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Iluminación
Revelado de la
fotoresina
(development)
Grabado (etching)
de la película de
polisilicio
Eliminación de la
fotoresina
(stripping)
Tamaño típico de partículas
presentes en la atmósfera
Difracción de la luz
lm
Eje de θ
la lente
Δz
lente
máscara Plano de mejor
enfoque
http://www.gigaphoton.es
KrF
ArF
node node
λ= 193 nm node
R. Goldman, Synopsys
RET
Corrección óptica de proximidad OPC (Optical proximity correction)
Resolución:
lm = k1 λ/NA, siendo NA = n·senθ
n(aire) =1; n(agua)=1.4
La litografía de inmersión
mejora la profundidad de
foco con respecto a la
litografía convencional (seca)
al menos en un factor igual al
índice de refracción del fluido.
En la figura, λ=193nm, n=1.46
(C.A. Mack, KLA-Tencor,
Austin, TX, USA)
Ver http://www.asml.com/immersion
DOUBLE EXPOSURE
1 3
2 4
RET
λ=13.5 nm
SCALPEL
SCattering with Angular Limitation Projection Electron beam Lithography
• Litografía de haz de electrones. (1989 Bell Laboratories)
• FUNDAMENTO: La diferente dispersión del haz de electrones por los distintos
componentes de la máscara.
• Las máscaras están compuestas por una membrana de elementos ligeros, que dispersan
poco el haz, y por elementos pesados, que definen el motivo a grabar y que dispersan
mucho el haz.
• La apertura en el plano focal bloquea los haces fuertemente desviados y deja pasar los
de-más, dando lugar a una imagen de alto contraste sobre la resina.
NGLs
λ=13.5 nm