Titulo

David Bedoya, J. David Chaverra

Universidad de Antioquia

Resumen
En este proyecto se tiene como objetivo realizar un modelo del diodo semiconductor, se explica la estructura
atómica de este, los materiales con los cuales son fabricados mayormente, como se realiza el proceso de dopaje
para estos materiales para distinguir la diferencia entre semiconductores intrinseco y extrisnecos, lo cual depende
propiamente del material y su dopaje.
Para realizar dicho modelo se usará dos softwares, COMSOL Multiphysics y ELMER, con el primero se observo
el resultado grafico de la concentración de electrones, la concentración de huecos y el potencial eléctrico, se tiene
en cuenta que todos los cálculos y graficos encontrados con el programa son en condiciones estacionarias, dicho
esto es importante para comprender el resultado arrojado por este, esta simulación esta diseñada de tal forma que
dependan del cambio de los parámetros tales como, el material, el dopaje y la geometría, al variar estos se obtie-
nen resultados diferentes, para tener una comparación de lo teórico y lo modelado.
Todo los parámetros y ecuaciones físicas fueron exportadas de Comsol a Elmer por medio de Elmer GUI, donde
se denfinio el material con el cual va a estar conformado el modelo (Silicio, Si), durante el proceso se tuvo
diferentes incovenientos con Elmer dada la falta de capacitación e información disponible pora consultar.

Palabras claves: Semiconductores, Dopaje, Union P-N, Comsol, Elmer.

1. Introducción

Semiconductores

Un Semiconductor pesenta comportamientos de conducción

o de aislamiento, dependiendo de la temperatura, la cantidad
de dopaje y del material. Presenta comportamiento de con-
ductor perfecto o aislador perfecto.

Los materiales mas usado son el Germanio (Ge) con peso

atomico de 32 y el Silicio (Si) de 14, por este ultimo ser mas
abundante en la tierra es el que mayormente se usa, tanto el
Si como el Ge tiene 4 electrones en su última capa de valen-
cia, por esto se usa como un material semiconductor, aunque
el Ge tiene una capa mas de valencia que el Si, los dos se Figura 1 Cristal de siclico, imagén tomada del video
comportan como semiconductores, por el ejemplo el Cobre “semiconductores, Estructura atomica”
Cu se dice que es un buen conductor debido a que tiene 1 solo https://www.youtube.com/watch?v=cy50YR7kr8c&t=4s
electrón en la capa de valencia dicho electrón con una pe-
queña exitacion por energía térmica, puede convertirse fácil- Cuando varios átomos de Si se aproximan entre si se forman
mente en un electrón libre dando lugar a un flujo de electro- una estructura llamada cristal, en este caso cristal de Si, las
nes denominado corriente eléctrica. capas de valencia se jutan y cada átomo comparte un electrón
con los otros átomos vecinos, el átomo del centro de la Fig.
1, en donde los puntos amarillos representan los nucleo de
1
los átomos vecinos, en total cinco, y se puede observar que
el átomo que esta justo en la mitad, comparte cuatro electro-
nes con los átomos vecinos, a cada electrón compartido se le
denomina enlace covalente.
En 1917 Hilber Newton Lewis, anunció la regla del octeto, la
cual dice que cuando los átomos completan sus ultimas capas
de valencia con 8 electrones, la foma adquiere una estructura
muy estable que no da lugar a que halla electrones libres y se
conoce como saturación de valencia, que implica no haber
electrones libres o requiere de una mayor exitacion para des-
prender uno.
La Formación de un cristal de silicio puro bajo el principio
de Lewis da lugar al semiconductor de Si Intrinseco, por esto
no tendrá electrones libres, es decir se comporta como un ais-
lante perfecto, para este semiconductor se requiere de una
mayor exitacion para liberar electrones, o hasta imposible lo-
grarlo, tiene una alta resistividad a la conducción.
Al liberar un electrón de dicha capa de valencia se genera un
hueco, el cual se comporta como una carga positiva, de igual
magnitud que la del electrón, este fénomeno es conocido
como ionización, dando luegar a un ión positivo, este hueco
buscará llenar el espacio con un electrón que se encuentre en
la vecidad inmediata, si el cristal esta sometido a un flujo de
electrones cada hueco buscará ser apareado con cualquier
electrón libre que le sea mas fácil atraer y entonces el cristal
de silicio quedará nuevamnate sin ningún hueco y sin ningún
electrón libre, el cristal de silicio puro entonces se le da el
nombre de semiconductor intrínseco,un material intrínseco
es aquel que no da lugar ni a electrones libres ni a huecos.
En material extrínseco, comparado con el intrínseco, au-
menta la conductividad, en este existen electrones libres para
que la conductividad sea posible el cristal de silicio deberá
ser dopado, quiere decir que se introducen al cristal algunas
impurezas, estas son algunos átomos de otro material penta-
valente cuya estructura tiene 5 electrones en la ultima capa
de valencia, por ejemplo, se debe dopar al cristal de Si con
un átomo Arsenico o Fosforo (pentavalentes), se controla la
conductividad de un semiconductor dopado cuanto mas
atomo de arsénico o fosforo se añadan más electrones libres
habran, entonces un conductor con poco dopaje presenta mas
resistencia a la conducción que un material con mucho do-
paje.
Estas impurezas donarán un electrón por cada átomo penta-
valante, se denomina normalmente impurezas donadoras, en-
tonces a un material intrínseco, como por elejmplo el silicio,
cuando se dopa con material pentavalente se le da el nombre
de material Tipo N, (negative), es decir que por cada átomo
pentavalente dona una carga negativa.
También es posible dopar el Cristal con materiales trivalen-
tes, cuyo átomo tiene en su última capa de valencia 3 electro-
2
nes, como el Boro, entonces dara lugar a aceptadoras o hue-
cos, al introducir estructuras trivalantes al cristal donará un
hueco, se le conoce como impureza aceptadora, porque cada
hueco con el que contribuye puede aceptar un electrón libre
y por lo tanto se le denomina semiconductor Tipo P (Posi-
tive).
En sintesis un material tipo N tiene impurezas con electrones
mayoritarios que la ejercer una corriente atravez de el se
comporta como un aislante perfecto y por lo tanto tendrá una
alta resitencia, un material tipo P tiene impurezas aceptadoras
que al ejercer una corriente alta cada hueco acepta un electrón
del exterior y el material se comporta como un conductor y
por lo tanto tendrá baja resistencia
Semiconductor Union P-N
Al tener la mitad de un material de tipo N y la otra mitad tipo
P y al unirlos se le conoce como Union P-N y en la unión se
conforma una línea llamada línea de unión, los electrones del
material N se mueven en todas direcciones, libres, en lagunos
casos algunos electrones del material N cruza esta línea de
unión y cuando esto sucede dichos electrones son atriados
por los huecos de material tipo P, que tiene en su mayoría,
cuando se juntan el hueco desaparece y el electron libre que
cruzo se convierte en un electrón de valencia, estos pares van
formando una zona llamada zona de deplexión y en los cos-
tados de esta región se conoce como zona de agotamiento o
emprobecimiento, esta zona se queda sin portadores de carga,
es decir, sin electrones del lado N y sin huecos del lado P,
debido a la combinación.
La Zona de deplexión se forma rápidamente y delgada en
comparación con las regiones N y P, ahora a los electrones
del lado N les sera más difícil atravesar nuevamente la línea
de unión, para combinarse con un hueco, cuando lo logra lo
que hace es aumentar la zona de deplexion y asi aumenta aun
mas la dificultad de atravesar, cuando el electrón no es capaz
ya de atraves se llega a un equilibirio, la zona de deplexion
queda convertida en una barrrera para los electrones libres
del lado N.
Con esto aunmenta la carencia de huecos del lado P cercanos
a la zona de deplexion y de igual forma aumenta la carencia
de electrones para la región N.
Cuando un átomo pentavalanete del lado N pierde un electrón
libre y atraviesa la línea de unión el átomo queda cargado
positivamente porque la cantidad de protones en el núcleo de
este átomo no cambia asi que este átomo tiene un protón más
con respecto a los electrones que deben de tener sus capaz de
valencia y por lo tanto queda cargado positivamente, ahora
cuando el electron libre que se encuentra ya en el lado P se
combina con el hueco con el átomo del hueco trivalente este
electrón deja de ser libre y se converte ahora en un electrón
de valencia de este átomo, por lo tanto este átomo queda car-
gado negativamente, es decir, hay más electrones en sus ca-
pas de valencia que protonoes en su nucleo este hecho ocurre
en la vecindad de la zona de deplexion, o zona de agota-
miento, toda vez que se ha llegado al equilibrio y por la can-
tidad de electrones que perdieron losáatomos del lado del ma-
terial tipo N, esa pequeña zona queda cargada positivamente
y la zona de agotamiento de la zona P queda cargada negati-
vamente.
Estas dos pequeñas fuerzas de cargas forman una diferencia
de potencial y como lo que se encuentra entre estas dos car-
gas es una barrera que impide el paso de los electrones del
lado N al lado P, a esa diferencia se ledenomina Potencial de
Barrera y son unidades son Voltios, ahora cualquier electrón
que quiera cruzar la línea de unión forzosamente deberá ven-
cer a dicho potencial de barrera.
Este potencial de barrera depende básicamente de 3 cosas:
- Depende de la cantidad de material Dopado en la
Region N y P
- Depende de la Temperetura a la que este espuesto
- Depende del tipo de material
Los fabricantes de estos materiales hacen que a temperatura
ambiente (25°c-300K) el potencial de barrera sea para el Si
0.7V y 0.3 para el Ge.
Ahora esta unión da lugar a un Diodo y funcionamiento Teo-
ricamente esta descrito por las ecuaciones de Maxwell.
Marco Teorico
Ecuaciones de Maxwell
(1) ∇ ∙ 𝓓 = 𝜌 𝑀𝑎𝑥𝑤𝑒𝑙𝑙 − 𝐺𝑎𝑢𝑠𝑠
𝜕𝜌
(2) ∇ ∙ 𝑱 = − 𝑐𝑜𝑛𝑠𝑒𝑟𝑣𝑎𝑐𝑖𝑜𝑛 𝑑𝑒 𝑙𝑎 𝑐𝑎𝑟𝑔𝑎
𝜕𝑡
Todo el modelamiento que sera mostrado a continuación se
efectuó bajo condiciones estacionarias.
Entonces se tiene que para poder modelar un dispositivo se-
miconductor es necesario establecer y conocer el número
exacto de portadores de carga en las bandas respectivas, su
distribución de energía (con lo que se obtiene la densidad
volumétrica de carga 𝜌) y cual es el proceso físico responsa-
ble de que haya o no flujo de corriente (con lo que se ob-
tiene las densidades de corriente).
El número de electrones por cm3 con energías entre 𝐸 y 𝐸 +
𝑑𝐸 es 𝑔𝑐 (𝐸)𝑓𝐹 (𝐸) 𝑑𝐸, de igual forma el número de huecos por
cm3 es 𝑔𝑣 (𝐸)[1 − 𝑓𝐹 (𝐸)] 𝑑𝐸 , por lo que al integrar sobre
toda la b0anda de energía tanto de conducción como de va-
lencia, se obtienen las ecuaciones para la concentración de
portadores:
∞
(3) 𝑛 = ∫ 𝑔𝑐 (𝐸)𝑓𝐹 (𝐸) 𝑑𝐸
𝐸𝑐
3
𝑛: Concentración de electrones en la banda de con-
ducción.
𝑔𝑐 : Función de densidad de estados de energía dispo-
nibles en la banda de conducción.
𝑓𝐹 (𝐸): Función de distribución de probabilidad de
Fermi-Dirac. Probabilidad de que en un estado de
energía E se encuentre un electrón.
𝐸𝑣
(4) 𝑝 = ∫ 𝑔𝑣 (𝐸)[1 − 𝑓𝐹 (𝐸)] 𝑑𝐸
−∞
𝑝: Concentración de huecos en la banda de valencia.
𝑔𝑣 : Función de densidad de estados de energía en la
banda de valencia.
1 − 𝑓𝐹 (𝐸): Probabilidad de que en un estado de ener-
gía E no haya un electrón, es decir, se encuentre un
hueco.
En este caso, como se está analizando dentro de un semi-
conductor se debe reemplazar la masa de los portadores por
la masa efectiva dependiente de la energía y también reem-
plazar la energía según el nivel de energía de las bandas, en
las funciones de densidades de estados de energía.
4𝜋(2𝑚∗𝑛 )3/2
(5) 𝑔𝑐 = √ 𝐸 − 𝐸𝑐
ℎ3
4𝜋(2𝑚𝑝∗ )3/2
(6) 𝑔𝑣 = √𝐸𝑣 − 𝐸
ℎ3
Según la anterior ecuacion los estados disponibles a ser ocu-
pados, aumentan a medida que aumenta la energía a partir
de la banda de conduccion, como también a medida que dis-
minuye la energía a partir de la banda de valencia.
Como se trabaja con semicoductores no degenerados, la
energía de Fermi está dentro del gap de energía, para elec-
trones en la banda de conducción se tiene que: 𝐸 > 𝐸𝑐 , si
𝐸 − 𝐸𝐹 ≫ 𝑘𝐵 𝑇 , es decir la energía de fermi se encuentra
varias unidades 𝑘𝐵 𝑇 separada de la banda de conducción,
luego, la función de probabilidad de Fermi-Dirac se apro-
xima a la de Maxwell-Boltzmann.
1 𝐸−𝐸𝐹
−
(7) 𝑓𝐹 (𝐸) = 𝐸−𝐸𝐹 ≈𝑒 𝑘𝐵 𝑇
1 + 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
Según esta distribución, la probabilidad de ocupación des-
ciende rápidamente al incrementarse la energía para los
electrones como al disminuir la energía para los huecos, por
lo tanto, se puede establecer que la mayoría de electrones y
huecos se concentran en los estados cercanos a la base de la
banda de conducción y valencia respectivamente.
Con las consideraciones hechas anteriormente y resolviendo
las ecuaciones, (5) y (7) en (3) y (6) y (7) en (4), tenemos
que las concentraciones de portadores quedan así:
 2(2𝑚𝑛∗ 𝑘𝐵 𝑇)3/2 𝐸 −𝐸
− 𝑐 𝐹
(8) 𝑛 = 𝑒 𝑘𝐵 𝑇
⏟ ℎ3
𝑵𝑪 : 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑
𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠
𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑐𝑜𝑛𝑑𝑢𝑐𝑐𝑖ó𝑛

2(2𝑚∗𝑝 𝑘𝐵 𝑇)3/2 𝐸 −𝐸
− 𝐹 𝑣
(9) 𝑝 = 3
𝑒 𝑘𝐵 𝑇
⏟ ℎ
𝑵𝑽 ∶ 𝑑𝑒𝑛𝑠𝑖𝑑𝑎𝑑
𝑒𝑓𝑒𝑐𝑡𝑖𝑣𝑎 𝑑𝑒 𝑒𝑠𝑡𝑎𝑑𝑜𝑠
𝑒𝑛 𝑙𝑎 𝑏𝑎𝑛𝑑𝑎 𝑑𝑒 𝑣𝑎𝑙𝑒𝑛𝑐𝑖𝑎

Un semiconductor intrínseco tiene asociada una energía de

Fermi intrínseca 𝐸𝐹𝑖 , una concentración intrínseca de elec-
trones 𝑛𝑖 y una concentración intrínseca de huecos 𝑝𝑖 ,
donde tanto huecos como electrones libres son generados
exclusivamente por agitación térmica, por lo tanto por cada
electron libre exitado en la banda de conducción se genera
un hueco en la banda de valencia, por consiguiente, sus con-
centraciones son iguales, 𝑛𝑖 = 𝑝𝑖 , por lo que 𝑛0 = 𝑛𝑖 =
𝑝𝑖 = 𝑝0 . Al multiplicar las ecuaciones (7) y (8) se tiene que:
𝐸𝑔
−
(10) 𝑛𝑖 = √𝑁𝑣 𝑁𝑐 𝑒 2𝑘𝐵 𝑇

𝒏𝒊 : concentración de portadores intrínsecos.

Cuando cuando el semiconductor es dopado con impurezas,
los electrones cedidos por atomos donadores se originan en
estados donadores localizados dentro del gap de energía,
unas centésimas de energía por debajo de la banda de con-
ducción, cuando se libera el electron, los atomos quedan io-
nizados (cargados positivamente), la cantidad de dopantes
ionizados depende del nivel de energía de la impureza, ade-
más de la temperatura de la red, seguin la siguiente ecua-
cion:
𝑁𝐷
(11) 𝑁𝐷+ = 𝐸𝐹 −𝐸𝐷
1 + 𝑔𝐷 𝑒 𝑘𝐵𝑇
Analogamente, los huecos se generan cuando los electrones
que están normalmente en la banda de valencia se desplazan
a estados receptores, se genera entonces una ionización de
las impurezas aceptoras al liberar el hueco y ser ocupados
por un electron quedando cargadas negativamente, cuya
ecuacion está dada por:
𝑁𝐴
(12) 𝑁𝐴− = 𝐸𝐴 −𝐸𝐹
1 + 𝑔𝐴 𝑒 𝑘𝐵𝑇
Ilustración 1. Bandas de energía para un semiconductor dopado,
tomada de http://hyperphysics.phy-astr.gsu.edu/hbasees/So-
lids/pnjun2.html
Mediante la Ilustracion 1, se puede entender el comporta-
miento de bandas de energía, para un semiconductor dopado
con impurezas, donde se muestra la ionización de las impu-
rezas debido a la generación tanto de huecos como electro-
nes liberados, todo esto cuando se encuentra en los estados
Ed y Ea, correspondientes a los estados donadores para im-
purezas tipo-n y aceptores para impurezas tipo-p.
Se puede establecer que, en un semiconductor en equilibrio,
debe haber un hueco térmico o un ion donador positiva-
mente cargado por cada electron libre y un electron térmico
o un ion negativamente cargado por cada hueco libre. Por lo
tanto, todo el cristal debe ser neutro, lo cual se expresa por
la siguiente ecuacion:
(13) 𝑁𝐷+ + 𝑝 = 𝑁𝐴− + 𝑛
A temperaturas cercanas a la del ambiente (300K), se tiene
que la mayoría de donadores y aceptores están ionizados, la
ecuacion de neutralidad puede ser aproximada a:

(14) 𝑁𝐷 + 𝑝 = 𝑁𝐴 + 𝑛

Con esto se puede conocer tanto la concentración de huecos

y electrones en un semiconductor tipo-n y p, mediante las

4
ecuaciones (8) y (9) en términos de la densidad intrínseca de 𝑞𝜏𝑛
(22) 𝜇𝑛 =
portadores, sustituyendo en (14). 𝑚∗𝑛
𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛𝑒𝑠.
1 𝜏𝑛 : 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑣𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 𝑒𝑙𝑒𝑐𝑡𝑟𝑜𝑛.
(15) 𝑛𝑛𝑜 = ((𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 ) + √(𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 )2 + 4𝑛𝑖 2 )
2 𝑞𝜏𝑝
1 (23) 𝜇𝑝 =
(16) 𝑝𝑝𝑜 = ((𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 ) + √(𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 )2 + 4𝑛𝑖 2 ) 𝑚∗𝑝
2
𝜇𝑛 : 𝑀𝑜𝑣𝑖𝑙𝑖𝑑𝑎𝑑 𝑑𝑒 𝑙𝑜𝑠 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜𝑠.
Donde se mantiene la relación dada por la ley de acción de 𝜏𝑛 : 𝑡𝑖𝑒𝑚𝑝𝑜 𝑑𝑒 𝑣𝑖𝑑𝑎 𝑑𝑒𝑙 ℎ𝑢𝑒𝑐𝑜.
masas para los dos tipos de semiconductores.
𝐷𝑛 y 𝐷𝑝 son la difusión de portadores, son constantes en un
(17) 𝑛𝑛𝑜 𝑝𝑛𝑜 = 𝑛𝑝𝑜 𝑝𝑝𝑜 = 𝑛𝑖2 semiconductor no degenerado y según la relación de Eins-
tein quedan expresadas asi:
Ecuacion de Poisson 𝑘𝐵 𝑇 𝑘𝐵 𝑇
(24) 𝐷𝑛 = 𝜇𝑛 , (25) 𝐷𝑝 = 𝜇𝑝
De acuerdo con lo anteriormente mostrado se tiene que la 𝑞 𝑞
densidad volumétrica de carga esta determinada por las con-
centraciones del dopaje, tomando en cuenta que la tempera- Reemplazando (24)y(25) en (20)y(21):
tura es lo suficientemente alta para que las impurezas se en-
cuentren ionizadas, y la concentración de los portadores li- (∗∗) 𝑱𝒏 = −𝑞𝜇𝑛 𝑛∇𝜓 + 𝑘𝐵 𝑇𝜇𝑛 ∇𝑛
bres asi: 𝑱𝒑 = −𝑞𝜇𝑝 𝑝∇𝜓 − 𝑘𝐵 𝑇𝜇𝑝 ∇𝑝
(18) 𝜌 = 𝑞(𝑝 − 𝑛 + 𝑁𝐷 − 𝑁𝐴 )

Por otro lado, se sabe de la teoría de campos electromagné- Ecuaciones de Continuidad

ticos, en condiciones estacionarias que: Recombinacion de electrones en un semiconductor tipo-p:

(19) 𝓓 = 𝜖𝓔 = −𝜀∇𝜓 ∆𝑛
(26) 𝑈𝑛 =
𝜏𝑛
Donde 𝜖 corresponde a la permitividad del silicio, D el vec-
tor desplazamiento eléctrico, E la intensidad de campo eléc- Recombinacion de huecos en un semiconductor tipo-n:
trico y 𝜓 el potencial eléctrico.
Entonces la ecuación de Maxwell-Gauss, que resulta siendo ∆𝑝
una ecuación de Poisson, (18) y (19) en (1), queda escrita (27) 𝑈𝑝 =
𝜏𝑝
asi:
Mediante la ecuacion de continuidad y conservación de la
𝑞(𝑛 − 𝑝 + 𝑁𝐴 − 𝑁𝐷 )
(∗) 2
∇ 𝜓= carga se tiene:
𝜖 𝑱𝒏 𝜕𝑛
(∗∗∗) ∇ ∙ − 𝑈𝑛 =
𝑞 𝜕𝑡
𝑱𝒑 𝜕𝑝
Ecuaciones de dencisdad de Corriente −∇ ∙ − 𝑈𝑝 =
𝑞 𝜕𝑡
Comunmente la corriente de conducción consiste en una
componente de deriva causada por el campo eléctrico y una Las cuales son validas para los fenomenos de transporte con
componente de difusión causada por el gradiente de la con- dependencia del tiempo.
centración de portadores, por lo que las expresiones para la
densidad de corriente de electrones, 𝑱𝒏 , y la densidad de co-
rriente de huecos, 𝑱𝒑 , están dadas por:

(20) 𝑱𝒏 = −𝑞𝜇𝑛 𝑛∇𝜓 + 𝑞𝐷𝑛 ∇𝑛

(21) 𝑱𝒑 = −𝑞𝜇𝑝 𝑝∇𝜓 − 𝑞𝐷𝑝 ∇𝑝

Donde:

5
 Procedimiento
Comsol es un software CAE para modelado, análisis y si-
mulación de fénomenos físicos 3D,2D o 1D en ingeniería
como problemas con fluidos, estructurales, térmicos, elec-
tromagnéticos entre otros, permite definir la geometría espe-
cificando el mesh o malleado, cargas y la visualización pre-
via del análisis para luego ejecutar el postproceso y ver re-
portes finales.
Comsol tiene muchos modelos, dentro de los cuales se en-
cuentra Semiconductor Module, que permite el análisis de-
tallado del funcionamiento de dispositivos semiconductores
al nivel físico fundamental. El módulo está basado en las
ecuaciones de advección-difusión tanto con modelos de
transporte isotérmicos como no istotérmicos. Su sencilla
pero potente interfaz facilita la configuración de los perfiles
de dopaje y especificación de la física y sus condiciones de
contorno

Para realizar el modelo se crea nuevo proyecto en comsol,

con un modelo en 2D, se elige las librerias de semiconduc-
tores y se establece que los análisis serán en condiciones es-
tacionarias.

Para empezar, se define la geometría del semiconductor,

que estará conformado por: dos rectángulos, un punto y un
cuarto de circuferencia, de tal forma que se obtiene la si-
guiente figura

Ilustración 2 (a)Bandas de energía para un semiconductor

tipo-p y uno tipo-n.
(b) Bandas de energía al unir los semiconductores

La ilustracion 2 muestra en la parte superior como es el dia-

grama de bandas de energía planas para un semiconductor
tipo-p y para un semiconductor tipo-n y en la parte inferior
muestra el doblamiento de estas debido a la juntura p-n, en
la región de agotamiento cuya longitud corresponde a 𝑊𝑝 +
𝑊𝑛 , se observa la ausencia de portadores mayoritarios y en
donde se encuentran únicamente impurezas ionazadas, ade-
más sin presencia de un campo eléctrico, se tiene condicio-
nes de equilibrio térmico, lo que se expresa en una energía
de fermi constante y uniforme de la juntura, por lo que no
hay corriente neta a través de la juntura.
Cuando existe un flujo de corriente electrica, debido a un
voltaje aplicado a la juntura, se tendrá que el estado del sis-
Figura 2 Modelo del diodo, imagen tomada de comsol
tema ya no será de equilibrio térmico, por esta razón no se
puede definir un único nivel de fermi para todo el cristal.
Luego se elige el Silicio como el material que conforma a el
Sin embargo, lejos de la unión prevalecen las condiciones
diodo. El programa crea un modelo del material por medio
de equilibrio por lo que las densidades de huecos y electro-
de constantes definidas, tales como la permitividad relativa
nes se pueden describir mediante distribuciones de fermi re-
que es de 11.7, la movilidad de electrones y huecos, los
lacionándolas con las 2 energias de cuasi-fermi, 𝐸𝑓𝑛𝑜 y
𝐸𝑓𝑝𝑜 .

6
tiempos de vida de electrones y huecos, entre muchas otras
constantes.
Se hace el dopaje determinando la concentración de portao-
res de carga en cada sección.

Se define el ánodo y el cátodo de la siguiente forma

Figura3 Ánodo (barra azul)

Figura 5 Malla triangular, imágen de comsol

Resultados.

Para analizar el diodo, se hará un barrido de voltaje varián-

dolo de 0 a 3V, con pasos de 0.05. Luego de establecer este
barrido se obtiene los siguientes resultados

Figura 4 Cátodo

Se crea una malla, es como seccionar toda la región, y entre

más pequeñas sean las subdivisiones se obtendrán mejores
resultados. Para el caso de análisis se creó divisiones trian-
gulares, en calidad fina, obteniendo asi la siguiente malla.

Gráfica 1. Concentración de electrones

Para la Grafica 1 vemos que la concentración de electrones,
en condiciones estacionarias, esta mayoritariamente en la
región del catado presentado en la región mas roja, esto se
debe a que esta es la región N donde se encuentran todos los
electrones, minetras que en la P que es la región Azul os-
curo no existen electrones sino huecos.

7
 Gráfica 2. Concentración de huecos
Para la Grafica 2 se presenta la concentración de huecos y el
resultado es lo contrario a lo explicado para la concentra-
ción de electrones, la grafica concuerda con lo esperado ya
Gráfica 4. Concentración de dopantes. (electro-
que se observa los huecos están concetrados en la región P.
nes-huecos)
Para la Grafica 4 se muestra la cantidad de dopaje de ato-
mos pentavalentes en el catodo.

Gráfica 3. Potecial eléctrico

Para la grafica 3 se presneta para el potencial eléctrico
Se observa que la mayor cantidad de potencial o de electro- Gráfica 5. Concentración de portadores de carga
nes esta concentrada en el catodo lo cual hace que el pote- con respecto a la profundidad.
cial aquí sea mayor y que va disminuyen conforme avanza
hacia la región P, donde no se presenta potencial en el
Anodo.

8

Gráfica 6. Potencial eléctrico en equilibrio
Por último, queda pendiente de como modelar el diodo se-
miconductor ahora con el software Elmer multiphisis. A la
hora de realizar este último paso se nos presentó una serie
de inconvenientes con el software, este no es tan interactivo
como comsol. Se realizaron varios intentos para el mode-
lado, pero con el único que se obtuvo algo de respuesta, fue
emigrando el código de comsol a Elmer, esto se realiza im-
portando la malla creada en comsol, se genera un archivo
texto (.txt), dicho archivo se abre en Elmer, este lo lee y da
como resultado la siguiente figura.
Figura 6 imagen de el Elmer
En la figura anterior se observa la misma geometría creada
en comsol, y se nota las subdivisiones que también fueron
creadas en comsol.
Conclusiones
- El diodo semicondcutor a sido uno de los grandes
avances del siglo XX, debido a su cantidad de apli-
caciones y usos en la electrónica.
9
- En la juntura P-N no hay portadores de carga, ni
huecos ni electrones, debido a la unión de estos, for-
mando atomos ionizados.
- La barrera de potencial se presenta como un impe-
dimento al cruce de electrones, pero al conectarlo a
una fuente los electrones adquieren la suficiente
energía para atravesar dicha barrera la cual requiere
una diferencia de potencial superior a 0.7V
- Comsol por ser una plataforma muy grafica vuelve
muy intuitivo el proceso de modelado de sistemas
físicos cuánticos.
- Por medio de Comsol se solucionaron las ecuacio-
nes para el modelamiento del diodo semiconductor,
esto es propio del software, se puede cambiar el mé-
todo de solución siendo esto una gran ventaja, ya sea
cambiando entre las diferentes probabilidades o va-
riando otros parámetros.
- Comsol a diferencia de Elmer tiene la gran ventaja
que no requiere para el modelamiento un lenguaje
de programación o crear un archivo texto, solo es
fundamental saber ingresar los parámetros de mo-
delamiento y el propio software hara los cálculos
pertinentes.
- Elmer a diferencia de Comsol es un software
abierto, pero no se hace tan intuitivo a la hora de
desarrollar en esta plataforma, ya que requiere un
mayor entedimineto sobre este y los parámetros ne-
cesarios para modelar fenomenos físicos, como el
diodo semiconductor que fue objeto de estudio.
Agradecimientos: Al profesor Juan Esteban Martinez de la
materia Fisica de Estado Solido por el acompañamiento y
asesorias respecto a los temas tratados y la información su-
ministrada
Referencias
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SOL AB, Nov. 2008.
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principles,3rd ed. New Mexico, USA: University of New
Mexico. McGraw-Hill, 2003.
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- https://pdfs.semanticscho-
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- CSI-IT Cense for Science. ElmerSolver Manual. Mayo
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