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Difracción de rayos X.

Ley de Bragg
Vı́ctor Chaparro Parra

Resumen
En este experimento se estudia la difracción de rayos X por un cristal en función del ángulo de incidencia con el
objetivo de comprobar la ley de Bragg. Se analiza la difracción producida por una muestra de LiF y de KBr, obte-
niéndose el parámetro de red en ambos casos. Adicionalmente se utilizan los datos para la determinación experimental
del valor de la constante de Plank.

1. Introducción Dicho hueco será ocupado mediante la transición de algún


electrón de una capa más externa, con la consiguiente emi-
1.1. Rayos X sión de rayos X. A esta radiación se la conoce con el nom-
bre de radiación caracterı́stica ya que su longitud de onda
Los rayos X son fotones de alta energı́a (entre 1 y 100
depende únicamente del material del blanco. En el caso del
KeV) con una longitud de onda del orden del Å. Se pro-
tubo de rayos X, existe un potencial crı́tico Vc para el que
ducen haciendo incidir electrones sobre un blanco. Con-
se produce este tipo de radiación dando lugar a la parte
cretamente, en un tubo de rayos X los electrones emitidos
discreta del espectro de rayos X (Fig. 1). Un aumento del
por el cátodo se aceleran hacia el ánodo a través de una
potencial acelerador por encima del valor de Vc no varı́a
diferencia de potencial V . La energı́a cinética de los elec-
la longitud de onda de la radiación caracterı́stica, sólo la
trones en el cátodo puede considerarse despreciable, de tal
intensidad. Concretamente, cuando se expulsan electrones
manera que cuando alcanzan el ánodo tienen una energı́a
de la capa K (n = 1), los electrones de capas más externas
cinética dada por Ek = eV .
llenan los huecos dando lugar a las lı́neas espectrales Kα
Los electrones pueden interaccionar con los átomos del
si la transición se da desde subniveles de la capa L; Kβ
material del ánodo de varias formas. Una de ellas consiste
si la transición se da para electrones de la capa M ; · · · .
en la aceleración del electrón al pasar cerca del núcleo de
Análogamente para las restantes capas, esto es, para la L
un átomo (carga positiva). Esta aceleración de la carga
(n = 2) se tendrán las transiciones Lα , Lβ , · · · ; para la M
produce radiación electromagnética en forma de fotones
(n = 3) las transiciones Mα , Mβ , · · · , etc. Es importante
con una energı́a igual a la variación de la energı́a cinética
tener en cuenta que no todas las transiciones son posibles,
del electrón tras la interacción, esto es, Eγ = hν = ∆Ek .
sólo lo son aquellas que satisfacen las reglas de selección
Este tipo de radiación se denomina radiación de frenado o
cuánticas. Ası́, hay transiciones como la K − L1 que nunca
Bremsstrahlung, que es la responsable de la parte continua
se han observado.
del espectro de rayos X del material del ánodo. Conside-
rando el núcleo infinitamente pesado respecto al electrón,
la mayor energı́a posible de un fotón emitido se da cuando
el electrón incidente pierde toda su energı́a en una de estas
interacciones y viene dada por
hc
Eγmax = hνmax = = eV. (1)
λmin
Por tanto, existe una longitud de onda mı́nima λmin , tal
que para un potencial V no se produce radiación algu-
na con longitud de onda menor que λmin . Este valor sólo
depende de V y no del material del ánodo.
La existencia de este lı́mite pone de manifiesto la natu-
raleza corpuscular de la radiación y sólo tiene sentido bajo
el marco de la fı́sica cuántica. De acuerdo a la fı́sica clási-
ca, no existe un valor mı́nimo, siendo posibles longitudes
de onda arbitrariamente pequeñas [6].
Otra manera de producir rayos X es bombardeando un Figura 1: Ejemplo de espectro de rayos X donde se puede
material con electrones que tengan la suficiente energı́a observar la parte parte continua debida a la radiación de
como para interaccionar con los electrones de las capas in- frenado, y la parte discreta debida a la radiación carac-
ternas de los átomos, arrancándolos y dejando un hueco. terı́stica del material. Imagen obtenida de [5, pag. 75].

1
de Bragg. Además, para un sistema cúbico, existe una re-
lación entre d y el parámetro de red a dada por
a
d(h,k,l) = √ , (4)
h + k 2 + l2
2

donde el parámetro de red es el módulo del vector de tras-


lación que define la dimensión de la celda primitiva de la
red [4, 7].

Figura 2: Difracción de rayos X por una estructura cris-


talina. 2. Metodologı́a
Se hace incidir un haz de rayos X sobre una muestra
En realidad las lı́neas espectrales Kα , Kβ , Lα , Lβ , etc., cristalina a distintos ángulos, con el objetivo de estudiar
no son discretas. Existen subniveles energéticos (orbitales la difracción producida en los planos atómicos del cristal
s, p, d, ...) en cada nivel que dan lugar a la estructura fina mediante el análisis del espectro de rayos X obtenido para
del espectro. Por ejemplo, la lı́nea Kα realmente es un un determinado material.
doblete formado por dos lı́neas, la Kα,1 , que corresponde Para la generación de la radiación se ha utilizado una
a la transición desde el subnivel L3 al K; y la Kα,2 , que unidad de rayos X con ánodo de cobre y una diferencia
corresponde a la transición desde el subnivel L2 al K. Por de potencial del orden de 10 kV (suficiente para observar
tanto, la transición Kα,1 es más energética que la Kα,2 al la radiación caracterı́stica del Cu, que es de 9 kV, apro-
ser la energı́a del subnivel L3 mayor que la del L2 . Cuando ximadamente [5, pág. 75]). Dicha unidad dispone de un
no se resuelve el doblete, se suele aproximar la estructura selector de potencial acelerador que permite variar el va-
fina mediante el valor medio ponderado por las respectivas lor de éste. Como red de difracción se han empleado dos
intensidades, esto es, muestras cristalinas, una de fluoruro de litio (LiF) y otra
de bromuro de potasio (KBr). Se dispone además de un
2λKα,1 + λKα,2 contador Geiger-Muller y una interfaz Geiger-Pc que per-
λKα = . (2) mite almacenar los datos experimentales.
3

La energı́a del fotón generado por la transición de un 2.1. Descripción del sistema
electrón a un nivel inferior es igual a la diferencia de
energı́a de los niveles involucrados. Por ejemplo, para la Las longitudes de onda que se emiten preferentemente
transición entre el nivel L y K la energı́a del fotón liberado desde el ánodo de cobre se pueden calcular a partir del
será EL − EK = hc/λKα , siendo λKα la longitud de onda diagrama de niveles energéticos mostrado en Fig. 3.
correspondiente [2, 5].

1.2. Difracción. Ley de Bragg


Las estructuras cristalinas, gracias a la disposición pe-
riódica de sus átomos, se comportan como redes de difrac-
ción para los rayos X al poseer éstos una longitud de onda
del mismo orden que la distancia entre los planos atómi-
cos. Bragg demostró que cada plano refleja la radiación de
la misma manera que un espejo plano releja la luz. Con-
siderando la radiación reflejada por los distintos planos
atómicos (Fig. 2), se puede dar interferencia constructiva
entre los rayos difractados en cada plano [2]. La condición
de interferencia constructiva es que la diferencia de camino
óptico entre los dos rayos ha de ser un múltiplo entero de
la longitud de onda, esto es,

nλ = 2d(h,k,l) sin θ, (3)


Figura 3: Transiciones electrónicas permitidas entre los
donde d(h,k,l) es la distancia entre planos, siendo (h, k, l) niveles energéticos del átomo de Cu. Imagen obtenida de
los ı́ndices de Miller, utilizados para identificar unı́voca- [1].
mente un sistema de planos, y que vienen dados por el
recı́proco de las intersecciones del plano con los ejes car- Tal y como se ha comentado en Sec. 1.1, los valores
tesianos. La relación dada por Ec. (3) se conoce como ley para las distintas longitudes de onda emitidas se calculan a

2
partir de la relación ∆E = hc/λ. En la tabla 1 se muestran El cristal de KBr tiene la misma estructura que el LiF, es
los valores obtenidos.1 . decir, una red cúbica FCC con 8 átomos por celda unidad.
De manera análoga se obtiene su parámetro de red. Sa-
Longitudes de onda (en Å) biendo que su densidad es de 2.75 g · cm−3 y que las masas
Elemento λKα,1 λKα,2 λKα λKβ atómicas del Br y K son 79.904±0.001 u y 39.0983±0.0001
Cu 1.54039 1.54404 1.54161 1.39212 u respectivamente, a = 6.59935 ± 0.00004 Å.

Tabla 1: Longitudes de onda correspondientes a la radia-


ción caracterı́stica de rayos X para el Cu. 3. Resultados y discusión
Es interesante comprobar que se cumple la Ley de Mo- 3.1. Cristal de LiF
seley, que establece la existencia de una relación entre la
frecuencia de la lı́nea caracterı́stica más intensa y el núme- Para el LiF se han tomado medidas de la intensidad de
ro atómico Z del elemento del ánodo [5]. Tiene la forma la radiación reflejada para ángulos de incidencia entre 5 y
45o y para valores del potencial V de 13.0 ± 0.1, 16.0 ± 0.1,
ν = 0.248 × 1016 (Z − 1)2 , (5) 19.0 ± 0.1, 22.0 ± 0.1 y 25.0 ± 0.1 kV. Los resultados obte-
nidos se muestran en la gráfica de la figura Fig. 5, donde
es decir, existe un aumento sistemático de la frecuencia de
se representa la intensidad de la radiación (en número de
la radiación caracterı́stica a medida que aumenta el núme-
cuentas en el contador Geiger-Muller por segundo) en fun-
ro atómico. En el caso del Cu, Z = 29 lo que proporciona
18 ción del ángulo.
un valor de ν = 1.9443 × 10 Hz, esto es, λ = 1.5429 Å,
que coincide aproximadamente con λKα .
Fluoruro de Litio (LiF)
En cuanto al LiF, es un compuesto iónico que cristali- 0 10 20 30 40 50
− 2.000 2.000
za en una estructura FCC y la base tiene un ion F en
(0, 0, 0) y un ión Li+ en ( 12 , 21 , 12 ). Posee 8 átomos por celda V = 13.0 ± 0.1 kV
unitaria, 4 de cada ión (véase Fig. 4). Su densidad es de V = 16.0 ± 0.1 kV
V = 19.0 ± 0.1 kV
ρ = 2.63905 g · cm−3 . Conociendo la estructura cristalina 1.500 V = 22.0 ± 0.1 kV
V = 25.0 ± 0.1 kV
1.500

y la densidad del LiF se puede obtener su parámetro de


Intensidad [n/s]

red a. Teniendo en cuenta que la densidad es ρ = M/V ,


si nos restringimos a la celda unidad se tendrá: 1.000 1.000

nF MF + nLi MLi
ρ= , (6)
a3 500 500
donde nLi =nF = 4 (número de iones de Li y de F por
celda unidad), y MLi y MF sus masas atómicas expresada
en gramos. Sustituyendo los valores numéricos2 en Ec. (6), 0 0
0 10 20 30 40 50
se obtiene que a = 4.02654 ± 0.00009 Å.
Ángulo [o]

Figura 5: Espectro de rayos X de un monocristal de LiF


para distintos valores del potencial acelerador V del tubo
de rayos X.

Se aprecia claramente, y para todos los valores del po-


tencial V , sobre la parte contı́nua del espectro del Cu
dos máximos de difracción producidos por los rayos X
provenientes de las transiciones electrónicas del Cu, pa-
ra dos ángulos de incidencia concretos. Fijándonos en uno
de los cinco espectros (el de 25 kV, por ejemplo), el pri-
mero de los máximos corresponde a rayos X con longi-
tud de onda λKβ = 1.39212 Å y se da para un ángulo
θ = 20.1 ± 0.1o . El segundo corresponde a λKα = 1.54161
Å para θ = 22.4 ± 0.1o . Con estos datos, y mediante la ley
Figura 4: Estructura cristalina del LiF. Los cı́rculos negros de Bragg (Ec. 3), se puede obtener la distancia entre los
corresponden a los iones de F y los blancos a los de Li.
Imagen obtenida de [3, pág. 8].
planos del cristal que producen la difracción. Para n = 1
(primer orden de difracción), los valores encontrados se
1 Se ha tomado hc = 12394 eV·Å.
2 Teniendo en cuenta que 1 u = (1.66043 ± 0.00002) × 10−24 g y
muestran en la tabla 2. Comparando el valor experimen-
tal de d con el valor de a, se puede concluir que d = a/2.
que las masas atómicas del F y del Li son 18.9984032 ± 0.0000005 u
y 6.941 ± 0.002 u respectivamente, MLi = (1.1525 ± 0.0003) × 10 −23 Por otro lado, atendiendo a la relación Ec. (4), y tenien-
g y MF = (3.1546 ± 0.0003) × 10−23 g. do en cuenta los valores de d y a, los posibles valores para

3
λ (Å) θ ± 0.1(o ) d (Å) 0,035 0,04 0,045 0,05 0,055 0,06 0,065 0,07 0,075 0,08
0,24 0,24
1.54161 22.4 2.0 ± 0.5
y = (3.00 ± 0.07)∙x - (0.006 ±0.004)
1.39212 20.1 2.0 ± 0.6 0,22 R2 = 0.95 0,22

Tabla 2: Distancia entre los planos atómicos de un mono- 0,2 0,2


cristal de LiF.

sin θmin
0,18 0,18

0,16 0,16
V ± 0.1(kV) 1/V × 102 (kV−1 ) θmin ± 0.1(o ) sin θmin ± 0.002
13.0 7.69 ± 0.06 13.2 0.228 0,14 0,14
16.0 6.25 ± 0.04 9.9 0.172
19.0 5.26 ± 0.03 8.9 0.155 0,12 0,12
22.0 4.55 ± 0.02 7.2 0.125
25.0 4.00 ± 0.02 6.9 0.120 0,1 0,1
0,035 0,04 0,045 0,05 0,055 0,06 0,065 0,07 0,075 0,08
-1
Tabla 3: Valores experimentales de θmin para cada valor 1/V [kV ]
de V .

Figura 6: Ajuste lineal de los datos experimentales utili-


zado para el cálculo del valor de h.

los ı́ndices de Miller de los planos involucrados en la di- El valor de la pendiente de la recta de ajuste es A =
fracción son (200), (020), (002), (2̄00), (02̄0) y (002̄), esto 3.00±0.07 kV, por tanto, se ha encontrado un valor experi-
es, la forma denotada por {200}. mental de la constante de Planck de h = (6±2)×10−34 J·s.
Se observa cómo la parte contı́nua del espectro comienza
repentinamente para un determinado valor lı́mite de θmin , 3.2. Cristal de KBr
al que le corresponde una valor de λmin a través de la
Para el cristal de KBr se ha tomado una sola medida
relación Ec. (3). Este valor lı́mite se hace más pequeño a
del espectro de rayos X para un potencial de 25.0 ± 0.1
medida que aumenta el potencial acelerador V de acuerdo
kV. En Fig. 7 se muestran los resultados.
a Ec. (1). Sustituyendo el valor de λ dado en Ec. (1) en
Ec. (4), se obtiene una relación entre el ángulo mı́nimo que Bromuro de Potasio (KBr)
determina la energı́a máxima de la radiación, y el potencial 0 10 20 30 40 50
700 700
V , dada por
600 V = 25.0 ± 0.1 kV 600

500 500
hc 1
sin θmin = · . (7)
Intensidad [n/s]

2de V 400 400

300 300

Los datos experimentales proporcionan el valor de θmin pa- 200 200


ra cada V (tabla 3). Representando en una gráfica sin θmin
vs. 1/V , se puede realizar un ajuste a una recta y = Ax+B 100 100

por mı́nimos cuadrados (Fig. 6), y obtener de la pendiente


0 0
A el valor de la constante de Plank, ya que se tiene que3 0 10 20 30 40 50
Ángulo [o]

Figura 7: Espectro de rayos X de un cristal de KBr para


hc 2deA un potencial acelerador de 25.0 ± 0.1 kV.
A= =⇒ h = . (8)
2de c
En este caso, al igual que en el LiF, los picos más pro-
nunciados que se observan se deben a la difracción de los
rayos X del Cu del ánodo, correspondientes a las transicio-
nes electrónicas Kα y Kβ . Los dos primeros corresponden
al primer orden de difracción n = 1, los dos siguientes al
3 Valores de las constantes utilizados extraı́dos de [6]:
segundo n = 2 y los dos últimos al tercero n = 3. En la
e = (1.60120 ± 0.00002) × 10−19 C
tabla 4 se muestran los valores del ángulo para cada pico,
c = (2.997925 ± 0.000001) × 108 m·s−1 ası́ como la distancia entre planos d calculada mediante la
h = (6.62559 ± 0.00015) × 10−34 J · s ley de Bragg a partir de los valores de λ y θ. Tomando el

4
n λ θ ± 0.1 (o ) d (Å) [3] Jia-lu, Z.; You-yuan, Z. y Shi-ling, Z.:. Problems
λKβ 11.9 3.4 ± 1.5 and solutions on Solid State Physics, Relativity and
1
λKα 13.1 3±1 micellaneus topics. World Scientific.
λKβ 24.8 3.3 ± 0.7
2 [4] Kittel, Charles:. Introduction to Solid State Phy-
λKα 27.7 3.3 ± 0.6
λKβ 38.9 3.3 ± 0.4 sics. 8 edici
3
λKα 43.9 3.3 ± 0.3 [5] Rodrı́guez, M.: La difracción de rayos X. Alhambra,
Tabla 4: Valores experimentales obtenidos para la distan-
1982.
cia entre los planos involucrados en la difracción de rayos
X del KBr. [6] Wichmann, E. H.: Quantum Physics. volumen 4 de
Berkeley Physics Course. McGraw-Hill, 1971.

valor medio, se tiene que d¯ = 3.3 ± 0.8 Å. En este caso [7] Wikipedia, Colaboradores: ((Ley de Bragg)), 2015.
también se cumple que d = a/2. https://es.wikipedia.org/w/index.php?title=
Ley_de_Bragg&oldid=83070848

4. Conclusiones
La primera parte del experimento ha permitido com-
probar varios hechos relativos a la generación de rayos X
en un tubo, destacando la comprobación de la existencia
de un valor mı́nimo de λ por debajo del cual no se emite
radiación X de frenado, hecho éste que sólo se puede expli-
car bajo el marco de la teorı́a cuántica. Ası́ mismo se han
podido observar los picos de la radiación caracterı́stica del
material del ánodo, el Cu, para distintos valores del poten-
cial acelerador del tubo. Se comprueba como un aumento
del potencial por encima del valor crı́tico no implica una
variación en la longitud de onda caracterı́stica, sino sólo
un aumento en la intensidad de los picos.
A través de la difracción de los rayos X del Cu, se ha
estudiado la estructura cristalina de dos sólidos iónicos,
el LiF y el Kbr, obteniéndose valores experimentales para
la distancia entre planos atómicos del LiF y del KBr de
2.0 ± 0.6 Å y 3.3 ± 0.8 Å respectivamente, que no superan
en ningún caso el 1 % de error respecto al valor teórico
calculado a partir de a. A partir de los distintos espec-
tros del LiF para diferentes valores de V , se ha podido
comprobar experimentalmente la ley de Bragg encontran-
do un valor experimental para la constante de Planck de
(6.6 ± 2) × 10−34 J · s, que difiere en aproximadamente el
9 % del valor consultado en la literatura.
A la vista de los resultados se puede concluir que los
rayos X son apropiados para el estudio de la estructura
cristalina de los sólidos. Algunas de las fuentes de error en
este experimento son los posibles desajustes en el mecanis-
mo θ − 2θ del detector de la radiación, ası́ como posibles
defectos de las superficies de los cristales utilizados.

Referencias
[1] contributors, Wikipedia: ((K-alpha)), 2015.
https://en.wikipedia.org/w/index.php?title=
K-alpha&oldid=662759185
[2] Gautreau, R. y Savin, W.:. Theory and Problems
of Modern Physics. Schaum’s Outline Series. McGraw-
Hill.

5
Determinación de la anchura de la banda prohibida del Germanio
Vı́ctor Chaparro Parra
agosto de 2015

Resumen
En este experimento se ha estudiado el comportamiento de la conductividad σ en función de la temperatura T
para un material semiconductor intrı́nseco, con el fin de determinar experimentalmente el valor del ancho de la banda
prohibida Eg . Para ello se ha medido el voltaje y la corriente a través de una muestra de germanio en función de la
temperatura. A partir de estas medidas, y conociendo las dimensiones
 de la muestra, se ha calculado el valor de σ
Eg
para cada T . Finalmente, teniendo en cuenta que σ = σ0 exp − 2KB T , se ha realizado un ajuste lineal de ln σ vs.
1/T que permite obtener el valor de Eg a partir de la pendiente de la recta.

1. Introducción a la de conducción, generando ası́ el par electrón-hueco.


Una consecuencia inmediata es que la conductividad de-
En los sólidos la energı́a disponible para los electrones penderá de la temperatura, ya que a mayor temperatura,
permite distinguir entre aislantes, conductores y semicon- mayor agitación térmica y, por tanto, mayor número de
ductores. Los estados energéticos de los electrones se en- electrones y huecos. La conductividad total viene dada
cuentran muy cerca los unos de los otros formando bandas. por la suma de la debida a los electrones más la debida a
La banda prohibida o gap es un rango de energı́as para el los huecos, esto es,
que no existe ningún estado electrónico. En los aislantes
σ = neµn + peµp , (1)
la banda de valencia y la de conducción están separadas
por un gap grande, mientras que en los buenos conducto- donde n es la concentración de electrones, p la de huecos,
res ambas bandas se solapan. En el punto intermedio se e la carga del electrón, µn la movilidad 2 de los electrones
encuentran los semiconductores, que poseen un gap entre y µp la de los huecos. En el caso intrı́nseco, cada electrón
la banda de valencia y la de conducción mucho menor que de conducción genera un hueco, por lo que n = p ≡ ni y
en los aislantes. De esta forma, si se le suministra energı́a se tendrá
al sólido, electrones de valencia pueden pasar a la banda σ = ni e(µn + µp ). (2)
de conducción y convertirse ası́ en conductor. Aplicando la mecánica estadı́stica se puede obtener el
En los conductores la carga es transportada por los elec- valor de n integrando el producto de la densidad de esta-
trones mientras que en los semiconductores, la corriente es dos g(E) por la probabilidad de ocupación de cada estado
transportada tanto por los electrones como por los huecos f (E) a lo largo de toda la banda de conducción, es decir,
cargados positivamente. Z ∞
Atendiendo a la existencia o no de impurezas, los semi- n= g(E)f (E)dE, (3)
conductores se clasifican en intrı́nsecos y extrı́nsecos. Un Ec

semiconductor intrı́nseco no posee impurezas, coincidiendo donde Ec es el valor inferior de la banda de conducción.
el número de electrones y de huecos. En un semiconductor La probabilidad f (E) viene dada por la distribución de
extrı́nseco, por el contrario, existen impurezas que cam- Fermi-Dirac. Sin embargo, a las temperaturas de interés
bian el número relativo y el tipo de portadores de carga. se puede suponer que para la banda de conducción de un
semiconductor, E − EF  kB T , siendo EF la energı́a del
1.1. Conductividad eléctrica en semicon- nivel de Fermi. Por tanto f (E) se puede aproximar a una
distribución de Boltzmann obteniéndose que3
ductores intrı́nsecos  
Ec − Ef
El principal mecanismo por el que se produce conduc- n = N c exp − ; (4)
kB T
1
ción intrı́nseca es la agitación térmica de los electrones,  
Ef − Ev
mediante la cual adquieren la energı́a suficiente para su- p = Nv exp − , (5)
kB T
perar la banda prohibida y pasar de la banda de valencia
2 La movilidad µ relaciona la velocidad de deriva de los electro-
1 También se da en los semiconductores extrı́nsecos a temperatu- nes vd con el campo eléctrico aplicado al material E a través de la
ras suficientemente altas para las cuales se ha superado la región de ecuación vd = µE.
saturación, en la que todas las impurezas están ionizadas y ya no 3 Un cálculo detallado de estas magnitudes puede consultarse en
contribuyen a la conductividad del material. [2] y en [3].

1
Serie de medidas 1 Serie de medidas 2
donde Nc y Nv son la densidades de estados efectivas en VT ± 0.1 [mV] I ± 0.1 [mA] V ± 0.01 [V] VT ± 0.1 [mV] I ± 0.1 [mA] V ± 0.01 [V]
los bordes de conducción y de valencia, respectivamente. 5.6
5.2
26.5
26.2
0.25
0.31
5.6
5.2
26.5
26.3
0.25
0.31
Teniendo en cuenta que en el caso intrı́nseco n = p, la 4.8 25.9 0.38 4.8 25.9 0.39
4.4 25.4 0.47 4.4 25.4 0.48
concentración de portadores de carga intrı́nsecos será 4.0 24.8 0.59 4.0 24.8 0.59
  3.6 24.0 0.73 3.6 24.0 0.73
√ 1/2 Eg 3.2 23.0 0.90 3.2 23.0 0.91
ni = np = (Nc Nv ) exp − , (6) 2.8 21.7 1.15 2.8 21.7 1.15
2kB T 2.4 20.0 1.45 2.4 20.0 1.46
2.0 18.1 1.82 2.0 18.2 1.80
1.6 15.8 2.23 1.6 15.7 2.26
donde Eg = Ec − Ev es la energı́a del gap. Sustituyendo 1.2 13.2 2.72 1.2 13.2 2.72
0.8 10.6 3.19 0.8 10.6 3.19
el valor de ni en Ec. (2) se obtiene
Tabla 1: Valores experimentales obtenidos para VT , V y
 
Eg
σ = σ0 exp − , (7) I en las dos series de medidas realizadas.
2kB T
1/2
donde σ0 = (Nc Nv ) e (µn + µp ) es aproximadamente hV i ± 0.01 [V] hIi ± 0.1 [mA] T ± 3 [o K] σ [S·m−1 ]
0.25 26.5 433 212 ± 9
constante para temperaturas no muy altas4 . Se tiene pues
0.31 26.3 423 169 ± 6
que la conductividad intrı́nseca σ aumenta con la tempe-
0.39 25.9 413 135 ± 4
ratura. Para temperaturas suficientemente altas, esto es,
0.48 25.4 403 107 ± 3
cuando Eg  KB T )), σ −→ σ0 . 0.59 24.8 393 84 ± 2
0.73 24.0 383 66 ± 1
0.91 23.0 373 50.8 ± 0.8
2. Metodologı́a 1.15 21.7 363 37.7 ± 0.5
1.46 20.0 353 27.5 ± 0.3
El objetivo de este experimento es medir la conductivi-
1.81 18.2 343 20.1 ± 0.2
dad de un semiconductor intrı́nseco en función de la tem-
2.45 15.8 333 14.0 ± 0.2
peratura y obtener el ancho de la banda prohibida a par- 2.72 13.2 323 9.7 ± 0.1
tir de estas medidas. Se dispone para ello de una muestra 3.19 10.6 313 6.6 ± 0.1
de germanio de longitud l = 20 mm y sección transver-
sal s = 10 mm2 . El montaje experimental puede verse Tabla 2: Valores experimentales para la conductividad del
en Fig.1. Se coloca el germanio en un circuito cerrado. germanio en función de la temperatura. La temperatura
se ha obtenido a partir de Ec. (8) para cada valor de VT
A través de un amperı́metro en serie con la muestra se registrado en la tabla 1.
mide la intensidad de corriente I que pasa por ella. Un
voltı́metro colocado en paralelo sirve para medir la caı́da
de tensión V entre los extremos. Una vez alcanzada dicha temperatura, durante el enfria-
miento se toman medidas de la tensión del termopar VT ,
de la de la muestra V y de la intensidad de corriente I que
la atraviesa.

3. Resultados
Los valores medidos de VT , I y V se muestran el la tabla
1. Conociendo I y V se puede calcular la conductividad
del germanio para distintos valores de VT (y por ende, de
la temperatura T ) a través de

I l
Figura 1: Circuito utilizado para medir el ancho de la σ= · . (9)
banda prohibida del germanio. V s
Se ha tenido en cuenta que σ = 1/ρ, donde ρ es la resisti-
El semiconductor se caliente hasta unos 160 o C a través vidad, y que la resistencia está relacionada con ρ mediante
de un circuito calefactor pegado a la placa de la muestra. R = V /I = ρ(l/s). Los resultados pueden consultarse en
A partir de la medida de la tensión VT provocada por la tabla 2. Para los cálculos se han utilizado los valores
un termopar conectado a la placa, se puede calcular la medios de V e I obtenidos en las dos series de medidas
temperatura de la muestra mediante la relación realizadas.
VT En Fig. 2 se puede ver la gráfica de σ vs. T obtenida a
T = + 293 (o K). (8)
40 × 10−6 partir de los datos experimentales de la tabla 2. Se observa
4 Sepuede demostrar que ni también depende de la temperatura
la dependencia aproximadamente exponencial de σ con T ,
como T 3/2 , pero para Eg  kB T , domina la variación exponencial como era de esperar en el rango de temperaturas en el que
[3]. se han llevado a cabo las mediciones.

2
300 320 340 360 380 400 420 440
250 250

200 200

150 150
σ [S·m-1]

100 100

50 50

0 0 Figura 4: Dependencia de la anchura de la banda prohi-


300 320 340 360 380 400 420 440 bida del Ge respecto a la temperatura. Imagen obtenida
temperatura [K] de [3, pág.89].

Figura 2: Gráfica que representa los valores experimen-


tales de la conductividad en función de la temperatura. En el caso de la conductividad hay tener en cuenta que
Como era de esperar σ crece con T . Eg tiene cierta dependencia con T . En el rango de tem-
peraturas de este experimento, para el germanio la de-
pendencia es lineal dada por Eg = Eg0 − αT , donde Eg0
Teniendo en cuenta la relación dada en Ec. (9), tomando es el valor del gap a 0 o K. [1](véase Fig. 4). Los valores
E
logaritmos se tiene que ln σ = ln σ0 − 2kgB · T1 . Por tanto, re- consultados de Eg0 y a 300 o K son 0.74 y 0.67 eV, respec-
presentando en una gráfica ln σ vs. 1/T se pueden ajustar tivamente. Ası́ pues, el valor experimental está próximo
los valores a una recta y = Ax+B por mı́nimos cuadrados a éste último, al haberse realizado el experimento en un
(Fig. 3). A partir de la pendiente A se calcula el valor del rango de temperaturas para el semiconductor de entre 300
gap Eg como sigue: y 400 o K.

Eg
A= =⇒ Eg = 2kB A. (10)
2kB 4. Conclusiones
El experimento ha permitido estudiar el comportamien-
2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 to de la conductividad eléctrica de un material semicon-
5,5 5,5 ductor intrı́nseco en función de la temperatura. Se ha com-
5
y = (14.42 ± 0.06) - (3920 ± 20)·x
2 5
probado la existencia de una fuerte dependencia entre am-
R = 0.9998
bas magnitudes, reflejo de la también fuerte dependencia
4,5 4,5 que hay entre la concentración de portadores de carga con
4 4 la temperatura.
En particular, se ha obtenido a partir de las medidas de
Ln(σ)

3,5 3,5
la conductividad del germanio a distintas temperaturas,
3 3 el valor del ancho de la banda prohibida con un resultado
que es un 0.6 % superior al valor consultado en la litera-
2,5 2,5
tura para T = 300 o K, diferencia que puede ser en parte
2 2 atribuible a la leve dependencia lineal del gap con la tem-
1,5 1,5
peratura en el rango de temperaturas utilizado. En el caso
2,2 2,4 2,6 2,8 3 3,2 3,4 de σ0 cabe recordar que sólo representa un lı́mite del valor
1/T × 10-3 [K-1] de σ a temperaturas muy altas. Además, tal y como se
comentó en Sec. 1.1, es sólo aproximadamente constante
Figura 3: Ajuste lineal de los datos experimentales utili- para temperaturas no demasiado elevadas.
zado para el cálculo de Eg y σ0 .
Una posible fuente de error en este experimento, además
de los accidentales, es que la muestra de germanio no
Se ha encontrado un valor para A de 3920 ± 20 o K, por esté libre de impurezas en su totalidad, pudiendo existir
lo que el valor experimental del gap del germanio es de un número pequeño de ellas que contribuyan a la conduc-
Eg = 0.676 ± 0.003 eV5 . Por otro lado, teniendo en cuenta tividad. Por otro lado también hay que considerar que T
que la ordenada en el origen es B = ln σ0 = 14.42 ± 0.06, se ha calculado a través de Ec. (8), asumiendo que la tem-
se obtiene un valor experimental de σ0 = (1.8 ± 0.1) × 106 peratura del laboratorio es siempre constante e igual a 293
o
S·m−1 . K. Sin embargo, a parte de que se tomó este valor como
una mera aproximación, sin tomar ningún tipo de medi-
5 Se ha tomado k = 8.6173324 × 10−5 eV· o K−1 . da, el valor de la temperatura pudo fluctuar a lo largo
B

3
del experimento. Esto puede llegar a introducir variacio-
nes en los resultados experimentales, habida cuenta de la
dependencia exponencial entre σ y T .

Referencias
[1] Ashcroft, N. W. y Mermin, N. D.: Solid State
Physics, 1976.
[2] Kittel, Charles:. Introduction to Solid State Phy-
sics.
[3] Shalı́mova, K.V.: Fı́sica de los semiconductores,
1975.