https://www.youtube.com/watch?

v=9JKj-wlEPMY
https://www.youtube.com/watch?v=GrvvkYTW_0k
https://www.youtube.com/watch?v=AAWwn1Uc5zU
https://www.youtube.com/watch?v=t7JFf9NVGbY

Teoría:

MOSFET

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-

semiconductor Field-effect transistor) es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales
electrónicas.

El MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales llamados fuente (S, Source), drenador (D, Drain),
puerta (G, Gate) y sustrato (B, Bulk). Sin embargo, el sustrato generalmente está conectado
internamente al terminal de fuente y por este motivo se pueden encontrar dispositivos MOSFET
de tres terminales.

Con una operación y estructura completamente distintas al transistor bipolar de unión, el

transistor MOSFET fue creado al colocar una capa aislante en la superficie de un semiconductor y
luego colocando un electrodo metálico de puerta sobre el aislante. Se utilizó silicio cristalino para
el semiconductor base, y una capa de dióxido de silicio creada a través de oxidación térmica, como
aislante. El MOSFET de silicio no generaba trampas de electrones localizados entre la interfaz,

ALEXIS PEDROZA aledroza chela 5/04/2019

entre el silicio y la capa de óxido nativo, y por este motivo se veía libre de la dispersión y el
bloqueo de portadores que limitaba el desempeño de los transistores de efecto de campo
anteriores.

SÍMBOLOS DE TRANSISTORES MOSFET

Existen distintos símbolos que se utilizan para representar al transistor MOSFET. El diseño básico
consiste en una línea recta para dibujar el canal, con líneas que salen del canal en ángulo recto y
luego hacia afuera del dibujo de forma paralela al canal, para indicar la fuente y el drenaje. En
algunos casos, se utiliza una línea segmentada en tres partes para el canal del MOSFET de
enriquecimiento, y una línea sólida para el canal del MOSFET de empobrecimiento. Otra línea es
dibujada en forma paralela al canal para destacar la puerta.

La conexión del sustrato, en los casos donde se muestra, se coloca en la parte central del canal con
una flecha que indica si el transistor es PMOS o NMOS. La flecha siempre apunta en la dirección P
hacia N, de forma que un NMOS (Canal N en un sustrato P) tiene la flecha apuntando hacia
adentro (desde el sustrato hacia el canal). Si el sustrato está conectado internamente a la fuente
(como generalmente ocurre en dispositivos discretos) se conecta con una línea en el dibujo entre
el sustrato y la fuente.

FUNCIONAMIENTO
Existen dos tipos de transistores MOSFET, ambos basados en la estructura MOS. Los primeros son
los MOSFET de enriquecimiento los cuales se basan en la creación de un canal entre el drenador y
la fuente, al aplicar una tensión en la puerta. La tensión de la puerta atrae portadores minoritarios
hacia el canal, de manera que se forma una región de inversión, es decir, una región con dopado
opuesto al que tenía el sustrato originalmente. El término enriquecimiento hace referencia al
incremento de la conductividad eléctrica debido a un aumento de la cantidad de portadores de
carga en la región correspondiente al canal. El canal puede formarse con un incremento en la
concentración de electrones (en un NMOSFET o NMOS), o huecos (en un PMOSFET o PMOS). De
este modo un transistor NMOS se construye con un sustrato tipo p y tiene un canal de tipo n,
mientras que un transistor PMOS se construye con un sustrato tipo n y tiene un canal de tipo p.

Los MOSFET de empobrecimiento o deplexión tienen un canal conductor en su estado de reposo,

que se debe hacer desaparecer mediante la aplicación de la tensión eléctrica en la puerta, lo cual
ocasiona una disminución de la cantidad de portadores de carga y una disminución respectiva de
la conductividad.

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 MODOS DE OPERACIÓN

El funcionamiento de un transistor MOSFET se puede dividir en tres diferentes regiones de

operación, dependiendo de las tensiones en sus terminales.

CORTE: Cuando VGS < Vth.

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REGIÓN LINEAL U ÓHMICA: Cuando VGS > Vth y VDS < ( VGS – Vth ).

SATURACIÓN O ACTIVA: Cuando VGS > Vth y VDS > ( VGS – Vth )

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 EFECTOS DE SEGUNDO ORDEN.
Estas ecuaciones son un modelo sencillo de funcionamiento de los transistores MOSFET,
pero no tienen en cuenta un buen número de efectos de segundo orden, como, por ejemplo:

• Saturación de velocidad: La relación entre la tensión de puerta y la corriente de

drenador no crece cuadráticamente en transistores de canal corto.
• Efecto cuerpo o efecto sustrato: La tensión entre fuente y sustrato modifica la tensión
umbral que da lugar al canal de conducción.
• Modulación de longitud de canal.

APLICACIONES.
La forma más habitual de emplear transistores MOSFET es en circuitos de tipo CMOS,
consistentes en el uso de transistores PMOS y NMOS complementarios. Las aplicaciones de
MOSFET discretos más comunes son:

• Resistencia controlada por tensión.

• Circuitos de conmutación de potencia (HEXFET, FREDFET, etc).
• Mezcladores de frecuencia, con MOSFET de doble puerta.

VENTAJAS CON RESPECTO A TRANSISTORES BIPOLARES

La principal aplicación de los MOSFET está en los circuitos integrados PMOS, NMOS y
CMOS, debido a las siguientes ventajas de los transistores de efecto de campo con respecto a
los transistores bipolares:

• Consumo en modo estático muy bajo.

• Tamaño muy inferior al transistor bipolar (actualmente del orden de media micra).
• Gran capacidad de integración debido a su reducido tamaño.
• Funcionamiento por tensión, son controlados por voltaje por lo que tienen una
impedancia de entrada muy alta. La intensidad que circula por la puerta se expresa en
nano amperios.
• Los circuitos digitales realizados con MOSFET no necesitan resistencias, lo que
conlleva a un ahorro de superficie.
• La velocidad de conmutación es muy alta, siendo expresada en nanosegundos.

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Cada vez se encuentran más en aplicaciones en los convertidores de alta frecuencias y baja
potencia.

ESCALAMIENTO DEL MOSFET

Las dimensiones más importantes en un transistor MOSFET son la longitud del canal (L) y el ancho
de la puerta (W). En un proceso de fabricación se pueden ajustar estos dos parámetros para
modificar el comportamiento eléctrico del dispositivo. La longitud del canal (L) se utiliza además
para referirse a la tecnología con la cual fue fabricado el componente electrónico.

El MOSFET ha sido escalado continuamente para reducir su tamaño por varias razones. El motivo
principal es que se pueden poner más transistores en una misma área superficial, aumentando la
densidad de integración y la potencia de cálculo de los microprocesadores.

DIFICULTADES EN LA REDUCCIÓN DE TAMAÑO DEL MOSFET

Algunos de los factores que limitan el escalamiento del MOSFET son las siguientes:

• Aumento de la corriente de subumbral

• Aumento en las fugas puerta-óxido
• Aumento en las fugas de las uniones fuente-sustrato y drenador-sustrato
• Reducción de la resistencia de salida
• Reducción de la transconductancia
• Capacitancia de interconexión
• Producción y disipación de calor
• Variaciones en el proceso de fabricación
• Retos en el modelado matemático

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 PRACTICA 2 – MOSFET IRF 740

• Uso en UPS's, SMPS's, balastos, conmutación (suicheo) de alta velocidad, etc.

• Canal N
• VDSS=400 V, RDS (on)=0.54 Ω, ID=10 A, PW=134 W, VGS=±30 V, IAR=10 A
• Capacidad dV/dt mejorada
• Capacitancia, voltaje y corriente de avalancha totalmente caracterizados
• Carga de compuerta baja garantiza un manejo sencillo. 41 nC típica

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 PROCEDIMIENTO:

Características de transferencia

1. Realice el montaje del circuito de la anterior figura.

2. Ajuste VDS=10V variando V1, mantenga R1 ligeramente mayor a ¼ del valor total.

3. V2 debe estar en cero voltios ahora cambie el valor de VGS variando el valor de V2. (mantenga
R2 en el valor mínimo) y observe como cae el valor de VDS cada 0.5V de variación del voltaje VGS,
llevando VGS a 5V.

4. Repita los pasos anteriores para diferentes valores con

VDS2 = 12V. VDS3 = 15V

Voltaje umbral = 4.6 V = Vth

V1 = VDS1 = 10V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
5v
6v 1.23 mA
7v
8v 1.23 mA

V1 = VDS2 = 15 V ó 12V
VGS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0 mA
3v
4v 0 mA
4.6v 0.04 mA
6v 1.97 mA
7v
8v 1.97 mA

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 CARACTERÍSTICAS DE DRENAJE:

5. Ajustar el VG variando el valor de V2 a VTH - threshold voltaje (Voltaje umbral)

6. Variar VGS cambiando el valor de V2 en variaciones de 0.5V y anote el valor de IDS. (hasta que
IDS sea constante)
7. Repetir los pasos anteriores para diferentes valores de VGS2 = VTH ± 0.1V.
8. Llenar la tabla.

VGS =VGS1 = VTH = 4.6 V

VDS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0.06 mA
3v
4v 0.07 mA
5v
6v 0.07 mA
7v
8v 0.07 mA

VGS =VGS2 = VTH +- 0.1V = 4.7 V

VDS V IDS (mA)
0v 0 mA
1v
2v 0.07 mA
3v
4v 0.1 mA
5v
6v 0.1 mA
7v
8v 0.1 mA

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Pregunta: ¿Por qué los MOSFET no son implementados en aplicaciones de elevadas potencias?

Por su disipación de Calor, además el mosfet su principal aplicación es en saturación y corte,

SIMULACION PROTEUS.

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 FOTOGRAFICO

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ALEXIS PEDROZA aledroza chela 5/04/2019