parásita, en los circuitos eléctricos, es el efecto adicional

de conductores que sirven como placas entre un dieléctrico, que
normalmente es aire. Se convierte en un problema con las frecuencias
más altas porque las muy pequeñas capacidades distribuidas que
existen tendrán impedancias más bajos en estas frecuencias. Este efecto
se puede abordar en la etapa de diseño de circuitos, donde el
posicionamiento de los componentes puede disminuir los efectos a un
punto en el funcionamiento satisfactorio es alcanzable.

2. Transistor BJT

Transistor Bipolar. El transistor bipolar de uniones, conocido también por

BJT (siglas de su denominación inglesa Bipolar Junction Transistor), es
un dispositivo de tres terminales denominados emisor, base y colector.

La propiedad más destacada de este dispositivo es que aproxima una

fuente dependiente de corriente: dentro de ciertos márgenes, la
corriente en el terminal de colector es controlada por la corriente en el
terminal de base.

Entre los terminales de colector y emisor se aplica la potencia a regular,

y en el terminal de base se aplica la señal de control gracias a la que se
controla la potencia. Con pequeñas variaciones de corriente a través del
terminal de base, se consiguen grandes variaciones a través de los
terminales de colector y emisor.

3. Respuesta en frecuencia baja y alta en un BJT

A bajas frecuencias sólo se tendrán en cuenta los condensadores de

acoplo y desacoplo, comportándose como cortocircuitos a frecuencias
medias. A altas frecuencias sólo se tendrán en cuenta los condensadores
internos del dispositivo activo, comportándose como abiertos a
frecuencias medias. Cada elemento reactivo introduce un polo y un cero
en la respuesta en frecuencia.
 III. PROCEDIMIENTO Y DESCRIPCIÓN DE ACTIVIDADES

Para poder realizar los cálculos de las frecuencias de corte se debe contar con los valores del
voltaje de la base (Vb), corriente del emisor (Ie), las capacitancias de Miller (Cm) y las resistencias
de Thevenin (Rth)