Universidad Tecnológica de Panamá

Facultad de Ingeniería de Sistemas Computacionales

Departamento de Computación y Simulación de Sistemas
Licenciatura en Ingeniería de Sistemas y Computación

Asignatura
Laboratorio de Electrónica Básica

Profesora
Aixa Lasso

Integrantes:
Carlos Villarreal 8-876-2496
Diego Diaz 9-745-33
Giovanni Camaño 8-890-1943
Marcos Flores 8-901-1895
Gian Vega 8-898-1326
Daniel Díaz 8-914-760
Ilianeth Torres 9-746-2357

Grupo
1IL-431

Informe de laboratorio #4
Diodo Semiconductor

Fecha de entrega
viernes 22 de febrero de 2019
Introducción
Consideraciones Teóricas
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo p con uno tipo n
construidos de la misma base: Germanio (Ge) o silicio (Si), mediante técnicas
especiales. En el momento en que son unidos los dos materiales, los electrones y
los huecos en la región de unión se combinan, dando por resultado una falta de
portadores en la región de agotamiento o de empobrecimiento, o barrera de unión,
debido a la disminución de portadores en ella.
La aplicación de un voltaje a través de sus terminales permite tres posibilidades
 Sin polarización (V0 = 0 V)
 Polarización directa (VD > 0 V)
 Polarización inversa (VD < 0 V)
Un diodo semiconductor tiene polarización inversa cuando se asocia el material
tipo p a un potencial negativo y el material tipo n a un potencial positivo. La
polarización directa se da cuando se aplica un voltaje positivo al material tipo p y
un potencial negativo al material tipo n.
A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama
corriente de saturación inversa (is).
Mediante el empleo de la física del estado solido se ha llegado a encontrar que la
corriente a través del diodo semiconductor es una función del voltaje aplicando
entre sus terminales, de la siguiente manera

𝐼𝑝 = 𝐼𝑠 [𝑒 𝑘𝑣/𝑡 − 1]

𝐼𝑝 es la corriente en el diodo, medida en amperes

𝐼𝑠 es el valor de la corriente de saturación inversa. Es del orden de los nano

amperes o de micro amperes
K es una constante que depende del material del dispositivo y tiene valores de
100,600/n; donde n = 1 para Ge y n = 2 para Si, cuando se trata de valores de
corriente relativamente bajos (debajo del punto de quiebre de la curva). Para
valores relativamente altos de corriente n = 1, tanto para Ge como para Si.
𝑇𝑘 es la temperatura ambiente expresada en grados K, (°K = °C + 273°)

Método
 General: analítico
 Particular: experimental

Instrumentos y componentes
 1 multímetro digital
  1 osciloscopio (2 canales), con puntas de prueba
 1 diodo de Si 1N4001
 1 fuente de voltaje CD con salida variable

Experimento
Análisis Teórico de la Señal
Polarización Directa
Considere el circuito en la figura (polarización directa del diodo)

Ilustración 1: Figura 1.1

Consultado con las fuentes bibliográficas necesarias determine el valor de la

corriente de saturación inversa para el diodo 1N4001, dada por el fabricante. Mida
la temperatura ambiente en su laboratorio.
Aplicando la ecuación para la corriente en el diodo, calcule los valores de I0 para
cada voltaje de diodo según se pide en el cuadro

Vd 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.65 0.70 0.75
(V)
Id
0 0 0 8 µA 14 µA 452 µA 1,192 mA 4,872 mA 10,07mA 31 mA
(mA)
Polarización Inversa
Vuelva a realizar las actividades de los puntos 1 y 2, solo que ahora considerando
el circuito de la figura (Polarización inversa del diodo).

Ilustración 2: Figura 1.2

Elabore una tabla de valores similar a la del cuadro anterior

V0 (V) 0 -0.1 -0.5 -0.8 -1.0 -5.0 -8.0 -10.0 -12.0

Ip (mA) 0 0 0 0 0 0 0 0 0

Simulación del Circuito

Polarización Directa
Considere el circuito de la figura 1.1. Represéntelo en el simulador de circuito,
editando al diodo y asignándole los mismos valores usados en los cálculos
teóricos para cada elemento
Aplique los voltajes correspondientes, según el cuadro y “mida” la corriente con el
amperímetro virtual

Vd (V) 0.00 0.10 0.20 0.30 0.40 0.50 0.60 0.65 0.70 0.75 1.00 2.00
Id (mA) 0.00 0.00 0.00 0.01 0.01 0.05 0.11 0.15 0.19 0.23 0.45 1.40
A partir de los datos obtenidos en el simulador construya una grafica

Polarización Directa
2.50

2.00

1.50

1.00

0.50

0.00
1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Vd (V) Id (mA)

Polarización Inversa
Considere el circuito de la figura 1.2. Represéntelo en el simulador de circuito,
usando el mismo diodo que usó en la polarización directa.
Aplique de manera sucesiva los voltajes especificados en el cuadro y “mida” la
corriente en el diodo que usó con el amperímetro virtual del simulador

Vd (V) 0.00 -0.10 -0.50 -0.80 -1.00 -5.00 -8.00 -10.00 -12.00
Id (mA) 0.00 0.00 0.05 0.28 0.45 4.35 7.33 9.32 11.31

Elabore en un mismo plano cartesiano para polarización directa y polarización

indirecta.
Compare los resultados teóricos con los resultados de simulación
 Polarización Inversa
15.00

10.00

5.00

0.00
1 2 3 4 5 6 7 8 9
-5.00

-10.00

-15.00

Vd (V) Id (mA)
 Conclusiones
Carlos Villarreal 8-876-2496

Diego Diaz 9-745-33

Tomando los resultados observamos, puedo incluir que dependiendo de la posición
del diodo, puede conducir corriente o no, simplificando que el circuito este abierto o
cerrado. Durante el laboratorio surgieron complicaciones como que el multímetro
nos estaba dando datos sospechosos, hasta que el otro grupo nos prestó su
multímetro, fue cuando logramos sacar los datos. Por otro lado, en el segundo
circuito se observa que su gráfica muestra datos positivos, concluyo que esto se
debe a el voltaje negativo en la parte del cátodo y el valor de cero voltios en su
ánodo.
Giovanni Camaño 8-890-1943

Marcos Flores 8-901-1895

Gian Vega 8-898-1326

Concluyo que los diodos son elementos importantes en la electrónica que nos rodea
hoy en día, los diodos son de gran versatilidad, se pueden implicar en muchos
aspectos con el propósito de resolver algún problema. Para mí la uno de los
aspectos más importantes del diodo es que no se quedan en un solo tipo de diodo
y más bien se ha desarrollado el diodo en formas que extienden su área de
aplicación.
Daniel Díaz 8-914-760

Ilianeth Torres 9-746-2357

Bibliografía
https://www.edumedia-sciences.com/es/media/137-osciloscopio-gbf. (s.f.). Obtenido de
Edumedia-Sciences.

Rios, G. R. (s.f.). Taller de Equipos y Mediciones Resistencias y el Código de Colores.