“Año del Diálogo y la Reconciliación Nacional”

20-6-2018
PRÁCTICA DE
LABORATORIO N°7(a)

INTEGRANTES:
MALMA ADAMA, Anthony.
POMA CHANCHA, Tom.
PUCUHUAYLA CASAS, Ayrthon Pool.
SANTANA GONZALES, Nelson.
SEGURA PÁUCAR, Danny.

DOCENTE:
Ing. MERLO GALVEZ, Juan Luis.
 MARCO TEÓRICO
Polarización de transistores FE

La variable de control de entrada para un FET es un voltaje. Las relaciones generales que se aplican al
análisis de cd de los amplificadores de FET son:

𝐼𝐺 = 0𝐴 𝐼𝐷 = 𝐼𝑆

La ecuación de Shockley se aplica a los JFET:

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆 𝑥 (1 − )
𝑉𝑃

1.1 CONFIGURACIÓN DE POLARIZACIÓN FIJA:

La configuración más simple para el JFET de canal n, es la configuración de polarización fija.

Imagen 1: Configuración polarización fija. Imagen 2: red equivalente de polar. Fija

Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y

Dispositivos electrónicos Dispositivos electrónicos

Robert L. Boylestad Robert L. Boylestad

Incluye niveles de Vi y Vo y los capacitores de acoplamiento (C1 y C2). Recuerde que los capacitores de
acoplamiento son “circuitos abiertos” para el análisis de cd y bajas impedancias (en esencia cortorcircuitos)
para el análisis de ca.

El hecho de que la terminal negativa de la batería esté conectada directamente al potencial positivo definido de
VGS deja ver con claridad que la polaridad de VGS es directamente opuesta a la de VGG.
 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷 𝑋 𝑅𝐷 𝑉𝑆 = 0𝑉 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆

1.2 CONFIGURACIÓN DE AUTOPOLARIZACIÓN:

La configuración de auto polarización elimina la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje

de control de la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a través de un resistor

RS introducido en la rama de la fuente de la configuración.

Imagen 3: Configuración auto polarización Imagen 4: red equivalente de autopolarizacion

Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y Fuente: Electrónica Teoría de circuitos y

Dispositivos electrónicos Dispositivos electrónicos

Robert L. Boylestad Robert L. Boylestad

Los capacitores pueden ser reemplazados por “circuitos abiertos” y el resistor RG por un equivalente de
cortocircuito, puesto que IG = 0.

𝑉𝐺𝑆 = −𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆 𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷)

𝑉𝑆 = 𝐼𝐷 𝑥 𝑅𝑆 𝑉𝐺 = 0𝑉 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝑆 + 𝑉𝑆=VDD-VRD
 1.2 POLARIZACIÓN POR MEDIO DEL DIVISOR DE VOLTAJE:

Todos los capacitores, incluido el de puenteo CS, fueron reemplazados por un equivalente de
“circuito abierto”. Además, la fuente VDD se dividió en dos fuentes equivalentes para separar
aún más las regiones de entrada y salida de la red. Como IG 0, la ley de la corrientes de
Kirchhoff requiere que y se puede utilizar el circuito equivalente en serie que aparece a la
izquierda de la figura para determinar el valor del VG. El voltaje VG, igual al voltaje a través de
R2, se determina con la regla del divisor de voltaje como sigue:

𝑅2 𝑥 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 = 𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷𝑅𝑆
𝑅1 + 𝑅2

Bibliografía: [6] Robert L. Boylestad “Electrónica: Teoría de circuitos y dispositivos

electronicos” Editorial Pearson EEUU 1989.
 RESULTADOS

Ejercicio 01: 𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷. 𝑅𝐷

𝑉𝐷 = 10 − 1,47(2) = 7,06𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆. 𝑅𝑆

𝑉𝑆 = 1,47(4,7) = 6,9V

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷)

𝑉𝐷𝑆 = 10 − 1,47(2 + 4,7) = 0,15𝑉

TEÓRICO EXPERIMENTAL
ID 1,47mA 1,46mA
VD 7,06V 7,13V
VS 6,9V 4,91V
VDS 0,15V 0,17V
VP -1,5V
IDSS 20mA

𝑅4. 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅3 + 𝑅4

(1).10
𝑉𝐺 = = 5𝑉
1+1

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷. 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 5 − 𝐼𝐷. (4,7)

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − )
𝑉𝑃

5 − 𝐼𝐷(4,7) 2
𝐼𝐷 = 20(1 − )
−1,5

𝐼𝑆 ≈ 𝐼𝐷 = 1,47𝑚𝐴
Ejercicio 02:
𝑉𝐷 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷. 𝑅𝐷

𝑉𝐷 = 10 − 1,6(2) = 6,8𝑉

𝑉𝑆 = 𝐼𝑆. 𝑅𝑆

𝑉𝑆 = 1,6(4,7) = 7,52V

𝑉𝐷𝑆 = 𝑉𝐷𝐷 − 𝐼𝐷(𝑅𝑆 + 𝑅𝐷)

𝑉𝐷𝑆 = 10 − 1,6(2 + 4,7) = −0,72𝑉

TEÓRICO EXPERIMENTAL
ID 1,6mA 1,89mA
VD 6,8V 6,32V
VS 7,52V 5,84V
VDS -0,72V 0,24V
VP -5V
IDSS 6,5mA

𝑅4. 𝑉𝐷𝐷
𝑉𝐺 =
𝑅3 + 𝑅4

(1).10
𝑉𝐺 = = 5𝑉
1+1

𝑉𝐺𝑆 = 𝑉𝐺 − 𝐼𝐷. 𝑅𝑆

𝑉𝐺𝑆 = 5 − 𝐼𝐷. (4,7)

𝑉𝐺𝑆 2
𝐼𝐷 = 𝐼𝐷𝑆𝑆(1 − )
𝑉𝑃

5 − 𝐼𝐷(4,7) 2
𝐼𝐷 = 6,5(1 − )
−5
𝐼𝑆 ≈ 𝐼𝐷 = 1,6𝑚𝐴
CONCLUSIONES

SUGERENCIAS