MOSFET de empobrecimiento

Para que un transistor de efecto de campo funcione no es necesario suministrar

corriente al terminal de puerta o graduador. Teniendo en cuenta esto, se puede
aislar totalmente la estructura de la puerta de la del canal. Con esta disposición se
consigue eliminar prácticamente la corriente de fuga que aparecía en dicho
terminal en los transistores JFET. En la siguiente figura se puede apreciar la
estructura de un MOSFET de canal N.

Este componente, puede funcionar tanto en la forma de empobrecimiento como de

enriquecimiento, como puede observarse en la siguiente figura:
La forma de trabajo de empobrecimiento se explica debido a que los electrones de
la fuente pueden circular desde el surtidor hacia el drenado a través del canal
estrecho de material semiconductor tipo N. Cuanto mayor sea la diferencia de
potencial VDDaplicada por la fuente, mayor será esta corriente. Como ocurría con
el JFET, la tensión negativa, aplicada a la puerta, produce un estrechamiento en el
canal, debido al empobrecimiento de portadores, lo que hace que se reduzca la
corriente de drenador. Aquí se aprecia claramente que, el fenómeno de control se
realiza a través del efecto del campo eléctrico generado por la tensión VGG de la
puerta.
Debido a que la puerta está aislada del canal, se puede aplicar una tensión
positiva de polarización al mismo. De esta manera, se consigue hacer trabajar al
MOSFET en enriquecimiento. Efectivamente, la tensión positiva del graduador
provoca un aumento o enriquecimiento de electrones libres o portadores en el
canal, de tal forma que, al aumentar la tensión positiva VGG, aumenta también la
corriente de drenador.

-Construcción (canal N, canal P)

MOSFET significa “FET de Metal Oxido Semiconductor” o FET de compuerta
aislada. Es un tipo especial de transistor FET que tiene una versión NPN y otra
PNP. El NPN es llamado MOSFET de canal N y el PNP es llamado MOSFET de
canal P.
Una delgada capa de material aislante formada de dióxido de silicio (SiO2)
(también llamada “sílice” o “sílica”) es colocada del lado del semiconductor y una
capa de metal es colocada del lado de la compuerta (GATE) (ver la figura).

En el MOSFET de canal N la parte “N” está conectado a la fuente (source) y al

drenaje (drain) En el MOSFET de canal P la parte “P” está conectado a la fuente
(source) y al drenaje (drain)
En los transistores bipolares la corriente que circula por el colector es controlada
por la corriente que circula por la base. Sin embargo en el caso de los transistores
FET, la corriente de salida es controlada por una tensión de entrada (un campo
eléctrico). En este caso no existe corriente de entrada. Los transistores
MOSFET se pueden dañar con facilidad y hay que manipularlos con cuidado.
Debido a que la capa de óxido es muy delgada, se puede destruir con facilidad si
hay alta tensión o hay electricidad estática.

-Como trabaja.
Un MOSFET es un dispositivo semiconductor utilizado para la conmutación y
amplificación de señales. El nombre completo, Transistor de Efecto de Campo
de Metal-Óxido-Semiconductor (Metal Oxide Semiconductor Field Effect
Transistor, MOSFET) se debe a la constitución del propio transistor.
-Ecuaciones (curvas de transferencia)

Curvas características
En la siguiente figura, abajo a la izquierda, se muestra el ejemplo de una familia de
curvas de drenador de un MOSFET de empobrecimiento de canal N.
Obsérvese cómo en esta curva aparecen tanto tensiones negativas de
VGS (trabajo en modo de empobrecimiento), como positivas (trabajo en modo de
enriquecimiento). La corriente más elevada se consigue con la tensión más
positiva de VGS y el corte se consigue con tensión negativa de VGS(apag).
De esta familia de curvas se puede obtener la curva de transconductancia, que
nos indica la relación que existe entre VGS e ID. Ésta posee la forma que se
muestra en la siguiente curva abajo a la derecha:

Obsérvese cómo esta curva aparece dibujada en los dos cuadrantes del eje de
tensiones. Esto es debido a que el MOSFET puede operar tanto con tensiones
positivas como negativas. Por esta razón, la corriente IDSS, correspondiente a la
entersección de la curva con el eje ID, ya no es la de saturación.
Como ocurría con el JFET, esta curva de trasconductancia es parabólica y la
ecuación que la define es también:

Según se puede apreciar en la curva de transconductancia de un MOSFET, este

tipo de transistor es muy fácil de polarizar, ya que se puede escoger el punto
correspondiente a VGS=0, ID=IDSS. Cuando éste queda polarizado así, el transistor
queda siempre en conducción o, normalmente, encendido.

MOSFET de inducción (enriquecimiento)

-Funcionamiento:
Para obtener corriente drenador,se tiene que aplicar un voltaje positivo en el
graduador de la compuerta.

Este tipo de MOSFET está diseñado de tal manera que sólo admite la forma de
trabajo en modo de enriquecimiento. La aplicación fundamental de este transistor
se realiza en circuitos digitales, microprocesadores, etc.

-Poralizaciones:
 Poralizacion con graduador.
 Poralizacion con divisor de voltaje
 Retroalimentación de drenador
-Ecuaciones ( curva de transferencia)

En las siguientes figura (a), se muestran un ejemplo de las curvas de drenador y

en la (b) las de transconductancia de este tipo de MOSFET.
Como se podrá observar en las curvas características, este transistor sólo
conduce cuando son aplicadas tensiones positivas al drenador, por lo que
normalmente estará en no conducción o apagado.
El símbolo que representa al MOSFET de enriquecimiento son los que se indican
en las siguientes figuras, siendo el (a) de enriquecimiento y canal N y en el (b)
MOSFET de enriquecimiento y canal P.

Observa cómo la línea del canal en estos transistores se representa como una
línea punteada.