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Resumen—El presente documento muestra el estudio y si- III. T ENSI ÓN EN EL PUNTO P
mulación de un sistema de potencia, del cual se analizará la
compensación reactivos desde un punto que divide la lı́nea en
Como primera instancia, se requiere saber cuál es el ángulo
uno y tres cuartos. Lo anterior se realizará, para este primer de carga y el nivel de tensión en el punto P, para los tres
trabajo, con un SVC y un (TCSC) accionados mediante un lazo valores de δ.
abierto.
Index Terms—facts, compensación, SVC, TCSC. III-A. Obtención teórica de δP y |VP |
Nótese la gran diferencia que tiene la resistencia con la
I. I NTRODUCTION
reactancia inductiva. Se puede despreciar R con prácticamente
La electrónica de potencia tiene una importante cabida nulo error. Luego, la tensión VP se obtiene directamente como:
en los sistemas eléctricos de potencia, ya que puede ser
XL
aplicada para dar más flexibilidad, estabilidad y fiabilidad a la VP = VS − j I
calidad de la potencia que se transmite. Las primeras ideas se 4
gestaron en el ao 1988 de la mano de Narain Hingorani, quien El fasor de corriente se puede obtener mediante:
estableció el término F.A.C.T.S. (Flexible A.C. Transmition VS − VR ∠ − δ
Systems). I=
jXL
II. S ISTEMA A ANALIZAR Remplazando esta expresión en la primera igualdad, se tiene:
El sistema que se desea analizar, tiene un punto de conexión VS − VR ∠ − δ
P, el cual divide la lı́nea en 1/4 y 3/4 tal como muestra la VP = VS −
4
siguiente figura:
3VS VR ∠ − δ
⇔ VP = +
4 4
R jX/4 3jX/4
P Sea V la magnitud de los fasores VS y VR (que corresponde
a 1100[Vef ]), se puede reescribir lo anterior como:
+ +
V
Vs 0° VR -δ° VP = [3 + 1∠ − δ]
4
Usando la ecuación de Euler para representar los fasores como
complejos en coordenadas rectangulares, se tiene:
Figura 1. Sistema de potencia que se analizará V
VP = [3 + cos(δ) − jsen(δ)]
4
En donde VS corresponde al fasor de tensión de fuente De lo anterior se puede obtener δP y |VP | mediante:
(extremo emisor), VR corresponde al fasor de tensión de carga
(extremo receptor), ambos fasores tienen igual magnitud de sen(−δ)
δP = atan
valor 1100[Vef ], y con un desfase de δ donde VS está en 3 + cos(δ)
atraso respecto a VR . La referencia (ángulo 0◦ ) será desde VS .
1050
1000
950
900
Figura 4. Circuito implementado en PSIM
850
|δ| Simulación para δ = 1◦
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
|δP|
20
18
Figura 5. Valor RMS de VP y VS para δ = 1◦
16
14
El valor RMS de VP corresponde a 10999,7[Ve f ], idéntico
al obtenido teóricamente.
12
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 |δ|
La siguiente tabla muestra cada uno de los resultados. Figura 6. medición de δP mediante la diferencia de tiempo entre VS y VP
para δ = 1◦
Valor de δ δP obtenido |VP | obtenido
1◦ −0,25◦ 1100 [Vef ] El ángulo de VP se obtiene midiendo la distancia de tiempo
25◦ −6,1747◦ 1080,5 [Vef ] cuando pasa por 0[V ] comparando con la referencia VS , se
35◦ −8,5411◦ 1062,05 [Vef ] mide una diferencia de:
2,0005754 − 2 = 0,0004754[ms]
Figura 8. medición de δP mediante la diferencia de tiempo entre VS y VP
para δ = 25◦ considerando que VP está en atraso respecto a VS , se prosigue:
−0,0004754 · 180
δP = = −8,5572◦
El ángulo de VP se obtiene midiendo la distancia de tiempo 0,01
cuando pasa por 0[V ] comparando con la referencia VS , se Este valor es bastante similar al obtenido teóricamente, con
mide una diferencia de: una diferencia de dos unidades de centésimas.
Se observan los valores RMS de VS y VP : Figura 11. Sistema de potencia con un SVC conectado en el punto P
El SVC corresponde a una capacitancia equivalente, el cual
Ceq [mF]
es controlado mediante el ángulo de disparo de los tiristores 7
α, con ello se busca variar la inductancia en paralelo a C0 . La
expreción que determina la capacitancia equivalente está dada 6
por:
5
2(π − α) − sen(2(π − α))
CSV C = C0 −
ω 2 · π · L0
4
Donde C0 es la capacitancia necesaria para compensar reactivo
en el caso de δmax 3
Se puede observar que ambas tensiones, VP y VS son Se puede observar que ambas tensiones, VP y VS son
bastantes similares, el desfase es prácticamente nulo. El error bastantes similares, esta vez se aprecia un leve desfase, que
de los valores RM S corresponde a : corresponde a 6,29◦ , cercano a al δP determinado en el análisis
sin compensación.
VS−RM S − VP −RM S
% = 100 = 3,45 % VS−RM S − VP −RM S
VP −RM S % = 100 = 1,55 %
VP −RM S
L0
IL
R jX/4 3jX/4
i1 i2
+ IC +
Vs 0° C0 VR -δ°
C eq
Figura 16. VS y VP con un SV C para δ = −35◦ El TCSC corresponde a una capacitancia equivalente, que es
conectado en serie en la lı́nea, el cual es controlado mediante
el ángulo de disparo de los tiristores α, con ello se busca variar
Se puede observar que ambas tensiones, VP y VS son la inductancia en paralelo a C0 . La expreción que determina la
bastantes similares, aquı́ también se aprecia un leve desfase, capacitancia equivalente está dada por el factor KB , definido
que corresponde a 8,48◦ , cercano a al δP determinado en el por:
análisis sin compensación. XT CSC C0
KB = =
XC0 CT CSC (α)
VS−RM S − VP −RM S
% = 100
= 4,54 %
VP −RM S
C0 = 3,3774[mF ]
XCeq = KSop · XL
Disparando los tiristores en el ángulo determinado en el
El KSop , corresponde a 0.25, con este valor se llega a: inciso anterior, se obtiene la siguiente forma de onda:
Ceq = 2,0264[mF ]
α = π − β = 144,87◦
VI. C ONCLUSIONES
Se ha comprobado mediante simulaciones en PSIM las
expresiones que permiten determinar el ángulo de disparo
de los tiristores, de tal forma de obtener una compensación
de reactivos deseada. Se usaron impedancias variables
conectadas de dos formas, en paralelo (SV C) y en serie
(T CSC), mostrando ambos un correcto funcionamiento.