Russell Tesis Maestro 2016 PDF

UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO
ESCUELA DE POSGRADO 031
-SECCION DE POSGRADO DE LA FACULTAD DE

|NGENlERiA ELECTRICA Y ELECTRONICA
E1
. I * 030:§j;9§ 030§..-
_ ,
PARA EL CONTROL SPWM

034METODOLOGiA
E DE UN INVERSOR MONOFASICO
E A DE BAJA FRECUENCIA 035
TESIS PARA OPTAR EL GRADO ACADEMICO DE
MAESTRO EN CIENCIAS DE LA ELECTRONICA
_ MENCION: CONTROL Y AUTOMATIZACION
AUTOR: RUSSELL c6RDovA RUIZ
CALLAO 024PERU
2016
DEDICATORIA
A mis Padres, en memoria; por su
constante presencia espiritual, quienes
por su temprana partida, nunca pudieron
ver mis objetivos alcanzados.

AGRADECIMIENTO
Agradezco a Dios, por permitir todas las circunstancias que con}402uyeron
en la consecucién de esta tesis.
A mis padres que siempre los tendré 030presente,

en especial a mi madre
por ser un ejemplo en mi vida, a mis hennanos por estar siempre junto a
mi. A
Un reconocimiento y agradecimiento muy especial a mi Asesor el M.Sc.
lng. Jacob Astocondor Villar, que con su invalorable apoyo me ha 030
permitido realizar esta tesis.

iND|CE
CARATULA
HOJA DE REFERENCIA DE JURADO Y APROBACION
024 DEDICATORIA
AGRADECIMIENTO
iND|CE 1
LISTA DE FIGURAS 4
TABLAS DE CONTENIDO 9
RESUMEN 11
ABSTRACT 13
_ CAPiTULO I
.I PLANTEAMIENTO INICIAL DE LA INVESTIGACION 15
1.1. ldentificacién del problema 15
1.2. Formulacién del problema 15
1.3. Objetivos de la investigacién 15
1.3.1 Objetivos generales 15
1.3.2 Objetivos especi}401cos 15
1.4. Justi}401cacién 16
A CAPiTULO II
II MARCO TEORICO 20
2.1. Antecedentes del estudio 20
1
2.2. Marco Filosé}401co 23
2.2.1. Fundamento ontologico 23
2.2.2. Fundamento epistemolégico 29
2.2.3. Fundamento metodolégico 30
2.3. Bases teoricas 31
2.3.1. Control del voltaje de salida 41
2.3.2. Control de| voltaje por ancho de pulso 45
2.3.3. Modulacion senoidal de ancho de pulso (SPWM) 47
2.3.4 Modulacion por ancho de pulso senoidal bipolar
(SPWM Bipolar) 52
2.3.5 Modulacién por ancho de pulso senoidal unipolar
(SPWM Unipolar) 56
1 2.4. De}401nicién
de términos bésicos 60
CAPlTULO III
III VARIABLES E HIPOTESIS 62
3.1. De}401nicién
de las variables. 62
3.2. Operacionalizacién de variables. 62 030
3.3. Hipétesis general e hipétesis especificas. 62
CAPlTULO IV
IV METODOLOGiA 64
4.1. Tipo de investigacién 64
2
4.2. Dise}401o
de la investigacién A 64
4.3. Poblacién y muestra 83
4.4. Técnicas e Instrumentos de recoleccién de datos. 83
4.5. Procedimientos de recoleccién de datos 83
4.6. Procesamiento estadistico y anélisis de datos 83
. CAPITULO v
V RESULTADOS 84
5.1. Resultados parciales 84
5.1.1. Resultado de la Simulacién PWM bipolar 84
5.1.2. Resultado de la Simulacién PWM unipolar. 86
5.2. Resultados }401nales 116
CAPITULO VI
VI DISCUSICN DE RESULTADOS 117
6.1. Contrastacién de la hipétesis con los resultados 117
6.2. Contrastacién de resultados con otros estudios similares 117
VII CONCLUSIONES A 120
VIII RECOMENDACIONES - 122
IX REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS 124
ANEXOS 126 030
3
LISTA DE FIGURAS
Pég.
FIGURA N°1.0 SIMULACION DEL INVERSOR SPWM 19
FIGURA N°2.0 SALIDA DEL INVERSOR V0, 10 24
FIGURA N°2.1 CIRCUITO OSCILADOR SENO Y SENO
INVERTIDO sw_1, sw_2 26

FIGURA N°2.2 CIRCUITO GENERADOR DE ONDA TRIANGULAR. 27
FIGURA N°2.3 ACOPLAMIENTO Y ETAPA DE POTENCIA 29
FIGURA N° 2.3.1 ESTRUCTURA GENERAL DEL CONVERTIDOR
DC - AC 32
FIGURA N° 2.4 ESQUEMA DE UN INVERSOR MONOFASICO
MEDIO PUENTE 34
FIGURA N° 2.5 SECUENCIA DE DISPARO Y TENSION OBTENIDA
EN LA CARGA 35 '
FIGURA N° 2.6 INVERSOR MONOFASICO PUENTE COMPLETO 39
FIGURA N° 2.7 MODULACION DE UN SOLO ANCHO DE PULSO 44
FIGURA N° 2.8 PERFIL ARMONICO DE LA MODULACION 45
FIGURA N° 2.9 MODULACION EN ANCHO DE VARIOS PULSOS 47
FIGURA N° 2.10 PERFIL DE ARMONICOS PARA MODULACION
EN ANCHO DE VARIOS PULSOS 47
FIGURA N° 2.11 MODULACION DE ANCHO DE PULSO
SENOIDAL (SPWM) 49
FIGURA N° 2.12 SENALES DE CONTROL Y TENSIONES
PARA SPWM. 49
A 4
Pég.
FIGURA N° 2.12.1 PERFIL ARMONICO PARA MODULACION SPWM 50
FIGURA N° 2.13 ESQUEMA DE GENERACION SPWM 51
FIGURA N° 2.13.1 CIRCUITO DE MODULACION SPWM BIPOLAR 53
FIGURA N° 2.14 MODULACION BIPOLAR 54
FIGURA N° 2.15 FORMAS DE ONDA SPWM BIPOLAR 55
FIGURA N° 2.16 SERIE DE FOURIER DE LA SALIDA SPWM
BIPOLAR 55
FIGURA N 2.17
034 CIRCUITO BASICO DE MODULACION
UNIPOLAR 57
FIGURA N° 2.17.1 CIRCUITO BASICO DE MODULACION
. UNIPOLAR 58
FIGURA N° 2.17.2 FORMAS DE ONDA SPWM UNIPOLAR 58
FIGURA N° 2.18 SERIE DE FOURIER DE LA SALIDA SPWM
UNIPOLAR 59
FIGURA N° 4.1 ASPECTO DE UNA SENAL PWM CON REFERENCIA
SENOIDAL 66
FIGURA N° 4.2 ESQUEMA GENERAL DE CONTROL. 70
FIGURA N° 4.3 CONTROL EN MODO TENSION 71
FIGURA N° 4.4 CONTROL DE DOBLE LAZO. LAZO INTERNO DE -
CORRIENTE Y LAZO EXTERNO DE TENSION. 71
FIGURA N° 4.5 ESQUEMA DE PRINCIPIO DEL CONTROL PWM DE
UNA RAMA ONDULADORA. 73
FIGURA N°4.6 SENALES PWM (SUPERIOR) Y TENSION DE
SALIDA (INFERIOR) DE LA RAMA INVERSORA. 74
' 5
Pég.
FIGURA N°4.7 MAGNITUDES DE SALIDA BIPOLAR (IZQUIERDA)

Y UNIPOLAR (DERECHA) 76
FIGURA N°4.8 INVERSOR EN PUENTE COMPLETO MODULADO
SPWM 80
FIGURA N° 5.1 MODELO DE SIMULACION PARA LA MODULACION
SPWM BIPOLAR 84
FIGURA N° 5.2 RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM BIPOLAR 85
FIGURA N° 5.3 MODELO DE SIMULACION PARA LA MODULACION
SPWM UNIPOLAR 86
FIGURA N°5.4 RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM
UNIPOLAR 87
FIGURA N°5.5 DIAGRAMA CIRCUITAL PARA LA SIMULACION
SPWM UNIPOLAR 89
FIGURA N°5.6 SENAL PORTADORA Y MODULADORAS 89
FIGURA N° 5.7 FORMAS DE ONDA PWM UNIPOLAR,
SENAL DE DISPARO Y VOLTAJE DE SALIDA 90
FIGURA N° 5.8 ESPECTRO DE FRECUENCIA (FFT) DE LA TENSION
DE SALIDA. 91
FIGURA N°5.9 DIAGRAMA CIRCUITAL PARA LA SIMULACION
SPWM UNIPOLAR 91
FIGURA N°5.1O RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM UNIPOLAR 92
FIGURA N° 5.11 CIRCUITO DE CONTROL CON MICROCONTROLADOR
ATMEGA8 030 93
FIGURA N° 5.12 CIRCUITO DE AISLAMIENTO 94
6
Pég.
FIGURA N° 5.13 CIRCUITO DE POTENCIA 95
FIGURA N° 5.14 CIRCUITO FILTRO 95
FIGURA N° 5.15 DIAGRAMA CIRCUITAL INVERSOR SPW
CON MICROCONTROLADOR ATMEGA8. 96
FIGURA N° 5.16 DIAGRAMA DE FLUJO SPWM UNIPOLAR 97
FIGURA N° 5.17 DIAGRAMA DE FLUJO SPWM BIPOLAR 101
FIGURA N° 5.18 FORMA DE ONDA EN LA SALIDA DEL
MICRO CONTROLADOR 105
FIGURA N° 5.19 FORMAS DE ONDA EN LA CARGA 105
FIGURA N 5.20
034 FORMA DE ONDA DE LA SENAL DE SALIDA
SPWM UNIPOLAR SIN F|LTRO,(SUMANDO
LAS DOS SENALES ANTERIORES) 106
FIGURA N° 5.21 FORMA DE ONDA DE LA SENAL DE SALIDA
SPWM UNIPOLAR CON FILTRO 106
FIGURA N° 5.22 SIMULACION - MATLAB SIMULINK SPWM UNIPOLAR 107
FIGURA N° 5.23 VOLTAJE DE SALIDA SPWM UNIPOLAR SIN FILTRO 107
FIGURA N° 5.24 VOLTAJE Y CORRIENTE CON FILTRO (SPWM
UNIPOLAR) 107
FIGURA N° 5.25 FFT DE VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM UNIPOLAR) 108
FIGURA N° 5.26 FFT DE VOLTAJE CON FILTRO (SPWM UNIPOLAR) 108
FIGURA N° 5.27 FFT DE CORRIENTE (SPWM UNIPOLAR) 108
FIGURA N° 5.28 SIN FILTRO (SPWM UNIPOLAR) 109
FIGURA N° 5.29 CON FILTRO (SPWM UNIPOLAR) 109
7
Pég.
MICRO CONTROLADOR 110
FIGURA N° 5.31 FORMA DE ONDA EN LA CARGA SIN FILTRO
(SPWM BIPOLAR) 031 110
SIN FILTRO, SUMANDO LAS DOS SENALES _
ANTERIORES (SPWM BIPOLAR) 111
FIGURA N° 5.33 FORMA DE ONDA CON FILTRO (SPWM BIPOLAR) 111
FIGURA N° 5.34 FFT EN MATLAB SIMULINK (SPWM BIPOLAR) 112
FIGURA N° 5.35 VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM BIPOLAR) 112
FIGURA N° 5.36 CORRIENTE Y VOLTAJE CON FILTRO (SPWM
BIPOLAR) 112
FIGURA N° 5.37 FFT VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM

030 BIPOLAR) 113
FIGURA N° 5.38 FFT VOLTAJE CON FILTRO (SPWM BIPOLAR) 113
FIGURA N° 5.39 FFT CORRIENTE (SPWM BIPOLAR) 113
FIGURA N° 5.40 SENAL DE SALIDA SPWM BIPOLAR 114
8
TABLA DE CONTENIDOS
Pég.
TABLA N° 01 POSIBLES VALORES DE CONDUCCION DE LOS
DISPOSITIVOS DE POTENCIA EN LA
MODULACION BIPOLAR 54
TABLA N° 02 COEFICIENTES DE FOURIER NORMALIZADOS
PARA SPWM BIPOLAR 56
TABLA N° 03 POSIBLES VALORES DE CONDUCCION EN
MODULACION UNIPOLAR 57
TABLA N°04 COEFICIENTES DE FOURIER NORMALIZADOS
PARA SPWM UNIPOLAR 59 h
9
ANEXOS
' Pég.
ANEXO A MATRIZ DE CONSISTENCIA 127
ANEXO B DIAGRAMA CIRCUITAL DEL CONTROL POR
MODULACIONDE ANCHO DE PULSO SENO|DAL
UNIPOLAR ( SPWM UNIPOLAR) DEL INVERSOR
MODELO. _ _ 128
ANEXO C SINTESIS DE LA TENSION DE SALIDA 129
ANEXO D ZONA LINEAL. MODULACION PWM SINUSOIDAL
BIPOLAR 130
ANEXO E ZONA SOBREMODULACION. MODULACION PWM
SINUSOIDAL BIPOLAR 131
ANEXO F SIMULACION INVERSOR BIPOLAR 132
SIMULACION INVERSOR UNIPOLAR 138
10
RESUMEN
La presente Tesis de Maestria, trata sobre la Metodologia para el control
SPWM de un inversor monofésico de baja frecuencia, utilizando Ia
Técnica de Modulacién de Ancho de Pulso Senoidal (SPWM). Esta V
técnica, hace que el control de la tension de salida, se efect}402e

mediante la
variacién de| ancho de varios pulsos por semiperiodo, con unaseparacion .
variable entre los pulsos.
La metodologia utilizada consiste en una investigacion bibliogréfica de las
topologias de inversores més simples, seguida por una investigacion de la
teoria de dispositivos semiconductores de potencia y el método adecuado
de control. El dise}401o
se realizo con un controlador analogico PWM,
tomando en cuenta Ia disponibilidad de componentes en el mercado, asi
como sus respectivos modelos de PSIM, PROTEUS que son esenciales
para sustentar el dise}401o.

De no existir a|gL 031m
modelo en Simulink, se
busco un equivalente en bloques, para realizar Ia simulacion.
Las Simulaciones realizadas mediante PSIM, PROTEUS han demostrado
que el sistema de control es valido y cumple con las condiciones de
dise}401o
impuestas, se realizaron pruebas con cargas resistivas, inductivas
y capacitivas y para los casos en que el voltaje de entrada disminuyo con
respecto al tiempo y en el caso en que se hizo cambios en la carga.
V 11
Finalmente se Ilegé a la conclusién de que el circuito es realizable y
estable ante cambios en la fuente y carga, asimismo, para cargas
resistivas inductivas y capacitivas.
Luego, se presenta Ias conclusiones a partir de los resultados obtenidos.
Finalmente se presentan Ias recomendaciones para trabajos futuros.
En los anexos se presentan Ia Matriz de Consistencia y los programas de
simulacién, utilizados en el presente trabajo.
12
ABSTRACT
This master's thesis deals with the Methodology for SPWM single phase
inverter control low frequency technique using Pulse Width Modulation
Sinusoidal (SPWM). It is technical, makes controlling of the output voltage,
is effected by varying the width of several pulses for each half, with a
variable spacing between the pulses.
The methodology consists of a literature search of simpler topologies
investors, followed by an investigation of the theory of power
semiconductor devices and appropriate method of control. The design was
done with an analog PWM controller, taking into account the availability of
components on the market and their respective models PSIM, PROTEUS
that are essential to support the design. In the absence of any model in
Simulink, an equivalent is sought in blocks, to perform the simulation.
Simulations using PSIM, PROTEUS have shown that the control system is
valid and complies with the design conditions imposed, tests were
performed with resistive, inductive and capacitive loads and for cases
where the voltage entry decreased with respect to time and in case it was
made changes in load.
He }401nally
concluded that the circuit is also achievable and stable to
changes in the source and load for resistive inductive and capacitive
loads.
Then presents the conclusions from the results.
13
Finally recommendations for future work are presented.
The annexes present the Matrix Consistency and simulation programs
used in this work.
14
CAPlTULO I
I PLANTEAMIENTO DE LA INVESTIGACION
1.1. ldentificacién del problema
Especificamente el trabajo de investigacién se centra sobre la
metodologia para el control de modulacién por ancho de pulso senoidal
(SPWM), de un inversor monofésico de baja frecuencia.
1.2. Formulacién de| problema
Ante las exigencias requeridas, en el control por ancho de pulso senoidal
(SPWM) de un inversor de baja frecuencia, es que se formula el problema
en forma de pregunta:
(;Cémo la técnica de modulacion por ancho de pulso senoidal (SPWM)
permitiré el control e}401ciente

de| inversor monofésico de baja frecuencia?
1.3. Objetivos de la investigacién '

1.3.1. Objetivos generales
El objetivo general de| presente trabajo, es el desarrollo de la metodologia
para el control de modulacién por ancho de pulso senoidal (SPWM),de un
inversor monofésico de baja frecuencia, de fabricacion adecuada,
relacionada a la aplicacion y dise}401o

moderno.
1.3.2. Objetivos especificos
Los objetivos especi}401cos

del presente trabajo fueron los siguientes:
a. Se ldenti}401co
las estructuras de inversores mas utilizadas en la
actualidad, de acuerdo a 2 diagrama de bloques, nivel tecnologico.
Basados en la estructura escogida y en los voltajes VDC /
15
AC, de}401niciénde las especi}401cacionesde| inversor , en
cuanto a e}401ciencia,
regulacion de voltaje y soporte de picos de
carga.
b. Se dise}401é
el inversor, de acuerdo a las especi}401caciones
de}401nidas
y a la metodologia modelo del inversor con las especi}401caciones
técnicas. .
c. Se simulé el circuito, para diferentes valores de referencia, para
optimizar el funcionamiento del inversor.
1.4. Justificacién _
Se justifico el desarrollo de la presente tesis, debido a que la Universidad
Nacional del Callao, especi}401camente

Ia Facultad de lngenieria Eléctrica y
Electronica, no cuenta con estos tipos de trabajo, sobre inversores con
modulacion por ancho de pulso senoidal (SPWM).
Ademés se justi}401ca,
la presente tesis, por la aplicacién que tienen |os
inversores en los siguientes campos:
o Control de motores eléctricos: La utilizacién de inversores
electrénicos permite controlar parémetros tales como, la posicién,
velocidad 0 par suministrado por un motor utilizado, en la
actualidad en los sistemas de aire acondicionado. Esta técnica
. denominada comercialmente como 034Inverter

sustituye
035, el antiguo
control, encendido/apagado, por una regulacion de velocidad, que
permite ahorrar energia. Asimismo se ha utilizado ampliamente en
traccion ferroviaria, principalmente en vehiculos, aptos para '
15
corriente continua, durante las décadas de los a}401os
setenta y
ochenta ya que permite ajustar ei consumo de energia, a las
necesidades reales de| motor de traccion, en contraposicion con el
consumo, que tenian los vehiculos controlados por resistencias
de arranque y frenado.
o Calentamiento por induccion: Consiste en el calentamiento de un
material conductor a través de| campo generado por un inductor.
La alimentacion de| inductor se realiza en alta frecuencia,
generalmente en el rango de los KHz, de manera que se hacen
necesarios inversores electronicos de potencia. La aplicacion ma's
comun se encuentra en las cocinas de induccion actuales.
o Otra aplicacion donde se utiliza el inversor, es en fuentes de
alimentacion ininterrumpida (SAI). En este caso se requiere, que a
partir de energia continua, previamente almacenada en baterias,
se obtenga corriente alterna defrecuencia }401ja,

(en la mayoria de
los casos de 60Hz), para la alimentacion de centros de consumo,,
donde no se puede permitir una pérdida de suministro (quirofanos,
unidades de cuidados intensivos, etc.).
o Generacion fotovoltaica, genera Ia tension alterna de 50Hz a
partir de una tension continua, producida por una serie de paneles
fotovoltaicos.
0 Las técnicas convencionales empleadas en inversores,
generalmente se obtiene a la salida una tension alterna cuya forma
17
de onda es cuadrada, esta generan arménicos cercanos a la
fundamental, lo cual hace que los }401ltros

utilizados para eliminarlos
sean complejos y poco econémicos, es por esta razén que
aparecen técnicas como la que se utiliza en este trabajo de tesis y
es el control de modulacién por ancho de pulso senoidal (SPWM)
para que las primeras arménicas se4 vean desplazadas a
frecuencias mas altas, lo cual hace que los }401ltros

empleados para
la eliminacién de las arménicas contaminantes sean de dise}401o

més
simple y mas econémicas.
- 18
FIGURA N°1.0: SIMULACION DEL INVERSOR SPWM
. H ., , 030
V 030 034
' I 030
~.¢s~ 3 _ /7 . \\
' L L 030 030L ~

V = 031 -.
V» ' A .
1 030 ~ .«_;}401.<"
' 030fx . _' . ~ 034 0303 031I 030§
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-\s= 030
, ' V
Referencia: Autoria Propia
COMENTARIO: Se observa una aplicacién del método con el control de potencia de un
foco.
19
CAPITULO II
MARCO TEORICO
2.1. Antecedentes de| estudio
En la presente Tesis se presentaron, algunos aportes e investigaciones
desarrolladas en el campo de| control; relacionados al Inversor
monofésico con técnica de rnodulacién por ancho de pulso senoidal
(SPWM) realizados por:
> Lara Moscoso Rene, Reina Rojas Annel, Chootong Ching Norman,
titulado "Dise}401o
y Construccién de un Inversor Monofésico Tipo
Puente con Modulacién de Ancho de Pulso Senoidal (SPWM) de
dos Nive|es 035.

El trabajo consiste en utilizar el microcontrolador
87C52 de Intel, que envia las se}401ales

de control y que controlan el
funcionamiento de los transistores de potencia (BJTs). Se ha
construido un médulo funcional cuya aplicacién permite efectuar,
las pruebas de las se}401ales

digitales, generadas con distintas
cargas, Ia comprobacién de la variacién de voltaje (indice de
modulacién) y variacién de la frecuencia. En primer lugar se
plantean Ias bases teéricas para la mejor comprensién de| inversor
implementado, asi como su aplicacién y utilidad. Luego se analizan
|os semiconductores seleccionados, |os transistores bipolares (BJT)
de potencia; se describe Iuego la modulacién senoidal de ancho de
pulso, como el método més efectivo, acompa}401ada

de una
2o 4
explicacion de las otras técnicas de control utilizadas. El siguiente
paso es el dise}401o
del modulo de potencia, el uso de protecciones,
fuentes de alimentacién y dise}401o

de los controladores de la base
de los transistores bipolares. Con estos antecedentes se deduce un
algoritmo que permite, generar las se}401ales

necesarias para
sintetizar una onda senoidal de amplitud y frecuencia deseada,
mediante un modulo microprocesador, el mismo que facilita Ia
manipulacién de| equipo, de parte del usuario, mediante un circuito
digital, que a su vez muestra las condiciones actuales de
operacién.
> Tesis Doctoral cuyo autor es Linda Hassaine de la Universidad
Carlos Ill de Madrid Espa}401a,

titulado: 034lmplementacién
de un
Control Digital de Potencia Activa y Reactiva para inversores.
V Aplicacién a Sistemas fotovoltaicos conectados a la red en esta
tesis doctoral en el capitulo Ill, se describen las bases previas al
control propuesto, el funcionamiento de los inversores conectados
a la red, el modo de conmutacion de| inversor y la teoria de las
estrategias de control aplicando el control SPWM. En el capitulo V,
se presenta la implementacion digital en FPGA del control
propuesto, de las técnicas de control SPWM y de| regulador
proporcional integral 030Pl.

En el capitulo VI, se presentan los
resultados de las Simulaciones. Para Ilevar a cabo la simulacién del
sistema completo, se ha utilizado el programa Mathcad, asi como
21
para el desarrollo de la estrategia de control propuesta y el calculo
de los reguladores de corriente y tensién.
> Luna Mejia Gabriel, Moctezuma Jiménez Gregorio, son autores de
034Dise}401o
Didactico de Convertidores CD-CA (a) Inversor
Monofésico 035.
En este articulo se presenta un Dise}401o
Didéctico de
un Inversor Monofésico Unipolar con Modulacién de Ancho de
Pulso senoidal SPWM (Inversor CD- CA).E| objetivo principal de
este Inversor, es que el estudiante de lngenieria pueda
implementarlo y analizarlo con los conocimientos ba'sicos de _
Electronica, tales como, con}401guraciones

de Ampli}401cadores
operacionales (OPAMP'S), BJT's, circuitos logicos, generadores de
funciones y principios basicos de los dispositivos semiconductores.
El inversor se construyé por bloques: asi tenemos, Generacién de
se}401ales
portadora y moduladora, comparacién PWM, generacién
de tiempo muerto, etapa de acoplamiento y circuitos de potencia.
En el articulo se detalla cada etapa y se presentan pruebas
experimentales del circuito implementado.
> Jacobi Diego, Pfarher Ivan, son autores de 034Control

de Potencia
Monofésico por SPWM 035,

de la Universidad Tecnolégica Nacional
Facultad Regional Parana Argentina, en este trabajo la aplicacion
en electrénica, de potencia, se basa en el control de potencia de la
onda senoidal monofasica, por medio de la técnica SPWM, de tal
. forma, que el ancho de pulso de la modulacion PWM, esté ~
22
relacionado con la funcion senoidal. Esta técnica hace que la
distorsién armonica, se desplace a mayor frecuencia y por
consiguiente, el dise}401o
de los }401ltros
se verén simpli}401cados.
2.2. Marco Filosé}401co 030
2.2.1. Fundamento ontolégico ,
Los inversores estén compuestos por una serie de dispositivos , 4
electrénicos de estado sélido, que controlados de forma adecuada,
permiten, a partir de corriente continua aplicado a la entrada,
obtener corriente alterna a la salida, voltaje de amplitud variable,
asi como, frecuencia deseada y adaptarlas a las necesidades de
una aplicacién.
Los inversores controlados, son en realidad convertidores de cuatro
cuadrantes, es decir, el flujo de potencia instanténea (Po= Vo lo)
durante dos intervalos no continuos de los cuatro posibles, viaja de|
Iado de CC al Iado de CA correspondiéndole un modo de operacion
de inversor. Sin embargo, durante |os dos intervalos restantes no
continuos, Ia potencia instanténea fluye de| Iado de CA al Iado de
CC, lo cual corresponde a un modo de operacion de rectificador.
Las variables empleadas para detectar dicho comportamiento son
las correspondientes a la salida de| inversor Vo e lo, como se
aprecia en la siguiente gréfica: (ver Figura N° 2)
23
FIGURA N°2.0: SALIDA DEL INVERSOR Vo, lo
L2 '
Fuente: Electronica de Potencia: Componentlés topologias y equipos.

S. Martinez - J. Gualda. Edit. Thomson Madrid. Espa}401a
024
2006.
El inversor, contiene como diagrama de bloques: Un circuito
oscilador, una etapa inversora, un comparador, un restador, un
circuito de acoplamiento y como ultima etapa, la etapa de potencia.
El oscilador es un ampli}401cador
realimentado positivamente para
provocar la inestabilidad y, por lo tanto, la oscilacion. La condicion
para que oscile es: R2 2 2 R1.
Si R2 < 2 R1 no oscila. Si R2 = 2 R1 exactamente, oscila
senoidalmente. Cuanto mayor sea R2 que 2 R1 més se deforrna Ia
030 se}401al,
puesto que la inestabilidad se incrementa, la amplitud de la
oscilacion crece y el operacional se satura. Lo ideal seria obtener la
condicién R2 = 2 R1, pero debido a la tolerancia de las resistencias
esta condicién es précticamente imposible de obtener. En la
préctica se pone R2 > 2 R1 aseguréndose que se veri}401que

esta
condicién a pesar de las tolerancias de las resistencias y Iuego se
I a}401ade
en la realimentacién negativa un limitador de voltaje para
que el operacional no se sature. El limitador de voltaje se consigue
24
simplemente con dos diodos en antiparalelo, D1 (1N914) y D2
(lN914) de manera que la tensién de salida durante los semiciclos
positivos queda limitada por la tensién de ON de| diodo en directa,
y durante |os semiciclos negativos la tensién de salida queda
limitada a la tensién de ON del diodo en inversa. De esta forma se
aseguran Ia oscilacién de salida y se Iimita su amplitud a i 0.7V
aproximadamente.
La frecuencia de la oscilacién se determina con la realimentacién
positiva, y su valor es: fm =1/ 2 Pi RC. , Pi=3. 1416
Puesto que deseamos un oscilador a 50 Hz, escribimos Ia ecuacién
anterior para despejar el valor de R: asi, R = 1/ 2Pi 5OC=
78.54/ C. -
Ahora hay que encontrar Ia combinacién de R y C que nos de el
valor deseado, lo mas fécil es fijar el valor de| condensador a uno
que tengamos y Iuego determinamos Ia resistencia, ya que es mas
fécil obtener valores de resistencias.
Por ejemplo, }401jamos

el condensador a C= 470nF; Ia resistencia
seré igual R= 67772.5 0, se puede conseguir con una R= 6.8KQ.
Con estos valores se consigue una f= 49.8Hz aprox. 50Hz.que es
el propuesto.
senoidal desfasada 180°, se utiliza un

Para obtener la se}401al
operacional en con}401guracién
inversora y con ganancia unidad. En
este caso se utilizan dos resistencias de 10KQ para conseguir la
25
ganancia unitaria, |os diodos son de propésitos generales, porque
no hay restricciones severas de voltaje, corriente o frecuencia.
Para Ia alimentacién de los operacionales se uso :15V. y asi se
- obtuvo se}401ales
peque}401as
en la salida, Iuego se usaron circuitos
integrados optacopladores, también con tensiones de 5V.
FIGURA N° 2.1: CIRCUITO OSCILADOR SENO Y SENO
INVERTIDO SW_1, SW_2
R15 '
D2
1%
.3
031 5
1N914
031
E .
_ Hm U1
2 6
1k 3 0 SIN_1
£2
F 741 I:
.
U2
R2 C2 R4 2 if
6
034K 0307°"° wk GROUND o 3 . SIN}
R3 c1
6.8k 47onF " 741
O GROUND :3
A La onda triangular alterna generada fue de 1Khz. y con un valor de
voltaje de 0.8V.
26
FIGURA N° 2.2: CIRCUITO GENERADOR DE ONDA
TRIANGULAR.
' 2 R14
1k
5 R12 04
- .0
O '7 10uF
0
U7
Viv-It)
3 4 3 6 o TRIANGULAR
C3 GROUND I
0.1uF N 741 ,\
741
Q .
030,3R10
R11 0 GROUND
El circuito comparador se implemento con dos operacionales
Seguidamente se obtuvo Ia se}401al

PWM, que fue la que controlan el
cierre y apertura de los interruptores de potencia, esta se}401al

se
. obtuvo restando dos se}401ales

Seno 1 y Seno 2, el circuito restador
se implementé con un operacional, es necesario que los
componentes externos, Ias resistencias tengan el mismo valor para
que no ampli}401quen
ninguna se}401al
y asi obtener la se}401al
diferencia,
Seno2-Seno1 .
El siguiente paso es implementar el acoplamiento ga|va 031nico,

para
de control PWM con el circuito de potencia,

acoplar Ia se}401al
27 -
formado por los interruptores realizados con dispositivos
electrénicos de potencia y las fuentes de potencia Vcc* y Vcc '. Se
usaron dos optoacopladores, con salida BJT (para efectos de la
simulacién), Iuego se utilizo un ampli}401cador

clase D.
- El circuito de potencia, a partir de una fuente de corriente constante
CC, se generé un voltaje senoidal, a partir de la conmutacién de
los cuatro interruptores en el puente monofésico. Para ello se
controlan cuatro Mosfet 031s

de potencia u|trarra'pidos (|RG4PC50U,
BDSS=600v, |DS= 30 A) 0 también puede utilizarse |GBT 031s,

|os
cuales tienen Ia capacidad de conmutacién répida, aparte de
soportar altos rangos de voltajes. .
Los circuitos mencionados anteriormente se encuentran en el
anexo B (circuito }401nal).
Para simular el efecto de tierras independientes, se a}401ade

una
fuente de tensién entre la tierra del circuito de control, que es la
tierra que utiliza Ia simulacién, y el nodo que Ilamaremos PWGND.
Esta tensién permite simular el aislamiento galvénico
proporcionado por los optoacopladores, y puede dérsele el valor
que desee. Cuando se quiera obtener se}401ales

de| circuito de
potencia, deberén estar referidas a PWGND, y no a la tierra de|
circuito de control. . 031
23
FIGURA N° 2.3: ACOPLAMIENTO Y ETAPA DE POTENCIA
as p 5.. am
.Mmo\ um 034 on "3 -

" ' vm _2 mi 030 . .
5'5
U61?--I .
9..
030-15: 030 t
2.2.2. Fundamento metodolégico
El primer paso fue realizar una investigacién mas detallada de los
T inversores de potencia y sus diversas topologias, buscando
diferentes tipos de soluciones, para la conversién de la energia
planteada. Se planted una conversién por etapas, simulando Ias
topologias més adecuadas segL 031In

Ias especi}401caciones
deseadas,
de| inversor DCIAC. La simulacién se Ilevé a cabo con el software
de simulacién Matlab/Simulink, asi también con el software Psim y
Proteus.
_ Para el inversor DC/AC, el control se planteé mediante
componentes analégicos, para obtener una mayor }402exibilidad,

y el
29
disparo de los Mosfet 031s
se implementé mediante drivers con la
técnica bootstrap.
Se llevo a cabo el célculo y el dise}401o

a partir de los resultados
obtenidos en las Simulaciones pertinentes, para la obtencion de los
componentes, y la validacion de los mismos.
2.2.3. Fundamento epistemolégico
Nuestra sociedad industrial, paso por diferentes etapas. En el siglo
XIX, se produjo Ia Revolucion Industrial, impulsada por la méquina
de vapor. La introduccion de las maquinas eléctricas, caracterizo la
primera mitad de| siglo XX. Con la invencion del transistor en el a}401o
1948, se inicié Ia 034Primera

Revolucién Electrénica", se produjo el
fenémeno 034g|oba|izacién 035.
Con la invencién de| tiristor en 1956 caracterizo, Ia 034Segunda
Revolucion Electrénica 035

que culmina con la madurez de la
Electrénica de Potencia en los albores de| siglo XXI.
La aparicion Ade nuevas estructuras y funcionalidades de los
inversores Estéticos ha ido ligada con la evolucién de la Electrénica
de Potencia. '
El desarrollo de los componentes electrénicos, unida a la evolucion
de los inversores estéticos y del control, ha evolucionado
répidamente, en la Liltima década de| siglo XX.
so
2.3. Bases teéricas
La funcion de los inversores es cambiar un voltaje de entrada de corriente
continua (D.C) a un voltaje de salida de corriente alterna (A.C) simétrico,
con amplitud y frecuencia deseada. Si se modi}401ca

el voltaje de entrada,
manteniendo }401ja
la ganancia, es posible obtener un voltaje variable a la
salida. Por otro Iado, si se mantiene constante la entrada y se varia Ia
ganancia Se puede obtener a la salida un voltaje variable. Esto se hace
controlando la modulacion de| ancho de| pulso, dentro del inversor. Las
formas de ondas de los inversores, no son exactamente senoidales,
siendo necesarias formas de ondas con muy baja distorsién arménica;
para aplicaciones de potencia. El control de| voltaje de salida se realizo,
mediante algunas técnicas, entre Ias que se destaca la modulacion por
anchura de pulsos PWM (Pulse Width Modulation).
Unas de las aplicaciones més importantes de los inversores son las
siguientes: '
1. Fuentes de alimentacion de emergencia.
2. Fuentes de alimentacion ininterrumpida (U.P.S) o (SAI).
3. Variadores de velocidad para motores de corriente alterna (A.C).
4. Calentamiento por induccién.
5. Lineas de transmision D.C (extremo receptor).
6. Dispositivos FACTS (Sistemas }402exibles

en corriente alterna)
A 31
Un convertidor DC - AC, esté formado por un inversor, un sistema
de control, un }401ltro
de salida y una fuente de alimentacién, la estructura
general se muestra en la }401gura

2.3.1.
FIGURA N° 2.3.1: ESTRUCTURA GENERAL DEL CONVERTIDOR DC 024

AC
ruenrrsoc
:t~+
"ll
El circuito de control, es el encargado de suministrar los pulsos de
encendido y apagado de los dispositivos que lo conforman, para que de
esta manera se obtenga la forma de onda deseada en la carga. Otra
funcién de| circuito de control es la de monitorear el estado, a la
salida del inversor, en cuanto a sobrecargas o cortocircuitos en la
carga o dentro de él, de tal manera que prohiba Ia conduccion. de-los I
dispositivos de potencia, cuando esto se presente.
La fuente de alimentacion DC, suministra Ia tension continua a la entrada
de| inversor, y dependiendo del tipo de control, que se esté realizando,
para obtener Ia onda en la carga, puede estar conformada por una o
varias etapas que a su vez pueden ser 0 no manejadas por el circuito de
control.
32
Son muchos |os puntos de vista, en los cuales se pueden clasi}401car
los
inversores, una posible clasi}401cacién es, segun el tipo de
semiconductor, con que se implementen |os interruptores: tiristores o
transistores. Los primeros se pueden subdividir a su vez en inversores de
bloqueo natural oforzado (con fuente inversa de tension 0 de corriente);
|os segundos es posible a su vez subdividirlos en auto excitados o
con excitacién independiente. Es posible establecer otra clasi}401cacién
en funcion de las caracteristicas de salida, con}401guraciones

monofésico en
medio puente o puente completo y puente completo trifésico 0 en sus
caracteristicas de entrada: inversor alimentado en tension 0 en corriente,
segun de que tipo sea la fuente primaria de entrada. Para el caso de los
inversores con transistores, se puede establecer otra clasi}401cacion, V
baséndose en el método de excitacion de la base de los transistores que .
con}401guran
Ia topologia de potencia de esta forma tenemos |os inversores
de onda cuadrada, P.W.M (Pulse Width Modulation) de alta frecuencia,
con control de desplazamiento de fase, etc. [2]
Principio de Operacién de los inversores:
Inversor Monofésico de Medio puente
Para su principio de operacién, se considera una sola rama es decir
inversor monofésico en con}401guracién

de medio puente ver }401gura
2.4. Los
condensadores deben de tener el valor adecuado para que la tension
pueda ser considerada constante. Los diodos en antiparalelo se colocan
para permitir el paso de corriente en sentido contrario, ya que la carga no
33
siempre va a ser resistiva, por lo que existiré un desfase entre la
tension y la corriente. De esta forma, cuando T esté saturado, la
corriente circulara por el mismo o a través de su diodo en antiparalelo,
segun sea el sentido de la corriente. Por otro Iado, la corriente se
divide en valores iguales por los dos condensadores de }401ltro;

podemos
considerar que ambos condensadores estén conectados en paralelo y
en serie con la carga; por tanto, en régimen permanente, no existe
componente de continua en la corriente que circula por la carga, con lo
que se evitan |os problemas de corriente continua en los devanados de
un motor, saturacién de lostransformadores(sise utilizatransformador).
FIGURA N° 2.4: ESQUEMA DE UN INVERSOR MONOFASICO MEDIO PUENTE
:. Q 030 .
- C-T V V342 H A ,,,

. V 034
. _
O : - V0 + '
' 031 G V 030 034"2 I_ A D 030
. Referencia: Autoria Propia
Los transistores usados permiten tanto el encendido como el
apagado por el tenninal de control (base). Por simplicidad se asume que
cada transistor conduce durante el tiempo que exista el pulso en la base
y permanece apagado cuando desaparece. La secuencia de disparo
y. la tension obtenida en la carga son mostradas en la }401gura

2.5,
donde la frecuencia angular de salida esté dada por la ecuacién (2.1):
34
w = 211 I T (2.1)
FIGURA N° 2.5: SECUENCIA DE DISPARO Y TENSION OBTENIDA EN
LA CARGA
ESIADO DE LOS
mmsusronss
180° 350°
5 T+
T-
Voz Wt
% E E E
"' 030U
9- E E E E
v 2=v , - -
A I. 030
2.4 Ix 030W.
+ 0- - glo
" 031° hp! 030 |L_AI
030 En el intervalo O < t< T 2 conduce T + y la carga es sometida a la
tensién Vs/2. En t = T/2, T + es apagado y el T - encendido. En el
intervalo T/2 < t < T conduce T - y la carga es sometida a la tensién
-Vs/2. Por tanto la forma de onda en la carga es una tensién alterna
rectangular de frecuencia 1/ T. Variando el periodo T se puede
controlar la frecuencia de salida de| inversor. Si Ia carga es resistiva
pura, el circuito con solamente los transistores es necesario; pero
35
la carga puede ser inductiva o capacitiva; o siendo mas exactos,
una carga resistiva contiene algo de capacitancia 0 de inductancia.
Entonces para cualquier tipo de carga, la corriente lo no tiene que
invertirse necesariamente en el mismo instante que el voltaje. Los diodos
D + D - y de corriente circulatoria, conectados en antiparalelo con
cada interruptor, permiten Ia operacién con cualquier tipo de carga.
Una desventaja de éste circuito es que necesita
alimentacién continua de tres hilos, por lo que se utiliza mejor una
configuracién de| tipo puente. El inversor tipo puente monofésico es
utilizado cuando se desea obtener A.C. Monofasica en la carga a partir
de una fuente de tensién continua (mica. [1]
La tensién eficaz (Vrms ) de salida de| inversor Medio puente esté
dada por la Ecuacién (2.2):
Vo = (-2-?
To 0 lid
4 030? (2 - 2)
Parémetros de calidad
En la conversién DC/AC se utilizan |os parametros de eficiencia, a efectos
de elegir el inversor, para una aplicacién determinada.
El inversor ideal deberia entregar una onda de tensién senoidal, es decir
031 sin contenido arménico, como lo es la tensién de red. Por tanto, mejor
prestacién y rendimiento tendré aquel inversor cuya salida tenga menor
cantidad de arménicos.
36
Los parémetros de e}401ciencia,
muestran cémo se comporta cada circuito y
se de}401nen
de la siguiente manera:
Factor arménico de cada componente 0 de la enésima potencia HFn
Representa la contribucién de una arménica de orden n, cuyo valor e}401caz
es Vn, respecto a la fundamental V1
HFn=Vn / V1 (2.3)
Vn es el valor rms de la enésima arménica.
V1 es el valor rms de la componente fundamental.
Distorsién arménica total (THD) DAT
Es una medida de la similitud entre la forma de onda y su
componente fundamental.
Toma en cuenta el valor e}401caz

de todas las arménicas presentes,
respecto de la fundamental.
1
THD =l[ i vjjz (2.4)
V ..=2,a...
Si la tensién }401e
salida tiene un valor e}401caz
total V y la fundamental es V1,
el valor e}401caz
resultante de todas las arménicas presentes se puede
calcular facilmente como:
Vn= ( V2 024
V12 )"2
37
Factor de distorsion ( DF )
Proporciona el contenido arménico total de la se}401al

pero no indica el nivel
de cada uno de sus componentes. Indica la cantidad de distorsién
armonica que queda en una forma de onda triangular después de que los
arménicos de esa forma de onda hayan sido sujetas a una atenuacion de
segundo orden (es decir divididas por n2 ).
Por Io tanto, DF es una medida de la e}401cacia

en la reduccién de las
componentes arménicas no deseadas y se de}401ne

como:
2%
THD=Vl[ 2 J (2.5)
1 n=2,3... n
Este factor puede calcularse para una arménica individual de orden n
como:
DFn= Vn/ V1.n2 (2.6)
Arménica de menor orden (LOH):
Es la arménica cuya frecuencia, es la mas cercana a la fundamental y su
amplitud es mayor o igual al 3% de la amplitud de la fundamental.
Este parémetro, toma importancia en los inversores comerciales, para
' conocer a partir de que arménica, comienza la existencia de estas.
Inversor monofésico en puente completo
En la }401gura
2.6 se muestra un inversor monofésico en con}401guracién
de puente completo, esta con}401guracién

se utiliza con potencias
mayores que las de un inversor monofasico de medio puente. Para
I la misma tension de entrada, la tension maxima de salida que se
38
puede obtener, es el doble que en el caso de| medio puente; por tanto,
para una misma potencia, la corriente por cada interruptor es la
mitad. Si se trabaja con altas potencias de salida, dado que la corriente
a manejar es menor, esto signi}401ca

una notable ventaja, ya que se podré
poner menos interruptores en paralelo. [2]
FIGURA N° 2.6: INVERSOR MONOFASICO PUENTE COMPLETO
TA +/ DA + T3 +/ D3 +
VsI2
A CARGA B
_ 21
T.,
V°"VAa'Vno
VsI2
1';\./ DA- Ta-/ _ DB-
Para esta topologia, podemos distinguir dos esquemas bésicos de
funcionamiento: bipolar o unipolar; por estos términos, se entenderé como
varia Ia tension aplicada al conjunto rectificador-carga: para el caso
bipolar, Ia tension oscilaré entre el valor maximo de la tension de entrada
y el mismo valor negativo (+Vs, 024Vs),

a la frecuencia de conmutacion.
Para conseguir que la forma de onda varie entre +Vs y -Vs es preciso
que los lnterruptores del puente conmuten de forma cruzada, es decir,
que TA + y TB - estén saturados al mismo tiempo, y de igual forma para
los otros dos interruptores.
39
De esta forma, el control de los interruptores se realiza de la misma forma
que en el caso de un medio puente; la (mica diferencia es que es
preciso enviarla se}401alde

mando a dos interruptores. La forma de
onda obtenida en el conjunto }401ltro

+ carga es exactamente la misma
que para el caso del medio puente, salvo en la amplitud: para el caso
del puente completo, ésta es doble; por tanto, el anélisis de los
arménicos que aparecen en la tension de salida, es exactamente el
mismo.
Para el caso unipolar, en cada ciclo de conmutacién, la tension variaré
entre el valor +Vs y 0 o bien entre -Vs y 0 , dependiendo, en que
semiciclo de la onda moduladora nos encontremos.
En este caso, |os interruptores de las ramas no conmutan en el mismo
instante de tiempo como en el caso anterior. La forma de
controlar ambas ramas es independiente, realizando para el control
dos comparaciones distintas: por un Iado, para controlar una de las
ramas se sigue la misma filosofia anterior:
Vsen > Vtri -' TA +ON IVAN: Vs
Y ademés:
Vsen < Vtri -' TA"'ON IVAN: Vs
Para Ia otra rama, se emplea Ia siguiente comparacién:
-Vsen > Vm : Ts- ON ,'VAN= Vs
Y para el interruptor Te- se obtiene:
-Vsen < Vm-:Ta- C)N;VAN= V5
40
VAB = VAN 024VBN
Debido a la presencia de los diodos en antiparalelo con los
interruptores, Ias tensiones deducidas en las ecuaciones anteriores son
independientes de| sentido de la corriente.
Las combinaciones anteriormente. establecidas suministran Ia siguiente
secuencia para los interruptores:
TA +, T3 024ON.'
VAN = +Vs ;V3N= 0; V0 = VS
TA -,T3 + ON: VAN: 0 ; V3/V = +Vs; Vo = -Vs
TA +,T3 + ON. VA/v=

031 +Vs; V3/v= +VS,' V0 =0
TA +,T3-ON: VA~=0; VBN =0; Vo=O
Una de las ventajas que supone la utilizacién de| esquema unipolar es
que la frecuencia de los arménicos es doble con respecto al caso
bipolar; ademas, Ia excursién de la tensién en la carga se reduce a la
mitad, como se deduce de las férmulas presentadas anteriormente. [2]
2.3.1. Control de| voltaje de salida -
En muchas aplicaciones industriales se hace necesario controlar el voltaje
de salida de los inversores: V 030
- Para hacer frente a las variaciones de entrada de D.C.
- Para la regulacién de la tensién de los inversores.
~ Para |os requisitos de control constante de la tensién de salida y
frecuencia.
Si se quiere mejorar aun mas el contenido de arménicos en la
salida de un inversor, es necesario utilizar lo que se conoce como
41
modulacién de anchura de pulsos P.W.M ( 034Pulse
Width Modulation 035).
La
idea bésica es comparar una tension de referencia senoidal de baja
frecuencia, (que sea imagen de la tension de salida buscada), con una
se}401al
triangular simétrica de alta frecuencia cuya frecuencia determine la
frecuencia de conmutacion. La frecuencia de la onda triangular (llamada
portadora) debe ser, como minimo 20 veces superior a la méxima
frecuencia, de la onda de referencia, para que se obtenga una
reproduccion aceptable, de la forma de onda sobre una carga, después
de efectuado el }401ltraje.
La se}401al
resultante de dicha comparacion nos generaré la logica
para abrir y cerrar, los semiconductores de potencia. Las técnicas mas
utilizadas son: '
- Modulacién de un solo ancho de pulso
- Modulacion de varios anchos de pulso
- Modulacién senoidal del ancho de pulso
- Modulacion senoidal modificada de| ancho de pulso
- Control por desplazamiento de fase.
42
2.3.1.1. Control del voltaje por modulacién de un solo ancho de
pulso.
En el control por modulacion de un solo ancho de pulso, existe un solo
pulso por cada medio ciclo, el ancho del pulso se hace variar, a}401n
de
controlar el voltaje de salida del inversor. La }401gura

2.7, muestra la
generacién de las se}401ales

de excitacién y el voltaje de salida para
los inversores monofésicos en puente completo. 030 _
Las se}401ales
de excitacion se generan comparando una se}401al
I
rectangular de referencia de amplitud, Ar , con una onda portadora
triangular de amplitud A , Ia frecuencia de la se}401al

de referencia
deterrnina la frecuencia fundamental delvoltaje de salida. Si se varia
Ar desde0 a A, el ancho de pulso 6, puede modi}401carse

desde0a
180°. La relacién Ar, con Ac , es la variable de control y se de}401ne

como
el indice de modulacion de la amplitud, o simplemente indice de
modulacién.
M= Ac/Ar (2.7)
43
FIGURA N° 2.7: MODULACION DE UN SOLO ANCHO DE PULSO
E
A 030 /Se}401al
Portadora
_ _ 024
_ _ Se}401alde
Referencia
A. L 030EA -/
9' 034? w,
I
I - 11
: I
I
7I I
I
'
030
91 :¢ 024 024 024 0246 Se}401al
024- de
024ex§:itat:ic'm
024->| para el triansitnr 01
j ' '
9?G Se}401alde
excitaciénpata Q4
" ;
_
: at
034"
ya» " 2:!
_v,
La tensién de salida se puede determinar a partir de la ecuacién (2.8):
(ma)/2 1
v= 024j
V2dwt 2=v
2 5
024
° (27: <n 024a>/2 S ( )) S 71: 0302-8 031
La }401gura
2.8 muestra el perfil de arménicos con la variacién del indice de
modulacién, M . El arménico dominante es el tercero, y el factor de
distorsién aumenta en forma signi}401cativa

a un bajo voltaje de salida.
44
FIGURA 2.8: PERFIL ARMONICO DE LA MODULACION
v,, OF 1%)
V 030 9
- 1.0 D'5
3
0.8 V 030 op 7
6
0.5 5
4
0.4
v, 3
0.2 2
V5 V7 1
o o
1 0.3 0.5 0.4 o.2 o
lndice de Modulacién, M
Fuente:E|ectrc 031>nica
de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras
Basicas.E. Ballester-R.Pique Edit.A|faomega Mexico 2012.
2.3.2. Control de| voltaje por modulacién de varios anchos de pulso
Utilizando varios pulsos en cada medio ciclo de tensién de salida puede
reducirse el contenido arménico. La generacién de se}401alesde
excitacién para activar y desactivar los transistores aparece en la }401gura
2.9a, mediante la comparacién de la se}401al

de referencia con una onda
portadora triangu|ar. La frecuencia de la se}401al

de referencia establece
Ia frecuencia de salida, fc , determina el numero de pulsos por cada
ciclo p. El indice de modulacién controla elvoltaje de salida. Estetipo
de modulacién también se conoce como modulacién uniforme de ancho
de pulso (U.P.W.M). El n}401mero

de pulsos por medio ciclo se determina a
partir de la ecuacién (2.9):
p = fc/2fo = mf/2 (2.9)
45
Donde mf = fc/ fo y se define como la relacién de modulacién de
frecuencia. La variacién del indice de modulacién Mdesde O hasta 1
varia el ancho de pulso desde 0 hasta p / Tr, y el ancho del voltaje de
salida, desde 0 hasta v. 030..

La tensién de salida para los inversores
monofésicos en puente aparece en la }401gura

2.9b para U.P.W.M.
Si 6 es el ancho de cada pulso, el voltaje de salida se puede determinar
a partir de la ecuacién (2.10):
1
Vo = ($3: Vfd(VVt))§ = Vs (2.10)
La forma general de la serie de Fourier para el voltaje instantaneo de
salida es:
v0 = i Bnsenwt (2.11)
..=1,2,a,...
El coe}401ciente
B" de la ecuacién (2.11), puede determinarse considerando
un par de pulsos, de tal forma, que el pulso positivo de duracién 6 se
inicie en out = a, y el negativo del mismo ancho se inicie en out =11 + a .
Esto se muestra en la }401gura

2.10b.
Se pueden combinar |os efectos de todos los pulsos para obtener
el voltaje efectivo de salida. En la }401gura

2.10, se indica como es el per}401l
de arménicos para la modulacién de ancho de pulso multiple.
030 45
FIGURA N° 2.9: MODULACION EN ANCHO DE VARIOS PULSOS
9 E" & 034L sciial ponaaora A

M
A 030 K A A I seiialde u}402crencia
IYQYQVQVQYI 2- ..
IAVAVAVAVA
(a) Generaclén -de la se}401aal
de e}401znaciéal
I
o W -2
2' at
..V,; 030
°'* ago-: I
(M voltaje de salida
FIGURA N° 2.10: PERFIL DE ARMONICOS PARA MODULACION EN

ANCHO DE VARIOS PULSOS
V D* 030I.%J'
1.0 V3 5-0
9-5 030
03 § 4.0
o_5 3.0
[L4 2.0
0 0
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 o
lndice de rnodulaci6n_ M
Fuente:Electrénica de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras

Basicas.E. Ballester-R.Pique Edit.A|faomega Mexico 2012.
2.3.3. Modulacién ancho de pulso senoidal (SPWM)
En vez de mantener igual el ancho de todos los pulsos, como es el
caso de la modulacién multiple, el ancho de cada pulso varia en
proporcién con la amplitud de una onda senoidal evaluada en el
47
centro de| mismo pulso. El factor de distorsién y los arménicos de
menor orden se reducen en forma signi}401cativa.

Las se}401ales de
compuerta, segun se muestra en la }401gura

2.12, se generan al
comparar una se}401alsenoidal de referencia con una onda portadora
triangular de frecuencia fc . Este tipo de modulacién se utiliza por lo
general en aplicaciones industriales; se abrevia S.P.W.M. La frecuencia
de la se}401al
de referencia, frdetermina la frecuencia de salida de|
inversor, fo, y su amplitud pico, Ar, controla el indicede modulacién,
M, y en consecuencia, la tensién de salida rms.
El numero de pulsos por medio ciclo depende de la frecuencia
portadora. TA -, conducira cuando A deje de hacerlo y T + B T- cuando
B T+ no conduzca, de esta forma para determinar Ia tensién de la
carga seré Va b -V , esto se muestra en la }401gura

2.12. Las mismas
se}401ales
de excitacién se pueden generar utilizando una onda portadora
triangular bidireccional tal y como se muestra en la }401gura

2.12.
El voltaje rms de salida puede controlarse, _si se varia el indice de
2 modulacién ma.
Es facil observar que el area de cada pulso corresponde
aproximadamente al area bajo Ia onda senoidal entre los puntos
medios adyacentes de los periodos inactivos de las se}401alesde
excitacién. Si 6m es el ancho de pulso de orden, Ia ecuacién (2.12) se
puede extender para el voltaje rms de salida [2].
48
FIGURA N° 2.11: MODULACION DE ANCHO DE PULSO SENOIDAL
(SPWM)
H0; 1 r Wll:
Lwt... _J.E
1W 3 030 031
!.i:li:8! I ! *=
I z 1 I E 030!!!
A»
FIGURA N° 2.12: SENALES DE CONTROL Y TENSIONES PARA
SPWM.
A 9 Seiialde referencia Seiialportadora

°
. /
A'/ A
4
£3YVDY*5451"?=
030V y 030!
V* 034
91 030Pia!
., 1: _ I I 2 030 __
9} 031, 1' I I _ it B,
Q; :3. I I 1 1 1 9 030
: 1 ' an
9: 11 I I I _,
vo & 2:
E V1 030;llllll M
°~9: nu I I b
Fuente:Electrc'>nica de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras
Basicas. E. Ballester-R.Pique Edit.AIfaomega Mexico 2012.
49
FIGURA N° 2.12.1: PERFIL ARMONICO PARA MODULACION SPWM
0'8 -& owe: 1.0
9.5 0.8
0.6 V 031
0.6
0.4
0.4
"2: 030?.=
_ _ _031..
034'2,_f ' f031
' 0.2
'-034
-0.. , ___y.-v..
030
o 024-034
030 o
1.0 0.8 0.6 0.4 0.2 0
Indice de Modulacién, M
Fuente: Electrénica de Potencia, Principios Fundamentos y Estructuras

Bésicas. E. Ba||ester 024R.
Pique Edit. Alfaomega México 2012.
1
p 5 2
V. = v.[Z- 031"]
m=1 Tc
(2.13)
Un método de controlar el voltaje dentro de| inversor involucra el
uso de las técnicas de modulacién de ancho de pulso (PWM). Con esta
técnica el voltaje de salida de| inversor es controlado por la variacién de la
duracién de los pulsos de voltaje de salida.
La técnica de modulacién por ancho de pulso senoidal (SPWM), se basa
en emplear una modulacién multiple (varios pulsos de disparo en cada
medio ciclo de voltaje de salida), el ancho de cada pulso varia en
proporcién con la amplitud de una onda senoidal evaluada en el centro de|
mismo pulso.
so
Como se muestra en la Figura 2.13, para generar Ias se}401ales
de control
de los interruptores de forma que se consigan formas de onda de este tipo
son necesarias dos se}401alesz
Una se}401al
de referencia: es la forma de onda que se pretende, conseguir
a la salida, (en este caso es una se}401al

sinusoidal de baja frecuencia,
BOHZ)
Una se}401al
portadora: es la que establece la frecuencia de conmutacién,
(generalmente se utiliza una se}401al

triangular de alta frecuencia).
FIGURA N° 2.13: ESQUEMA DE GENERACION SPWM
.£ti:lAlm_A A A A *-
Ni V WIYIYIW
animal 1 I I ,
H 1 I IS!!!
La modulacién de ancho de pulso ( PWM), traslada Ias arménicas en la
onda de voltaje de salida, al rango de las altas frecuencias, alrededor de
la frecuencia de conmutacién ftri y sus mtiltiplos como mf, 2mf, 3mf y mas,
donde el indice de modulacién en frecuencia es rmf = ftri/fsin. En cuanto a
su seleccién, es més fécil filtrar arménicos de alta frecuencia, cuanto
mayor sea mf , més peque}401o necesario a la salida de|

seré el }401ltro
inversor. En la préctica, el maximo valor de mf esté determinado por la
51
méxima frecuencia de conmutacién, que permita peque}401as
pérdidas de
potencia.
Para peque}401os
valores, del indice de modulacién en frecuencia (mf < 21),
la se}401al
triangular y la se}401al
de control deben estar sincronizadas, para
evitar sub 024arménicos

de la frecuencia fundamental. Cuando mf se hace
grande, los sub-arménicos son reducidos mejorando este aspecto. Si mf 030
es impar, se demuestra mediante la serie de Fourier, que en la tension de
salida aparecen unicamente armonicos de orden impar. Si mf es par,
aparecen arménicos pares e impares, junto con un nivel de continua.
El circuito de control, debe adecuarse a la topologia seleccionada, no solo
para el correcto funcionamiento de| inversor, sino también para cumplir
con las caracteristicas y condiciones particulares, que exija la aplicacion.
Existen dos versiones de la técnica de la modulacién por ancho de pulso
senoidal (SPWM): a) SPWM bipolar; y b) SPWM unipolar.
2.3.4. Modulacién por ancho de pulso senoidal bipolar (SPWM
Bipolar).
A En la modulacion bipolar se genera el disparo de los cuatro interruptores,
(Figura 2.13.1) por la comparacion de la tension de referencia (se}401al
Senoidal), con una senal triangular como se observa en la Figura N°
2.13.1(b). La tension de salida oscila continuamente entre su valor
positivo (+Vac) y su valor negativo (-Vdc) por lo que solo hay dos
52
combinaciones posibles de los interruptores como se muestra en la tabla
N° 01, cumpliéndose que S1 = S3 y S2 = S4,ademés de que S4 = 3-1 y
s3 = 5
La Figura N° 2.13.1 (b) presenta un ejemplo de las se}401ales
que
intervienen en la modulacién bipolar (}401gura

N° 2.14a) y la tensién que se
aplicaria a la carga, y la Figura N° 2.14 b. Como se puede observar en la
2.14 b se presenta el arménico fundamental (orden 1) y grupos de

}401gura
arménico a fm (de orden mr) alrededores y a m}401ltiplos.

Lo principal de esta
modulacién, es que los primeros arménicos aparecen a la frecuencia de
conmutacién y es una desventaja, respecto a la que presenta la
modulacién unipolar que se explicaré Iuego. b
FIGURA N° 2.13.1: CIRCUITO DE MODULACION SPWM BIPOLAR
Va 031 Vm .
9 $4
V S1 S3
,(;a 030)
3I?i_2ei1ta H vi.i?osicioriaii1i§ 030::;itp
aé in- (b) Circuiton bfzsico dc, modula-
'tbriup=t§:>res;-. " cién-bipolar. -
53
TABLA N° 01 POSIBLES VALORES DE CONDUCCIDN DE LOS
DISPOSITIVOS DE POTENCIA EN LA MODULACION BIPOLAR
030 ° 030 ° H
FIGURA N° 2.14 MODULACION BIPOLAR
031
j 031. 9;;030{ 51030 030 4.! H
. .
5 0,; i 030 1141, 1 W, 030; 030\I

5 3 ,_; vm. A .
.1AL?;.i* 030E034-3. 030J LL; AZW5
0 0.01 gag 030 m.s=0.9
Va. _. . . _. J £{§~_,._..v°ut§
r .\
I, 030 031 031 IWF 034I;
of .ié:.. 35% V . : Q % §. 030M
9,},
_§ i 024 1;. {g A ;o.2§.. ~ ' 024
% '7). o 5 1 15'~2n 3 an -35 43
0 E 031 ems " om 031 o.o 0301'5~'
(33. Sc}401iies
PA ri;1cipa_icS«
. (5) Contenido arménico normalfzadc
030 de la
030 » tensiéndc salida 030.
54 A
FIGURA N° 2.15: FORMAS DE ONDA SPWM BIPOLAR
(SIMULACION PSIM)
V :Vsm L: f .7 7:". T7_\.Tf7fffi'EL 031fT§i

7TfTi'Z030§
TZ"fii;%T 031ff
.
Vt Z035 " 030f_'. 030'\IjL.§;''I'..jLjI_5§ 030__Iij_[fj.'Ifif[[.ff'..fjf 030
A .. EIEIIIIL}.fiIifi§ii.ifi}402fIi§.ii§.XIII§jII§ijIIffif:IfZf.._l§§f:fi§..ifIfZ} §fIIj j}401fffj

If i§IfiIi§7ff'.f§
VB i; .j
..... .. ifffifjififfféi. T. 031f§."ff 030ff§fIffjf.éffff.f.ZfIf_flfff
X Iglfiij " Iii',T jIijliL

031 031iTiIfiHfii§if{'
Iiiiif 3i 031i ijiii
030fi" iii030.? I
Referencia: Autoria Propia (Simulacién PSIM)
La serie de Fourier de la salida de la modulacién PWM Bipolar es la
mostrada en la Figura N° 2.16.
FIGURA N° 2.16: SERIE DE FOURIER DE LA SALIDA SPWM BIPOLAR
1.2
1.0
0.8
0.6 ma=o.s mf=15
0.4
0.2
0.0
1 mi 2mf 3mf
(mf+ 2) (2mf+1) (3mf-+2)
55
La forma de onda triangular esté sincronizada con la de referencia, y se
suele elegir una mf que sea un entero impar. De esta forma, la salida de|
PWM muestra una simetria impar.
En la Tabla N°02, se muestran los coe}401cientes

do Fourier normalizados
VnNDC para modulacién SPWM bipolar. Las amplitudes de los términos
de las serie de Fourier dependen de las ondas moduladora y portadora.
TABLA N°02: COEFICIENTES DE FOURIER NORMALIZADOS PARA
SPWM BIPOLAR
WWW
WW
W
WWW
Fuente: Electrénica de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras
Basicas.E. Ballester-R.Pique Edit.A|faomega Mexico 2012
2.3.5. Modulacién por ancho de pulso senoidal unipolar (SPWM
Unipolar).
Mientras que en la modulacién bipolar el control de los cuatro
interruptores dependia de una sola se}401al

de control, en la modulacion
unipolar se controla por separado cada rama de| puente: La rama
izquierda 81 y S4 y la rama derecha 82 y S3 como se observa en la
Figura N° 2.17. Ambas ramas comparten se}401al

portadora, pero a una
rama se le aplica la se}401al

de control con un cierto desfase respecto a la
otra. Se puede demostrar que si este desfase es de 180° se anulan los
56
arménicos en las cercanias de fm y los m}402ltiplos
impares de la misma, es
decir, |os arménicos de orden cercano a mr , 3m, 5m
La tabla N°O3 muestra el conjunto de valores que pueden tomar los
interruptores en la modulacién unipolar.
La modulacién unipolar consigue que para semiciclos positivos, Ia tensién
de salida conmute entre +Vdc y 0 mientras que para los semiciclos
negativos Io haga entre 024Vdc y 0 como se observa en la }401gura.

Sin
embargo, Ia caracteristica que lo hace superior a la modulacién bipolar es
el contenido arménico de la tensién de salida, como se observa en la \
Figura N° 2.17.1b, |os primeros arménicos aparecen a dos veces Ia
frecuencia de conmutacién, por lo que sera més 034fécil

su filtrado.
035
FIGURA 2.17 CIRCUITO BASICO DE MODULACION UNIPOLAR
~y¢.:.=-_ \ 030
---'-..a,;';',:,;+».¢....-._A§_ 030A
. 030zda 030
\ 030
-= -. n
:
.* - 030( 030? 030 030
TABLA N° 03: POSIBLES VALORES DE CONDUCCION EN
MODULACION UNIPOLAR
[Si S3: [S4

03
V
;
57
FIGURA N° 2.17.1 CIRCUITO BASICO DE MODULACION UNIPOLAR
> '°;»,..§;1., 0317§§*;<: 030r:»»030;:'

031.¢
1;: _____. . 030am ...a.....:mu.«.. ma 2, 035. 034A 2
~ «- . 024~
035
030 V;/1 031r\" , ..h-rama-~ 3- «at... -I. +u.,«2wr.«+.
.1 031 Vt.'i. 11 035] .
0 V 0.01 Q.=015' .M 030,. m§=o.9 034H
gt; »g.s__I E ._¥ ,. -9: If 1, .

6 030 51! ,' 031,a:§-9
,,r.-5 030,
031 034
"' 031sm, 024-.._.«=_.:° 030-
034°=031
"031
- 031 " 030
(3) Se}402ales-pdncipales; (b) Ciimgenidb afménico norrna"}401zado 254;'de
ia.
t§nsi6n._déhS31ida._. =
FIGURA N° 2.17.2: FORMAS DE ONDA SPWM UNIPOLAR
(SIMULACION PSIM)
030Q 031?/"s3'2030E
«.E'a" 030\'_n 1 ':";\:: 030
V1: 3;: ihsgfKNg'h; 0311\!!X;VM;;\1

I32: W "3
Sow) Va 030Vsin , Vm V I + Vsin I
VA ;;:: :
024......-..... . - Q] .,, .
V8
§;_: _t ii :1 030:
;.:.; J: f. 030f 035L1[.]i
031i 031.fTij if.f?'fT§fiffiffflif, :::::. 030%;}:iit3: 030.:::t:iit
A3 -1b6.6? .. ..
23$; .. . . .. .. . ..-, . .. 5
120.00 125.00 130.00 135.00 140.00 §
Timatms) E
Referencia: Autoria Propia (Simu|acién PSIM)
58
La serie de Fourier de la salida de la modulacion PWM Unipolar es la
mostrada en la Figura N° 2.18.
FIGURA N° 2.18: SERIE DE FOURIER DE LA SALIDA SPWM
UNIPOLAR
1.9
3.8
8.5
6.4
0.2
1.9
%_I:\ __LA h
mg 2m,c \ 3m; /11;
(2m;- 1) (2mf+I)
Si se elige una mr que sea un entero par, se eliminan |os arménicos
impares multiplos de m. A
En la Tabla N°04, se muestran |os coe}401cientes

de Fourier normalizados
VnNDC para modulacion SPWM unipolar:
TABLA N°04: COEFICIENTES DE FOURIER NORMALIZADOS PARA
SPWM UNIPOLAR
WWW
TWWW
WWW
Fuente:Electr6nica de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras
59
La principal ventaja que presenta Ia modulacion por ancho de pulso
unipolar, (SPWM unipolar) frente al bipolar, es que se reduce el ntimero
de armonicos.
Concretamente |os arménicos de menor frecuencia, estén localizados
alrededor de| doble de la frecuencia de conmutacién. Otra ventaja es que
ingresa en menor medida Ios componentes posteriores de }401ltrado,

al
conmutar la salida entre O y +/-VDC, en lugar de entre +VDC y 024VDC

[3].
Su desventaja es que circuito modulador es més complejo, a comparacion
de la sencillez de modulador bipolar.
2.4. De}401nicién
de términos bésicos.
Metodologia: hace referencia al camino 0 al conjunto de procedimientos
racionales utilizados para alcanzar el objetivo o la gama de objetivos que
rige una investigacion cientifica, una exposicion doctrinal o tareas que
requieran habilidades, conocimientos o cuidados especificos. Con
frecuencia puede de}401nirse

la metodologia como el estudio o eleccién de
un método pertinente o adecuadamente aplicable a determinado objeto.
SPWM: Modulacion por ancho de pulso senoidal. 030
Algoritmo: Conjunto de}401nido

de reglas o procesos para la solucién de un
problema en un N}402mero
finito de pasos.
Modulacién. Se denomina modulacion al proceso de colocar la
informacién contenida en una se}401al,

generalmente de baja frecuencia,
sobre una se}401al

de alta frecuencia.
PWM: Modulacion por ancho de pulso.
so
CD: Corriente directa.
AC: Corriente Alterna.
Kw: Kilovatios.
IGBT: Transistor de puerta aislada.
MOSFET 031S:
Transistor de Metal Oxido Semiconductor.
Vref: Voltaje de referencia.
Fref: Frecuencia de referencia.
Vtri: Voltaje de la se}401al

triangu|ar.
Abreviaturas:
DC: Direct Current (Corriente Directa)
AC: Alternative Current (Corriente Alterna)
MATLAB: Abreviatura de MA Trix LABoratory, "|aboratorio de matrices"
Vref: Voltaje de referencia.
Fref : Frecuencia de referencia A
Vtri: Voltaje de la se}401al

Triangular.
Ftri: Frecuencia de la se}401al

triangu|ar.
FFT: Transformada Finita de Fourier
61
CAPITULO Ill
VARIABLES E HIPOTESIS
3.1 Definicién de las variables
La relacién entre las variables de investigacién es mediante
~ ecuaciones mateméticas.
La planta a investigar es un inversor SPWM. De acuerdo con el diagrama
de bloques de la planta, Ias variables que acttian sobre el sistema son:
Variables independientes (variables de entrada):
La tensién continua, de entrada, la modulacién por ancho de pulso
senoidal (SPWM).
Variables dependientes (variables de salida):
La tensién alterna, de salida con calidad, apoyo de las empresas que
construyen inversores.
% 3.2 Operacionalizacién de variables
En funcién a las variables dependientes e independientes, al
operacionalizar se determinan los indicadores de cada variable.
De acuerdo con la representacién esquematica del sistema, el inversor,
es la planta a controlar, por lo que las variables independientes son las
tensiones de entrada, las cuales no dependen de la planta
3.3. Hipétesis general e hipétesis especificas
En funcién de| planteamiento de| problema, de las interrogantes
planteadas, de los antecedentes técnicos, asi como de| objetivo general y
52
especi}401cos,
que percibe el siguiente trabajo, es que se plantea Ia
siguiente hipétesisz A
Hipétesis general
Para el dise}401o
de la investigacién se plantea una solucién al problema
con técnicas de control avanzado. Se dise}401é

el controlador de modulacién
por ancho de pulso senoidal (SPWM), que mejora Ia se}401al

alterna de
salida. _
Hipétesis especifica
034La
técnica de control, dentro de las posibilidades que existen, para
solucionar el problema propuesto en el proyecto, por el método de
modulacién por ancho de pulso senoidal (SPWM), mejoré la salida de
tensién alterna, de| inversof 031
63
CAPITULO IV I
METODOLOGiA
La metodologia empleada fue la siguiente:
/ Primero se inicié con la investigacion y desarrollo de los diferentes
tipos de modulaciones de ancho de pulso.
\/ Se investigo el comportamiento de la planta bajo el método de la
técnica de modulacién por ancho de pulso senoidal (SPWM).
V Se dise}401o
y simulé Ia técnica de control por modulacién de ancho
' de pulso senoidal (SPWM), para e| control de Inversor, utilizando
circuitos analogicos y circuito d igital.
J Se hicieron Simulaciénes en cada etapa.
/ Se realizo Ias conclusiones en base a los resultados obtenidos. 024
/ Se hizo algunas recomendaciones para trabajos futuros.
4.1. Tipo de investigacién
Ya que se ha planteado Ia hipotesis a probar y se ha identi}401cado

las
variables que actuan sobre el sistema; el proceso de investigacién es de
tipo transversal y aplicada. I I V
4.2. Dise}401o
de la investigacién
Para el dise}401o
de la investigacion, se aplicaron Ias técnicas de control
avanzado. Se dise}401o
el controlador de modulacion por ancho de pulso
senoidal (SPWM), que mejoré la tension de salida alterna.
64
4.2.1. Especificaciones de la planta
Plantaz Inversor monofésico de baja frecuencia
Método de control: Técnica de modulacién de ancho de pulso senoidal
(SPWM): SPWM unipolar, SPWM bipolar.
- Tension de entrada: VDC THD: 5%
Tension de Salidaz AC. Afrecuencia: i1OHZ
Frecuencia de Salidaz 60 Hz.
Factor de potencia: 0.8
4.2.2. Descripcién del Sistema
Se utilizo el modelo inversor con modulacion de ancho de pulso senoidal
unipolar (SPWM unipolar) y bipolar (SPWM bipolar).
Para nuestro caso se utilizo Ia técnica de Modulacién Senoidal de Ancho
de Pulso, (SPWM), para generar pulsos de frecuencia detenninada,
donde se compara una se}401al

triangular (Portadora) de frecuencia }401ja
con
una se}401al
senoidal (Referencia o moduladora), de frecuencia menor, que
la se}401al
triangular (Portadora), la tension obtenida, una vez }401ltrada
la
onda modulada, fue senoidal, con mayor o menor contenido de armonicos
de alta frecuencia, en la Figura N°4.1,se puede observar un ejemplo de
una onda PWM con referencia senoidal. V
65
FIGURA N° 4.1 ASPECTO DE UNA SENAL PWM CON REFERENCIA SENOIDAL
l lllllllll
lll lllll
Para obtener una forma de onda senoidal basta con aplicar la forma de
onda resultante (de la comparacién de una onda triangular con una
senoidal) y }401ltrarla
adecuadamente. En los inversores de potencia, se -
aprovecha Ia se}401al
resultante de dicha comparacién para excitar los
transistores que forman la topologia de| circuito de potencia, asi |os
instantes en que esta se}401al

esta en estado alto, el interruptor T+
esta saturado, y cuando esta es negativa, es T- el que esta saturado.
Se obtuvo una tensién como el indicado en Alas}401guras

anteriores a partir
de la tensién continua de entrada: '
Vsen>Vtri ---- 024-

T+saturado------ Vs= Ve/2
Vsen<Vtri 024 024----

T-saturado------ 024Vs=-Ve/2
Los interruptores de una misma rama, nunca estaban simultaneamente en
estado de saturacién.
Con el objeto de realizar un estudio de la manera mas global
posible, se normalizaron |os valores de las frecuencias y de las
66
amplitudes de las se}401ales
que intervienen. Se define la modulacién de
amplitud como la relacién de amplitudes de la se}401al

senoidal
(moduladora) y de la triangular (portadora) ecuacién (4.1):
ma = Vsenl Vtri (4.1)
Ademas, se de}401ne
la modulacién de frecuencia como la relacién entre las
frecuencias de la se}401al
triangular y la se}401al
senoidal ecuacién (4.2):
mr= ftri/fsen (4.2)
Con estos parémetros, se pueden establecer algunas reglas acerca de la
tensién de salida, sus arménicos, etc. 4
1. La amplitud de| arménico fundamental de la tensién de salida es ma.
veces la mitad de la tensién de entrada. Si se supone que la frecuencia de
la se}401al
triangular es lo su}401cientemente
mayor que la frecuencia de la
senoidal (mr elevado), se puede considerar sin error apreciable que la
tensién de salida modulada es constante en cada ciclo, siendo su valor en
estado alto Ve/2 y cuando esta en estado bajo -Ve/2; en estas
condiciones, se puede establecer el valor medio de la tensién de salida;
Vs= Ve/2 (Ton/T 024Toff/T)

----- Ve/2((Ton-Toff)/2 (4.3)
Asi se demuestra, para un ciclo, que:
(Ton-Toff)fI' = VsenNtri = ma (4.4)
Por lo tanto, si se asume que la amplitud de la onda portadora es
constante e inferior a la amplitud de la onda referencia (es decir
ma < 1), el unico término variable de un ciclo a (otro es la amplitud de la
onda moduladora, Ia cual sigue una Iey senoidal, con lo que se puede
67
reescribir Ia férmula inicial de manera que el valor de| primer arménico de
la tensién de salida toma como valor, ecuacién (4.5)
Vam = (VsenNtri)sen (wt) Ve/2 ---- masen(wt)Ve/2 (4.5)
Siendowla pulsacién de la onda senoidal de referencia, con Io cual
se puede decir que la amplitud del primer arménico de salida es ma
veces la mitad de la amplitud de la tensién de entrada.
2. Los arménicos de la tensién de salida aparecen como bandas
laterales de la frecuencia de conmutacién y sus multiplos; este aspecto
es vélido para valores de mt >9, lo cual se puede tomar como
cierto siempre, salvo en casos excepcionales de muy elevada
potencia. Para el caso general, puede decirse que la amplitud de los
distintos arménicos es précticamente independiente de| parémetro
fm, y éste sélo define Ia frecuencia a la que aparecen, de manera que
puede expresarse Ia frecuencia de los distintos arménicos por la
ecuacién (4.6):
fs= ( jmfik)_fp 9 (4.6)
Siendo fs la frecueneia del arménico de ordens correspondiente a
la banda lateral k para j veces el indice de modulacién.
Para valores impares dej, sélo existen arménicos para valores
pares de| parametro k; para valores pares de j, sélo existen
arménicos para valores impares de k.
68
En la tabla N° 01 se recogen las amplitudes normalizadas de los distintos
armonicos (Vs)n /(Ve/2), en funcién de| indice de modulacion mr. Solo
estén representados aquellos que tienen un valor signi}401cativo

hasta j =4.
3. El parémetro mf, debe de ser un entero impar: de esta manera,
se obtiene una simetria impar ademés de una simetria de media
onda; por tanto, en la tension de salida solo existiran armonicos de
orden impar y desaparecen los armonicos de orden par. En el
desarrollo en serie de Fourier, solo existirén los términos en seno [2,3].
Recomendaciones para los valores de ma y mf .
Para seleccionar el valor de los parémetros normalizados am. fm,
tomando en cuenta los criterios expuestos anteriormente y atendiendo a
la etapa de }401ltrado
que es necesario a}401adir,
interesa trabajar con
valores de fm lo mas altos posible, de esta manera los armonicos
aparecen a frecuencias elevadas, lo cual facilita el }401ltrado

de las
mismas; sin embargo, no se debe dejar de lado que las pérdidas en la
conmutacion aumentan al elevar Ia frecuencia; si se tiene en cuenta que
es necesario funcionar fuera de| rango audible, la frecuencia se elige o
bien por encima de 20 Khz o por debajo de 6 Khz (para casos de muy
elevada potencia), con el objeto de evitar las frecuencias en dicho
margen. Como se puedo observar, existe un compromiso en la eleccion
de este parémetro; la mayoria de los autores }401jan

el valor de 21 como
frontera, para que el valor de este parémetro pueda considerarse elevado
o bajo.
69
Se pueden suministrar recomendaciones segun el valor de este
parémetro (asumiendo ma<1), tomando el criterio anterior.
METODOLOGIA DE CONTROL
El control de una planta o proceso, consiste en medir Ia magnitud que se
quiere controlar y actuar sobre los parémetros modificables para
conseguir que la magnitud a controlar se ajuste al valor deseado.
Puede considerarse al inversor una planta, con una se}401al

de entrada que
seré el ciclo de trabajo D (duty cycle), de los interruptores y una salida de
tension Vo, como se muestra en la Figura N° 4.2 '
Para el control de la tension de salida, segfm las variables que se
controlan se puede tener un Iazo simple de control de tension (ver Figura
N° 4.3), o un doble Iazo (con Iazo interno de control de corriente y Iazo
externo de control de tension). (ver Figura N° 4.4)
FIGURA N° 4.2: ESQUEMA GENERAL DE CONTROL.
E.
» ruum nwmsuu +nmw
7o
Control de tension.
La }401gura
N° 4.3 representa el control en modo tension de un inversor. Se
mide la tension de salida Vs aplicada a la carga y se compara con la
referencia. El error de esta comparacién, se aplica a un regulador que
seré dise}401ado
segiin Ias especi}401caciones
que se deseen en la tension de
salida. El control }401nal

de cada uno de los interruptores se realizaré
mediante la modulacién de la se}401al

que genera el regulador. El divisor de
tension a la salida del inversor representa cualquier dispositivo de medida
y adaptacién de niveles de tension, el més sencillo es un divisor resistivo,
sin embargo, se emplean transductores que proporcionen aislamiento
galvénico.
FIGURA N° 4.3 CONTROL EN MODO TENSION
. VAC puenfeigaversor Filtro cie salida. sense: I , i
9 \ 4 030 _L I > i -8
0
Control de doble Iazo
La Figura N° 4.4 representa un control de doble Iazo. Un Iazo interno de
corriente (controla Ia corriente que circula por la bobina) y de un Iazo
externo de tension. La referencia de corriente se genera con el Iazo
externo de tension. Para garantizar la estabilidad del sistema, se debe
tener en cuenta que el regulador interno de corriente debe ser més répido
71
que el externo de tension.
4.4: CONTROL DE DOBLE LAZO. LAZO INTERNO DE

FIGURA N 030°
CORRIENTE Y LAZO EXTERNO DE TENSION.
V Puentelnversor Filtro de salida + A I

do 1 -_ 030
030 V g
V T -
D Vsm 034
corritente V 0 tension"- 0
La ventaja de este control es que a la vez que se controla Ia tension de
salida, también se mide y controla Ia corriente, obteniéndose asi una
proteccién contra cortocircuitos. Es més modular, }402exible

y tolerante ante
la variacién de para'metros de la planta.
Generacién del Control por Modulacién por Ancho de Pulso (PWM)

para lnversores
a. El control por modulacion por ancho de pulso (PWM), aplicado a los .
inversores se puede realizar mediante un modulador por coincidencia,
que genere Ias se}401ales
correctas para el control complementario de los
dos interruptores (tipicamente transistores) de una rama inversora, de
acuerdo al esquema de principio mostrado en la F igura N° 4.5
72 '
FIGURA N° 4.5 ESQUEMA DE PRINCIPIO DEL CONTROL PWM DE
UNA RAMA ONDULADORA.
Modulador r__________ 030 H A i

': " § - Driver Saw
5 b aislado 031 g .
:_ >- 7 ' )
Pomdma ; 031;vi:3;i1~1§;3ti0rP§ 031e 03137»*I pmyer 4 ~' Sm
no aisiado J - . .
El funcionamiento de| control PWM mostrado en la Figura N° 4.5 es:

0 El cierre de| transistor de Ssup y la apertura de| transistor de Sinf 031,
si
la tension de la moduladora es mas positiva que la tension de la
portadora.
0 La apertura de| transistor de Ssup y el cierre de| transistor de Sinf 031
si
la tension de la moduladora es mas negativa que la tension de la
portadora.
Lo que se trato de conseguir en el inversor de| presente trabajo, fue

obtener una salida de espectro, proximo al sinusoidal, Ia se}401al
de control
0 moduladora sinusoidaI,VM(t), es una tension sinusoidal de amplitud
VMM y frecuencia fM, tipicamente la frecuencia de red. La se}401al

portadora
es una tension triangular, VP (t) , de valor de pico V,,,,,,,,. y frecuencia fp. Esta
frecuencia, debido al comparador de| modulador por coincidencia, }401ja
la
frecuencia de conmutacion, dado que fs = 1/1 s 031
= fp.
De acuerdo con el esquema de control de la Figura N°4.5, se controla una

rama inversora de un inversor en medio puente que aplica a la carga una
73
tensién de valor méximo E, y que a lo largo de un periodo, Ts 031
de
portadora Ia tensién moduladora de control, es esencialmente constante y
de un valor igual a Vc. La Figura N°4.6, muestra estas se}401ales
y la tensién
de salida de| inversor, p(t), a lo largo de| periodo de conmutacién
considerado.
FIGURA N°4.6 SENALES PWM (SUPERIOR) Y TENSION DE SALIDA
(INFERIOR) DE LA RAMA INVERSORA.
Vrm I 030
'VC A». bv -- v 030, 030_.(t)
"""*-
1, W ,, 12; ., s.5 . .
am. TS ' 4 .
+E _ * -
024C
Fuente: Electrénica de Potencia,Principios Fundamentos y Estructuras

El valor promediado de la tensién de salida vendré dado por:
(/Irrea A) 024(/1 B)+(A'rea

031rea C) E
(u(}401))= =f[tl 024t2+(t,+7;/2)]
(4,7)
La semejanza de triéngulos existentes, entre las se}401ales

moduladora y
portadora se obtiene:
V
I/_ME}402=**_:;;l=7}402 (4.8)
t, 71/ 4 4Vp,m
Ycomo:
T
t2 = 0242i 0242t, (4.9)
De la substitucién de (4.8) y (4.9) en (4.7) obtenemos el siguiente

resultado fundamental.
74
(u(z))=-I/:/$5 ' (4.10)
Este resultado es independiente de la estructura inversora considerada,

dado que la tension de salida u(t) mostrada en la Figura N°4.6, puede ser
originada por una unica rama en un inversor en medio puente, o por dos
ramas de una estructura en puente complemento.
Si la tension moduladora es sinusoidal, vM(t) = VMMX Sin(27rfMt), la
aplicacién de (4.10) a un periodo TM =1/fM de la onda moduladora

resulta ser: IA
<u(t))TM = = Esin(2zfMt) (4.11)
Expresién que indica que, en promedio, y a lo largo de TM, el valor de pico
de los componentes armonicos de u(t) es proporcional a , este

P,ma'x
cociente, que se denomina indice de modulacion de amplitud, }401ja,

directamente, el valor de pico de| arménico fundamental de la tension de
salida.
b. Metodologia de conmutacion mediante modulacion de ancho de pulsos
La ecuacion (4.10) es aplicable tanto a estructuras en medio puente,
como a estructuras en puente completo. Tenemos dos posibilidades de
conmutacion de los inversores monofésicos en funcién que:
0 En cada semiperiodo se aplique a la carga una magnitud bipolar de
niveles +E y 024E,
hecho factible tanto en los inversores en medio
puente como en los inversores en puente completo. En este caso
se dice que el sistema funciona con una estrategia de conmutacion
bipolar. _ .
o En cada semiperiodo se aplique a la carga una magnitud bipolar de
niveles, 0 y +E o 0 y 024E,
factible unicamente en los inversores en
puente completo. En este caso, se dice que el sistema funciona
con una estrategia de conmutacion unipolar.
75
La Figura N°4.7, presenta las tensiones de salida bajo conmutacion
bipolar y bajo conmutacién unipolar.
FIGURA N°4.7 MAGNITUDES DE SALIDA BIPOLAR (IZQUIERDA) Y

UNIPOLAR (DERECHA)
l -
M 030
. F. . 0.0 - - 030
c. Modulacion sinusoidal sincronica

Existen muchas posibilidades de realizar un control PWM sinusoidal
triangular de una rama inversora. En el proceso se utilizaron, dos se}401ales
de control: Ia moduladora sinusoidal, vM(t), necesaria para que la salida

del inversor consiga una aproximacion a la ley de control, de amplitud
VMM y frecuencia f,,, , y la portadora triangular, vp(t), necesaria para
que la salida del inversor, consiga una aproximacion a la Iey de control, de

amplitud Vmax yfrecuencia fp.
El anélisis de Fourier de la magnitud resultante demostré, que el

contenido arménico depende, esencialmente, de dos factores: .
o La relacion entre las amplitudes de la moduladora y de la

portadora. Se denomina indice de modulacion de amplitud:
031 V
ma = -1 (4.12)
VP,max
76
Si m,, S1 se dice que el sistema esté modulado o que funciona en
régimen de modulacién lineal. Si ma 21 se dice que el sistema esté

sobremodulado.
o La relacién entre las frecuencias de la moduladora y de la
portadora. Se denomina indice de modulacién de frecuencia:
mI = 12; (4.13)
fM
Si mf < 21 se dice que el sistema esté poco modulado,
si in, > 21 se dice que el sistema esté muy modulado.
Se observa que el contenido arménico varia en funcién que mr sea entero

o no lo sea, siendo dicho contenido arménico menor si mr es entero, _
lnversores Monofésicos con Conmutacién SPWM bipolar

Esta estrategia de conmutacién en la que se obtiene dos niveles en la
tensién de salida de| inversor, es aplicable tanto a las estructuras en
medio puente como a las estructuras en puente completo, con la (mica
diferencia que, asumiendo idéntica tensién E de bateria, en la entrada de|
inversor, la amplitud de la salida en el primer caso, E/2, es la mitad que el
segundo, E.
El inversor de tensién en medio puente, esquematizado en la Figura N°

2.4 (ver pégina N°34), y controlado mediante una modulacién por ancho
de pulso senoidal (SSPWM) caracterizada por ma y mr.
a) Modulacién Lineal
En esta estructura, y de acuerdo con (4.10), para una tensién E/2
impuesta por la estructura, y suponiendo que ma 5 1 Figura N° 4.6
(ver pégina 74), se hallé que:
77
u(t)=uA0 :>;(t)=<u(t))TM =ma %sin(coMt),a)M =27rfM (4.14)
La expresion de la tension referenciada ai punto N:

024 E 024 E .
um (t)=u0N(t)+uA0(t)=>u,m(t)=3+u(t)=3(ma s1n((oMt)+1)(4.15)
Como (4.14) es una expresion promediada, vemos que el valor de

pico del primer arménico, de la tension de salida, coincide con el
valor de_ pico de este promedio (particularmente cierto, en la
préctica, para mr > 6), es decir:
um, =U1=ma-§,ma $1 (4.16)

En la conmutacion bipolar, el contenido arménico es éptimo bajo
' dos condiciones:
0 mr es entero impar. En estas condiciones Ia magnitud de salida
_ presenta simetria impar, presentando }402nicamente
arménicos
impares en multiplos de la frecuencia de portadora. En caso de mr
par, se perderia esa condicion de simetria y aparecerian armonicos
pares e impares.
0 La modulacion sinusoidal es sincronica de pendientes opuestas, en

los pasos por cero de la moduladora con esta creciente
(decreciente), Ia portadora pasa por cero decreciendo (creciendo).
Si las pendientes no son opuestas, aumenta en contenido
arménico cerca de la componente fundamental. Es importante para
A valores de m,S9, perdiendo importancia conforme este indice
crece. En estas condiciones, y respetando un indice de modulacion

en frecuencia impar, se consigue una simetria perfecta, dado que
cuando la moduladora presenta un méximo (minimo) la portadora
presenta un minimo (méximo) consiguiendo una mejor respuesta
armonica. V
78
En la Figura N° 2.14, (ver pégina N° 56) se muestra las formas de onda
tipicas en estas condiciones: moduladora, portadora, tension de salida y
arménico fundamental de la tension de salida, se muestra también el
espectro de magnitud genérico de la conmutacién bipolar bajo modulacion
lineal, mientras que la Tabla N° 02 (ver pagina N° 54), se muestra el
detalle de su contenido arménico normalizado indicando la amplitud
relativa de cada componente espectral en relacién a la del fundamental.
Nétese Figura N° 2.16 (ver pégina N°55) que en estas condiciones, el
espectro de la tension bipolar de salida se caracteriza, en el caso de mt
impar y modulacién sincrénica de pendientes opuestas por:
a La aparicion de una componente fundamental a la frecuencia fM- y
paquetes de annénicos centrados a las frecuencias
fp,2fp,3fp»--»'<fp
0 Como la se}401al
portadora es triangular, Linicamente presenta
armonicos impares, lo que implica que unicamente aparecen
armonicos de portadora de orden impar, estando el primer .
componente de portadora a la frecuencia fp.
0 Las bandas laterales de los paquetes de armonicos estén
distanciadas 2fM en relacién a los componentes de portadora y sus
multiplos, de acuerdo a la Tabla N°02 (ver pagina N°56).
Asi, es conveniente utilizar un indice mr tan alto como sea posible,

dependiendo de los semiconductores utilizados. Aunque ello no
comprometa una reduccién apreciable de la DATv de tension, que es
elevada, si que se notan los efectos en el rizado de la corriente de salida,
dado que este parametro es inversamente proporcional a la frecuencia de
conmutacion, lo que compromete una disminucién apreciable de la DATi

en la corriente de carga.
79
lnversores Monofésicos con Conmutacién SPWM unipolar
Como se ha visto anteriormente, el inversor en puente completo admite
una tension de salida unipolar, que a lo largo de un periodo de la onda
moduladora presento los niveles +E, 0 y 024E,
no permitido en el caso de|
inversor en medio puente. Veamos como se obtienen tensiones
unipolares en esta estructura.
a) Modulacién Lineal
Considérese el inversor monofasico alimentado en la tension con
estructura en puente completo indicado en la Figura N° 4.8, en la que se
agrego una red resistiva }401cticia
(recuadro de traza discontinua) con la
}401nalidad
de realizar un anélisis similar al desarrollado en el inversor
monofésico con comunicacion SPWM Bipolar (pag. 77) y para hacer notar
la similitud entre la estructura en puente completo y la de medio puente.
FIGURA N°4.8 INVERSOR EN PUENTE COMPLETO MODULADO

SPWM
_
=if '
030+ ; « .
§:R;=aa I 13/2» ;D, 030
- T P 030l
031 D3;
.15 _:-§: , 0'; i A . - 030

B
I + .. ~ 5 V
i 3 A Q41:
:§.R:.oo ED; I, 030 030 030D4
030 030L---,.:-.~.---------' ' >
En esta estructura se utilizan dos ramas inversoras de tension que,

supondremos, estén controladas de idéntica forma que la rama inversora
de| medio puente, de acuerdo con el analisis realizado anteriormente,
(inversores monofésicos con conmutacion SPWM bipolar), la expresion
(4.14). Por ello se controlan de la siguiente forma:
so
o Rama |(Q1-D, YQ2 *D2). Control complementario de los
transistores, a partir de una portadora triangular, vp(t) de frecuencia
fp y amplitud Vwax, y una moduladora sinusoidal de}401nida

por
VM (t) = vmm sin (coMt)
o Rama II (QFD3 YQ4 030D4)-

Control complementario de los
transistores, a partir de una portadora triangular, vp(t) de frecuencia
fp y amplitud Vp,,m,y una moduladora sinusoidal de}401nida

por
V vM(t) = VMMX sin((oMt 024(p)
Cada rama inversora se controla con una se}401al

moduladora de idénticas
amplitud y frecuencia, con la }401nalidad
de obtener magnitudes de alterna
en la carga, lo que signi}401ca
que ambos controles tienen idénticos indices
ma y mr.
De esta manera, en relacion al punto ficticio 0 del esquema de la Figura

N° 4.8 cada rama inversora presento un comportamiento idéntico al caso
de| inversor de medio puente, de acuerdo con (4.14), para el valor
promedio de la tension, en la carga, asumiendo ma S 1, se tiene:
024 024 024 E . E .

u (t) = um 024u3~(t)
= 3(ma s1n(coMt)+1) 0243(ma
sm (a)Mt 024(p)+
1) (4.17)
Desarrollandoz
L_¢(t) = ma %(sin (a)Mt) 024

sin (a)Mt 024
q))) = ma §(2 cos sin
030 = maEsin£ sin( 024" 024

""
030+5
031
0242
035 034 031M 030 (4.18)
2 2 2
De donde resulta }401nalmente

que:
;(t) = (u (t)>TM = maEsin§[sin(a)Mt 024 024% (4.19)
Expresién que indica que el primer armonico de la tension de salida

presento un valor de pico dado por:
81
Um 035
024U, - (0
~ maEs1n 2 (4.20)
En caso de dos moduladoras complementarias, es decir con (p = It rad

(180°), (4.19) presenta un méximo dado por U1 = ma E. Esta es la opcién
generalmente utilizada.
V Bajo Ia conmutacién unipolar, el contenido arménico es éptimo bajo dos
_ condiciones: 7
0 mr es entero par.
o La modulacién sinusoidal es sincrénica. Si las moduladoras estén

desfasadas 180° (opcién elegida habitualmente), se garantiza que
ambas sean sincrénicas y una de ellas de pendientes opuestas con
la portadora.
La Figura N° 2.17.1 (ver pégina 58) muestra Ias formas de onda tipicas en
estas condiciones: moduladoras, portadora, tensién de salida y arménico
fundamental de la tensién de salida. El caso mostrado corresponde a
moduladoras en oposicién de fase, que es el tipicamente utilizado ya que
simpli}401ca
Ia electrénica de control.
La Figura N° 2.18 (ver pégina 59), muestra el espectro genérico de la

tensién de salida unipolar en las condiciones descritas anteriormente.
En estas condiciones el espectro de la tensién unipolar de salida se

caracteriza, en el caso de mr par y modulacién sincrénica, por:
0 La de una componente fundamental a la frecuencia fM y amplitud U1
= maE, y paquetes de arménicos a las frecuencias 2fp,4fp,....,2kfp.
o No existen componentes triangulares de portadora, al estar las dos
moduladoras en oposicién de fase, estando el primer componente
de portadora a la frecuencia 2fp.
82
0 Las bandas laterales de los paquetes de arménicos estén
distanciadas 2fM en relacion a los componentes de portadora,
multiplos de 2fp. El contenido armonico de la onda modulada
unipolar se corresponde con el indicado en la tabla 1, sin mas que
omitiendo |os valores multiplos impares de m y teniendo en cuenta
que, en este caso, estén normalizados a E (Figura N°4.8) y no a
E/2.
Como Ias componentes arménicas estén mas distanciadas de la

componente fundamental, y no existen picos de triangular en las
frecuencias 2kfp, Ia DAT es menor que en el caso de conmutacion bipolar,
presentando, ademés, un menor rizado y, por lo tanto, distorsién, en la

forma de onda de corriente en la carga.
4.3. Poblacién y muestra
Se presenta en peque}401a,
media y macro empresas, que utilicen o
requieran equipos inversores monofésicos.
4.4. Técnicas e instrumentos de recoleccién de datos
Se utiliza la informacion de entidades competentes en ei area de la
investigacion a nivel nacional e internacional.
4.5. Procedimientos de recoleccién de datos
No corresponde al presente trabajo.
4.6. Procesamiento estadistico y anélisis de datos
No corresponde utilizar procesamiento y anélisis de datos
83
CAPITULO V
RESULTADOS A
5.1. Resultados parciales
5.1.1. Resultado de la Simulacién PWM bipolar
La simulacién bipolar se realizé con el siguiente esquemético,
unicamente son necesarias dos se}401ales,

una moduladora senoidal y una
portadora triangular:
FIGURA N° 5.1: MODELO DE SIMULACION PARA LA MODULACION
SPWM BIPOLAR
Puente Compieto - Spwm Bipolar
Q; IGBT1 BESIGBTS RI U 9 I0
9 311 50 034 Va; 220 024LsoE:f

6% E:
CHGBT2 IGBT4
0 0 sin
5 »
\ V Vtri;
5 031
to +
Referencia: Autoria Propia (Simu|aci6n PSIM)
34
FIGURA N° 5.2: RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM BIPOLAR
' Referencia: Autoria Propia (Simu|acién PSIM)
Como se muestra en la Figura N° 5.2, Ia salida de| puente inversor con
modulacién SPWM bipolar presenta conmutaciones entre +VDC y 031 024VDC,
que pueden atenuar |os componentes arménicos del }401ltrado

posterior. AI
pasar por el }401ltro

LC, se ateniian todos los arménicos de alta frecuencia 031
excepto Ia componente fundamental del primer arménico que pasa Iimpia
e igualmente, la corriente presenta una forma senoidal pura y esta en fase
con la tensién de| primer arménico bajo carga resistiva pura. .
Se aplico una tensién continua a la entrada de 311Vdc. Obfeniéndose a la '
salida una tensién de aproximadamente de 310 Vac. Se debe de precisar,
que estén consideréndose, ideales |os interruptores para efectos de la
simulacién. _
. ' 85
5.1.2. Resultado de la Simulacién PWM unipolar
La simulacién unipolar se realizé con el siguiente esquemético fueron
necesarias tres se}401ales;

dos moduladoras senoidales, una desfasada
180° respecto a la otra, y una portadora triangular:
FIGURA N° 5.3: MODELO DE SIMULACION PARA LA MODULACION
_ SPWM UNIPOLAR
V Puente Complete - Spwm unipolar
IGBT1 IGBT3 RI _ U 0
030 6 s
' ..__.___._._._ O 030 Cf ' C '0! 030R|_
:) 311 > Vab Sm V0 £100
¢ |GBT2 IGBT4
1300:] %»
* } >
}402
0
DC --> >
° 031 } >
0
G *1" 031
86
FIGURA N° 5.4: RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM UNIPOLAR
Referencia: Autoria Propia (Simu|acién PSIM) ' I
Como se muestra en la Figura N° 5.4, Ia salida de| puente inversor con A
.- modulacién SPWM unipolar, presenta conmutaciones entre +VDC y 0V, y
y entre -VDC y OV, lo que supone una mejora, con respecto a la modulacién
_ bipolar. Como en el caso anterior, el }401ltro

LC atenda todos los arménicos _
de alta frecuencia excepto Ia componente fundamental de| primer
b arménico. La corriente de salida de| }401ltro

presenta una forma senoidal
pura y esté en fase con la tensién de| primer arménico, bajo carga
resistiva pura.
Con el siguiente circuito materia de presente trabajo de investigacién, se
hizo la simulacién con el software electrénico PSIMI: _
' . y I 87 . V .
Al inversor en puente completo se Ie alimento con una bateria de valor
E= 300V, y alimenta una carga R-L serie R=2 Ohms y L=64mH que
requiere una tension U1=120 V de pico a una Frecuencia f1=50Hz. El
sistema utilizo un esquema de modulacién SPWM unipolar. Se uso una
frecuencia de la se}401al
portadora de 600 Hz.
Utilizando el Software PSIM se visualizé y determiné la amplitud y la
frecuencia de los armonicos de mayor importancia.
Teéricamente |os factores de amplitud y frecuencia son, respectivamente:
1na= 030_%:=0.4-,1nf=-%=12.
El primer arménico esté centrado a la frecuencia 2fp, es decir, en los 1200
Hz. en este paquete los de mayor amplitud son los de frecuencia 1150 y
1250.
La amplitud de estos armonicos, se calcularon teoricamente, siendo:
V2, 034,
= 0.326E = o.326x3o0 = 97.8 V
Esquema de simulacién con PSIM:
. 88
FIGURA N°5.5: DIAGRAMA CIRCUITAL PARA LA SIMULACION SPWM
UNIPOLAR
030: 1 : i 3 :1: I : 1 034:

i fit 030
: if 030:
: : E :'_: .; z": : 1 :. .'§.I, : i f:,_: 030: :.:
i. : 3
:3; .;.:: 030:
t : ; : .~.: :.-;3W3i::_;~: : ; -:.z : : ;: ;. :'::A : : : V: :.: ; 1 if: : ; :%a:; tr; 2; »: : .: 2 t
E5 if 3 35 3' ii 3
-i 034: If E : ; 031
1:: 030laécif 3 031
2;: -:2;-: :.-2 -2 1:: 2 2.2: 15;} :.: ; 1: .... :~ 2.. : :21: : 030:: 031-'
: E:
:: 2 : -:21:-::=2 :~: 7: 2 : :.:. t L: 2 2: :2; -: :-; 7 .: : : 2- :-=:;; i
ii9...E if 030.,:._....
E 3 E E E if 030..
E 030?
if030:_,i__:
§ 254"fE E .253 ?-?.§ 2 I3?E
{:3 : 031{E 031: § 3;? 030i
ii I, 030
:,::-:;_1;;:::_:';:.;:;:;;;;;;:o_'fj 030"' 034:::2:'::;§:::s;:_.;
:_:;_;::_::;;;:.;,;;,;::";:;;_
if {E E? if} ii? WE if 3 if E3-I 3;; .5 ? E TE E E33 3 E E
:": j: 034:
:1 :3"; :.§i : .: ': : 030:: :j :' :.: 3;: :. i 030;
i'j:_ 030:
: 034i 3 .: jgj ; 030: 1 _:"j; ;§ 030:;j.j::';:_ :1: 1. 031:
:_: :_ :1 030;
': {
if: :1 :: ;': .;' :1; ': ' 030ff-r
' ' f 030 030:.:
; : ; :i 031:[;. 1 : 3]. 030_:I 035:
13.: :_: : ; : ; : : ;":: 030
if 3 Wm? . .j;'. ':_j_.'_:. :_,:_ .I: : 1 030:
if; ii: 030::_i.,:; :_: ;f 030::
: : 1 : :.'; _:'_;: ,: g 034:
: I
'f: 030._ 030;: 031 031:.:1:
030ff 030 i 030:
: : : : 2 : 3 : ff: 31 1'} if if: :9: g 030 ': 030 :j_i ; : : 030i3030 : if: 5 1: : ;
-FIGURA N°5.6: SENAL PORTADORA Y MODULADORAS A
vs ya vs.
030 V
030J Ef ,4:
I. .3 4'...-.-..........,......'.........%.......................~......§;..... 030;.w,...«.;....'..»......;§...:;....-........ 034.........a.§............w......-....;..........y
a an £555 .6;;z mg: abs 031

3
TltmB)' E
89
FIGURA N° 5.7 FORMAS DE ONDA PWM UNIPOLAR, SENAL DE
DISPARO Y VOLTAJE DE SALIDA
030:95:
031°° '" ""T.iijii If fI§ZI LI I'fiI"ii§:iIi£IiiI'ZiiIi§iiiiI I If I "i
.54:
Vi-"u(t)
030/AS
034,0
-zen . . . . .. 024 p - ~ -
0 0:01 M
034(M 0.53 OD4 _0.G5
0" ul}402qni.'|ll| mm ,!1| | ' 030W Jill E

4 My mg M
I 0.12 V 030 M o,4 ' 034Mmwe 030 0.1:
9o
FIGURA N° 5.8 ESPECTRO DE FRECUENCIA (FFT) DE LA TENSION
DE SALIDA.
van i
i o ~ : - : : . : : - - :
031 233 400 sq;-: sea «on: use was
FIGURA N°5.9: DIAGRAMA CIRCUITAL PARA LA SIMULACION SPWM
UNIPOLAR
D2
1 034I5!
I O
030I E 030031
n ' }402lomm
2 .
E ,
' 1'». > SlN_1 -16 031
s _'_
034" 035" 031
~ NI 5?
R2 C2 R4 ' "
U2 PM A .
"on; 3 D ° 0 s:N_2 s4N_I 33, V
5:: 9;. ~
GROKND LE:
Ik V-~"
5 Q s:M_1 : P 0
~ 024 Us U7 ! _ i
> . R13 . m W.lANG\J|AR ; D mu
' 3 % ° mmmuua
E 030 GROUND _ 031 ,. m
031 . 7 034 !lN_'. 030 024 D - R9

g .. m enounu
R11 ° 030*°° 035° .

13 L5
Referencia: Autoria Propia (Simu|acic 031>n

Proteus)
91
ffiiz s 030 030 C
§:_, ._ . : . 'x..i_::y
. .eA*r: 034' 034'_'_>
; . ..R17- . , . .;5q_.
gm 030 ... .' I , , H R15 031
' 034EH _' 035
9923...: .. . % 030 031 034- 030_°*°1
!, 030. 6 030.«.vE..r... . , ,. ,
;_ -.._::::: am" Lem?

030" :':t': . . 030
;
L_'..'.....;...'...Z_._;......T... 1- 031.
_ 2..., ' 030' ' 030 ' , ' ~' .
Referencia: Autoria Propia (Simu|acic')n Proteus)
Donde se obtuvieron Ias siguientes formas de onda (ver Fig. N° 5.10)
FIGURA N°5.10: RESPUESTA DE LA SIMULACION SPWM UNIPOLAR
;::%¥+e~ - I 9 4 030ll
«H! ill 03{0E

; 7 Ac 030;: 030, 034~"i¢5
°° .; 031.§;t 030¢.; 030.°.,m
:
E .f...- 0301 '=':..:.-.., hvlt -12/35~ I
> 030
I M...» «
030I
All);-~ 030 0.2 Area
% « o 030::
3 030,n
/A 030X
\ >_,_./'// L 030\ 030~ 030 mm 034H mza I 031:
25 1
031aw-n«»=o
: ~ 4 » ' Inc I nc _
E " 030-1 -' - ' -- > I > 031 ' 031 K I 031;> 031 W" I 031- 031 I 031 ' ' 50 '
e
i 42
ma; i k
-M
02 030.
:5}. 030at;.:; 030]xIH.:~}. 034;: 034.>x'A1.l.i.;..;;.:.l:5-txfi

030|.l;1 034>s-|;>-:2-iii 030;-.".-
"xH. 030i
030:: 030-. »034..
51 030-"2'.-i.
030 . 030
I ' ! 2 O, 030 . in W
030
030031R
ism , 030F12 K . ,..§.§'

030O 030Q.-;,:;«.v 031:5E::.==s-555-: 030
n _-x m 031:°"* 034v 035
=034e: 030s .
Referencia: Autoria Propia (Simu|acic'>n PSIM)
Se puede observar Ia se}401al

modulada por ancho de pulso senoidal
unipolar, (SPWM unipolar), (traza color amarillo), asi como la se}401al
92
senoidal (modulante), (traza color azul), también la se}401alseno
desfasada
I (traza color rosado) y la onda triangular (portadora).*(traza de color verde).
Se realizé la simulacién en Proteus con un micro controlador ATMEGA8,
se utilizo 030para
generar modulacion por ancho de pulso senoidal unipolar
(SPWM unipolar), y modulacién por ancho de pulso senoidal bipolar
(SPWM Bipolar), en forma digital; asimismo se utilizo Matlab-Simulink
para hallar y visualizar el voltaje y corriente de salida, sin }401ltro

y con}401ltro'
respectivamente, en ambos casos se utilizo la misma se}401al

de entrada. _
HARDWARE: SIMULACION E IMPLEMENTACION (DISENO DEL

- CIRCUITO) 031 A
A. CIRCUITO DE CONTROL Y AISLAMIENTO _
El circuito de control se implemento con un micro controlador ATMEGA8.
El programa se realizo para que la se}401al
sinusoidal de salida sea de 50
Hz. 031 . .
FIGURA N° 5.11 CIRCUITO DE CONTROL CON
. 031 _ MICROCONTROLADOR ATMEGA8
8V1 .
PWM1 1; ii 1*
' 9 §;'?.'3;.5 0315°K73[.

.. I=jf};j=--1'-j , _.
10 '='3 030 024 0319 031uT°§°".?
__ 030T"- 030 '
- . I C? V ==~~~=»==~='»=>1~'~"~~='=========:====:===~=~==-" I
Referencia: Autoria Propia (Simulacion Proteus)
_ 93 .' '
Se utilizaron dos optoacopladores 4N35, dos 030fuentes
DC
adicionales de 15V, con tierras separadas, para obtener dos
se}401ales
de control independientes (SPWM1,SPWM2).
FIGURA N° 5.12 CIRCUITO DE AISLAMIENTO V
024 U3
R6 1 2
PWNI2
030:a 030:55355§§iIfE T
T 10K I
U2 -
2 031 4 SF 031 030

T 030M5 g R2 : 15V
030 . 10K I
Referencia: Autoria Propia (Simu|acion Proteus)
B. CIRCUITO DE POTENCIA
Se utilizan transistores MOSFET como dispositivos conmutadores de alta
potencia, en este caso en un sistema de conversion DC/AC tipo puente
completo.
Se ha acoplado dos driver |R2101, para el control de los transistores. V
T 94
FIGURA N° 5.13 CIRCUITO DE POTENCIA
Q1 03
B3 IRFZMN
030 |RFZ44N
030
W .3. _
1* jl
Q4 Q2
§ IRFZMN IRFZMN
ll
c
WM1 2 HIN
..
V+ , . VB
3 LIN 030COM 030-2L0

__cs
a7 10'":
ll
04
F
SPW 035
Hm v4 . 024va 8 MP
SPWM
Referencia: Autoria Propia (Simu|acién Proteus)
C. FILTRO
FIGURA N° 5.14 CIRCUITO FILTRO
Referencia: Auforia Propia V
95
Se usé el }401ltro
pasa bajos Figura N° 5.14, con frecuencia de corte a
50 Hz. Para que elimine Ias componentes arménicas que se
presentan en las bandas laterales a la frecuencia de la onda
portadora.
FIGURA N° 5.15 DIAGRAMA CIRCUITAL INVERSOR SPW CON

MICROCONTROLADOR ATMEGA8.
030V :22 58
,| 4 8:! :...a;:.:.a.-.
hi hi
*3 "~ 2
!___ 030_:B }____u: 8 :.-.:<~ --we -3-.ma«~:::
r}401
-« :
.| _ i -I 031
Saga" ééiéié
§ 3%
3 .. E
i}401v
..
we I as -2 3
1!-j F--'034
E5' . § 3
E .
E
__ 3
$3 Q
96
SOFTWARE DEL DESARROLLO DEL PROYECTO
A. DIAGRAMA DE FLUJO DEL SPWM UNIPOLAR CON ATMEGA8 Y
ALGORITMO.
FIGURA N° 5.16 DIAGRAMA DE FLUJO SPWM UNIPOLAR
period:Ftpur(Eséno)1(2fSinDivisi6hs),'
-jmeimipzn 031 ,
7 \fa;riablt;s;jl_o'_i1aIes:\
D -Fcpu=-,8MHz* - V _
D -Fser;o=50 030Hz
_ 030
-Ioo 030kUp[SInDIw 030sions] 031 v
_ -p;en'o§_(Pvw}4) V Sehabilita-Ias
% 024IoP(a_rnp1mg dleiisepo) . interrupciones globaies
E - 030nfiéctura
defpotenciometxo)
Pfoiotipovdefunciones:
_ -.rao:e_bioc;<
-.setup__/JDC
V-setub;T$M_£R1 031
~Aoc.reaa ToP=<n9. "_ 030?*+v 0340301°23
_
: tab|e_h|bqk (TOP) 030

EUNCION PRINGPA1 _ 4 030 030
031 (main) E
97
-doimlerremn)
, -I'IIf(i=0)
_A Sécon}401gura:,
_ .p,cmo~)y9cs:erom %
- faseyqnecté 030(TOP
(CR-1)
031=
-.Sinp'_re:e'_scaJ 030a6oil
. -'.5_e.!)_§b: 030I:?a.'
Jn2errupc_ipn'bv_e)1Iow-
!'{K9rrvnci9~-inp_u_rcap 030tui¢
030 030. 030 I 030 Iuokup[|] =ternp 1

Retum - - 2
' - 030 por sahr_e}402i.I_|o 031
-mlkimuerayv)
03 ' \$e"cnrI}401 030guré':

"
--S__éhabj!:laeIu3D(_)_ _ G ' 1__1? no
-p_rgascaIer:Fc;_uI32 * 034V
"
~j:_Jsii}401cadoaIadeIe_cna -
~.- I/onaje o'e referencia Al/CC
Aoc 030_re 030ad
¢',cV'o,Vn_ver_éi_o_n .
. . 030
' f'|Ufn,-i-"F
R°t"§" A', 031°'

'
98
ALGORITMO:
/*
* contro1_spwm_con_atmega8.c
*
* Created: 64/96/2916 69:64:11 a.m.

* Author: Russell Cordova Ruiz
*/
#include <avr/io.h>
#include <avr/interrupt.h>
#include <math.h>
#define SinDivisions (20)// Sub divisions of sinusoidal wave.
static int microMHz = 8; // Micro clock frequency

static int freq = 56; // Sinusoidal frequency
static long int period; // Period of PWM in clock cycles.
static unsigned int lookUp[SinDivisions];
static char theTCCR1A = 0b10000010; //variable for TCCR1A
void table_block(int TOP1);

void setup_ADC(void);
void setup_TIMER(void);
unsigned int adc_read(void);
int TOP,n;
volatile int num;
int main(void)
_ {
period = microMHz*1e6/freq/SinDivisions;// Period of PWM in clock
cycles
// Register initilisation, see datasheet for more detail.

setup_ADC(); '
setup_TIMER();
sei(); // Enable global interrupts.
while(1) V
{
n = adc_read();
TOP = (period*n)/1923;
tab1e_b1ock(TOP);
}
}
99
void setup_TIMER(void)
{
TCCR1A = theTCCR1A; // ebieeeeeieg
/*1O clear on match, set at BOTTOM for compA.
96 compB disconected initially, toggled later to clear on
match, set at BOTTOM.
60
16 wGM1 1:0 for waveform 15.
*/
TCCR1B = 6b90011001;
/*006
11 wGM1 3:2 for waveform 15.
691 no prescale on the counter / 060 the counter is
stopped.
*/
TIMSK = ebaeeeeiee;
/*eeeeeee
1 TOV1 Flag interrupt enable.
*/
ICR1 = period; /* Period for 16MHz crystal, for a
switching frequency of 1eeKH2 for 260 subdivisions per 50Hz sin wave
cycle. */
DDRB = 0be0696110; // Set PB1 and P82 as outputs.

}
void setup_ADC(void)
{
ADCSRA |= (1<<ADENI1<<ADPS2|0<<ADPS1|1<<ADPSO); // ACTIVAMOS EL
ADC , PRESCALER DE f_OSC/32
ADMUX |= (1<<REFse|e<<ADLAR); // VOLTAJE DE REFERENCIA
AVCC
} .
unsigned int adc_read(void)
{
ADCSRA | =(1<<ADSC);
while(ADCSRA&(1<<ADSC));
return ADC;
}
void table_block(int TOP1)
{ .
double temp; //Double varible for <math.h> functions.
for(int i = 9; i < SinDivisions/2; i++)

{ // Generating the look up table.
temp ; sin((i+0.5)*2*M_PI/SinDivisions)*TOP1;
lookUp[i] = (int)(temp); // Round to integer.
}
}
100 v
ISR(TIMER1_OVF_vect)
{
static int delayl;
if(delay1 == 1){//delay by one period because the high time

loaded into OCR1A:B values are buffered but can be disconnected
immediately by TCCR1A.
theTCCR1A 034=
0b10109900;// Toggle connect and disconnect
of compare output A and B.// TCCR1A = ebieaeeele;
TCCR1A = theTCCR1A;
delayl = 6; // Reset delayl
}e1se if(num >= SinDivisions/2){
num = 6; // Reset num
de1ay1++;
}
// change )duty 024cycle
every period.
OCR1A = 0CR1B = lookUp[num];
num++;
}
DIAGRAMA DE FLUJO DEL SPWM BIPOLAR EN ATMEGA8 Y

ALGORITMO
FIGURA N° 5.17 DIAGRAMA DE FLUJO SPWM BIPOLAR
E
D W"v='-mm
as 031 '
'i 031? 031*9?" 031P%" V
'_FCPu= 0303.MHZ
-
-»Fs'eno=5OHz~= V _ _
-'p'enbd(PW)
gxmwqmsmowmmng
1TOF 030(aiiJp!;?uqdeJseno) - -
, Seham}401mlas
-n}402xmmowhdaxb}401kmw
Protutipp de funciones: 031

-tab';e_b!oc_k, , 031
j$}402wLWWERT 030 030 030

--,'A_DC__Iea 031d
= HmdoNPmmmML
. I 034nan,
_
101
-dour:/9.(Tsnu7)
- [M (i: U)
.Sec9f-tram -
-' Se nabfma gmpc
« -prescaier: Fcpu/32
-' 024j1_zsti}401cado
3 la derecha
- I/otraje de referencia AVCC
temp = cin(i pi}
031S_)inDMsiom_) ' TOP
% 031
030setup-'TlMER'1 I I ~ lnter 030I 0301.

030clon'TVI
030I 030mHer1
I
- static tn!(deIay1)
Se con}401gure:
-0c 0301Ainve
030(No
030nido)_y,Q(>1B_aq3verti_do)
- modo PWM, fa 030se 030§orrec1a
(TOP =.l,CR1) 030 O
- . - sin precaler ~ . ae:ay1.==w_. "
- se habilna:
interruption over}402ow 030 .
intezrupcionjnpym capture 03 >
- 0C1Ay0C1B 030(salldas) S.,,' 030[;$5i;,,,5 031 "°
T
@
por input capture
~o
030 acomreréion .. . - . .
. -Rjetum Aoc
102
ALGORITMO:
/*
* contro1_spwm_con_atmega8.c
*
* Created: 64/06/2016 09:64:11 a.m.

* Author: Russell Cordova Ruiz
*/
#inc1ude <avr/io.h>
#inc1ude <avr/interrupt.h>
#inc1ude <math.h>
#define SinDivisions (20)// Sub divisions of sinusoidal wave.
static int microMHz = 8; // Micro clock frequency

static int freq = 56; // Sinusoidal frequency
static long int period; // Period of PWM in clock cycles.
static unsigned int lookUp[SinDivisions];
static char theTCCR1A = 6b10116010; //variable for TCCR1A
void tab1e_b1ock(int TOP1);

void setup_ADC(void);
void setup_TIMER ( void );
unsigned int adc_read(void);
int TOP,n;
volatile int num;
int main(void)
{
period = microMHz*1e6/freq/SinDivisions;// Period of PwM in clock
cycles
// Register initilisation, see datasheet for more detail.

setup_ADC();
setup_TIMER();
sei(); // Enable global interrupts.
. while(1)
{
n = adc_read();
TOP = (period*n)/1023;
table_block(TOP); _
}
}
103
void setup_TIMER(void)
{
TCCR1A = theTCCR1A; // eb1e11ee1e;
/*1e clear on match, set at BOTTOM for compA.
11 set on match, set at BOTTOM for compB.
09
10 wGM1 1:9 for waveform 1S.
*/
TCCR1B = 0b00011001;
/*@@6
11 NGM1 3:2 for waveform 15.
691 no prescale on the counter / 060 the counter is stopped.
*/
TIMSK = ebeeeeeiee;
/*0666006
1 TOV1 Flag interrupt enable.
*/
ICR1 = period; /* Period for 16MHz crystal, for a switching
frequency of 160KHz tor 200 subdivisions per 56Hz sin wave cycle. */
DDRB = 0b06060119; // Set P31 and P82 as outputs.

}
void setup_ADC(void)
{
ADCSRA |= (1<<ADEN|1<<ADPS2|0<<ADPS1|1<<ADPSO); // ACTIVAMOS EL
ADC , PRESCALER DE f_OSC/32
ADMUX |= (1<<REFSO|0<<ADLAR); // VOLTAJE DE REFERENCIA AVCC
}
unsigned int adc_read(void)
{
ADCSRA|=(1<<ADSC);
whi1e(ADCSRA&(1<<ADSC));
return ADC;
}
void table_block(int TOP1)
{
double temp; //Double varible for <math.h> functions.
for(int i = 6; i < SinDivisions/2; i++)

{ // Generating the look up table.
temp = sin((i+e.5)*2*M_PI/SinDivisions)*TOP1;
lookUp[i] = (int)(temp); // Round to integer.
}
}
ISR(TIMER1_0VF_vect)
{
if(num >= SinDivisions/2){
num = 0; // Reset num
}
// change )duty 024cycle
every period.
OCR1A = 0CR1B = 1ookUp[num];
num++;
}
104
SIMULACIDNES DEL INVERSOR
A. SIMULACIDNES PARA SPWM UNIPOLAR
1. FORMA VIRTUAL
MICRO CONTROLADOR
Se}401al
de color amarilloz PWM1; Se}401al
de color rosado: PWM2
JMWYJUM
'
Referencia: Autoria Propia (Simulacién Proteus)
FIGURA N° 5.19 FORMAS DE ONDA EN LA CARGA

En la parte superior: formas de onda en la carga (en ambos
extremos respecto a tierra); En la parte inferior: invertida
E 1
P 7- 030.024" 024U-D .-_ L »V-. U: I ~, 030-.,. .. ~ ~ ?';
105
SPWM UNIPOLAR SIN FILTRO, (SUMANDO LAS DOS
SENALES ANTERIORES)
030A . i'o034
.-gaza{<'>sc.-}.o;co,.e . "W 030" 035
"g
_D ' ' 030:'' 035::"
MH E
2 I! E i - Mg 035 M 031 -
- I 1 I 030 1 ,.v' .: 03
- * ' * w 030
"7. 1 v"
.. _
< =T 030_ )
Referencia: Autoria Propia (simulacién Proteus)
FIGURA N° 5.21 FORMA DE ONDA DE LA SERIAL DE SALIDA

SPWM UNIPOLAR CON FILTRO
._ _. .__
030
. 1. _
- E 030''...; 030.:»°.* 034 031.:°
V 031 030
030 \| 030«,.,«'\_v".. 030._».,*-.9. 030J 030\_,"\_. 034-.v"\,'*._.'\J\ ,s 4; iv 2.
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105 %
FIGURA N° 5.22 SIMULACION - MATLABI SIMULINK (SPWM UNIPOLAR)
034
030 H"
F ' 035' 034"~TfH w~;~ 024
Referencia: Autoria Propia (Simu|a'cién Matlab/Simulink) V
' FIGURA N° 5.23 VOLTAJE DE SALIDA SPWM UNIPOLAR SIN FILTRO
Referencia: Autoria Propia (simulacién Matlab/Simulink)
- FIGURA N° 5.24 VOLTAJE Y CORRIENTE CON FILTRO '
Referencia: Autoria Propia (Simulacién Matlab/Simulink)
_ 030107 »
FIGURA N° 5.25 FFT DE VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM
UNIPOLAR)
034
~° I 031 .:;: 034': 024 024 024~ 024 024 024 024..:"
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FIGURA N° 5.26 FFT DE VOLTAJE CON FILTRO (SPWM

UNIPOLAR)
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103
FIGURA" N° 5.27 FFF DE CORRIENTE (SPWM UNIPOLAR)
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_"________f____ 034_,"°° 030°"' "°_°__.__Tjf_______j:_,j r:::- 030.-:":::1 _;..=-... .
Referencia: Autoria Propia (Simu|acic'Jn Matlab/Simulink)
RESULTADOS
FIGURA N° 5.28 SIN FILTRO (SPWM UNIPOLAR)
ajaL:7mo
3 : : 1 ; . 030
AnthoBande
; jig: i 035 %
; I ;_,_; BUM 034!
_
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031 ; .._.
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"it, lnvenh
I f I .5 E E aA E 3 1
cm 030s.oov'
U42 snow M 2.5oms CH1/aw
so.oa11Hz A -
Referencia: Autoria Propia (Visualizacion en el Osciloscopio)
FIGURA N° 5.29 CON FILTRO (SPWM UNIPOLAR)
Ilak » Jk _ lilw-3 _ Mmtumc Aunm:

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E 030Z ': 035;
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035::
an Wm 034
031
* 030 ' 2 . ' , - 3*"
Referencia: Autoria Propia (Visualizacion en el Osciloscopio)
109
SIMULACIONES PARA SPWM BIPOLAR .
1. FORMAVIRTUAL
FIGURA N° 5.30 FORMA DE ONDA EN LA SALIDA DEL MICRO
CONTROLADOR
Se}401al
de color amarilloz PWM1; Se}401al
de color rosado : PWM2
, Digital O$c£sr:o_pg _______ 030
______u
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2 030M
I he 030
030 30:2 030
3< i 030 v v I
Referencia: Autoria Propia (SimuIacion Proteus)
FIGURA N° 5.31 FORMA DE ONDA EN LA CARGA SIN

FILTRO (SPWM BIPOLAR)
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030 % A I
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Referencia: Autoria Propia (Simulacion Proteus)
11o -
SIN FILTRO, SUMANDO LAS DOS SENALES ANTERIORES
(SPWM BIPOLAR)
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034
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031 ' """ 035
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030 V .° 030 ° 034 031- 031°
2% 030
[
Referencia: Autoria Propia (simulacién Proteus)
FIGURA N° 5.33 FORMA DE ONDA CON FILTRO (SPWM

BIPOLAR)
_ Digital Oscilloscope V i j 030 W j j j L;
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111
FIGURA N° 5.34 FFT EN MATLAB SIMULINK (SPWM BIPOLAR)
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I Referencia: Autoria Propia (Simu|acién Matlab/Simulink)-
FIGURA N° 5.35 VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM BIPOLAR)
'
. wz/:2,:=i== =
_ _ FIGURA N° 5.36 CORRIENTE Y VOLTAJE CON FILTRO 031

(SPWM BIPOLAR) I '
- _ Referencia: Autoria Propia (simulacién Matlab/Simulink) ' I
. V 112 . _
FIGURA N° 5.37 FFT VOLTAJE SIN FILTRO (SPWM BIPOLAR)
A: I 0
_ 031.T:, 030. 030. 034B__._. 030_""'"" 035 034"""""1 034'_'"". ' 035 035"'""":':'E""'""'"""'"'"" 030"'"" 034"" 03
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,5. . 034="',£.I'-""1"
..
Referencia: Autoria Propia (Simu|acién Matlab/Simulink)
FIGURA N° 5.38 FFT VOLTAJE CON FILTRO (SPWM BIPOLAR)
; 2-// 024\ 031 \_ I I 030

: full:-Idl." 030-'D'VlIl.1D0'2607$
3' = ;f;° 030*--- 024~ 024~~ 024~~--- 024"
Referencia: Autoria Propia (Simulaci6n Matlab/Simulink)
FIGURA N° 5.39 FFT CORRIENTE (SPWM BIPOLAR)
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Referencia: Autoria Propia (Simu|acién Matlab/Simulink)
113
FIGURA N° 5 40 SENAL DE SALIDA SPWM BIPOLAR
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V Referencia'. Autoria Pro p ia Visualizacion en el Oscilosco pI0

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. A. SPWM UNIPOLAR _ -
1 . DATOS TEORICOS _
VS = 121!
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024
Vo(,,m_,,) 12V
024
4~x12V 0
m}401mls}
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V51 m.a_Vcc
024 024> ma 024
0.9
£14 - SOHZ 024

f1 .
- . I . . 114
2. DATOS SIMULACION
L1,. = 1212
f =035
501712
f =
035
SOH2: = fl
B. SPWM BIPOLAR
1. DATOS TECRICOS
Ix; = 121!
}401g
= SOHZ
4 024x12V
Voltrms) = =
{$1 = maVcc -1» ma = 0.9 030
5,, = S0}-Iz = fl
2. DATOS SIMULACION
I»; = 121/
030 V0 = 12v -9 V01 = 10.317
F(Hz)- 024-49.5
115
5.2 RESULTADOS FINALES
La presente tesis muestra de manera detallada la Metodologia para el
control por modulacion por ancho de pulso senoidal (SPWM), de un
inversor monofésico de baja frecuencia. La alta eficiencia que esta técnica
tiene sobre otras, lo hace un préctico dispositivo, para la realizacion de
précticas y aplicaciones, como el control de motores de corriente alterna
(AC), controles de iluminacion, etc. En el dise}401o

}401nal,
los parémetros de|
inversor: indice de modulacién (m) y frecuencia de salida (fo), pueden ser
ajustados por medio de potenciémetros.
En la conmutacion de voltaje bipolar, para modulacion normal (ma < 1)
tenemos |os valores e}401caces

de la componente fundamental y de todos
sus arménicos a continuacion: En condicion de sobre modulacién, (ma >1)
tenemos que la magnitud de la componente fundamental se obtiene
dentro de| siguiente intervalo.
En la conmutacion de voltaje unipolar, las ventajas de este esquema, son
el doblado efectivo de la frecuencia de interrupcion tan distantecomo |os
armonicos de salida sean afectados y la reduccion de los altos de salida a
Vcd comparado a los dos Vcd. La ventaja del doblado efectivo a la
frecuencia de interrupcién se aprecia en el espectro armonico de la forma
de onda de| voltaje a la salida.
Se pudo observar, en las diferentes Simulaciénes realizadas en el circuito
modelo, como en el realizado con el microcontrolador ATMEGA8.
030 116
CAPITULO VI
orscusron DE RESULTADOS
6.1. Contrastacién de hipétesis con los resultados
De los resultados indicados en el subcapitulo 5.1, se puede observar que
la Técnica de Control por Modulacion por ancho de pulso senoidal, es el
adecuado para esta aplicacion.
Esta técnica de control, requiere de dos se}401ales,

una senoidal y otra onda
triangu|ar. Las Simulaciones realizadas en el Capitulo V han demostrado
que el modelo obtenido en el Capitulo III es valido y cumple con las
exigencias de un modelo con propésitos de control. Las Simulaciones
también han demostrado que la metodologia para el control SPWM para
el inversor monofésico de baja frecuencia, cumple con las condiciones de
dise}401o
impuestas previamente:
En tal sentido, se ha cumplido con la hipétesis planteada en el trabajo, el
cual paso a anotar:
034La
técnica de control, como el SPWM, mejoré la salida de
tension alterna, de| inversor 035
6.2 Contrastacién de resultados con otros estudios similares
> El trabajo Luna Mejia Gabriel, Moctezuma Jimenez Gregorio, son
autores de 034Dise}401o
Didéctico de Convertidores CD-CA (a) Inversor
Monofésico 035.
En este articulo se presenta un Dise}401o
Didéctico de
117
un Inversor Monofésico Unipolar con Modulacién de Ancho de
Pulso senoidal SPWM (Inversor CD- CA).El objetivo principal de
este Inversor, es que el estudiante de Ingenieria pueda
implementarlo y analizarlo con los conocimientos bésicos de
Electrénica, tales como, con}401guraciones

de Ampli}401cadores
operacionales (OPAMP'S), BJT 031s,

circuitos légicos, generadores de
funciones y principios bésicos de los dispositivos semiconductores.
El inversor se construyé por bloques: asi tenemos, Generacién de
se}401ales
portadora y moduladora, comparacién PWM, generacién
de tiempo muerto, etapa de acoplamiento y circuitos de potencia.
En el articulo se detalla cada etapa y se presentan pruebas
experimentales de| circuito implementado.
En la presente tesis se ha utilizado dos circuitos para realizar
Ia simulacién, una de ellos con modulacién bipolar y otra con
modulacién unipolar, lo cual no sucede en el trabajo de la
referencia.
> Lara Moscoso Rene, Reina Rojas Annel, Chootong Ching Nonnan,
titulado 034Dise}401o
y Construccién de un Inversor Monofésico Tipo
Puente con Modulacién de Ancho de Pulso Senoidal (SPWM) de
dos Niveles 035,

el trabajo consiste en utilizar el microcontrolador
87C52 de Intel, que envia las se}401ales

de control y que controlan el
funcionamiento de los transistores de potencia (BJTs). Se ha
construido un médulo funcional cuya aplicacién permite efectuar,
113
Ias pruebas de las se}401ales
digitales, generadas con distintas
cargas, la comprobacién de la variacién de voltaje (indice de
modulacién) y variacién de la frecuencia.
> En la presente tesis se ha utilizado un sistema de control con
dispositivo discretos, se aplicado el criterio de modularidad,
permitié el desarrollo de bloques estructurales que puedan
emplearse de forma independiente o interconectarse para
lograr el funcionamiento del inversos monofésico.
> En la presente tesis, se ha utilizado también, el
microcontrolador ATMEGA8, que genera las se}401ales

de control
A y controlan el funcionamiento de los transistores, dise}401ado
como modulo funcional, que permitié visualizar las se}401ales
digitales generadas.
119
CONCLUSIONES
a. Es posible ajustar la tensién de salida, mediante Ia regulacién interna
en el propio inversor, esto es mediante la Modulacién por ancho de
pulso senoidal (SPWM) y més concretamente ajustando al indice de
modulacién en amplitud (cambiando la amplitud de la onda portadora
triangular).
b. De forma anéloga se puede ajustar la frecuencia de salida del inversor
dentro de unos Iimites de}401nidos

por construccién, cambiando Ia
frecuencia de la onda de referencia senoidal bajo la misma condicién
anterior y considerando el dimensionado de| }401ltro

de salida.
c. Respecto al dise}401o
y puesta en marcha de la fuente, es preciso
destacar la fuerte dependencia de la se}401al

de salida, respecto al
dise}401o Un condensador demasiado peque}401o

de| }401ltro. genera un
rizado muy acusado en la se}401al

y una bobina de alta inductancia,
reduce la amplitud de salida debido a su mayor impedancia. Se busca
un compromiso en el que la bobina sea tal, que su impedancia a la
frecuencia de trabajo sea reducida, pero que no presente grandes
pérdidas, debido al calentamiento en la conmutacién.
d. Se puede concluir que se lograron |os objetivos planteados para el
desarrollo de la presente tesis. De esta fonna |os resultados
experimentales obtenidos mostraron un buen funcionamiento de|
conjunto.
120
e. Se propone el inversor controlado por modulacién de ancho de pulso
senoidal unipolar, por su bajo contenido armonico, en esta estrategia
utilizada se requiere de un hardware no tan complejo, ya que se
usaron dispositivos discretos, donde se aplico el criterio de
modularidad asi mismo se uso el microcontrolador ATMEGA8 como un ,
modulo funcional. 030
121
RECOMENDACIONES
Algunas de las éreas que necesitan investigarse, se mencionan a
continuacion:
a. El proceso dise}401ado
puede ser usado para implementarlo en
tiempo real en hardware y software para las a'reas de control en las
diferentes asignaturas, sean de Control Clésico, Modemo o
Inteligente donde particularmente se demostraria el uso de la
técnica de control en estudio, asi como también otras técnicas de
control en las a'reas de inteligencia arti}401cial.
b. Dise}401o
de un modulador que trabaje expuesto a cambios
dinamicos desconocidos (disturbios) y que exijan al modulador
afrontar con éxito el problema de seguimiento de la tension de
salida, de forma de onda senoidal, ante la presencia de dichos
disturbios. En este caso se podrian dise}401ar

controladores
adaptivos.
c. Cuando operan los inversores, bajo condiciones de carga no lineal,
existen diversas alternativas para controlar sistemas no lineales,
entre ellas se haria uso de los controladores que utilizan légica
difusa, redes neuronales y algoritmos genéticos, cada uno de ellos
con caracteristicas particulares de control.
122
d. Para poder tener un buen desempe}401o
en el control de un inversor y
reducir signi}401cativamente
|os costos, se recomienda seleccionar Ia
estructu_ra de la red neuronal de forma adecuada.
e. Se pueden plantear un dise}401o

més robusto, en cuanto a
perturbaciones en la salida. Esto se puede conseguir mediante la
generacién digital de las se}401ales

de disparo, de los interruptores de
h potencia de| puente inversor, a través de un PIC, un dsP|C, o una
FPGA 0 un microcontrolador como el ATMEGA8 Utilizado.
123
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§
ANEXO B
Diagrama circuital de| control por modulacién de ancho de pulso
senoidal unipolar (SPWM unipolar) de| inversor modelo.
.
>INDIA J1
TBLOOCOB
}402
9
R1 " , 030R W 035
}e 3: 3T
R2 CZ R4 I mu A '
030M mam . 3 D" o $N_2 su_u o
mm
R3 C1 SN_2 c 030
BBK 47D'F 741 TRHNQHAR D 030
%
R14 . U3
' "
5 ° 030 ' '° if
U7 030I711 '
. D 024 030IRIANGUMN Q, 3 9 WM
C3 a agx}402u D 5 . " U4 141
M 030; 111 I 9 R7 .
'_ 2 - GROUID
R" GKOLND .
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031' 031f
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. 030 .
.. .'."_-.5."_;_. '_ .. .;:'. __-_".-;--'-,...'.','..:
Referencia: Autoria Propia (Simulaci6n Proteus)
128
ANEXOC
sinmzsns as us TENSION oz sAu:;A '

sumumczéu: pwm smusoumx con coumumcrére as mrensnéu awomn
cmcusro suvuuumo an psmn
.5 031?f 030§_ 0303 034T_E'F.*f£££%.. ,_

030@.%.....;___.____
_,__._.--_ _ _..______- 0343
J;£%JPi.J§i§;i§J.3_f3£J,ilEiiJ_§£89E;'_¥1_L?1§}402i3i53EiE-5; ?
ffiiliiliZIIIZIICTIIIII:If:IITI7Ift:IIIKIICIZIITII:ififiCITiiliifiiiiililiiliili}402i
:}§§:§§':§:33:3§ 030:§§::§:_:::t:::§:'::': 030:::';;;:::::::;:::t'::::Ltr}.:::§::§§}§§§Q_§;g

.................PWMS1hUS0lDAL.C0N_C0NMUTACl0NDETENSIONBIPOLAR....A.........
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:':.:i§.}f-§3§3}~?:§:§3§§?§J
:f§f?§f%3f_ 030-'3}?f3f§?§f§E77?ff§ 030{§Zf.:E
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.......SENALMODLU\£)(JRASMi$OlDAL.§...._... .
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IEIIIIT ZITXEI .. .. .3 IIIZIIILfiilflllifiifiiii
fliilfifIffiiiiglifI:if.""IIII:fIfIIIIII iiiiilftififlC'ILC?'E:1IIfI:If?IIII:II
{C337} §§: 030§§:'f37':' 035I::2..:::::::::{f:§'§i

f:31§§§*7373*V7*7
03033§§ 031
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7§§*°*3*
°"" 035V**7373
"§ 031§'f§f 9 031 §f"?f 030§ 030§1*3 030 034f 030§ 030}401 030?§?*3?§*§'
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w_
129
ANEXO D
ZONA LINEAL MODULACION PWM SINUSOIDAL BiPoLAR

Ejemplo: 11,, = 40012 mm = 0.8 my = 21 f,;, =030
Sohz f,,.; = 10S0hz
E a bi Sam 034M
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024;-94-9 034 V.
130
_ AN EXO E - »
ZONA SOBREMODULACION. MODULACION PWM'SlNUS0lDAL 8lPOLAl§-
Ejemplo: v,¢_=-'»4~00:v m¢.= 1.25 m, = .2-1 .f si,, - 030-=

50hz 034f,-,.;-
= 1_050_hz
Y W . > L.
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W ' : . 031

ANEXO F
SIMULACION INVERSOR BIPOLAR '
Circuito de control
: J 030 031 V
: 2%?"-°=1 ~ 0305 030¢9:
034T5-mt"
030
GE'lE(8bf1 " 030aé}401gg
. . V i
Circuito de potencia
030 3 : ldulsarétdk _
\.;L,,c,,,,a.,,,, 030.,,. , 03 __ _ V
rmmz: , u . , §lYitiRLCBIa'iQI 030 H

M3902 034hug 1 va.°. 030; 031-
F 034#1
.
132
CONFIGURACION DE [.08 BLOQUES DE CONTROL Y POTENCIA
BLOQUE (SENAL SINUSOIDAL Y TRIANGULAR)
Parameters 024 030__. v - _.
smevve §
"mew
Amplitude:
o.a__ ;
' I
Bias:
T 034
Frequency (rad/sec): b
2"pi 03050 9_ 030
Phase (rod): 3
':7". 035"__'.' 034 024""'"'

. 035"""*" 035"* 03
Sampietlme:
9
Interpret vector parameters as 1-D
0
E Triangle Gene(m)nk 030 - I 030W 031

K ;
I Generate a 9/rnmettical triangle wave with peak arnplitude of +/ 024
1. E
030parameters...
. .. .. ,
E Frequency (Hz): t
I M. , - _,_-_...._._,_,,-.,_-.I t
V Phase (degrees):
I_ Sample time:
; 024
. 034"""'"r 034". E 035 034" 035" 02
133
Bloque (Filtr pasa-j W
su}§ci;or} iiééi Parameters: ;ars'i:4.>ra::er:I i
§ First-Order Filter (mask) (link)
E Implement a first-order }401lter.
. }401lter
type = Lowpass -> H(s) = 1/(1+T.s) 4 5
Filter type = Highpass -> I-{(5) = T.sI(1+ 030| 031.s)
A Parameters -v~ 024 024-- 024 _
031H-uerrwe=
, 030lime
constant (5): 2
Sample time:
Initialize filter states 030

AC initial input[ Mag, Phase (degrees), Freq (Hz) ]:
[o,o,soti] A _ H A _ i
i oc initial input:
i Plot filter response 030

I 031 03 :
| e
Formas de onda a diferentes valores de m ;034

m,= 1
. W.9as1a 5_1s_£9.n£r9_L(£ria_a9iq£ary_§iny§9!d90_
in 031 ~ 024 024~ 024 024- 024. 031~ .'3
i@©1ez§|iEi§EilE=J£~% 2%
= 1 . ' . . 1
030. l 3 : 030r
\ 031
1 E /' 031 0313 030~-._
03 030x 031 it 031 3 9 ii 031, 3 1 1
> \I if 030: : ,3}; 1
0301 : -.\ /r . I v\ /1) j :
_- ..: ' i. - . V I 3
M J ,. :_}401.j.: :;,.;,;_; -. j
g 9.38 8.9! 9.88 3.83 10 10.01
i Time offset; 3
134
Onda de salida del filtro pasabajo
5335623. ' 031

silt"-.2@|®.§x}!%$|Eé1 Hi ~
. 50 V I '
-sotA
50 , ,_ A ] }402. . 03
\_ 3 3 /' 030x. j 031 030\}
:.\\__
.50 ' 034 031 ' " 031 V

3.93 3.97 3.88 9.39 10
Tme offset 0 . '
ma = 0.5
Onda de control triangular gn_q§oidaI

i 5<°9=1§§.j;:; %
;n§[61§x§%$]l§J &"i ~
8.5 I - _ v . A
\\ 030f _: 030,r/\_ 030t g_i/ \ 030
1 .
.1 .C
0
I I . i
9.95 9.95 9.37 3.93 9.99 _

Tzme offset: 0 030
135
Tb T Onda deg salia del }401ltro
pasgpg _
@@]ezg1%%|@ a *7. ~;
>Gr\ 031VV1\W
,_,,.~_;,,.. r R B \.._.u..v~-.
I r
.50 I . I
0 030
SB : V A _ , 2
.50 5 Z i 1 : Z
9.35 9.38 9.97 9.98 9.99 10:
}401ne
offset 0
Referencia: Autoria Propia (Simu|aci6n Matlab/Simulink)
ma = 1.5
Onda de control (triangular yiqugoidl .
e.i'='_9@|®.§x!%%'|E3J 8% -
- . 1
.. 173:.
(7 at
." XI034;
ff, 030:
....e
/
031T\.1...
xx; I/'1
1 034.
030xx
1 > I > . '- . '. . E
D
3.92 9.94 9.95 3.38 10
Tkmeoffset 0 I .
135
. Onda de salida del }401ltro
asabajo 030
scope
r:%@[@.a.x}%$!E 030§1iVa-53030§
034
1 so \
7 030
. v 03
U -. 034'...1-~030
: ~50 .
.
030 I
. 030 /_\ V
/ I I( .
030\
I, / 024 030
f 024._ K-
I 024\
. 1
1 . W, :" : , 1
- 50 ; ' ~\__J 3 ; 030~._/ : \H/ L
3.92 3.94 9.95 9.99 10 %
Tm: offset 0
Analizando FTT: A A
.9 "is: ~_%: 034~Wu 031?
A '14. ¥.9..?.-:1i_.'_' 030 030Q.1...._......__i_T;.;;L;;.;;__..;;§__:'" 035
034
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030j 030?____
030 030f°F_,030°
.;.m; 034°(
030
031 _:°°
030L.
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SIMULACION INVERSOR UNIPOLAR
Circuito de control
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Circuito de potencia
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' N FHWEEF
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Referencia: Autoria Propia (Simu|acic 031>n

Matlab/Simulink)
Configuracién de los bloques de control y potencia

Usaremos los mismos parémetros para la Onda de control (triangular
y sinusoidal)
Onda de control trianular sinusoidal
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Referencia: Autoria Propia (Simu|acic'>n Matlab/Simulink)
139
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V Referencia: Autoria Propia (Simulacién Matlab/Simulink)
- V 140 _
Analaizando FTT:
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141

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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

ESCUELA DE POSGRADO 031

-SECCION DE POSGRADO DE LA FACULTAD DE

PARA EL CONTROL SPWM

TESIS PARA OPTAR EL GRADO ACADEMICO DE

MAESTRO EN CIENCIAS DE LA ELECTRONICA

_ MENCION: CONTROL Y AUTOMATIZACION

AUTOR: RUSSELL c6RDovA RUIZ

constante presencia espiritual, quienes

por su temprana partida, nunca pudieron

ver mis objetivos alcanzados.

Agradezco a Dios, por permitir todas las circunstancias que con}402uyeron

en la consecucién de esta tesis.

A mis padres que siempre los tendré 030presente,

Un reconocimiento y agradecimiento muy especial a mi Asesor el M.Sc.

lng. Jacob Astocondor Villar, que con su invalorable apoyo me ha 030

permitido realizar esta tesis.

HOJA DE REFERENCIA DE JURADO Y APROBACION

1.1. ldentificacién del problema 15

1.2. Formulacién del problema 15

1.3. Objetivos de la investigacién 15

1.3.1 Objetivos generales 15

1.3.2 Objetivos especi}401cos 15

2.2.1. Fundamento ontologico 23

2.2.2. Fundamento epistemolégico 29

2.2.3. Fundamento metodolégico 30

2.3. Bases teoricas 31

2.3.1. Control del voltaje de salida 41

2.3.2. Control de| voltaje por ancho de pulso 45

2.3.3. Modulacion senoidal de ancho de pulso (SPWM) 47

2.3.4 Modulacion por ancho de pulso senoidal bipolar

2.3.5 Modulacién por ancho de pulso senoidal unipolar

3.2. Operacionalizacién de variables. 62 030

3.3. Hipétesis general e hipétesis especificas. 62

4.4. Técnicas e Instrumentos de recoleccién de datos. 83

4.5. Procedimientos de recoleccién de datos 83

4.6. Procesamiento estadistico y anélisis de datos 83

5.1. Resultados parciales 84

5.1.1. Resultado de la Simulacién PWM bipolar 84

5.1.2. Resultado de la Simulacién PWM unipolar. 86

5.2. Resultados }401nales 116

VI DISCUSICN DE RESULTADOS 117

6.1. Contrastacién de la hipétesis con los resultados 117

6.2. Contrastacién de resultados con otros estudios similares 117

VII CONCLUSIONES A 120

VIII RECOMENDACIONES - 122

IX REFERENCIAS BIBLIOGRAFICAS 124

ANEXOS 126 030

FIGURA N°1.0 SIMULACION DEL INVERSOR SPWM 19

FIGURA N°2.0 SALIDA DEL INVERSOR V0, 10 24

FIGURA N°2.1 CIRCUITO OSCILADOR SENO Y SENO

INVERTIDO sw_1, sw_2 26

FIGURA N°2.3 ACOPLAMIENTO Y ETAPA DE POTENCIA 29

FIGURA N° 2.3.1 ESTRUCTURA GENERAL DEL CONVERTIDOR

FIGURA N° 2.4 ESQUEMA DE UN INVERSOR MONOFASICO

FIGURA N° 2.5 SECUENCIA DE DISPARO Y TENSION OBTENIDA

FIGURA N° 2.6 INVERSOR MONOFASICO PUENTE COMPLETO 39

FIGURA N° 2.7 MODULACION DE UN SOLO ANCHO DE PULSO 44

FIGURA N° 2.8 PERFIL ARMONICO DE LA MODULACION 45

FIGURA N° 2.9 MODULACION EN ANCHO DE VARIOS PULSOS 47

FIGURA N° 2.10 PERFIL DE ARMONICOS PARA MODULACION

EN ANCHO DE VARIOS PULSOS 47

FIGURA N° 2.11 MODULACION DE ANCHO DE PULSO