Escuela Técnica Superior de Ingeniería Informática Segundo parcial de FFI

Dpto. Física Aplicada 15 de enero de 2014

Grado en Ingeniería Informática Curso 2013/14

1Por un conjunto de 500 espiras de 6 cm de largo por 5 cm de ancho

que se encuentra situado en el plano XY, tal como muestra la figura,
circula una corriente de 2 A en el sentido indicado. Están situadas en
Z

r r r 5 cm
un campo magnético de B = 2i − k T . Calcula:
6 cm
a) Momento magnético de la bobina. Y
b) Momento de las fuerzas magnéticas que actúan sobre la bobina.
c) Fuerza magnética sobre el lado coincidente con el eje Y. X
2 puntos
r r
a) S = 30 cm2; S = 30k cm2 . Observar el sentido de la corriente.
r r r r
El momento magnético de la bobina es: m = NIS = 500 ⋅ 2 ⋅ 30 ⋅ 10 −4 k = 3k Am 2
r r r
i j k
r r r r
b) M = m × B = 0 0 3 = 6 j Nm
2 0 −1

c) El lado coincidente con el eje Y tiene una longitud de 5 cm y su sentido es negativo respecto
r r
del eje, l = −5 j cm ,
r r r
i j k
r r r r r
( )
F = I l × B = 2 0 − 0,05 0 = 0,1i + 0,2k N en cada corriente
2 0 −1
r r r r r
( )
Ftotal = 500 0,1i + 0,2k = 50i + 100k N

Un semiconductor extrínseco tipo n está formado por silicio con un dopado de 6·1020 átomos de
2 arsénico/m3. Teniendo en cuenta que la concentración intrínseca del silicio a 300 K es ni
=1,5·1016 m-3:
a) ¿Cuál es la concentración de huecos y electrones en este semiconductor a 300 K?
b) ¿Cuál debería ser el dopado para conseguir una concentración de huecos de 1014 m-3?
1,5 puntos

a) El arsénico es una impureza donadora en un semiconductor de silicio: ND = 6·1020 m-3.

Utilizando la ley de la neutralidad eléctrica:

ND + p = NA + n

en la que haremos NA = 0, y dado que la concentración de impurezas donadoras es considera-

blemente superior a la intrínseca, podemos hacer la aproximación: n ~ ND = 6·1020 electro-
nes/m3 ya que p será despreciable como sumando frente a ND.

Utilizando la ley de de acción de masas:

ni2 2,25 ⋅ 1032

p= = 20
= 3,75 ⋅ 1011 hue cos /m3
n 6 ⋅ 10
Lo que confirma que p es despreciable como sumando frente a ND

ni2 2,25 ⋅ 1032

14 -3
b) Si p = 10 m , entonces n = = 14
= 2,25 ⋅ 1018 e − /m3
p 10
y ND = 2,25·1018 át de As/m-3
 valor este último que sigue siendo apreciablemente superior a la concentración intrínseca. Se
puede constatar la validez de las aproximaciones.

3Describe el efecto Hall y explícalo para la cinta metálica conduc-

tora de la figura, dibujando un esquema en el que se aprecie con
claridad el signo de las cargas, velocidad, fuerza magnética, etc,
B

que aparecen, así como instrumento de medida y su conexión

para apreciar el efecto.
1,5 puntos
V0

B
+++++++++++++++
EH VH
va -----------------

Fm

El efecto Hall es consecuencia de la fuerza magnética que aparece en las cargas en movimien-
to propias de una corriente eléctrica. En los conductores metálicos los portadores son de carga
negativa (electrones) y la fuerza magnética vale: FM = qv aB , siendo va la velocidad de arrastre
y q la carga de los electrones. La dirección de esta fuerza es perpendicular al campo magnético
y a la velocidad, y su sentido saliente respecto de la figura. Esta fuerza provoca una separación
de cargas (en la figura, negativo delante, positivo detrás) y por lo tanto un campo eléctrico EH
dirigido de atrás a delante, que se podrá medir como una diferencia de potencial VH que regis-
traría un voltímetro conectado como muestra la figura.

4Explica brevemente el diferente comportamiento de la conductividad de un semiconductor frente

a la temperatura según sea este intrínseco o extrínseco. Además, indica, en el dibujo, a que
clase de semiconductor corresponde cada curva.
1,5 puntos

Consulta los apuntes en la página 12-2 y posteriores

5Un circuito tiene una resistencia de 50 Ω, una bobina de 50 mH y un condensador de 50 µF

conectados en serie. Si la tensión en los extremos de la resistencia es de 2 cos (1000t - 50º) V,
halla la expresión instantánea de la intensidad, la caída de tensión en el resto de los elementos
y la caída de tensión total.
1,5 puntos

Comenzamos hallando las reactancias:

XL = Lω = 50·10-3·1000 = 50 Ω XC = 1/Cω = 106/(50·1000) = 20 Ω

La intensidad máxima que circula por los tres elementos es:

im = URm/R = 2/50 = 0,04 A, que está en fase con UR por lo que:

i = 0,04 cos (1000t – 50º) A

La tensión máxima en la bobina es ULm = im· XL = 0,04·50 = 2 V, por lo que su expresión instan-
tánea es:

UL = 2 cos (1000t + 40º) V

ya que la tensión en la bobina va 90º adelantada respecto de la intensidad.

 La tensión máxima en el condensador es UCm = im· XC =
UL
0,04·20 = 0,8 V, por lo que su expresión instantánea es:

UC = 0,8 cos (1000t - 140º) V

ya que la tensión en el condensador va 90º retrasada respecto

de la intensidad. UC -50º
Finalmente la tensión en los extremos de la asociación es: U

2 UR
U m = URm + (ULm − UCm )2 = 4 + (2 − 0,8)2 = 2,33 V

U Lm − UCm
Con una fase respecto de VR de arctan = arctan(0,6) = 30,96º , por lo que su expre-
U Rm
sión temporal será ϕU = ϕ + ϕI = 30,96 º −50 º = −19,04º

U = 2,33 cos (1000t – 19,04º) V

6Por el conductor rectilíneo de la figura, de longitud infinita, circula una

intensidad de corriente I = I + kt en el sentido indicado, donde I y k
0
son constantes positivas. En el mismo plano, y en la posición mostra-
0
I

da, hay una espira de resistencia R. Calcula: R c

a) El flujo magnético que atraviesa la espira, a causa de la corriente I.
b) La fuerza electromotriz inducida en esta espira.
c) La intensidad inducida en la espira, indicando su sentido. a b
d) El coeficiente de inducción mutua.
2 puntos

a) La corriente rectilínea origina un campo magnético a una distancia

x: I
µI
B= 0
2 πx R dS c

Y el flujo elemental a través del rectángulo elemental de la figura: x

dx
r r µI
dΦ = B ⋅ dS = BdS = 0 cdx a b
2πx

Por lo que el flujo total (saliente) a través de todo el rectángulo:

r r a+b
µ Ic dx µ0Ic  a + b 
Φ = ∫ B ⋅ dS = ∫ BdS = ∫ 0 = ln 
S S a
2π x 2π  a 

dΦ µ0c  a + b  dI µ0 c  a + b  dI
b) Utilizando la ley de Faraday: εi = = ln  = ln  k , ya que =k
dt 2π  a  dt 2π  a  dt

c) y por tanto la intensidad de corriente inducida será igual a

ε µ kc  a + b 
i = i = 0 ln  en sentido horario
R 2πR  a 
Φ µ c a +b
d) M = = 0 ln 
I 2π  a 