LABORATORIO DE DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO y E/S

PREVIO #6
(Se entrega en equipo)

IMPLEMENTACIÓN DE MEMORIAS DE MAYOR CAPACIDAD

1. Describir detalladamente los pasos que se deben seguir para implementar una memoria de mayor
capacidad, es decir, que cosas se toman en consideración:

a) Definir la organización de la memoria a implementar.

b) Definir con qué tipo de circuitos integrados se cuenta.
c) Definir las restricciones del material disponible (precio, consumo de corriente, tiempo de
acceso, número máximo de circuitos integrados, etc.)
d) Definir el número de circuitos integrados que se necesitan para alcanzar la capacidad
deseada.(número de localidades x #bits por localidad)
e) Definir el número de líneas de direccionamiento que se requieren.
f) Definir el número de líneas de entrada y salida de datos.
g) Definir las líneas de habilitación y de control.
h) Definir la circuitería adicional necesaria para el correcto funcionamiento.

2. Diferencias principales entre una RAM estática y una RAM dinámica.

- En las SRAM para almacenamiento se usan los flip flops mientras que en las DRAM se usa
un transistor MOS con un capacitor conectado al gate y al source aprovechando la
capacitancia parásita y haciendo uso del refresco para el almacenamiento de los datos.
Las DRAM pueden almacenar más datos que una SRAM, la velocidad de la SRAM es mayor
que la de la DRAM, las SRAM son más costosas que las DRAM.
Para la escritura se toman los factores del tiempo de retraso del flip flop, el tiempo de la
compuerta y el del decodificador, mientras que para la lectura se toman los tiempos del
decodificador y de las compuertas y por lo tanto los tiempos de lectura y escritura tanto
en DRAM y SRAM se parecen.

3. Cuál es la celda de almacenamiento de una memoria SRAM (porque elementos están construidas).

- La celda de almacenamiento es un Flip-Flop.

Implementar los arreglos de memoria que se piden en los preguntas 4, 5 y 6, tomando como circuito
integrado de memoria el CI 6116 (conseguir hoja de especificaciones y patígrama de esta memoria SRAM
de 2k x 8). Para cada implementación (4, 5 y 6) indicar los 4 incisos siguientes:

a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren

b) Número de líneas de entrada / salida.
c) Líneas de habilitación y control
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la implementación.

4. Duplicar el número de localidades de la memoria original. ..(valor 20%)

Nota: Se uso un memoria SRAM de 32Kx8

Para una memoria de 64Kx8

a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren: 16
b) Número de líneas de entrada/salida: 8
c) Líneas de habilitación y control: 5
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la implementación: Decodificador
de 1x2
e) Se requieren de dos CI.

16 15
A15 SRAM
32KX8
A0

Decodificador 8
1x2
S0
A15 S1
8

15
SRAM
32KX8

8
 5. Duplicar el tamaño de la palabra de la memoria original. ..(valor 20%)

Para una memoria de 32Kx16

a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren: 15
b) Número de líneas de entrada/salida: 16
c) Líneas de habilitación y control: 5
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la implementación: No requiere
e) Se requieren de dos CI.

15 15 SRAM
A15 32KX8
A0 8

16

15

SRAM
32KX8

15

6. Duplicar el número de localidades y el tamaño de la palabra de la memoria original. ..(valor 30%)

Nota: guardar una copia fotostática de esta última implementación, se revisará en la práctica.

Para una memoria de 64Kx16

a) Número de líneas de direccionamiento que se requieren: 16
b) Número de líneas de entrada/salida: 16
c) Líneas de habilitación y control: 5
d) Circuitería adicional para que funcione completamente la implementación:
Decodificador de 1x2
e) Se requieren 4 CI SRAM 32Kx8.
 SRAM 64Kx16

SRAM 32Kx16

16 15

16

SRAM 32Kx16
15

Decodificador
1x2
A15 S0
S1