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DESCOBRINDO OS
SEMICONDUTORES
O descobrimento e utilização dos semicondutores trouxe uma
verdadeira revolução no campo da eletrônica, porque conseguimos
maior desempenho dos circuitos e também a sua miniaturização.
Antes de estudarmos os componentes semicondutores, vamos
analisar a estrutura atômica dos materiais básicos dos quais são
fabricados os Semicondutores, assim entenderemos melhor seu
comportamento e função.
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DESCOBRINDO OS SEMICONDUTORES

SEMICONDUTORES CLASSIFICAÇÃO

Lembre-se que todos os materiais na natureza podem ser classificados

de acordo com o seu comportamento com a corrente elétrica. Este
ADULTOS CRIANÇAS
podem ser classificados em três grupos: condutores, isolantes e
semicondutores. NÍVEL DE DIFICULDADE

Os condutores são materiais que permitem a passagem de corrente FÁCIL INTER DIFÍCIL
elétrica com facilidade, enquanto que, inversamente, os isolantes
bloqueiam a passagem do mesmo. Existe um terceiro material que
podem comportar-se como condutores ou isoladores de acordo com
os estímulos externos aplicados a elas (corrente, tensão, calor, luz,
etc.). Os materiais com estas características, são chamados de
semicondutores.

A característica principal dos semicondutores, diferentemente dos con-

dutores e dos isolantes está na sua estrutura atômica. Tudo no universo
é composto de átomos e que estes por sua vez são compostas por um
núcleo central em que algumas partículas pequeniníssimas chamadas
prótons e nêutrons. Os prótons são carregados positivamente, enquanto
os nêutrons, como o próprio nome indica, são neutros, ou seja, não têm
carga elétrica. Ao redor giram os elétrons que são carregados negativa-
mente. Do ponto de vista elétrico estamos interessados ​​apenas nesses
elétrons encontrados na camada mais externa do átomo, chamada
de camada de valência, uma vez que estas são o que determinam
a condutividade de um material, ou seja, a facilidade de entregar
portadores de carga.

Núcleo (formado pelos

Camada
Prótons e Nêutrons) de Valência

Elétrons

Representação
de um Átomo

Electronics Kit 1
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Os condutores, como o cobre, a prata e o ouro, têm
pouquíssimos elétrons na faixa de valência, tipica-
mente 1, e os mesmos são fracamente atraídos pelo
núcleo. Portanto, sob a influência de uma força ex-
terna, esses elétrons de valência podem facilmente
escapar do átomo, convertendo-se em elétrons
livres que viajam ou migram através do material e
participam na criação das correntes elétricas.
Camada
de Valência
Átomo
de Cobre
Os isolantes, por sua vez, têm muitos elétrons de
valência, tipicamente 8, e os mesmos estão forte-
mente ligados ao núcleo. Portanto, é muito difícil
convertê-los em elétrons livres e obrigá-los a participar
na criação de uma corrente elétrica.
Átomo
de Neon
Os semicondutores, como o silício e o germânio,
se caracterizam por serem tetravalentes, ou seja,
por ter quatro elétrons de valência. Estes elétrons
formam enlaces com os elétrons de valência dos
átomos vizinhos produzindo um padrão tridimen-
sional regular chamado rede cristalina ou cristal. Em
um cristal semicondutor puro, cada átomo comparte
seus elétrons de valência com os átomos vizinhos
até ficar quimicamente estável, ou seja com 8 elé-
trons em sua órbita mais externa (Lei do Octeto).
Átomo
de Silício
2 Electronics Kit
Um cristal semicondutor puro, como o descrito
anteriormente, é um isolante perfeito a temperaturas
próximas ao zero grau. Entretanto, à medida que
aumenta a temperatura, a agitação térmica faz, com
que alguns elétrons de valência rompam os enlaces
que os mantém ligados ao cristal e se convertam em
elétrons livres, permitindo a circulação de correntes
elétricas.
A saída de um elétron da faixa de valência deixa
sempre na mesma um espaço vazio carregado
positivamente chamado Lacuna, a qual é preenchido
por outro elétron livre ou por um elétron de valência
pertencente a um átomo vizinho.
Átomo
de Silício
Portanto, dentro de um semicondutor onde circula
uma corrente há um movimento permanente de
elétrons e lacunas movendo-se ou propagando-
se em direções opostas. Posto que o número de
lacunas é sempre igual ao número de elétrons livres,
a corrente de elétrons (real) é sempre da mesma
grandeza que a corrente de lacunas (convencional).
À medida que aumenta a temperatura, cresce tam-
bém o número de pares elétron-lacuna e, portanto,
aumenta a grandeza de ambas as correntes.
Tome Nota
O material semicondutor puro sobre o qual se reali-
za o processo de dopagem para se obter um semi-
condutor extrínseco é conhecido como substrato.
A maioria dos dispositivos semicondutores prá-
ticos utilizam silício como substrato por ser um
elemento muito estável, econômino e abundante.
Semicondutores Extrinsecos
Os cristais semicondutores puros ou intrínsecos
são raramente empregados em Eletrônica, porque
em seu estado natural, possuem muito poucos elé-
trons livres e precisam de grande quantidade de
energia para transportar a corrente. Na prática, os
materiais utilizados na fabricação de diodos, transis-
tores, circuitos integrados, etc., são dopados, ou seja,
possuem quantidades muito pequenas mas
controladas, de impurezas denominadas dopantes
que são as que determinam suas características,
Estes tipos de semicondutores são denominados
extrínsecos.
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Os dopantes utilizados nos semicondutores ext-
rínsecos são invariavelmente átomos de elementos
químicos pentavalentes ou trivalentes, ou seja, com
cinco ou três elétrons de valência. Devido à concen-
tração de dopante, que é extremamente pequena,
da ordem de um átomo de impureza por cada
duzentos milhões de átomos de silício, estes últimos
sempre envolverão aos primeiros e compartilharão
seus elétrons de valência como no cristal original,
com a diferença que agora um átomo de silício por
um átomo de impureza.
Pentavalentes
(impureza doadora)
Exemplos:
Antimônio
Sb
Arsênio
Fósfora
Átomo de Antimônio
Trivalentes
(impureza aceitadora)
Exemplos:
Boro
B B
Alumínio
Gálio
Átomo de Bóro
Os substratos dopados com impurezas pentava-
lentes são denominados semicondutores tipo N.
Nestes quatro de cinco elétrons de valência do
átomo dopante formam enlaces covalentes com
os quatro átomos vizinhos. O elétron restante não
fica ligado a nenhum átomo e é livre para mover-se
através do cristal, convertendo-se em um portador
potencial de corrente. Portanto, um semicondutor
tipo N é um doador de elétrons. O principal elemen-
to utilizado como doador em cristais de silício é o
fósforo. Para cristais de germânio utilizam-se o anti-
mônio e o arsênico.
Sb
Semicondutor tipo N
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Os substratos dopados com impurezas trivalentes
são denominados semicondutores tipo P. Nestes,
três elétrons de valência do átomo dopante formam
enlaces covalentes com três átomos vizinhos de
silício. O elétron faltante origina uma lacuna, que se
comporta como uma carga positiva livre, capaz de
atrair um elétron externo. Portanto, um semicondu-
tor tipo P é um aceitador de elétrons. Os principais
elementos utilizados como impurezas aceitadoras
em cristais de silício são o alumínio e o boro. para
cristais de germânio, utilizam-se o índio e o gálio.
Como resultado da adição de impurezas, um semi-
condutor do tipo N possui mais elétrons livres do
que lacunas, e um semicondutor tipo P possui mais
lacunas do que elétrons. As cargas em excesso são
denominadas portadores majoritários e as cargas
em deficiência portadores minoritários.
Semicondutor tipo P
Portanto, em um semicondutor tipo N, os portadores
majoritários são os elétrons e os portadores minori-
tários as lacunas. Por outro lado, em um semicondu-
tor tipo P, os portadores majoritários são as lacunas
e os portadores minoritários são os elétrons.
Quando se aplica uma tensão a um semicondu-
tor tipo N ou P, o resultado é a circulação através
do mesmo de uma corrente relativamente grande
devido aos portadores majoritários e uma corrente
relativamente pequena devido aos portadores mi-
noritários. Esta última, que é da ordem dos micro-
ampères (µA), denomina-se corrente de fuga e de-
pende principalmente da temperatura.
Tome Nota
O material semicondutor puro sobre o qual se reali-
za o processo de dopagem para se obter um semi-
condutor extrínseco é conhecido como substrato.
A maioria dos dispositivos semicondutores prá-
ticos utilizam silício como substrato por ser um
elemento muito estável, econômino e abundante.
Electronics Kit 3
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DESCOBRINDO OS SEMICONDUTORES
Uniões PN

Os semicondutores tipos N e P, por si mesmos não
tem maior utilidade prática, exceto quando estão for-
temente dopados, e neste caso emprega-se como
resistores que dependem da temperatura. Um dis-
positivo muito mais útil é a união PN, obtida ao do-
par um cristal de silício ou germânio puro (substrato)
com impurezas pentavalentes e trivalentes de modo
que uma metade seja tipo N e a outra metade seja
tipo P.
Todos os dispositivos semicondutores, incluindo os
diodos, transistores, tristores e circuitos integrados
(CIs), estão baseados na combinação de duas ou
mais capas alternadas de materiais dos tipos N e
P, ou seja, possuem uma ou mais uniões PN. Um
diodo, por exemplo, é uma união PN.
Barreira de Potencial em formação
Se aplicarmos uma tensão externa com a polari-
dade indicada, o efeito da barreira se acentua. Sob
esta condição, denominada polarização inversa, o
pólo positivo (+) da bateria atrai os elétrons livres
do material lipo N e o pólo negativo (-) as lacunas
do material tipo (P). Como resultado, a zona de
esgotamento se alarga e a união PN apresenta uma
resistência muito elevada à passagem da corrente,
comportando-se como um isolante. Somente uns
poucos portadores minoritários (algumas lacunas
em N e alguns elétrons em P) conseguem atravessar
a barreira, permitindo que circule urna corrente de
fuga muito fraca.
Polarização Inversa
Zona de
Esgotamento

Zona
de Esgotamento

Em uma união PN há inicialmente um excesso de
elétrons livres no lado N e de lacunas no lado P. Por-
tanto, alguns elétrons do lado N serão atraídos por
algumas lacunas do lado P, e vice-versa. O proces-
so de intercâmbio de cargas, que é extremamente
rápido, continuará até que na divisa entre os dois
materiais, denominada zona de esgotamento, seja
formada uma barreira elétrica de tensão que impede
a passagem de um maior número de portadores
majoritários de um lado para o outro.
Barrera de Potencial formada
Se for aplicada uma tensão externa com a polari-
dade indicada, o efeito da barreira se atenua. Sob
esta condição, denominada polarização direta, o
pólo (+) da bateria repele as lacunas de P e o pólo
(-) os elétrons de N, permitindo que atravessem a
união. Como resultado, a zona de esgotamento se
estreita e a união PN apresenta uma resistência mui-
to baixa à passagem da corrente, comportando-se
como um condutor.
Polarização Direta

Barreira de Potencial
(0,6V)

A formação de uma zona de esgotamento é a que

faz útil uma união PN, já que as suas características
podem ser controladas externamente para conseguir
que a mesma se comporte como um condutor ou
um isolante, uma resistência, um condensador, uma
referência de tensão, etc. Tipicamente, o potencial
da barreira é da ordem de 0,6V para uniões PN de
silício e de 0,3V para uniões PN de germánio.

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