Geração 1 (1940 / 52)

Tudo começou em 1904, com a invenção da válvula a vácuo, que foi usada como
elemento de controle e para integrar alguns dispositivos. Nos anos 50, com a descoberta
dos semicondutores, surgiram o diodo e o transistor, que substituíram a válvula a vácuo,
permitindo a redução do tamanho dos circuitos e aumentando a confiabilidade dos
equipamentos.
Esta geração é constituída por todos os computadores construídos à base de válvulas a
vácuo e cuja aplicação fundamental se deu nos campos científico e militar. As válvulas
a vácuo falhavam com freqüência, portanto os computadores de primeira geração não
funcionavam a maior parte do tempo. Os computadores dessa geração eram conhecidos
pela desconfiança que inspiravam, em grande parte por causa das válvulas a vácuo que
continuavam a queimar.

Geração 2
Nessa geração, temos, como grande marco histórico, o surgimento do transistor.
O nome transistor foi derivado de sua "função", que era ser um resistor de transferência,
que, em inglês, é escrito como transfer resistor.
Há uma certa confusão com relação a data em que o transistor surgiu. Ele foi inventado
nos Laboratórios da Beel Telephone por Bardeen e Brattain em dezembro de 1947, e
não em 1948 como é freqüentemente dito, porque os Laboratórios Bell mantiveram essa
descoberta em segredo até junho de 1948.
O transistor foi descoberto durante alguns estudos de superfícies em torno de um diodo
de ponto de contato. O mais incrível nessa descoberta é o fato de que esta (a descoberta)
foi acidental, uma vez que os laboratórios estavam procurando um dispositivo de estado
sólido equivalente à válvula eletrônica.
O anúncio ao público foi feito com uma estrondosa publicidade, porém poucas pessoas
se deram conta do significado e importância dessa descoberta.
Embora fosse uma realização científica muito importante, o transistor não foi, de
imediato, "acolhido" pelo comércio mundial. Isso aconteceu por um grande motivo que
é o altíssimo preço, porque haviam dificuldades na fabricação e um preço muito alto do
germânio, um elemento raro, que é usado na confecção do transistor.
O preço não era, em valores absolutos, muito caro. Porém, se comparado à válvula a
vácuo, era exorbitante: Enquanto os melhores transistores custavam 8 dólares, a válvula
custava apenas 75 centavos.
Em julho de 1951, a Bell anuncia a criação do transistor de junção. Em setembro de
1951 eles promovem um simpósio e se dispõem a licenciar a nova tecnologia de ambos
os tipos de transistores a qualquer empresa que estivesse disposta a pagar $25.000,00.
Muitas iniciaram a produção de transistor de ponto de contato, que, nessa época,
funcionava melhor em alta freqüência do que os transistores de junção. No entanto, o
transistor de junção tornou-se, rapidamente, muito superior em performance e em
facilidade de se fabricar. Isso acabou tornando o transistor de ponto de contato
ultrapassado e esquecido, primeiro na América, por volta de 1953, e, logo depois, na
Inglaterra.
O primeiro dispositivo eletrônico de estado sólido produzido em massa foi o transistor
CK722 da Raytheon, de 1953. Vários tipos de transistor foram desenvolvidos,
aumentando a resposta de freqüência, diminuindo os níveis de ruído e aumentando sua
capacidade de potência.
Foram feitas muitas pesquisas na França e Alemanha para, comercialmente, competir
com as empresas dos Estados Unidos, porém, sem efeito. Em 1955, um competidor
muito forte entra nessa disputa: a PHILIPS. Essa empresa holandesa, através da
Mullard, sua subsidiária na Inglaterra, com um projeto completo para a industrialização
o transistor. A meta da Philips era dominar 95% do mercado europeu, conseguindo
alcançar esse objetivo em poucos anos. A série "OC" de transistor dominou a Europa
por mais de 20 anos.
Os antigos transistores eram feitos de germânio, um semicondutor metálico. Porém,
logo se descobriu que o silício oferecia uma série de vantagens sobre o germânio, pois,
ao contrário do germânio, é um mineral abundante (só perdendo em disponibilidade
para o oxigênio). Tal fato, somado ao aperfeiçoamento das técnicas de produção, baixou
consideravelmente o preço do transistor e, em 1955, o primeiro transistor de silício já
era comercializado. Isto permitiu que ele se popularizasse e viesse a causar uma
verdadeira revolução na indústria dos computadores. Revolução tal que só se repetiria
com a criação e aperfeiçoamento dos circuitos integrados.
A Texas Instruments foi uma das empresas que mais tomou parte no desenvolvimento
inicial dessa tecnologia, lançando uma série de dispositivos conhecidos na época pelas
siglas "900" e "2S". A grande reviravolta veio em 1954, quando Gordon Teal
aperfeiçoou um transistor de junção feito de silício.

Geração 3 (1964 - 1971)

Nesta geração o elemento mais significativo é o circuito integrado, surgido em 1964,
que consiste no encapsulamento de uma grande quantidade de componentes discretos,
(como, por exemplo, resistências, condensadores, diodos e transistores), instalando um
ou vários circuitos numa pastilha de silicone ou plástico. A miniaturização se estende a
todos os circuitos do computador, e começam a aparecer os minicomputadores.
Nessa época o software evoluiu consideravelmente, com um grande desenvolvimento
dos sistemas operacionais, nos quais se inclui a multiprogramação, o tempo real e o
modo interativo. Passaram a se utilizar as memórias de semicondutores e os discos
magnéticos.

Geração 4
Nessa época, passa a ser utilizada a VSLI (Very Large Scale Integration) que mede a
taxa de miniaturização e, em português, significa Escala de Integração Muito Grande.
Esse é o atual nível de miniaturização de micro chips de computador, que contém
centenas de milhares de transistores, substituindo o até então utilizado LSI (Escala de
Integração Grande), que tinha "apenas" milhares de transistores. Os antecessores dessas
duas escalas são o MSI (Escala de integração Média) e SSI (Escala de integração
Pequena) que trabalhavam com centenas e dezenas de transistores respectivamente. Já
foi feita também a ULSI, ou Escala de Integração Ultra Grande que seria ainda mais
potente que o VLSI, mas a diferença entre esses dois é muito pequena até o momento.
Hoje em dia há muitas pesquisas visando desenvolver microprocessadores e micro chips
cada vez menores e mais potentes, com sistemas integrados que contenham mais
transistores. Estamos chegando a um nível onde já é possível perguntar: quem é que
realmente precisa dessa altíssima tecnologia? Quem vai utiliza-los por completo?
Através destas pesquisas, que envolvem a análise e design de alta performance, temos
estado mais próximos da implantação de uma rede auto-organizável, o que é,
incontestavelmente, um avanço muito significativo para a informática.

Geração 5
Como resultado da Guerra Fria, a Internet é fruto de um longo período histórico, que
vem desde a década de 60 até hoje. A injeção dada para que ela surgisse foi o
lançamento do primeiro satélite espacial, o Sputnik, pela União Soviética. Quatro meses
mais tarde, o então presidente dos E.U.A., Dwinght Eisenhower, anunciava a criação da
ARPA (Advanced Research Projects Agency) com a missão de pesquisar e desenvolver
altas tecnologias para as Forças Armadas americanas. No final da década de 50,
percebeu-se que havia a necessidade de criar uma forma de comunicação mais eficiente,
já que havia o risco de ataques nucleares nas bases Americanas. Então, em 1969, a
ARPA desenvolveu a ARPANET que, no futuro, virou a Internet. No início, a
experiência foi entre dois computadores de pontos remotos dos E.U.A., que se
comunicaram de uma forma não muito bem sucedida. Foi o necessário para que a
Arpanet se desenvolvesse rapidamente no ramo.
Em 1973 já haviam 23 grandes computadores interligados nos E.U.A. Com o passar do
tempo surgiu uma rede, em que todos os pontos se equivaliam, evitando dessa forma a
necessidade de um comando central. Dessa maneira, o uso da ARPANET se expandiu
para conectar também universidades e laboratórios, inicialmente, nos E.U.A e,
posteriormente, em outros países. Foi nessa época que o termo Internet começou a ser
utilizado. Durante as duas décadas seguintes, a Internet ficou restrita aos meios
acadêmico e científico. Somente em 1987 seu uso comercial foi liberado nos E.U.A. A
tendência a partir daí foi o crescimento permanente da Rede. Cada vez mais países
começaram a se integrar a Internet e hoje ela é um conjunto de mais de 40 mil redes
interligadas em todo planeta.
Diodo semicondutor
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Tipos de divaldos. Escala em centímetrosDiodo semicondutor é um dispositivo ou

componente eletrônico composto de cristal semicondutor de silício ou germânio numa
película cristalina cujas faces opostas são dopadas por diferentes gases durante sua
formação.

É o tipo mais simples de componente eletrônico semicondutor, usado como retificador

de corrente elétrica. Possui uma queda de tensão de 0,3 V(germânio) e 0,7 V(silício).

Aparência real do diodo, no mesmo alinhamento que o seu símbolo. O terminal mais
próximo da barra fina é o catodo.Índice [esconder]
1 Comportamento em circuitos
2 A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N
3 Polarização do diodo
4 Testes com o diodo
5 Usos
6 Tipos de diodos semicondutores
7 Ver também

[editar] Comportamento em circuitos

O diodo é um componente eléctrico que permite que a corrente atravesse-o num sentido
com muito mais facilidade do que no outro. O tipo mais comum de diodo é o diodo
semicondutor, no entanto, existem outras tecnologias de diodo. Diodos semicondutores
são simbolizados em diagramas esquemáticos como na figura abaixo. O termo "diodo" é
habitualmente reservado a dispositivos para sinais baixos, com correntes iguais ou
menores a 1 A.

Quando colocado em um simples circuito bateria-lâmpada, o diodo vai permitir ou

impedir corrente através da lâmpada, dependendo da polaridade da tensão aplicada,
como nas duas figuras abaixo.

Na imagem da esquerda o diodo está diretamente polarizado, há corrente e a lâmpada

fica acesa. Na imagem da direita o diodo está inversamente polarizado, não há corrente,
logo a lâmpada fica apagada.
O diodo funciona como uma chave de acionamento automático (fechada quando o
diodo está directamente polarizado, e aberta quando o diodo está inversamente
polarizado), a diferença mais substancial é que quando diretamente polarizado há uma
queda de tensão no diodo muito maior do que a que geralmente há em chaves
mecânicas, no caso do diodo de silício, 0,7 V; assim, uma fonte de tensão de 10 V
polarizando diretamente um diodo em série com uma resistencia, fará com que haja uma
queda de tensão de 9,3 V na resistencia, pois 0,7 V ficam no diodo. Na polarização
inversa acontece o seguinte, o diodo fará papel de uma chave aberta, já que não circula
corrente, não haverá tensão no resitor, a tensão ficará toda retida no diodo, ou seja, nos
terminais do diodo haverá uma tensão de 10 V.

A principal função de um diodo semicondutor, em circuitos retificadores de corrente, é

transformar corrente alternada em corrente contínua pulsante, já que no semiciclo
negativo de uma corrente alternada o diodo fará a função de uma chave aberta, não
circulará corrente elétrica no circuito (considerando o “sentido convencional de
corrente”, do “positivo” para o “negativo”). A principal função de um diodo
semicondutor, em circuitos de corrente contínua, é controlar o fluxo da corrente,
permitindo que a corrente elétrica circule apenas em um sentido.

[editar] A dopagem do diodo semicondutor e os cristais P e N

A dopagem no diodo é feita pela introdução de elementos dentro de cristais
tetravalentes, normalmente feitos de silício e germânio. Dopando esses cristais com
elementos trivalentes, obterá átomos com sete elétrons na camada de valência, que
necessitam de mais um elétron para a neutralização (cristal P). Para a formação do
cristal P, utiliza-se principalmente o elemento Indio. Dopando os cristais tetravalentes
com elementos pentavalentes, obter-se-á átomos neutralizados(com oito elétrons na
camada de valência) e um elétron excedente (cristal N).

Para a formação do cristal N, utiliza-se principalmente o elemento Fósforo. Quanto

maior a intensidade da dopagem, maior será a condutibilidade dos cristais, pois suas
estruturas apresentarão um número maior de portadores livres (lacunas e elétrons livres)
e poucas impurezas que impedem a condução da corrente elétrica. Outro fator que
influencia na condução desses materiais é a temperatura. Quanto maior for sua
temperatura, maior será a condutibilidade pelo fato de que a energia térmica ter a
capacidade de quebrar algumas ligações covalentes da estrutura, acarretando no
aparecimento de mais portadores livres para a condução de corrente elétrica.

Após dopadas, cada face dos dois tipos de cristais (P e N)terá uma determinada
característica diferente da oposta, gerando regiões de condução do cristal, uma com
excesso de elétrons, outra com falta destes (lacunas), e entre ambas, haverá uma região
de equilíbrio por recombinação de cargas positivas e negativas, chamada de região de
depleção (à qual possui uma barreira de potencial).

[editar] Polarização do diodo

Gráfico mostra a curva característica do comportamento do diodo em sua polarização

direta e inversaA polarização do diodo é dependente da polarização da fonte geradora.
A polarização é direta quando o pólo positivo da fonte geradora entra em contato com o
lado do cristal P(chamado de anodo) e o pólo negativo da fonte geradora entra em
contato com o lado do cristal N(chamado de catodo). Assim, se a tensão da fonte
geradora for maior que a tensão interna do diodo, os portadores livres se repelirão por
causa da polaridade da fonte geradora e conseguirão ultrapassar a junção P-N,
movimentando-os e permitindo a passagem de corrente elétrica. A polarização é indireta
quando o inverso ocorre. Assim, ocorrerá uma atração das lacunas do anodo(cristal P)
pela polarização negativa da fonte geradora e uma atração dos elétrons livres do
catodo(cristal N) pela polarização positiva da fonte geradora, sem existir um fluxo de
portadores livres na junção P-N, ocasionando no bloqueio da corrente elétrica. Pelo fato
de que os diodos fabricados não são ideais(contém impurezas), a condução de corrente
elétrica no diodo (polarização direta) sofre uma resistência menor que 1 ohm, que é
quase desprezível. O bloqueio de corrente elétrica no diodo (polarização inversa) não é
total devido novamente pela presença de impurezas, tendo uma pequena corrente que é
conduzida na ordem de microampéres, chamada de corrente de fuga, que também é
quase desprezível.

[editar] Testes com o diodo

Os díodos, assim como qualquer componente eletrônico, operam em determinadas
correntes elétricas que são especificadas em seu invólucro ou são dadas pelo fabricante
em folhetos técnicos.Além da corrente, a voltagem inversa(quando o díodo está
polarizado inversamente) também é um fator que deve ser analisado para a montagem
de um circuito e que tem suas especificidades fornecidas pelo fabricante. Se ele for
alimentado com uma corrente ou tensão inversa superior a que ele suporta, o diodo pode
danificar, ficando em curto ou em aberto. Utilizando de um ohmimetro ou um
multímetro com teste de díodo, pode-se verificar se ele está com defeito. Colocando-se
as ponteiras de prova desses aparelhos nas extremidades do diodo(catodo e ânodo),
verifica-se que existe condução quando se coloca a ponteira positiva no ânodo e a
negativa no catodo, além de indicar isolação quando ocorre o inverso. Assim o díodo
está em perfeitas condições de operação e com isso é possível a localização do catodo e
do ânodo, porém se os aparelhos de medição indicarem condução dos dois caminhos do
díodo, ele está defeituoso e em curto. Se os aparelhos de medição indicarem isolação
nos dois caminhos, ele também está defeituoso e em aberto.

[editar] Usos
O fenômeno da condutividade em um só sentido é aproveitado como um chaveamento
da corrente elétrica para a retificação de sinais senoidais, portanto, este é o efeito diodo
semicondutor tão usado na eletrônica, pois permite que a corrente flua entre seus
terminais apenas numa direção. Esta propriedade é utilizada em grande número de
circuitos eletrônicos e nos retificadores.

Os retificadores são circuitos elétricos que convertem a tensão CA (AC) em tensão CC

(DC). CA vem de Corrente alternada, significa que os elétrons circulam em dois
sentidos, CC (DC), Corrente contínua, isto é circula num só sentido.

A certa altura o potencial U , formado a partir da junção n e p não deixa os eletrons e

lacunas movimentarem-se, este processo dá-se devida assimetria de cargas existente.

[editar] Tipos de diodos semicondutores

Os diodos são projetados para assumir diferentes características: diodos retificadores
são capazes de conduzir altas correntes elétricas em baixa frequência, diodos de sinal
caracterizam-se por retificar sinais de alta frequência, diodos de chaveamento são
indicados na condução de altas correntes em circuitos chaveados. Dependendo das
características dos materiais e dopagem dos semicondutores há uma gama de
dispositivos eletrônicos variantes do diodo:

Diodo Diodo
zener Diodo
Schottky Diodo
túnel

Diodo emissor
de luz Fotodiodo Varicap SCR
História: Semicondutor antes de 1900 15 Comentários
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RetweetQuando pensamos em desenvolvimento tecnológico, logo vem em nossas
cabeças a descoberta do transistor por John Bardeen, Walter Houser Brattain e William
Bradford Shockley nos Laboratórios da Bell Telephone em dezembro de 1947! Porém
pouco se diz como se deu essa descoberta. Afinal, tudo começou em 1947? Quantos
neurônios foram “queimados” para construir a base para essa grande descoberta? E algo
importante, de quem foram esses neurônios? O que foi implementado antes do
transistor? Existia comunicação via rádio antes do transistor? Pensando nessas questões
fiz uma breve revisão histórica sobre a utilização de semicondutores antes de 1900 e
apresento a você, caro leitor!

Embora as pesquisas em semicondutor não demorassem muito tempo para chegar ao

desenvolvimento atual (60 anos de intensas pesquisas), historicamente temos relatos
muito antigos, como o de 1833, uma descoberta feita por Michael Faraday que abriu
caminho para as pesquisas em semicondutores. Faraday descobriu que o composto
sulfito de prata tem um coeficiente negativo de resistência com a temperatura* e esta é
uma propriedade típica nos materiais semicondutores. O oposto é verdadeiro para um
condutor, pois este tem um coeficiente positivo de resistência. Uma outra contribuição
importante para o campo da física de semicondutor foi a descoberta do físico francês,
Alexander Edmond Becquerel. Em 1839 Becquerel relatou que tinha observado o efeito
fotovoltáico em eletrodos de platina coberto por cloreto de prata ( AgCl), este foi o
primeiro dispositivo fotovoltáico relatado, a fotovoltagem foi gerada no contato do
semicondutor AgCl com o condutor Ag (prata). A próxima década importante para
pesquisa de semicondutores foi a década de 1870, durante esse período o selênio foi a
grande descoberta e trouxe muitos avanços para a evolução dos dispositivos.

O desenvolvimento dos dispositivos eletrônicos iniciou-se em 1874, quando Karl

Ferdinand Braun construiu um retificador com um cristal de Galena, ou como é
comumente conhecido, sulfeto de chumbo (PbS), soldado com um fio metálico**.
Braun observou que o fluxo de corrente total foi alterado, passando a depender da
polarização da tensão aplicada e das condições da superfície do material, desta forma
ele descobriu o caráter assimétrico da condução elétrica entre metais e semicondutores.
A primeira observação de efeito fotovoltáico em sistemas contínuos foi feita em 1876 e
a substância de semicondutor era novamente o selênio. W. G. Adams, junto com seu
estudante R. E. Day investigava as propriedades fotoelétricas do selênio em Cambridge
e eles descobriram que se iluminassem uma junção de selênio e platina teriam o efeito
fotovoltáico. A partir dessas descobertas surgiram novos dispositivos, e importantes
avanços em pesquisas relacionadas com a Física da matéria condensada possibilitaram a
construção de aparatos que se tornavam cada vez mais eficientes e com aplicações
tecnológicas notáveis.

Em 1883, Charles Edger fritts, um eletricista de Nova York, construiu uma pilha solar
de selênio (atualmente as pilhas solares são usadas no lugar das baterias nos
instrumentos tais como satélites e calculadoras). Aqui deve ser lembrado que este era o
primeiro dispositivo com uma área grande e feito de junção semicondutor-metal;
entretanto, era muito ineficiente em converter energia solar em energia elétrica. Embora
as observações mais significativas do século XIX viessem durante o período 1870-1885,
os semicondutores ainda não tinham recebido nenhuma aplicação com finalidade
prática. Após a demonstração de Hertz da existência de ondas eletromagnéticas em
1888, um número grande de cientistas começou há de se envolver com descobertas
recentes, e o telegráfo via ondas se tornou uma realidade praticável. Entre elas, Jagadish
Chandra Bose era a primeira pessoa à introduzir semicondutores para a recepção de
ondas eletromagnéticas.

Assim termina a história do semicondutor no século XIX. A saga do semicondutor

começa com o sulfito de prata de Faraday em 1833, e no fim do século incorpora o
século seguinte com glória, com aplicação introdutória dos semicondutores para
finalidades de Telégrafos via ondas feita por Bose.

Veja também

História: Semicondutor a partir de 1900

--------------------------------------------------------------------------------
*O coeficiente negativo de resistência de temperatura diz de uma outra maneira que a
resistência à passagem de corrente elétrica do material diminui quando a temperatura
aumenta, ou seja, a corrente elétrica aumenta com o aumento da temperatura.
**Desde 1874 é conhecido o efeito retificador do contato de um metal com o
material semicondutor de PbS, com a apresentação do diodo de ponta de contato por
Braun. Este contato forma a estrutura intrínseca de diodo tipo Schottky, bem como da
porta de um transistor MESFET Metal-Semiconductor Field Effect Transistor.

Obs.: Em breve continuarei esse histórico sobre semicondutores, relatarei os

acontecimentos a partir de 1900 até os dias atuais
Transístor
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Transistores com diferentes encapsulamentos. À esquerda um transistor de sinal em

encapsulamento TO-92. À direita um transistor de alta potência em encapsulamento
metálico TO-3.O transistor é um componente eletrônico que começou a popularizar-se
na década de 1950, tendo sido o principal responsável pela revolução da eletrônica na
década de 1960. São utilizados principalmente como amplificadores e interruptores de
sinais elétricos. O termo vem de transfer resistor (resistor/resistência de transferência),
como era conhecido pelos seus inventores.

O processo de transferência de resistência, no caso de um circuito analógico, significa

que a impedância característica do componente varia para cima ou para baixo da
polarização pré-estabelecida. Graças a esta função, a corrente elétrica que passa entre
coletor e emissor do transistor varia dentro de determinados parâmetros pré-
estabelecidos pelo projetista do circuito eletrônico. Esta variação é feita através da
variação de corrente num dos terminais chamados base, o que, consequentemente,
ocasiona o processo de amplificação de sinal.

Entende-se por "amplificar" o procedimento de tornar um sinal elétrico mais fraco num
mais forte. Um sinal elétrico de baixa intensidade, como os sinais gerados por um
microfone, é injetado num circuito eletrônico (transistorizado por exemplo), cuja função
principal é transformar este sinal fraco gerado pelo microfone em sinais elétricos com as
mesmas características, mas com potência suficiente para excitar os alto-falantes. A este
processo todo dá-se o nome de ganho de sinal.

Índice [esconder]
1 Invenção
2 Alguns números
3 Importância
4 Fabricação
5 Funcionamento
6 Características de um transistor
7 Referências
8 Ver também

[editar] Invenção
O transistor foi inventado nos Laboratórios da Bell Telephone por Bardeen e Brattain
em 1947 e, inicialmente, demonstrado em 23 de Dezembro de 1948, por John Bardeen,
Walter Houser Brattain e William Bradford Shockley, que foram laureados com o
Nobel de Física em 1956. Ironicamente, eles pretendiam fabricar um transistor de efeito
de campo (FET) idealizado por Julius Edgar Lilienfeld antes de 1925, mas acabaram
por descobrir uma amplificação da corrente no ponto de contato do transistor. Isto
evoluiu posteriormente para converter-se no transistor de junção bipolar (BJT). O
objetivo do projeto era criar um dispositivo compacto e barato para substituir as
válvulas termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da época.

Os transistores bipolares passaram, então, a ser incorporados a diversas aplicações, tais

como aparelhos auditivos, seguidos rapidamente por rádios transistorizados. Mas a
indústria norte-americana não adotou imediatamente o transistor nos equipamentos
eletrônicos de consumo, preferindo continuar a usar as válvulas termoiônicas, cuja
tecnologia era amplamente dominada. Foi por meio de produtos japoneses, notadamente
os rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transistor passou a ser adotado em escala
mundial.

Nessa época, o MOSFET (Metal Oxide Silicon Field Effect Transistor – Transistor de
Efeito de Campo formado por Metal, Óxido e Silício) ficou em segundo plano, quase
esquecido. Problemas de interface inviabilizavam a construção dos MOSFETs.
Contudo, em 1959, Atalla e Kahng, da Bell Labs, fabricaram e conseguiram a operação
de um transistor MOS. Nessa época, os transistores MOS eram tidos como curiosidade,
devido ao desempenho bastante inferior aos bipolares.

A grande vantagem dos transistores em relação às válvulas foi demonstrada em 1958,

quando Jack Kilby, da Texas Instruments, desenvolveu o primeiro circuito integrado,
consistindo de um transistor, três resistores e um capacitor, implementando um
oscilador simples. A partir daí, via-se a possibilidade de criação de circuitos mais
complexos, utilizando integração de componentes. Isto marcou uma transição na
história dos transistores, que deixaram de ser vistos como substitutos das válvulas e
passaram a ser encarados como dispositivos que possibilitam a criação de circuitos
complexos, integrados.

Em 1960, devido a sua estrutura mais simples, o MOS passou a ser encarado como um
dispositivo viável para circuitos digitais integrados. Nessa época, havia muitos
problemas com estados de impurezas, o que manteve o uso do MOS restrito até o fim da
década de 60. Entre 1964 e 1969, identificou-se o Sódio Na como o principal causador
dos problemas de estado de superfície e começaram a surgir soluções para tais
problemas.

No início da tecnologia MOS, os transistores PMOS foram mais utilizados, apesar de o

conceito de Complementary MOS (CMOS) já ter sido introduzido por Weimer. O
problema ainda era a dificuldade de eliminação de estados de superfície nos transistores
NMOS.

Em 1970, a Intel anunciava a primeira DRAM, fabricada com tecnologia PMOS. Em

1971, a mesma empresa lançava o primeiro microprocessador do mundo, o 4004,
baseado em tecnologia PMOS. Ele tinha sido projetado para ser usado em calculadoras.
Ainda em 1971, resolviam-se os problemas de estado de superfície e emergia a
tecnologia NMOS, que permitia maior velocidade e maior poder de integração.

O domínio da tecnologia MOS dura até o final dos anos 70. Nessa época, o NMOS
passou a ser um problema, pois com o aumento da densidade dos CIs, a tecnologia
demonstrou-se insuficiente, pois surgem grandes problemas com consumo de potência
(que é alto nesse tipo de tecnologia). Com isso, a tecnologia CMOS começava a ganhar
espaço.
A partir da década de 80, o uso de CMOS foi intensificado, levando a tecnologia a ser
usada em 75% de toda a fabricação de circuitos, por volta do ano 2000.

[editar] Alguns números

O primeiro processador de 8 bits (Intel 8008) usava tecnologia PMOS e tinha freqüência
de 0,2 MHz. Ano de fabricação: abril/1972 – 3500 transistores com 10 um ou 10000
nm, com uma tensão de trabalho de 5 V;

10 anos depois, a Intel lançou o 80286, com freqüências de 6, 10 e 12 MHz, fabricado

com tecnologia CMOS – 134.000 transistores 1,5 um ou 1500 nm, com uma tensão de
trabalho de 5 V;

O Pentium 4, lançado em janeiro de 2002, trabalha com freqüências de 2200 a 3000

MHz, com 55 milhões de transistores CMOS 130 nm. A série de chips Radeon 2000,
por exemplo, atinge os 500 milhões de transistores, chegando à casa dos 40 nm.

[editar] Importância
O transistor é considerado por muitos uma das maiores descobertas ou invenções da
história moderna, tendo tornado possível a revolução dos computadores e equipamentos
eletrônicos. A chave da importância do transistor na sociedade moderna é sua
possibilidade de ser produzido em enormes quantidades usando técnicas simples,
resultando preços irrisórios.

É conveniente salientar que é praticamente impossível serem encontrados circuitos

integrados que não possuam, internamente, centenas, milhares ou mesmo milhões de
transistores, juntamente com outros componentes como resistências e condensadores.
Por exemplo, o microprocessador Cell do console tem aproximadamente 234 milhões
de transistores, usando uma arquitetura de fabricação de 45 nanômetros, ou seja, a porta
de controle de cada transistor tem apenas 45 milionésimos de um milímetro.

Seu baixo custo permitiu que se transformasse num componente quase universal para
tarefas não-mecânicas. Visto que um dispositivo comum, como um refrigerador, usaria
um dispositivo mecânico para o controle, hoje é frequente e muito mais barato usar um
microprocessador contendo alguns milhões de transistores e um programa de
computador apropriado para realizar a mesma tarefa. Os transistores, hoje em dia, têm
substituído quase todos os dispositivos eletromecânicos, a maioria dos sistemas de
controle, e aparecem em grandes quantidades em tudo que envolva eletrônica, desde os
computadores aos carros.

Seu custo tem sido crucial no crescente movimento para digitalizar toda a informação.
Com os computadores transistorizados a oferecer a habilidade de encontrar e ordenar
rapidamente informações digitais, mais e mais esforços foram postos em tornar toda a
informação digital. Hoje, quase todos os meios na sociedade moderna são fornecidos
em formato digital, convertidos e apresentados por computadores. Formas analógicas
comuns de informação, tais como a televisão ou os jornais, gastam a maioria do seu
tempo com informação digital, sendo convertida no formato tradicional apenas numa
pequena fração de tempo.

[editar] Fabricação
Símbolos dos transistores bipolaresOs materiais utilizados na fabricação do transistor
são principalmente o Silício (Si), o Germânio (Ge), o Gálio (Ga) e alguns óxidos. Na
natureza, o silício é um material isolante elétrico, devido à conformação das ligações
eletrônicas de seus átomos, gerando uma rede eletrônica altamente estável. Atualmente,
o transistor de germânio não é mais usado, tendo sido substituído pelo de silício, que
possui características muito melhores.

O silício é purificado e passa por um processo que forma uma estrutura cristalina em
seus átomos. O material é cortado em finos discos, que a seguir vão para um processo
chamado de dopagem, onde são introduzidas quantidades rigorosamente controladas de
materiais selecionados (conhecidos como impurezas) que transformam a estrutura
eletrônica, introduzindo-se entre as ligações dos átomos de silício, roubando ou doando
elétrons dos átomos, gerando o silício P ou N, conforme ele seja positivo (tenha falta de
elétrons) ou negativo (tenha excesso de elétrons). Se a impureza tiver um elétron a mais,
um elétron fica sobrando na estrutura cristalina. Se tiver um elétron a menos, fica
faltando um elétron, o que produz uma lacuna (que funciona como se fosse um buraco
móvel na estrutura cristalina). Como resultado, temos ao fim do processo um
semicondutor.

O transistor é montado justapondo-se uma camada P, uma N e outra P, criando-se um

transistor do tipo PNP. O transistor do tipo NPN é obtido de modo similar. A camada do
centro é denominada base, e as outras duas são o emissor e o coletor. No símbolo do
componente, o emissor é indicado por uma seta, que aponta para dentro do transistor se
o componente for PNP, ou para fora, se for NPN.

Cientistas portugueses do Centro de Investigação de Materiais (Cenimat) da Faculdade

de Ciências e Tecnologia da Universidade Nova de Lisboa, conseguiram fabricar pela
primeira vez transistores com papel.[1]. Essa equipe de investigadores foi liderada por
Elvira Fortunato e Rodrigo Martins.

[editar] Funcionamento

Transístor moderno de alta potênciaNo transistor de junção bipolar ou TJB (BJT –

Bipolar Junction Transistor na terminologia inglesa), o controle da corrente coletor-
emissor é feito injetando corrente na base. O efeito transistor ocorre quando a junção
coletor-base é polarizada reversamente e a junção base-emissor é polarizada
diretamente. Uma pequena corrente de base é suficiente para estabelecer uma corrente
entre os terminais de coletor-emissor. Esta corrente será tão maior quanto maior for a
corrente de base, de acordo com o ganho.

[editar] Características de um transistor

O fator de multiplicação da corrente na base (iB), mais conhecido por Beta do transistor
ou por hfe, que é dado pela expressão iC = iB x ß

iC: corrente de coletor

iB: corrente de base
B: beta (ganho de corrente de emissor)
Configurações básicas de um transistor:
Existem três configurações básicas (BC, CC e EC), cada uma com suas vantagens e
desvantagens.

Base comum (BC)

Baixa impedância(Z) de entrada.

Alta impedância(Z) de saída.
Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
Amplificação de corrente igual a um.
Coletor comum (CC)

Alta impedância(Z) de entrada.

Baixa impedância(Z) de saída.
Não há defasagem entre o sinal de saída e o de entrada.
Amplificação de tensão igual a um.
Emissor comum (EC)

Média impedância(Z) de entrada.

Alta impedância(Z) de saída.
Defasagem entre o sinal de saída e o de entrada de 180°.
Pode amplificar tensão e corrente, até centenas de vezes.
Os transistores possuem diversas características. Seguem alguns exemplos dos
parâmetros mais comuns que poderão ser consultadas nos datasheets dos fabricantes:

Tipo: é o nome do transistor.

Pol: polarização; negativa quer dizer NPN e positiva significa PNP.
VCEO: tensão entre coletor e emissor com a base aberta.
VCER: tensão entre coletor e emissor com resistor no emissor.
IC: corrente máxima do coletor.
PTOT: é a máxima potência que o transistor pode dissipar
Hfe: ganho (beta).
Ft: freqüência máxima.
Encapsulamento: a maneira como o fabricante encapsulou o transistor nos fornece a
identificação dos terminais.
Existem também outros tipos de transistores, notadamente os de efeito de campo
(transistores FET, de Field Effect Transistor); neste caso, o controle da corrente é feito
por tensão aplicada à porta.
 Eletrônica em Geral

INTRODUÇÃO

Poucas pessoas se dão conta, ao ouvir o rádio ou ao ver a televisão, da

grandiosidade que representou para a humanidade a descoberta da transmissão da
voz humana através das ondas eletromagnéticas.

O advento do transistor no final da década de 40 e o desenvolvimento da tecnologia

dos circuitos integrados cerca de 20 anos depois permitiram que computadores do
tamanho de salas imensas fossem reduzidos às atuais calculadoras de bolso. A
mesma tendência tornou extremamente compactos volumosos rádios, televisores e
equipamentos de som à base de válvulas.

O avanço da eletrônica tem tomado uma cadência assustadoramente rápida,

criando uma expectativa constante em torno do qual será sua próxima conquista. O
que tem causado toda essa corrida rumo ao futuro são em especial os avanços da
tecnologia.

1. A EVOLUÇÃO DA ELETRÔNICA

Até o início do século passado, os conhecimentos sobre os fenômenos elétricos

eram praticamente inexistentes. Em 1821, aos 30 anos de idade, Faraday descobriu
que os ímãs exerciam ação mecânica sobre condutores elétricos próximos que
estivessem sendo percorridos por uma corrente elétrica.

Em 13 de junho de 1831, na época em que Faraday descobria o famoso efeito da

indução eletromagnética, nascia, na Escócia, James Clerk Maxwell que viria a se
tornar um dos grandes gênios da humanidade, pelos trabalhos fundamentais que
realizou e que serviram de base a todo o desenvolvimento da eletrônica e, em
especial, ao ramo das comunicações.

Como era de se esperar, Maxwell gerou inúmeras polêmicas e grande quantidade

de trabalhos experimentais com a finalidade de comprovar que as ondas
eletromagnéticas propagavam-se no espaço com a velocidade da luz.

Em 1800, Volta, inventou a bateria elétrica e, pela primeira vez na história, o

homem tinha a possibilidade de usar corrente contínua em suas experiências.

Os famosos físicos ingleses Wheatstone e Cooke trabalharam muito na

popularização do telégrafo indicando sua aplicação comercial. Caberia, entretanto,
a Morse o desenvolvimento, em 1835, do telégrafo a fio como o conhecemos hoje.

A invenção do diodo a vácuo, feita por Fleming em 1904, representou um grande

avanço sobre os detetores de alta de freqüência usados na época. Logo a seguir,
De Forest inventou a válvula com três eletrodos que viria revolucionar os sistemas
de comunicação. Começava a era da eletrônica propriamente dita.
O antepassado dos dispositivos eletrônicos diminutos é a válvula a vácuo. As
válvulas a vácuo foram cruciais ao desenvolvimento do rádio, da televisão, do
computador e do telefone. Eram também frágeis e volumosos. Com a evolução da
tecnologia eletrônica, a partir da década de 20, as válvulas eletrônicas foram se
tornando cada vez mais eficientes e menores, tendo atingido seu pico durante a II
Guerra Mundial quando milhões delas foram fabricadas para atender às
necessidades especiais das forças armadas em todos os tipos possíveis de
equipamentos eletrônicos usados na aviação, marinha, exército etc. Uma busca
universal para encontrar um dispositivo mais compacto e de maior confiança
ocupou a engenharia após a II Guerra Mundial e surgiu o transistor.

O transistor foi inventado em 1947 por John Bardeen, Walter H. Brattain e William
Shockley. Em 1956, os três receberam o prêmio Nobel de Física por suas pesquisas
com os semicondutores e pela descoberta do transistor. A forma e o tamanho do
transistor eram bastante diferentes do arranjo enorme das válvulas a vácuo.
Também, ao contrário das válvulas, não tem filamento e pode operar
instantaneamente. Em vez de operar exclusivamente pelo deslocamento de
elétrons, emitidos de um cátodo, opera com cargas elétricas negativas e cargas
positivas artificialmente criadas no corpo dos cristais do semicondutor. Seu modo
de funcionar lembra o da válvula, porém, o modo de operar é mais complexo.

No início dos anos 50, o transistor chamou a atenção do mundo, primeiramente

com a venda no varejo do rádio transistorizado, que se tornou o artigo mais
vendido na época. As aplicações do transistor incluíram osciladores de telefone,
dispositivos automáticos da distribuição de telefones e nos dispositivos das
comunicações. A aplicação dos transistores não era muito utilizada nos
computadores até que a IBM contratou uma empresa especializada para o
desenvolvimento do transistor projetado especificamente para aplicações digitais.

Com a invenção dos transistores para aplicações digitais, a maioria dos fabricantes
de computador iniciou a substituição das dispendiosas e quentes válvulas
eletrônicas pelos novos dispositivos, bem mais baratos e com pouquíssima
dissipação de calor. O primeiro computador transistorizado foi desenvolvido por
Seymour Cray no ano de 1958.

Os avanços eletrônicos citados foram primordiais à invenção de Jack Kilby, em

1958: o circuito integrado (CI). Ainda em 1958, Robert Noyce desenvolve um
circuito integrado miniaturizado, em que vários transistores eram impressos numa
pastilha de semicondutor de uma única vez. Já em 1961, estava fabricando-se
circuitos integrados comercialmente e em grandes quantidades. No ano seguinte foi
o verdadeiro começo da produção em massa desses circuitos e, ainda hoje, os
mesmos dominam o campo da eletrônica, sendo fabricados em escalas colossais.

No início dos anos 70, aparecem as calculadoras eletrônicas portáteis que

revolucionaram a arte de calcular. Usando circuitos integrados compactos, algumas
dessas calculadoras possuíam mais capacidade computacional que os computadores
produzidos em 1958.

O mais importante desenvolvimento na área de informática, desde a sua criação,

foi o micro-processador que é basicamente um computador em miniatura. Este foi
desenvolvido pela Intel Corporation em 1972 e foi logo seguido por várias outras
firmas.

O microprocessador consistia de milhões de transistores fixados a uma

microplaqueta de silicone que ficou denominada como microchip. Com o microchip
foi possível a invenção de milhares de novos produtos como: instrumentos
médicos, automóveis, telefones celulares, jogos eletrônicos e os relógios. Os
microprocessadores desenvolveram-se e deram origem aos microcomputadores que
evoluíram e deram origem aos microcomputadores atuais.

2. O USO DA ELETRÔNICA NAS PRINCIPAIS INVENÇÕES DO SÉCULO XX

2.1. O rádio

Após o aparecimento da válvula, a técnica dos receptores de rádio evoluiu

rapidamente, atingindo seu apogeu durante a II Guerra Mundial. Evidentemente
que a eletrônica não se restringia, exclusivamente, ao desenvolvimento do rádio.
Inúmeros outros ramos da atividade humana começaram a ser influenciados por
este novo ramo da tecnologia. Na marinha, na aviação, no exército, na indústria, na
medicina, enfim, praticamente em tudo, a eletrônica se fez sentir. Mas, sem dúvida
nenhuma, o rádio foi o começo de tudo.

Uma grande contribuição às telecomunicações se deve aos radioamadores de todo

o mundo. Nos Estados Unidos, logo após o aparecimento do triodo, os
radioamadores se constituíram de uma grande massa de consumidores de peças e
acessórios para a fabricação caseira de seus transmissores e receptores.

Devemos a eles a descoberta de que é possível a transmissão a longas distâncias.

O rádio revolucionou os sistemas de comunicação da época, pois permitia a
comunicação a longas distâncias.

2.2. A televisão

Desde 1876, ano em que Bell inventou o telefone, provando, assim, que sinais
complexos podiam ser transmitidos eletricamente através de linhas físicas,
começaram, também, as tentativas do envio de imagens à distância.

A primeira idéia sobre transmissão de imagens que trouxe conseqüências práticas

foi patenteada em 1884 por Paul Nipkow. A importância da idéia estava no seu
famoso disco de Nipkow que, pela primeira vez, fazia a "varredura" da imagem a
ser transmitida, permitindo que a mesma fosse transformada numa série de
impulsos que podiam ser transmitidos à distância e recompostos por meio
semelhante no lado da recepção. Nipkow nunca construiu seu invento,
provavelmente porque a tecnologia da época não o permitia. Seu disco, porém,
serviu de modelo para vários sistemas eletromecânicos de televisão que foram
construídos posteriormente, sendo o mais notável o do inglês John Logie Baird.

Baird foi um grande inventor, especialmente na técnica da televisão. Entre os fatos

mais notáveis de sua carreira estão: a transmissão de imagens de TV através de
linhas telefônicas (1927); primeira demonstração de TV a cores (1928); TV estéreo
(1928); transmissão simultânea de TV e som (1930); transmissão de um evento
público (1931); transmissão de filme de cinema (1931); transmissão em VHF.
Todos esses eventos foram realizados com equipamentos eletromecânicos e com
discos do tipo Nipkow.

A televisão que conhecemos hoje, é a televisão eletrônica e tem uma origem

diferente daquela de Baird. O primeiro sistema todo eletrônico foi concebido por
Alan A. Campbell-Swinton. Tal como Nipkow, Campbell-Swinton não testou seu
invento que foi descrito com grandes detalhes.

A televisão é, sem sombra de dúvidas, uma das maravilhas que a eletrônica nos
proporcionou.

2.3. O radar

O termo radar originou-se da frase em inglês "radio detection and ranging", que
significa detecção e medida de distância por rádio. A história do radar revela uma
das grandes realizações da capacidade, engenhosidade e curiosidade do espírito
humano. Foi uma das conquistas da eletrônica onde grandes dificuldades
tecnológicas tiveram de ser vencidas.

Através desse desenvolvimento, o homem tornou seus meios de transporte,

principalmente o aéreo e o naval, muito mais seguros e confiáveis. Abriu horizontes
até então impossíveis de serem alcançados. A II Guerra Mundial deu um impulso
enorme ao desenvolvimento desta técnica que, sem dúvida alguma, teve papel
importantíssimo nas grandes batalhas navais e aéreas travadas neste conflito.

Do ponto de vista científico, o radar é definido como uma técnica de detectar, por
meio de reflexão de ondas eletromagnéticas, a presença de objetos, podendo
determinar seus movimentos e a distância a que se encontram do ponto de
observação, tanto à noite como de dia, e a grandes distâncias.

A II Guerra Mundial foi a primeira guerra, na história, em que a eletrônica teve

papel decisivo, e o efeito da indústria (eletrônica) americana foi simplesmente
fenomenal. De 1941 a 1944, a produção industrial de equipamentos de rádio e
radar cresceu cerca de 1875%, passando de um faturamento global de cerca de
240 milhões de dólares para cerca de 4,5 bilhões. A standardização dos
componentes eletrônicos, usados pelos vários setores das forças armadas, foi
extraordinária.

2.4. Os computadores

Durante muitos anos, desde o início do desenvolvimento do rádio, a indústria

eletrônica devotou suas atividades, quase que exclusivamente, ao ramo das
telecomunicações. Paralelamente, a indústria produzia aparelhos gravadores de
som, aparelhos auditivos eletrônicos, televisores, etc.

O interesse por cálculos científicos e cálculos comerciais estimulou o aparecimento

de indústrias de máquinas de calcular mecânicas e eletromecânicas.

A diferença básica entre um computador digital automático e uma calculadora

portátil, é que um computador é capaz de executar longas seqüências de
computações sem nenhuma intervenção humana.

Com a fabricação dos computadores transistorizados, entramos na "segunda

geração de computadores". Com a grande competição e com a grande pesquisa que
se estabeleceu neste novo campo da eletrônica, o volume e o preço dos
computadores foram se reduzindo substancialmente.
Em 1965, começaram a aparecer os computadores de "terceira geração". As
máquinas desse período começaram a usar intensamente os circuitos integrados, o
que possibilitou novos projetos e maiores reduções de custos. Os computadores da
"quarta geração" que usam circuitos integrados de grande nível de integração,
propiciaram o aparecimento de computadores de pequeno porte, baixo custo,
grande capacidade de memória e grande rapidez de operação. Uma nova espécie
de computadores apareceu com a criação dos "minicomputadores" e os
"microcomputadores", que são pequenos, baratos e proliferam a uma velocidade
espantosa. Este campo da eletrônica tornou-se um dos mais importantes ramos
industriais, com faturamento de bilhões de dólares e com influência crescente em
todas as atividades humanas.

2.5. Os lasers

São dispositivos eletrônicos capazes de produzir feixes de luz monocromática. Em

1960, o cientista americano, T. H. Maiman, demonstrou o primeiro laser, usando
um rubi como elemento ativo.

Um outro tipo de laser desenvolvido foi o laser a gás. Uma importante diferença
entre os lasers a gás e os de rubi é que os lasers a gás operam continuamente. O
terceiro tipo de laser desenvolvido foi o laser a semicondutor. Este, é semelhante
ao laser de rubi, com a diferença que o mesmo usa uma pequena pastilha feita de
uma junção de material semicondutor.

Uma das principais aplicações do laser está na transmissão, via cabos de fibras
óticas, de milhares de canais telefônicos ou de dezenas de canais de televisão. Com
o aparecimento dessas duas invenções, isto é, os lasers e os cabos de fibras óticas,
todas as comunicações por cabos coaxiais ou cabos metálicos, dentro e fora das
cidades, estão sendo substituídos por cabos de fibras óticas, capazes de transmitir
a luz do laser a milhares de quilômetros.

As aplicações do lasers são diversas. Na medicina, na indústria, na engenharia,

como material bélico. Sem o aparecimento do laser, seria impossível a holografia,
que é a reconstituição de imagens tridimensionais no espaço.

2.6. Os satélites

Em outubro de 1957, os russos lançaram no espaço o primeiro satélite artificial

fabricado pelo homem. Por terem órbitas relativamente próximas da Terra, os
primeiros satélites se deslocavam no espaço em relação a um dado ponto da Terra,
fazendo com que as antenas receptoras e transmissoras na Terra tivessem que ser
orientadas continuamente, de modo a manter as comunicações com o mesmo. Isso
trazia muitas complicações no recebimento e decodificação dos fracos sinais
recebidos desse satélite.

De modo a contornar este problema, lançaram-se os satélites geoestacionários.

Estes satélites se deslocam com a mesma velocidade de um ponto na Terra
parecendo, portanto, estar fixo em relação à mesma.

Os satélites lançados até 1980 possuíam 27 transponders, que são dispositivos

eletrônicos. Estes 27 transponders fornecem até 12.500 canais de voz que também
podem ser usados para enviar dados de computadores. Os satélites lançados mais
recentemente têm uma quantidade de canais bem maior, podendo chegar a
70.000. A vida útil de um satélite, que no início era cerca de 7 anos, já alcança,
hoje, um período de 12 anos.

2.7. Fibras óticas

Somente em 1972, foram produzidas fibras óticas capazes de serem usadas na

forma de cabos para sistemas de comunicação em alta freqüência.

Os cabos de fibra ótica têm várias vantagens em comparação com os cabos

normais. Uma delas é a sua imunidade a interferências eletromagnéticas. Deste
modo, os sinais transmitidos por esses cabos não podem ser captados por
terceiros, o que é uma grande vantagem em comunicações sigilosas. Os cabos de
fibras são mais flexíveis que os de cobre, o que torna a sua instalação mais fácil.
São mais resistentes ao calor e a umidade.

Atualmente, estão sendo utilizadas para transmissão de telefonia, transmissão de

dados, programas de TV e em microondas.

3. ELETROMEDICINA

3.1. Eletroencefalografia

Mesmo depois do aparecimento das válvulas eletrônicas, no início deste século, os

registros dos eletroencefalogramas eram feitos mecanicamente, através de uma
pena, que registrava numa fita de papel as oscilações detectadas pelo
galvanômetro, através de eletrodos presos ao crânio.

Evitavam-se os circuitos amplificadores eletrônicos porque as válvulas antigas

introduziam ruídos espúrios que alteravam as ondas cerebrais. Somente a partir de
1960, com o aparecimento dos transistores, é que estes problemas foram
resolvidos. Com isto, veio o grande avanço da eletroencefalografia usada cada vez
mais para detectar doenças do cérebro.

Mais recentemente, os computadores passaram a ser usados como processadores

das informações colhidas pelo eletroencefalograma, aumentando
consideravelmente o seu potencial.

3.2. Eletrocardiografia

A eletrocardiografia registra os sinais elétricos gerados no coração. Em 1887, A. D.

Waller conseguiu por meio de instrumentos rudimentares, os primeiros
eletrocardiogramas de seres humanos e o mapeamento do campo elétrico do
coração.

Em 1921 a Siemens & Halske colocou no mercado um eletrocardiograma que usava

válvulas eletrônicas para amplificar os sinais detectados pelo galvanômetro. A
Cambridge Instruments só produziu um eletrocardiógrafo totalmente eletrônico a
partir de 1945.

3.3. Microscópio eletrônico

Inventado em 1931, por Reinhold Rüdemberg, tornou-se, em pouco tempo, um

poderoso instrumento de investigação científica.

Pouco tempo após o aparecimento do microscópio eletrônico, a RCA, dos Estados

Unidos, e a Vickers, da Inglaterra, começaram a fabricá-lo. Mais tarde a maioria
dos países mais desenvolvidos entrou na fabricação e utilização desse
equipamento. O Japão, hoje em dia, é um dos centros mais avançados dessa
tecnologia.

3.4. Marcapasso cardiológico

Devemos o desenvolvimento desse equipamento, muito utilizado nos dias de hoje,

aos trabalhos de um famoso cardiologista, Paulo Maurice Zoll, que durante grande
parte de sua carreira, dedicou-se ao estudo dos estímulos elétricos no coração, com
a finalidade de evitar paradas cardíacas.

Zoll estimulava eletricamente o coração através de eletrodos externos, colocados

no peito do paciente. Hyman concluiu que se os estímulos fossem feitos
diretamente no coração, os resultados seriam melhores.

Somente após a II Guerra Mundial, por volta de 1950, foi desenvolvido um

marcapasso totalmente eletrônico, mas volumoso. Somente após o
desenvolvimento dos transistores é que os marcapassos foram realmente
miniaturizados, chegando a volumes compatíveis com sua inserção no coração.

3.5. Tomografia computadorizada

Em 1967, um engenheiro eletrônico inglês, Godfrey Wewbold Hounsfield, decidiu

estudar a possibilidade do uso de computadores para melhorar as imagens obtidas
através de raios-x.

Os resultados obtidos foram espetaculares e, em 1969, esse equipamento passou a

ser fabricado, na Inglaterra, e depois em outros países. O tomógrafo para o corpo
inteiro entrou no mercado em 1975. Em 1979, Hounsfield recebeu o prêmio Nobel
de fisiologia.

3.6. Aparelhos auditivos

São aparelhos eletrônicos para melhorar o nível de audição e começaram a

aparecer no mercado na década de 30. Eram equipamentos pesados cujo
amplificador tinha que ser ligado a uma fonte externa de energia.
A evolução desses equipamentos seguiu o desenvolvimento da eletrônica,
alcançando tamanhos aceitáveis com o aparecimento dos transistores. Os atuais,
super miniaturizados, contém circuitos integrados, microfone, e o receptor num
pequeno invólucro que é colocado atrás da orelha. O amplificador consome tão
pouca energia, que a pilha só é mudada a intervalos longos.

4. Eletrônica e Tecnologia: Mudanças na Sociedade

Somos, hoje, inteiramente dependentes da máquina e da eletricidade. O

desenvolvimento técnico-científico possibilitou a utilização de instrumentos cada
vez mais sofisticados para as atividades mais simples do cotidiano, ao mesmo
tempo em que o homem passou a desejar a máquina como algo inerente ao seu
próprio ser. Tudo isso foi fruto de um longo processo de aperfeiçoamento técnico
que tomou fôlego em diversas partes da história.

Até que ponto pode discernir o nosso nível pessoal de artificialidade em relação à
própria natureza humana? A transformação do homem em máquina é tão rápida
que quando percebemos já nos tornamos mais um periférico ligado ao computador.
O poder do desenvolvimento maquínico-mediático-tecnológico é tão grande no fim
do século XX que humanos vão cada vez mais se transformando em acessórios,
peças suplementares aos equipamentos criados inicialmente pelo próprio homem. E
quando nos damos conta disso, percebemos que nos tornamos menos humanos
que eles.

Homem e máquina, porém, não podem existir um sem o outro nas cidades
tecnotrônicas de hoje, mesmo que isso gere inúmeros problemas sociais e
psicológicos. Não há nada na cidade de hoje que não passe ou tenha passado por
algum tipo de equipamento tecnologicamente elaborado. E as que mais se
desenvolveram foram as tecnologias de comunicação para transmissão rápida,
dirigida e eficiente de informações que atingem em cheio a mente humana.

Hoje, vigora o desejo comum de se ter o computador mais veloz, o aparelho de TV

com mais polegadas e maior definição, o telefone celular menor e mais eficiente,
enfim, busca-se a cada dia a maior eficiência e rapidez dos aparelhos eletrônicos.

O fascínio pelas novas tecnologias trouxe consigo uma busca do esteticamente

perfeito, do limpo, do eletrônico e não do mecânico.

CONCLUSÃO

O avanço da eletrônica e em especial a miniaturização deve-se não só a estratégias

de redução de custos de produção, mas também à eficiência, à rapidez de operação
e ao aumento de memórias de acesso rápido, como no caso de multimídias, nas
quais imagens complexas são processadas por milhares de transistores
concentrados em chips diminutos.

Esses fatores têm impulsionado enormemente a pesquisa em novos materiais e o

desenvolvimento de técnicas de processamento voltadas para dispositivos cada vez
menores. Atualmente, uma nova eletrônica encontra-se em pleno desenvolvimento,
a chamada nanoeletrônica que está voltada para a fabricação de dispositivos
inferiores a 100 nm.
O que aparecerá em seguida? A tecnologia é ilimitada. Somente a imaginação
governará seu potencial.

Referências Bibliográficas

AFONSO, Marcelo. "Simulação, memória e ciberficação". Revista Espiral.

Abr/mai/jun, 2000. On line. Available: http://www.geocities.com/revista_espiral.
17 Abr. 2001.

BENCHIMOL, Augusto. Uma breve história da eletrônica. Rio de Janeiro:

Interciência, 1995. (Biblioteca do CTG)

LIMA, Karina Medeiros de. "Determinismo tecnológico". Revista Espiral. Jul/ago/set,

2000. On line. Available: http://www.geocities.com/revista_espiral. 17 Abr. 2001.

SILVA, Heloísa Teixeira da & OLIVEIRA, Carlo Emmanuel Tola de. Circuito integrado
para rede de computadores. Ciência Hoje, Rio de Janeiro, v.2, n.8, p. 33-42,
set/out, 1983. (Biblioteca do CTG)

VALADARES, Eduardo C.; CURY, Luiz A. & HEWINI, Mohamed. Dispositivos

eletrônicos em escala atômica. Ciência Hoje, Rio de Janeiro, v.18, n.106, p.40-49,
jan/fev,1995. (Biblioteca do CTG)

"Greatest Engineering Achievements Of The 20th Century". Eletronics. 2000.

[documento da Web] URL http://www.greatachievements.org, (19 Abr. 2001)

Outros Autores: CAMILA LINHARES PINHEIRO, RENATO BANDEIRA LIMA e

VICTOR CARLOS DE OLIVEIRA NASCIMENTO
 UM POUCO DE HISTÓRIA ...

...de um fabuloso dispositivo eletrônico que encontrou lugar em todo tipo de

aparelhos e equipamentos eletrônicos e que mudou drasticamente nossas

vidas : o transistor.
Desde a hora em que acordamos de manhã até a hora em que vamos para a
cama à noite, estamos a todo momento em contato com aparelhos e
equipamentos repletos de transistores -- como rádios, televisores, relógios
digitais, fornos de microondas, telefones, carros, aviões, etc. Sem falar, é claro,
do computador.

Os computadores de hoje possuem diversos microchips, cada um contendo

milhares ou até milhões de transistores.

Inventado por cientistas do Bell Telephone Laboratories no dia 16 de dezembro

de 1947 (cinqüenta anos depois da descoberta do elétron por Joseph John
Thomson e cem anos depois do nascimento de Alexander Graham Bell ) o
transistor valeu aos seus inventores o prêmio Nobel de física de 1956. É citado
na edição de janeiro de 1998 da revista Proceedings of the IEEE (edição
comemorativa dos 50 anos do transistor) como "a invenção da engenharia
elétrica mais revolucionária do século 20, cujo impacto é sentido a todo
momento, em todo lugar na era da informação".

A história do transistor começa há mais de cinqüenta anos, em 1947. A

Segunda Guerra havia terminado, e as indústrias de todo o mundo procuravam
tomar novos rumos. Armas e equipamentos bélicos não eram mais a
prioridade. A economia do pós-guerra trazia novas necessidades.

A expansão das telecomunicações e da informática naquele período, por

exemplo, era bastante promissora. Contudo, a tecnologia da época não
favorecia esse desenvolvimento potencial. Sistemas telefônicos, equipamentos
de telecomunicações e computadores empregavam um grande número de
dispositivos amplificadores e comutadores. Mas os sistemas eletromecânicos
disponíveis eram lentos, pouco confiáveis e dissipavam grande quantidade de
calor.

Um desses dispositivos eletromecânicos amplamente utilizados era o relê. A

limitação dos relês era sua velocidade ( levavam cerca de um milésimo de
segundo para abrir ou fechar um contato).

Havia ainda a válvula,cujo funcionamento baseava-se no fluxo de elétrons

no vácuo. A válvula podia comutar e amplificar, e como os elétrons podiam
viajar velozmente no vácuo, era bem mais rápida que o relê (cerca de um
milhão de vezes mais rápida). Mas o problema é que as válvulas exigiam
fornecimento de energia constante e sua vida útil era bastante limitada. Assim,
a válvula era boa em aplicações que empregavam um pequeno número delas.
Onde milhares eram necessárias, como em computadores, a válvula não era
adequada.

Os semicondutores
A busca de tecnologias alternativas foi uma conseqüência natural. Cientistas
em laboratórios de todo o mundo estavam em busca de um dispositivo
eletrônico que substituísse relês e válvulas.

Na época, os cientistas estudavam as propriedades elétricas de todo tipo de

material. Submetiam amostras a dezenas de testes e classificavam os
materiais em dois grupos: aqueles que conduziam eletricidade, os condutores,
e aqueles que não conduziam, os isolantes(ou dielétricos). Mas, depois de
muitos testes, uma surpresa: alguns materiais não se comportavam nem como
condutores nem como isolantes: ora conduziam corrente elétrica ora a
bloqueavam. Descobriu-se os semicondutores e surgiu finalmente uma
alternativa tecnológica interessante para os relês e válvulas. Percebeu-se que
esse comportamento conduz/não conduz dos semicondutores podia ser usado
para construir comutadores e moduladores eletrônicos. A grande expectativa
era que o emprego de dispositivos construídos com semicondutores prometia
inúmeras vantagens: elétrons viajando pequenas distâncias em um sólido,
nada de partes móveis, nada de filamentos aquecidos e nada de vácuo.
Deveria então ser rápido, barato e confiável.

No verão de 1945, um grupo de pesquisa neste campo foi organizado no Bell

Telephone Laboratories em Murray Hill, estado de New Jersey, nos Estados
Unidos. A iniciativa foi do diretor de pesquisas do Bell Labs, Mervin Kelly. Há
anos Kelly sonhava em encontrar um substituto eletrônico para os relês do
sistema telefônico. Ele havia organizado um programa de pesquisa com esse
objetivo na década de 30, mas o trabalho foi interrompido com a guerra. Com o
fim da guerra, o programa foi reativado.

No início de 1946, o grupo já estava praticamente formado. O físico William

Shockley, o engenheiro elétrico John Bardeen e o físico Walter Brattain.
 Da esq. para dir., Bardeen, Shockley e Brattain

Os cientistas estava surpresos com as pesquisas de dispositivos que

empregavam germânio e silício em detetores para radar.

Esperava-se descobrir outras propriedades promissoras desses materiais

semicondutores. Dessa forma, por volta de janeiro de 1946, duas decisões
críticas foram tomadas. A primeira foi a decisão de focalizar a atenção do grupo
em cristais de silício e germânio, ignorando outros materiais mais complexos
utilizados em outras pesquisas. A segunda decisão consistiu em investigar o
efeito de campos elétricos em semicondutores.

Shockley imaginou que seria possível alterar a condutividade de um

pequeno bloco de germânio aplicando sobre sua superfície um campo elétrico
adequado. Esse campo poderia modificar a distribuição de cargas elétricas no
corpo do semicondutor e, consequentemente, alterar sua capacidade de
conduzir eletricidade. Tipicamente, o campo era criado aplicando-se uma
tensão a uma placa de metal próxima, porém isolada, do material
semicondutor. Variando-se a tensão na placa de metal, podia-se variar a
corrente fluindo através do semicondutor, obtendo-se assim um ganho de
potência. Contudo, todas as tentativas nesse sentido foram frustradas.

Foi Bardeen quem descobriu por quê. Ele sugeriu que o campo elétrico
aplicado não penetrava apropriadamente no semicondutor. Isso devia-se a
cargas elétricas imóveis, situadas na superfície do material. Essas cargas,
embora em número reduzido, acabavam por criar uma blindagem que
"protegia" o semicondutor do campo elétrico aplicado. Brattain conduziu
experimentos que confirmaram o modelo proposto por Bardeen. Finalmente
algum progresso era feito.

A invenção do transistor
Os pesquisadores do Bell Labs tentaram, então, encontrar formas de
minimizar o efeito das cargas na superfície. Tentaram diversos tipos de
montagens e configurações a fim de verificar o tão esperado efeito de campo.
No dia 16 de dezembro de 1947, em uma dessas montagens, Brattain utilizou
dois contatos de ouro separados por apenas alguns milímetros e pressionados
contra a superfície de um pequeno bloco de germânio. Com as devidas
tensões elétricas aplicadas, os cientistas verificaram que uma corrente elétrica
fluía pelo material semicondutor, configurando assim o efeito de amplificação
tão desejado (efeito transistor).

O primeiro transistor construído por Bardeen e Brattain ficou conhecido como

transistor de ponto de contato. Esse transistor fazia o trabalho de uma válvula
termoiônica sem requerer um anodo de alta tensão e um catodo em alta
temperatura para emitir elétrons.
 O primeiro transistor, construído por Bardeen e Brattain

No dia 24, o dispositivo foi apresentado à diretoria do Bell Labs, desta vez
funcionando como um oscilador (a oscilação é uma característica fundamental
em telecomunicações, sendo usada em equipamentos de geração e recepção
de sinais).

Contudo, ainda não se entendia perfeitamente o funcionamento do

dispositivo. Seria um efeito de superfície ou a ação estava ocorrendo no corpo
do semicondutor? Bardeen e Brattain continuaram pesquisando os efeitos na
superfície. Shockley, contudo, havia percebido a importância da movimentação
de cargas elétricas no interior do semicondutor. No final de janeiro de 1948, ele
completou a formulação teórica de um dispositivo semicondutor que mais tarde
seria chamado de "transistor de junção".

O anúncio da descoberta do transistor, contudo, foi adiado até junho de

1948. Estes seis meses foram gastos pesquisando-se mais sobre o dispositivo,
buscando entendê-lo melhor e investigando suas possíveis aplicações. O
objetivo era obter uma posição melhor para o registro das patentes. No dia 17
de junho de 1948, Bardeen e Brattain entraram com um pedido de patente para
o transistor de ponto de contato. No dia 26, Shockley registrou um pedido de
patente para o seu transistor de junção. Até então, o transistor era um segredo
do Bell Labs.

No dia 30 de junho de 1948, o transistor de Brattain e Bardeen foi

demonstrado para a imprensa nas instalações do Bell Labs em Nova York.

A imprensa comum deu pouca atenção, mas a imprensa especializada

reconheceu sua importância. O jornal The New York Times reportou a história
quase na última página no dia 1º de julho de 1948 na sua coluna "As Notícias
do Rádio" :

"Um dispositivo chamado transistor, com inúmeras aplicações no rádio, onde as válvulas são
amplamente empregadas, foi demonstrado pela primeira vez ontem no Bell Telephone
Laboratories, na rua West, 463, onde foi inventado. O dispositivo foi usado num receptor de
rádio, que não continha nenhum tipo de válvula convencional. Foi mostrado também num
sistema telefônico e num aparelho de televisão . Em cada caso, o transistor foi empregado
como amplificador, embora seja dito que ele possa ser usado também como oscilador, de
forma a criar e enviar ondas de rádio. No formato de um pequeno cilindro metálico com pouco
mais de meia polegada de comprimento, o transistor não contém vácuo, grade, placas ou
invólucro de vidro para manter o ar afastado. Sua ação é instantânea, não havendo atrasos por
aquecimento, uma vez que não é gerado calor como em uma válvula. As partes funcionais do
dispositivo consistem somente de dois finos fios que se ligam a uma placa de material
semicondutor soldada a uma base de metal. O material na base de metal amplifica a corrente
que chega até ela por um dos fios. O outro fio conduz a corrente amplificada."

Em 15 de julho de 1948, a revista especializada Physical Review publicou

três artigos sobre o transistor: dois de Brattain e Bardeen e um de Shockley.
Foram os primeiros artigos técnicos amplamente difundidos explicando os
princípios básicos do novo dispositivo.

Do laboratório para a indústria

Mais alguns anos se passaram e outros experimentos e descobertas se

sucederam. Assim, num período de poucos anos após o estabelecimento do
grupo de semicondutores no Bell Labs, a invenção do transistor estava
essencialmente completa, entendida e documentada. (Em 1950, Shockley
publicou o livro "Electrons and Holes in Semiconductors".) A fase científica
estava chegando ao fim. A próxima fase consistia em resolver problemas mais
práticos para a produção de transistores em grande escala.

Em primeiro lugar, havia dois tipos de transistor que eventualmente

poderiam ser fabricados: o transistor de ponto de contato e o transistor de
junção. O transistor de ponto de contato tinha muitas desvantagens. Era difícil
de fabricá-lo e suas características elétricas estavam longe de ser ideais ( eram
muito variáveis, difíceis de ser controladas e muito instáveis). O transistor de
junção, por outro lado, tinha características elétricas mais desejáveis e
estáveis. Sua fabricação, contudo, também era bastante complexa; exigia
técnicas bastante apuradas e sensíveis, sendo difícil automatizar a produção.

Havia ainda muitos outros problemas, como conseguir que o transistor

funcionasse em altas freqüências, como as válvulas, e que fosse capaz de
suportar potências elevadas, como os relês.

Para operar em altas freqüências, os transistores deviam ser pequenos, mas

para suportar elevada potência, tinham que ser grandes. Além das dificuldades
tecnológicas, havia uma inércia muito grande por parte da indústria para aceitar
o transistor. Os engenheiros e técnicos da época já estavam acostumados com
as válvulas, cujo funcionamento era relativamente simples e intuitivo. Já o
transistor era um componente complexo, seu funcionamento envolvia até física
quântica. Era natural que surgisse um clima de insegurança frente à
necessidade de aprender novas técnicas de projeto e construção de circuitos
eletrônicos. Algumas companhias chegaram a afirmar que o transistor, devido a
sua baixa confiabilidade e sujeição inerente a ruídos, nunca iria substituir a
válvula.
 Além disso, o transistor ainda era mais caro do que as válvulas, que
dominavam completamente a indústria. Com poucas exceções, os fabricantes
de válvulas não estavam nada entusiasmados com o transistor.

O equipamento para a produção das válvulas já estava em boa parte

amortizado, então a fabricação de válvulas era uma máquina de ganhar
dinheiro.

Mas, aos poucos, o transistor e sua fabricação foram sendo aprimorados e

suas vantagens sobre as válvulas tornavam-se cada vez mais evidentes.
Algumas empresas ainda tentavam resistir. Na época, a RCA chegou a
introduzir uma pequena válvula de baixa tensão chamada "Nuvistor". Tinha um
invólucro de cerâmica e era pouco maior que os transistores da época. Mas foi
uma batalha perdida. O Nuvistor foi empregado por um curto período em
aparelhos de TV da RCA, e em seguida desapareceu juntamente com a
maioria das outras válvulas à medida que a era do estado sólido emergiu.

Dessa forma, os primeiros fabricantes de transistores eram na sua maioria

fabricantes de válvulas. Contudo, algumas empresas iniciantes foram bem-
sucedidas.

Talvez o maior exemplo seja a Texas Instruments, que na época fabricava

instrumentos geofísicos. A companhia viu uma grande oportunidade nos
transistores e, em 1953, obteve uma licença do Bell Labs, estabeleceu um
laboratório próprio e chamou pesquisadores de renome para conduzi-lo. Um
ano depois, a Texas Instruments anunciou o primeiro transistor de silício. O
silício apresentava diversas vantagens sobre o germânio: suas características
elétricas eram melhores, podia suportar muito mais potência e podia operar em
uma faixa de temperatura ambiente bem mais ampla, além de haver
suprimento de matéria prima praticamente infinito. As desvantagens do silício
eram seu ponto de fusão elevado (que exigia processos metalúrgicos mais
complexos) e o fato de o silício ser mais reativo quimicamente do que o
germânio (o que facilitava a contaminação). Essas dificuldades, contudo, foram
logo superadas e a fabricação de dispositivos de silício tornou-se dominante.
Com o advento do transistor de silício, a Texas Instruments tornou-se
instantaneamente uma poderosa concorrente no mercado.

Além disso, para combater a resistência da indústria contra o transistor, foi

decisiva a atuação do Bell Labs no sentido de promover uma ampla difusão de
informações sobre o dispositivo. Em 1951 e 1952 foram organizados simpósios
para interessados do governo, indústria e do meio acadêmico. A idéia era
divulgar as técnicas de fabricação de transistores e esclarecer detalhes sobre
seu funcionamento. Além disso, por apenas 25 mil dólares, conseguia-se do
Bell Labs a licença para produzir transistores. Mas, poderíamos nos perguntar:
por que o Bell Labs não manteve essa valiosa invenção como uma propriedade
exclusiva sua? Por que concedia a licença para fabricação de transistores por
tão pouco? Qual era a intenção da empresa ao promover a disseminação do
dispositivo? A idéia por trás dessa estratégia aparentemente insensata era que
outras empresas entrassem no negócio, alavancando o setor e desenvolvendo
novas tecnologias que pudessem ser empregadas nos sistemas de
telecomunicações. O Bell Labs certamente ganharia muito dinheiro com isso.
Um outro motivo era a forte cultura de troca informações na indústria de
semicondutores, embora essa indústria fosse bastante competitiva. O rápido
progresso na fabricação de transistores deveu-se em grande parte ao intenso
intercâmbio tecnológico entre companhias, centros de pesquisa do governo e
laboratórios de universidades.

O início da década de 50 foi marcado por rápidas melhorias nas

características e na fabricação de transistores. Avanços sucediam-se
rapidamente e os novos dispositivos eram capazes de operar em freqüências
cada vez maiores.

Alguns pesquisadores desenvolviam outros tipos de dispositivos

semicondutores, e finalmente foi construído o transistor por efeito de campo
(tecnologia batizada de FET -- field effect transistor). Os primeiros JFETs
(junction field effect transistors) foram produzidos pela Crystalonics em
Cambridge, Massachusetts, em 1960.

O transistor espalha-se pelo mundo...

Tendo superado as dificuldades de fabricação em larga escala do transistor,

era hora de empregá-lo na prática, buscando substituir a válvula no maior
número de aplicações possível. Essa não era uma tarefa fácil, já que os
transistores eram então fabricados em tamanhos reduzidos, o que dificultava
sua capacidade de suportar altas potências. Além disso, não suportavam
freqüências de operação tão elevadas quanto às das válvulas.

Enquanto isso, outras iniciativas tomavam corpo e mais tarde fariam surgir
aquilo que hoje conhecemos como Vale do Silício (Silicon Valley). Em 1954,
William Shockley deixou o Bell Labs e mudou-se para Palo Alto, uma pequena
cidade no estado da Califórnia, Estados Unidos, onde iniciou sua própria
companhia, a Shockley Semiconductor Laboratory. Para levá-la adiante,
Shockley contratou um grupo de físicos e engenheiros jovens e ambiciosos de
companhias de eletrônicos , incluindo um grupo de oito pesquisadores que logo
deixariam sua marca na história da microeletrônica, embora sem a companhia
de Shockley.

Os oito (Julius Blank, Victor Grinich, Jean Hoerni, Eugene Kliner, Jay Last,
Gordon E. Moore, Robert N. Noyce e Sheldon Roberts ) não conseguiram se
entender com Shockley e com sua maneira de conduzir os negócios. Depois de
dois anos, em 1957, saíram para formar sua própria companhia. Nasceu assim
a Fairchild Semiconductor (hoje conhecida por originar uma série de outras
empresas sediadas na Vale do Silício). Com a saída em massa, a companhia
de Shockley acabou perdendo o rumo e depois de ter sido comprada por duas
vezes, acabou fechando as portas em 1969.

A Fairchild iniciou logo suas atividades e introduziu e aperfeiçoou processos

e técnicas com sucesso.
 Entre as inovações bem-sucedidas, estava a fabricação de transistores
utilizando um processo chamado de difusão. Consistia em envolver o material
semicondutor em um gás contendo determinados elementos químicos
(chamados de impurezas). Em seguida, variava-se a temperatura de modo que
as impurezas penetrassem no semicondutor. Tal processo permitia controlar
com precisão a penetração de impurezas no semicondutor. Com isso, podia-se
criar no semicondutor regiões bastante finas dopadas com impurezas. Essas
regiões dotadas de diferentes propriedades elétricas é que tornavam o efeito
transistor possível. A espessura da base (uma dessas regiões) era importante
para que o transistor funcionasse com freqüências elevadas.

Dessa forma, apesar de a lâmina de semicondutor ter de ser grossa o

suficiente para ser mecanicamente resistente, a base devia ser bastante fina.
Uma base com espessura de 10 mícrons propiciava freqüências de operação
de apenas alguns megahertz. Era necessário aperfeiçoar as técnicas de
fabricação para se conseguir bases ainda mais estreitas e consequentemente
dispositivos que pudessem ser usados nas diversas aplicações eletrônicas.
Esse problema foi resolvido com um outro processo: o processo epitaxial. Esta
nova técnica aprimorava o processo de difusão, permitindo a fabricação de
transistores que suportavam alta freqüência de operação e elevada potência.
Logo foram fabricados transistores com freqüências da ordem de centenas de
megahertz.

O processo de difusão e o processo epitaxial tiveram um impacto

fundamental na fabricação de dispositivos semicondutores e foram decisivos
para o surgimento dos circuitos integrados.

Outros avanços importantes deram-se com a descoberta de que uma

camada de dióxido de silício podia impedir a difusão de certos átomos de
impurezas na lâmina de silício. A difusão, contudo, poderia ocorrer
desimpedida através de "janelas" na camada de dióxido de silício. Essas
descobertas deram início ao emprego de técnicas de fotolitografia para a
"impressão" de padrões sobre o silício. Esses padrões podiam determinar as
regiões onde a difusão iria ocorrer.

O transistor, contudo, apresentava ainda outros problemas. Era muito

sensível a variações de temperatura e umidade. No início tentou-se empregar
blindagens de vidro, aproveitando a experiência com a fabricação de válvulas.
Mas definitivamente esta não era uma solução adequada. No início de 1958,
pesquisadores da Fairchild descobriram como usar o próprio dióxido de silício
como uma efetiva proteção que impedisse a degradação do transistor. Essa
proteção praticamente resolveu o problema de confiabilidade do dispositivo.