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INSTITUTO UNIVERSITARIO DE TECNOLOGÍA VALENCIA

DEPARTAMENTO DE ELECTRICIDAD
CÁTEDRA DE ELECTRÓNICA II

Asignatura: Electrónica II Sección: Pot. Noche Período: Prof.: César Martínez


Nombre: C.I.: Nota:

1. Verdadero y falso. Responder marcando con una X en la casilla correspondiente a la respuesta


correcta. Sólo una de las casillas debe ser marcada. (0,5 ptos. c/u)

1.a. En un amplificador Clase B en contrafase de simetría complementaria, la potencia V F


de entrada disminuye a medida que la tensión en la carga aumenta.

1.b. En un amplificador Clase A acoplado con transformador, el transformador de V F


acoplamiento tiene objetivo aumentar la tensión en la carga conectada.

1.c. En un amplificador Clase A alimentado en serie, la máxima tensión colector-emisor V F


que puede adoptar el circuito es igual a la tensión de alimentación (Vcc).

1.d. A medida que la temperatura en la unión colector-emisor de un transistor aumenta, V F


el dispositivo aumenta su capacidad de disipación de potencia.

1.e. En un amplificador Clase A acoplado con transformador, la máxima corriente de V F


colector que puede circular por el circuito debe ser siempre mayor a la máxima corriente
de colector especificada por el fabricante del dispositivo.

1.f. La máxima eficiencia de los amplificadores de potencia depende del punto de V F


máxima excursión en la que se encuentren los dispositivos.

2. Selección múltiple. Responder marcando con una X en la casilla correspondiente a la respuesta


correcta. Sólo una de las casillas debe ser marcada. (0,5 ptos. c/u)

2.a. La clasificación de los amplificadores de potencia es:


Clase A, Clase AB, Clase C.
Clase A, Clase B, Clase C.
Clase A, Clase B, Clase C, Clase D.
Clase A, Clase AB, Clase B, Clase C, Clase D.

2.b. La distorsión de Cross Over en un amplificador Clase B en contrafase de simetría


complementaria, se debe a:
La caída de tensión en las uniones base-emisor de los transistores.
La caída de tensión en las uniones base-emisor de los transistores y la amplitud de la señal de
entrada (Vi).
La caída de tensión en las uniones base-emisor de los transistores y la carga conectada.

2.c. A medida que la temperatura en la unión colector-emisor de un transistor aumenta:


El dispositivo gana capacidad de disipación de potencia.
El dispositivo pierde capacidad de disipación de potencia.
El dispositivo consume más potencia.
El dispositivo consume menos potencia.

2.d. En un amplificador Clase A acoplado con transformador, una excursión de corriente de


colector máxima implica:
Máxima eficiencia del circuito.
La mitad de la máxima eficiencia del circuito.
Ninguna de las anteriores.
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2. Para el circuito de la figura, el punto de operación Q es: VCEQ=23V, IBQ=14mA. Además, la tensión de
entrada senoidal (Vi) hace que la corriente de base (i b) tenga una excursión de 5,66mA (rms). El
transistor (Q1) posee la característica de salida que se muestra en la gráfica anexa, en la cual también se
muestra la recta de carga en AC del circuito. Considerar la caída de tensión VBE=0,7V.

Vcc

T1

RL
7,5ohm

Rb
N1/N2

Q1
C1
10uA
AC Vi

iC (A)

2,4
IB=26mA
2,2

2,0
IB=22mA
1,8

1,6
IB=18mA
1,4

1,2
IB=14mA
1,0

0,8
IB=10mA
0,6

0,4
IB=6mA
0,2

8 10 12 14 16 18 20 22 24 26 28 30 32 34 36 40 44
VCE (V)

2.a. Determinar el valor de la resistencia de base (Rb) que coloca al transistor Q1 en dicho punto de
operación. (1 pto.)

2.b. Hallar la relación de transformación (N1/N2) del transformador acoplado. (2 ptos.)


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2.c. Hallar la potencia de entrada del circuito. (1 pto.)

2.d. Hallar la potencia que consume la carga conectada. (2 ptos.)

2.e. Calcular la eficiencia del circuito amplificador. (1 pto.)

3. Dado el siguiente circuito amplificador de potencia al cual se le introduce una señal de entrada
Vi=10*Sen(wt). Considerar la caída de tensión VBE=0,6V. Determinar:

+Vcc= +25 V

Rc1

Q1

C1 C2

RL=10 ohm
AC
Vi Q2

Rc2

-Vcc=-25 V

3.a. Potencia de entrada. (2 ptos.)

3.b. Potencia de salida. (1 pto.)

3.c. Eficiencia del circuito. (1 pto.)

4. En un determinado momento la temperatura de la unión colector-emisor de un transistor es de 75ºC, y


en ese momento el dispositivo consume una potencia de 3W, además su hoja de especificaciones indica
que el mismo posee las siguientes características:

Factor de pérdida de disipación (fp) = -0,4W/ºC.


Temperatura umbral (Tumbral) = 65ºC.

4.a. Determinar la máxima potencia que puede disipar el dispositivo. (2 ptos.)

4.b. Determinar la temperatura máxima que puede soportar el dispositivo. (1 pto.)

4.c. Determinar la capacidad de disipación perdida hasta el momento. (1 pto.)


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5. Dado el circuito amplificador diferencial mostrado en la figura y considerando que los transistores son
idénticamente iguales (Q1=Q2=Q3=Q4), β=100, el voltaje de Early es V A=220V y VT=25mV, determinar:

VCC=10V

RC1 RC2
1,2Kohm 1,2Kohm

Q1 Q2

AC V1 V2 AC
400mV*Sen(wt) 200mV*Sen(wt)
RE1 RE2
1Kohm 1Kohm

RE
3,3Kohm

Q4
Q3

VEE=10V

5.a. La corriente de polarización del par diferencial. (1 pto.)

5.b. Si los transistores del par diferencial se encuentran en estado activo. (1 pto.)

5.c. Las tensiones en Modo Diferencial y en Modo Común. (1 pto.)

5.d. La tensión de salida en Modo Diferencial en el terminal colector de Q1 (Vod1). (4 ptos.)

5.e. La tensión de salida en Modo Común en el terminal colector de Q1 (Voc 1). (4 ptos.)

5.f. La tensión de salida diferencial (Vod). (2 ptos.)

5.g. La relación de rechazo en modo común del circuito (CMRR) expresada en decibelios (dB). (1 pto.)