Movilidad en semiconductores extrínsecos

f(Concentracion de Impurezas)
µ
(Movilidad)
f(Tipo de Impurezas)

𝜇𝑀𝐴𝑋 − 𝜇𝑚𝑖𝑛
𝜇 = 𝜇𝑚𝑖𝑛 +
𝑁 𝛼
1+ 𝑁
𝑟
1
 Dispersión de los 𝜇𝑝 𝑆𝑖 ∝ 𝑇 −2,2
portadores en la red
µ Xtalina 𝜇𝑛 ∝ 𝑇 −2,4
𝑆𝑖
(Movilidad)
Dispersión de los 3
𝑇 2
portadores en las 𝜇∝
impurezas 𝑁𝑙

• Las impurezas son átomos extraños en el Xtal (imperfecciones)

• Mas impurezas menos movilidad
• Las impurezas tienen carga eléctrica cuando se ionizan (generan el
portador) por ello la temperatura afecta mejorando la movilidad
(tiempo de interacción disminuye)

2
Movilidad en semiconductores extrínsecos

3
 Corriente por Difusión
• Los portadores libres dentro del semiconductor se mueven al azar con
una velocidad vth (velocidad térmica) que depende de la temperatura
• Cuando hay un gradiente espacial de concentración de portadores (en
un lugar del semiconductor hay una concentración mayor que en otra)
Difusión de huecos Difusión de electrones

x x

• Como consecuencia de esta diferencia de concentración y del

movimiento al azar, los portadores de la zona de mayor concentración
tienen tendencia a pasar a la zona de menor concentración

4
 x x

Concentración Concentración
𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)

Movimiento Movimiento
de huecos de electrones

x x

• Este movimiento de cargas producto de la diferencia de concentración

genera una corriente eléctrica
• La magnitud de la corriente es proporcional al gradiente de concentración

𝑑𝑝(𝑥) 𝑑𝑛(𝑥)
𝐽𝑝 𝑥 ∝ 𝐽𝑛 𝑥 ∝
𝑑𝑥 𝑑𝑥
5
• La constante de proporcionalidad entre la densidad de corriente por difusión
y el gradiente de concentración se llama “ Constante de Difusión [ D ]”

𝑑𝑝(𝑥) 𝑑𝑛(𝑥)
𝐽𝑝 𝑥 = −𝑞 𝐷𝑝 𝐽𝑛 𝑥 = 𝑞 𝐷𝑛
𝑑𝑥 𝑑𝑥
𝑝(𝑥) 𝑛(𝑥)

Movimiento Movimiento
de huecos de electrones
x x

Corriente de Corriente de
huecos electrones

• El signo de la ecuación de la densidad de corriente de huecos es negativo

porque la corriente tiene dirección contraria a la pendiente del gradiente de
concentración

6
• Tanto la movilidad ( µ ) como la difusión ( D) son fenómenos estadísticos
termodinámicos (dependen de la temperatura y del movimiento aleatorio de
los portadores), por tanto se encuentran relacionados

𝐷 𝑘𝑇
RELACION DE EINSTEIN =
𝜇 𝑞
𝑘𝑇
= 𝑉𝑇 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
𝑞

𝐽𝑜𝑢𝑙𝑒 𝑘 = 8,62 × 10−5 𝑒𝑉 °𝐾

𝑘 = 1,38 × 10−23 °𝐾

• VT es el “potencial equivalente de temperatura”

𝑇 °𝐾
• Se calcula como 𝑈𝑇 = 11600 𝑉𝑜𝑙𝑡𝑠
7
 SEMICONDUCTORES - CORRIENTES

• Corriente por campo, 𝐽 =𝜎×𝐸

desplazamiento, óhmica
𝜎 = 𝑞 𝑛 𝜇𝑛 + 𝑞 𝑝 𝜇𝑝

Corriente en los
semiconductores
𝑑𝑝 𝑥
𝐽𝑝 𝑥 = −𝑞 𝐷𝑝
𝑑𝑥
• Corriente por Difusión
𝑑𝑛 𝑥
𝐽𝑛 𝑥 = 𝑞 𝐷𝑛
𝐷𝑝 𝐷𝑛 𝑑𝑥
= = 𝑉𝑇
𝜇 𝑝 𝜇𝑛
8
Densidad total de Densidad de Densidad de
corriente de corriente por corriente por campo
huecos difusión eléctrico

𝐽𝑝 = 𝐽𝐷𝑝 + 𝐽𝜇𝑝
𝑑𝑝 𝑥
𝐽𝑝 = −𝑞𝐷𝑝 + 𝑞 𝑝 𝜇𝑝 𝐸
𝑑𝑥
Densidad total de Densidad de Densidad de
corriente de corriente por corriente por campo
electrones difusión eléctrico

𝐽𝑛 = 𝐽𝐷𝑛 + 𝐽𝜇𝑛
𝑑𝑛 𝑥
𝐽𝑛 = 𝑞𝐷𝑛 + 𝑞 𝑛 𝜇𝑛 𝐸 9
𝑑𝑥
 Semiconductor Semiconductor
Metal Intrínseco Extrínseco

Electrones Electrones
Tipo de y o
Electrones
portadores Huecos Huecos

Cantidad de Fija Variable con

portadores ≈ 1022 Variable con T impurezas

- Aumenta con T
para T bajas
Movilidad Disminuye con T Disminuye con T - Disminuye con T
para T normal

Campo Campo
Corriente Campo o o
Difusión Difusión

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 ECUACION DE CONTINUIDAD
• Como la conductividad depende de la concentración de
portadores
• Para un semiconductor necesitamos calcular la variación de
concentración de portadores de cargas (huecos o electrones)

• Temporal 𝑛 𝑡 𝑜 𝑝(𝑡)
• La variación puede ser
• Espacial 𝑛 𝑥 𝑜 𝑝(𝑥)

• Generación
• Fenómenos que afectan la
• Recombinación
concentración
• Corriente

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 Variación de concentración de minoritarios pn
𝑑𝑝𝑛
= Generación – Recombinación + Corriente entrante – Corriente saliente
𝑑𝑡

En x = 0 entra Ip y en x = dx sale Ip + dIp

𝑑𝐼𝑝 𝑑𝐼𝑝
𝑞
= Huecos por segundo que salen = Densidad de huecos por
𝑞 𝐴 𝑑𝑥
del semiconductor segundo que salen del
semiconductor

A
nn0 - ND
pn0 – ni2/ND Ip + dIp
Ip
Generac. Recomb

x
0 dx
Semiconductor tipo N con ND impurezas donadoras 12
 𝑑𝐼𝑝 1 𝑑𝐽𝑝
= Densidad de huecos por segundo
𝑞 𝐴 𝑑𝑥 𝑞 𝑑𝑥
que salen del semiconductor

𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 1 𝑑𝐽𝑝 𝑥
=𝑔−𝑅−
𝑑𝑡 𝑞 𝑑𝑥

𝑝𝑛0 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑𝑝 𝑥
𝑔= 𝑅= 𝐽𝑝 = 𝑞 𝑝𝑛 𝜇𝑝 𝐸 − 𝑞 𝐷𝑝
𝜏𝑝 𝜏𝑝 𝑑𝑥

𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2

Variación de la concentración de huecos en un

semiconductor tipo N por efecto de Generación,
Recombinación y Corriente
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𝑑𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑛𝑝0 − 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑛𝑝 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑛 − 𝐷𝑛
𝑑𝑡 𝜏𝑛 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
Variación de la concentración de electrones en un
semiconductor tipo P por efecto de Generación,
Recombinación y Corriente

APLICACIÓN DE LA ECUACION

Supongo un semiconductor tipo N con:

𝑑𝑝𝑛 𝑥
• Densidad espacial de portadores constante =0
𝑑𝑥
• Sin campo eléctrico aplicado E = 0
• Se aplica un transitorio temporal de energía

14
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑑 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝐸 𝑥, 𝑡 𝑑 2 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
= − 𝜇𝑝 + 𝐷𝑝
𝑑𝑡 𝜏𝑝 𝑑𝑥 𝑑𝑥 2
𝑑𝑝𝑛 𝑥, 𝑡 𝑝𝑛0 − 𝑝𝑛 𝑥, 𝑡
=
𝑑𝑡 𝜏𝑝

SOLUCION

−𝑡 𝜏𝑝
𝑝𝑛 𝑡 = 𝑝𝑛 0 − 𝑝𝑛0 𝑒 + 𝑝𝑛0

Pn(0)
Δ𝑝𝑛 Pn(t)

pn0
t=0 t
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