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Diodos características y aplicaciones

Lisseth Tatiana Herrera Rosero - ltherreraro@unal.edu.co
Brayam Santiago Velandia Castillo - bsvelandiac@unal.edu.co
.
Departamento de Ingenier´ıa Electrica y Electr´ onica´
Universidad Nacional de Colombia.
Bogota. Marzo 7 de 2017.´
RESUMEN—En el presente informe, se presentan los resultados
obtenidos al estudiar las características físicas de dos clases de diodos,
el 1N4004 y el 1N4148. Para estudiar su comportamiento se usan
variaciones tanto de voltaje como de temperatura. Así, se obtienen
las curvas características para cada uno de los componentes. Además,
se podrán observar aproximaciones con´ respecto al tiempo de
recuperación de cada diodo, que fueron´ medidas por medio de un
osciloscopio, con el fin de compararlas con la información del
fabricante. ´
PALABRAS CLAVE—Diodo, recuperación, semiconductores, ´
temperatura, polarización. ´
ABSTRACT—In this report, we are going to present the results
obtained in the study of the physical characteristics of the diode, for
the 1N4004 and 1N4148 case. To study their behavior, both voltage
and temperature variations are used. Thus, the characteristic curves
for each of the components are performed. In addition, we present Fig. 1: Diodo de unión PN´
an approximate graph of the recovery time of each diode, obtained
with the oscilloscope and compare the measurements with those
obtained by the manufacturer.
B. Cristal de silicio
KEYWORDS—Diode, recovery, semiconductors, temperature,
polarization. El silicio se usa frecuentemente en los diodos, ya que es más
estable su estructura frente a cambios térmicos que el´
germanio.
I. INTRODUCCIÓN El cristal de silicio es una estructura regular, donde los

E L diodo semiconductor, es uno de los componentes más

simples que se pueden encontrar en un circuito. Está
átomos conservan sus posiciones con enlaces covalentes,
formados por cuatro electrones de valencia con átomos
compuesto por dos regiones, que se encuentran cargadas vecinos.´
tanto positiva como negativamente. Se pueden observar
diferentes comportamientos en sus enlaces covalentes,
dependiendo del valor en la diferencia de potencial entre sus
terminales. A causa de los dopajes en cada sustrato, el diodo
resume su comportamiento como conductor si está en
directo-, o no conductor- si está en inverso
Existen tres diferentes modelos para explicar estas
características, el lineal, la aproximación por fuente y el físico.
Cada uno de ellos con diferentes niveles de complejidad y
exactitud. A continuación se estudiara a fondo esta
información junto con las definiciones que fueron necesarias
para la práctica.
Fig. 2: Estructura atómica cristal de silicio´
II. MARCO TEORICO´
A. Diodo semiconductor de unión PN El cristal de silicio no es un buen conductor por sus
propiedades naturales. Por ello, se suele hacer uso de un
El diodo de unión se forma con un material tipo P y otro´ tipo
dopaje para mejorar las capacidades de conducción. Es usual
N, construidos a partir del mismo material base como
añadir a su estructura átomos de boro (B) o fósforo (P), as´ ´ı,
germanio (Ge) o silicio (Si). El material tipo P tiene como
predomina solo un tipo p o n, respectivamente. [2]
portadores mayoritarios los huecos, con carga positiva y en el
material tipo N están los electrones, carga negativa.

C. Modos de operación del diodo PN
1) Circuito abierto: Cuando en el diodo no hay ninguna
diferencia de potencial entre sus terminales, los portadores
mayoritarios (huecos) se difunde hacia el material tipo N. De
igual manera los electrones pasan de N hacia P. De esta forma,
se genera la corriente de difusión ID, que es grande
transitoriamente.
En la zona de unión se genera un voltaje de barrera, por´ la
unión entre los átomos que están en equilibrio. También es
llamada la región de agotamiento. [3]
2) Polarizado en inverso: Cuando la tensión externa es
VD < 0, los portadores mayoritarios son arrastrados hacia los
terminales del diodo. Así, el número de iones aumentan en la
región de agotamiento, impidiendo que circule corriente en el
diodo. Por esta razón, el diodo en inverso se modela como un
circuito abierto. Como el campo E aumenta
considerablemente
ID = 0.
Se genera una corriente IS, a causa de los portadores
minoritarios que se generan por efecto térmico, que se
difunden y derivan entre las regiones. Es de valor
independiente al voltaje barrera. [2]
Fig. 3: Diodo polarizado en inverso
3) Polarizado en directo: En VD > 0, los electrones del
material tipo N superan la zona de agotamiento. Los
portadores comienzan a recombinarse por ende la zona de
agotamiento es menor al igual que el campo E.
2
Fig. 4: Diodo polarizado en directo
El exceso de portadores minoritarios es mucho mayor en las
cercanías de la región de agotamiento. Así mismo, ID es mayor
que IS. La relación entre estas corrientes se muestra´ en la
siguiente ecuación:
(1)
En donde IS es la corriente inversa de saturación, n es el
coeficiente de emisión que generalmente se toma como 2 para
el Si. VT es el voltaje térmico definido anteriormente en la zona
de agotamiento.
K es la constante de Boltzman 1.38 ∗ 10−23J/K, q es la carga
del electrón y K es la temperatura en Kelvin.
Para encontrar los parámetros IS y n presentes en la
ecuación característica se debe despejar de la ecuación 1 VD de
la siguiente forma:
(2)
El 1 de la ecuación 1 se desprecia, al seguir despejando se
tiene:
(3)
VD = n · VT · ln(ID) − n · VT · ln(Is) (4)
de esta manera la ecuación queda de la forma Y=AX+B donde
A es IS. [3]
D. Resistencia dinámica y estática
1) Estática: La aplicación de un voltaje dc a un circuito
que contiene un diodo semiconductor, tendrá por resultado
un punto de trabajo u operación. Solo con encontrarse los
niveles de ID y VD se puede encontrar la resistencia estática con
la´ Ley de Ohm:
(5)
2) Dinámica: La variación del voltaje de entrada en el
diodo genera un desplazamiento del punto de trabajo,
variando la corriente y la resistencia interna del diodo.

Fig. 5: Grafica resistencia dinámica
La resistencia dinámica del diodo estará definida por la
pendiente de la línea que se aproxima a la curva.
(6)
Se puede observar que d ahora es minúscula, debido al
cambio de la corriente y tensión del diodo en el dominio del´
tiempo. [3]
E. Modelos de diodo
1) Ideal: El modelo ideal del diodo, se resume en
plantearlo como un corto circuito cuando está en directo y
como un circuito abierto cuando está en inverso.
Fig. 6: Modelo ideal
2) Aproximación a fuente de voltaje: El modelo de
aproximación a fuente, consiste en reemplazar el diodo por
una caída de tensión. Puede ser de 0,7 v para el Si y de 0.3 v
para el´ Ge. Es el más práctico de las tres modelos, ya que
incluye las´ propiedades del material y no necesita de cálculos
complejos como el modelo que veremos a continuación.
3) Físico: El modelo físico tiene en cuenta todas las
variables para el comportamiento del diodo. Es el más
completo, ya que incluye cambios de temperatura y el
comportamiento detallado de las cargas en el semiconductor.
3
Su uso se restringe para calculos donde se necesiten valores´
exactos. De lo contrario, es mas sencillo usar la aproximaci´ on´
a fuente.
Fig. 7: Modelo físico
4) Tiempo de recuperación en inverso: Tiempo que
durante el apagado del diodo, tarda la intensidad en alcanzar
su valor máximo (negativo), y retornar hasta la cuarta parte de
dicho valor máximo. Sucede en el instante cuando el diodo
cambia su polaridad de estar en inverso a estar en directo.
Fig. 8: Tiempo de recuperación del diodo
III. SIMULACIONES Y CALCULOS
Para calcular el valor de la resistencia R1, se hace por la ley
de voltajes de Kirchhoff, asumiendo que el diodo es de silicio y
tiene un voltaje de barrera equivalente a 0.7V, se tiene
entonces que:
LTK = −25V +0.7V + R1 · Imax = 0 (7)
24.3V = R1 · 50(mA) (8)
R1 = 486Ω (9)
Es necesario hacer el cálculo de la potencia para escoger
adecuadamente la potencia que disipa la resistencia y que no
 4

se vaya a quemar, en la bitácora no se realizó este cálculo y Fig. 9: Caracterización diodo 4004
como consecuencia hubo algunas complicaciones. La potencia
estaría dada como:
B. Caracterización diodo 4148
P = (50x10−3(A))2 · 486(Ω) = 1.215(W) (10)
Se tomaron valores de voltaje a distintos niveles de
IV. ANALISIS DE RESULTADOS´ corriente para un diodo 4148 (ver tabla II), los valores de
A. Caracterización diodo 4004 voltaje ascienden mucho más rápido, debido a que el diodo
1N4148 de silicio tiene alta conductividad, que permite que se
Cuando se quiere conocer el desempeño de un elemento en cargue más rápido.
un circuito, se elabora a partir de datos experimentales un
gráfico de corriente en función de la diferencia de potencial, el VFuente ID (mA) VD (V)
0 0 0
análisis de esta gráfica permite determinar el uso y las posibles
3.1 5 0.695
aplicaciones del elemento. A este procedimiento se le llama
5.7 10 0.731
caracterización del elemento. En cada caso la curva 8.2 15 0.753
característica se explica según un modelo teórico aplicable, en 10.7 20 0.769
el caso del diodo el modelo teórico que explica su 13.2 25 0.781
funcionamiento es el modelo físico mencionado 15.4 30 0.791
anteriormente y está dado por la ecuación 1. 17.7 35 0.799
Para caracterizar el diodo se tomaron valores de voltaje 20.1 40 0.807
(diferencia de potencial) a diferentes niveles de corriente en 22.3 45 0.813
un circuito en serie con un diodo 4004, una fuente y una 25.9 50 0.819

resistencia, los valores tomados están dados en la tabla I. Se TABLA II: Caracterización diodo 4148.
puede observar que la relación entre voltaje y corriente no es
lineal como en el caso de las resistencias, por el contrario, es
exponencial por eso en los libros se menciona que el diodo es
En el grafico 10 se puede ver que además de ascender más´
un semiconductor no lineal. [2]
rápido los niveles de voltaje es mucho más estable y no tiene´
VFuente ID (mA) VD (V)
valores tan dispersos como en el caso del diodo 4004, por
0 0 0
todas estas características este diodo suele ser usado
3.1 5 0.650
5.6 10 0.667 principalmente en procesamiento de señales y es muy útil a
8.1 15 0.683 altas frecuencias con un tiempo de recuperación inversa de no
10.6 20 0.693 más de 4ns (debido a su conductividad).
13 25 0.700
15.4 30 0.702
17.6 35 0.713
19.9 40 0.720
22.7 45 0.723
24.5 50 0.730
TABLA I: Caracterización diodo 4004.

Al graficar los datos de la tabla I se obtuvo el grafico 9, hay

algunos valores que están un poco dispersos sobre todo´
desde 0.7V en adelante, posiblemente debido a que se tuvo
problemas con la fuente. En general se ve un crecimiento Fig. 10: Caracterización diodo 4148
exponencial del voltaje a medida que aumenta la corriente.

C. Comportamiento del diodo 4148 en altas temperaturas

A un diodo 4148 se le acerca un cautín que estaba a una

temperatura de 297.6 ◦ C (medida tomada con un termómetro
digital) se acercó el cautín de tal manera que el diodo
experimentaba una temperatura de 33.5 ◦ C.
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En la tabla III se nota valores muy bajos para la diferencia de D. Corriente de saturación
potencial, la característica directa del diodo se ve afectada por La corriente de saturación inversa o corriente inversa
la temperatura, produce una influencia sobre la barrera de IS es despreciable en la mayoría de las ocasiones, pero hay que
potencial. Conforme aumenta la temperatura, la tensión conocerla para prevenir funcionamientos no deseados, por
directa necesaria para polarizar el diodo disminuye y por tanto ejemplo, en aplicaciones de precisión. La componen dos
se dice que tiene un coeficiente de temperatura negativo (en términos: la corriente inversa debido a portadores
inglés ”tempco” negativo). El valor de esta variación en diodos minoritarios y la corriente de perdidas sobre la superficie del
de señal tanto de silicio como de germanio es de 2mV por cristal. La corriente inversa debido a portadores minoritarios
grado centígrado. la producen los portadores minoritarios que son” arrastrados”
VFuente ID (mA) VD (V)
por el fuerte campo eléctrico existente atravesando la zona de
0 0 0
agotamiento. Esta corriente tiene una fuerte dependencia con
3.1 5 0.468
5.7 10 0.482
la temperatura. Los portadores minoritarios, son electrones en
8.2 15 0.497 la zona p y de huecos en la n.
10.7 20 0.502 Como se explicó en el marco teórico para conocer la
13.2 25 0.507 corriente de saturación se despeja´ VD de la ecuación de
15.4 30 0.513 modelo físico y su resultado es una ecuación que tiene forma
17.7 35 0.522 Y=AX+B siendo A la corriente de saturación. En la tabla IV están
20.1 40 0.523 los datos para el diodo 4004, en la columna 4 se formo sacando
22.3 45 0.521 el logaritmo natural a cada nivel de corriente, tomándola en
25.9 50 0.525
mili amperios y no en amperios ya que el logaritmo natural a
TABLA III: Caracterización diodo 4148 con Temperatura cautín
valores cercanos a 0 tiende a infinito, esto se puede hacer
33.5◦ C. debido a que la relación se mantiene.
VFuente ID (mA) VD (V) Ln(ID)
0 0 0 0
Otro efecto de la temperatura sobre el diodo es que la
3.1 5 0.650 1.609
corriente de saturación inversa se duplica cada incremento de 5.7 10 0.667 2.302
10 oC, esto se puede evidenciar en la figura 14 y 8.2 15 0.683 2.708
aproximadamente sigue la siguiente expresión: 10.7 20 0.693 2.995
13.2 25 0.700 3.219
(11) 15.4 30 0.702 3.401
17.7 35 0.713 3.555
En la gráfica 11 se puede ver de color azul la relación de
20.1 40 0.720 3.689
corriente y voltaje cuando hay un nivel de temperatura
22.3 45 0.723 3.806
superior a la ambiente, mientras de color naranja se puede ver 25.9 50 0.730 3.912
la relación de corriente y voltaje a temperatura ambiente, TABLA IV: Caracterización diodo 4004 modelo físico.
como se mencionó anteriormente cuando el diodo trabaja a
temperaturas altas la tensión directa para polarizar el diodo
disminuye. En el grafico 12 la corriente de saturación en inverso fue de
28.429mA, se obtuvo este valor al sacar la línea de tendencia
de los datos graficados.

Fig. 11: Diodo 4148 frente a cambios de temperatura Fig. 12: Grafica logarítmica diodo 4004

En la tabla V están los datos del diodo 4148, como la

corriente ID es la misma que en el caso del diodo 4004 la 4
columna no varía, pero al graficar los datos del voltaje vs los
 6

datos de la 4 columna se podrá observar que la tendencia 15.4 30 0.513 3.401

cambia. 17.7 35 0.522 3.555
VFuente ID (mA) VD (V) Ln(ID) 20.1 40 0.523 3.689
0 0 0 0 22.3 45 0.521 3.806
3.1 5 0.695 1.609 25.9 50 0.525 3.912
5.7 10 0.731 2.302 TABLA VI: Caracterización diodo 4148 con T modelo físico.
8.2 15 0.753 2.708
10.7 20 0.769 2.995
13.2 25 0.781 3.219
15.4 30 0.791 3.401
17.7 35 0.799 3.555
En la figura 14 se puede ver que la corriente inversa de
20.1 40 0.807 3.689
22.3 45 0.813 3.806
saturación es de 37.985mA es mucho mayor a la obtenida a´
25.9 50 0.819 3.912 temperatura ambiente, al aumentar la temperatura, el voltaje
TABLA V: Caracterización diodo 4148 modelo físico. de umbral disminuye, la barrera de agotamiento es menor y la
corriente de saturación inversa crece, si este aumento´ de
temperatura es considerable puede hacer que el diodo se
En el grafico 13 se puede ver que la ecuación de la línea de comporte casi como un corto circuito. Como se indicó
tendencia tiene como pendiente de 18.504 este valor es el de anteriormente la corriente de saturación inversa se duplica
la corriente de saturación y está dada en mili amperios. Es´ cada incremento de 10oC como se demostró en la ecuación 11
evidente que es mucho menor que la corriente inversa que se y se puede comprobar en este grafico donde se aumentó la
obtuvo del diodo 4004 esto es debido a que el tiempo de temperatura un poco más de 10 grados y en comparación con
recuperacion del diodo 4004 tambi´ en es menor. En polar-´ la corriente a temperatura ambiente, la corriente con la
izacion inversa la parte n tiene una tensi´ on positiva temperatura a 33.5 grados se duplico.
aplicada´ con respecto de la p, la anchura de la zona de
agotamiento aumenta y el resultado es unicamente una
peque´ na corriente˜ inversa, en el diodo 4148 esta barrera de
agotamiento es mayor por lo cual la corriente inversa es mas
pequena.˜

Fig. 14: Grafica logar´ ´ıtmica diodo 4148 con diferente T

E. Tiempo de recuperacion en inverso´

1) Diodo 4004: Diodo 1N4004 a una senal alta de 200kHz.˜
Para ambas frecuencias el tiempo esta en el orden de los 600ns
aproximadamente.
Fig. 13: Grafica logar´ ´ıtmica diodo 4148

En la tabla 14 estan los datos del diodo 4148 tomados a´ una

temperatura de 33.5 ◦ C.

VFuente ID (mA) VD (V) Ln(ID)

0 0 0 0
3.1 5 0.468 1.609 Fig. 15: Grafica tiempo de recuperaci´ on diodo 4004 en alta´
5.7 10 0.482 2.302 senal˜
8.2 15 0.497 2.708
10.7 20 0.502 2.995
13.2 25 0.507 3.219 Diodo 1N4004 a una senal baja de 1KHz˜
Tiempo de recuperacion de aproximadamente 600ns.´

Fig. 16: Grafica tiempo de recuperaci´ on diodo 4004 en baja´
senal˜
En la figura 17 se puede ver 3 cosas importantes, en el lado
derecho viene una recta cuando el diodo esta conduciendo,
luego baja abrupta mente y comienza el tiempo de
almacenamiento el voltaje de barrera disminuye lentamente
hasta llegar a 0 y luego al pico negativo, en ese momento
comienza el tiempo de ca´ıda, donde la corriente empieza a
tender a 0 donde deja de conducir. En este diodo el tiempo de
almacenamiento y de ca´ıda es mucho mayor que el diodo
4148 debido las caracter´ısticas que ya se han mencionado.
Fig. 17: Grafica tiempo de recuperaci´on diodo 4004´
2) Diodo 4148: Diodo 4148 a una senal alta de 200kHz˜
Fig. 18: Grafica tiempo de recuperaci´ on diodo 4148 en alta´
senal˜
Diodo 4148 a una senal baja de 1kHz˜
7
Se observa un amortiguamiento, debido a que se pueden
tener propiedades de fabrica diferentes.´
Fig. 19: Grafica tiempo de recuperaci´ on diodo 4148 en baja´
senal˜
En la figura 20 se ve el tiempo de recuperacion del diodo´
4148 es mucho mas veloz que el del diodo 4004 debido a que
la barrera de voltaje disminuye muy rapido, ademas de esto´
en frecuencias mayores este tiempo va disminuyendo debido
a que el diodo responde a altas frecuencias y puede pasar
rapidamente de un estado a otro.´
Fig. 20: Grafica tiempo de recuperaci´on diodo 4148´
V. PREGUNTAS
• En el circuito de la figura 2 (de la gu´ıa), ¿Que ocurre con´ la
resistencia cuando circula la corriente maxima (con la´
fuente en 25 V)?
• ¿Cuales son las consecuencias de cambiar de polaridad´ la
fuente que alimenta el circuito de la figura 2 (de la guia)?
• ¿Por que es necesario alimentar el circuito de la figura 3´ (de
la gu´ıa) con una senal cuadrada ?˜
• ¿Que pasa con los tiempos de recuperaci´ on
inversa si se´ varia la resistencia R1?
• Los resultados obtenidos concuerdan con los valores
suministrados por el fabricante ?
• ¿Que cambio obtuvo al variar la temperatura en la primera´
parte de la practica? ¿ este cambio era predecible ?
justifique su respuesta
VI. RESPUESTA A LAS PREGUNTAS
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• En nuestro caso la resistencia se quemaba en valores la temperatura, sin embargo a la hora de analizar un circuito
inferiores a este debido a que al calcularla no se tuvo en es mucho mas sencillo hacerlo con los otros dos modelos.
cuenta la potencia que tenia que disipar.
• El diodo basicamente deja de conducir debido a que tiene´ REFERENCIAS
una polaridad definida al tener una region con portadores´ [1] M. Sadiku, C. Alexander and S. Musa, Applied circuit analysis, 1st ed.
y otra region con huecos, es decir tiene una parte positiva´ New York, NY: McGraw-Hill, 2013, pp. 457-483.
y otra negativa, por lo cual en inverso la barrera de voltaje [2] A. Sedra and K. ”Senales”Smith, Microelectronic circuits, 4th ed.
Oxford:˜ Toronto pp. 2-6.
disminuye y la corriente que pasa por el tiende a 0. [3] R. Boylestad, Electronica: Teor´ ´ıa de circuitos, 1st ed. New York,
• Se usa una senal cuadrada ya que permite cambiar˜ NY:
inmediatamente la polaridad del diodo, con la misma McGraw-Hill, 2011, pp. 1-59.
magnitud de voltaje. De no ser as´ı, no se podr´ıa apreciar el
tiempo de recuperacion en inverso de igual forma.´
• Si aumentamos R en el circuito, la corriente a traves del´
diodo va a disminuir. Como el tiempo de recuperacion es´ lo
que tarda en llegar la corriente al m´ınimo, entonces el
tiempo va a disminuir al igual que los valores en ID
• No se puede llegar con exactitud a los datos del fabricante
ya que no se tenia la marca del componente, pero en
general el tiempo de recuperacion de un diodo esta en el´
orden de los nano segundos
• El cambio que se observo fue una disminucion en el´ voltaje
y una corriente de saturacion inversa mayor,´ debido a que
como se demostro anteriormente por cada´ 10 grados en la
temperatura se duplica la corriente de saturacion, pues el
voltaje de barrera disminuye mas´ rapidamente y la barrera
de agotamiento es menor, lo que´ permite que los
portadores minoritarios sean ”arrastrados” por el fuerte
campo electrico existente atravesando´ la zona de
agotamiento mas facilmente y generando una´ corriente de
saturacion inversa.´

VII. CONCLUSIONES
• El diodo es un semiconductor porque puede o no permitir
el paso de corriente, como se demostro a lo largo de la´
practica y su relaci´ on entre corriente-voltaje no es lineal,´
es exponencial.
• La corriente de saturacion inversa, tiene una relacion´
directamente proporcional a la temperatura, entre mas
temperatura mas alta es la corriente de saturacion, este
efecto puede afectar tanto el comportamiento de un
circuito que puede hacer que el diodo se comporte como un
corto.
• El material con el cual esta construido el diodo es
fundamental para su funcionamiento, anteriormente los
diodos se constru´ıan en Germanio que se caliente mucho
mas rapido que el silicio y como se menciono
anteriormente´ esto tiene un efecto muy notorio en el
comportamiento del diodo.
• Los diodos pueden tener un menor o mayor tiempo de
recuperacion debido a que tan r´ apido superan el voltaje´
de barrera.
• El modelo matematico mas preciso que modela el com-´
portamiento del diodo es el modelo f´ısico, ya que tiene en
cuenta variables como la corriente de saturacion inversa y