SEMICONDUCTORES DE POTENCIA

Electrónica de potencia. Es una de las ramas de la ingeniería eléctrica, en ella se combina

la energía, la electrónica y el control. Principalmente se usa en fábricas y talleres en los que se
controlen equipos consumidores de alta potencia.

Semiconductores de potencia. Dispositivos construidos con el SiC (carburo de silicio), el GaN

(nitruro de galio) y el diamante, que han arraigado firmemente en aplicaciones de
alta tensión y alta intensidad para controlar potencias de salida de entre un megavatio y
varios gigavatios.

INTRODUCCION

La introducción de la tecnología de transmutaciónde neutrones en los años setenta del pasado

siglo hizo posible la fabricación de dispositivos semiconductores de potencia con tensiones de
bloqueo de más de 1.000 V. Sólo esta técnica permite producir silicio con la homogeneidad de
dopado requerida, en esta categoría de tensiones el tiristor era el único dispositivo cuya
tecnología se dominaba correctamente.

Pero sus aplicaciones eran muy limitadas, ya que este dispositivo no permitía el corte
de Corriente alterna cuando el usuario lo necesitaba. En los años ochenta y noventa se unieron
al tiristor varios dispositivos con capacidad de corte: el tiristor de corte de puerta o GTO (Gate
Turn-Off Thyristor) y, posteriormente, El Transistor Bipolar con puerta aislada o IGBT (Insulated
Gate Bipolar Transistor) y el tiristor conmutado con puerta integrada o IGCT (Integrated Gate
Commutated Thyristor).

Dado que la eficiencia y fiabilidad de los dispositivos semiconductores depende estrechamente

de las condiciones de servicio y del diseño físico del sistema (eléctrico, térmico, mecánico).

Objetivos del diseño del IGBT y del IGCT

200px1Tiristor de alta

El objetivo común del diseño de interruptores para semiconductores de potencia de alta

tensión (cuyos tipos más conocidos son el IGBT y el IGCT) es optimizar la combinación de la
potencia en estado de conducción y las pérdidas en corte. En términos prácticos, esto significa
que el semiconductor debe tener la mínima caída de tensión posible en la fase de conducción
(es decir, debe crearse un plasma denso) sin que se originen pérdidas excesivamente altas en
corte cuando se suprime el exceso de carga.

El dopado del cuerpo de silicio de los semiconductores de potencia, es decir, la conductividad

del sustrato, ha de reducirse continuamente y aumenta la tensión de ruptura buscada. En
consecuencia, componentes que en estado activo pueden confiar en la conductividad de su
substrato (los componentes unipolares o de portadores mayoritarios, como el MOSFET de
potencia y el diodo Schottky), presentan capacidades de bloqueo superiores a 2001.000 V en
estado de conducción, demasiado altas para funcionar económicamente (el límite depende del
tipo de componente y de la aplicación). Consecuentemente, los semiconductores de potencia
de silicio de más de 600 V se suelen diseñar como dispositivos modulados por conductividad
(plasma). El interior de un dispositivo de este tipo está saturado con un gran número de
portadores de cargas positivas y negativas.

Grosor de los semiconductores

Plasma del IGCT

El grosor mínimo de un semiconductor de potencia está predeterminado por la capacidad

deseada de bloqueo y por la intensidad del campo de ruptura del silicio.

La principal diferencia entre el IGBT e IGCT, es que el IGCT crea un plasma denso cerca del
cátodo, mientras que el exceso de densidad de carga en el IGBT cae de forma relativamente
brusca del ánodo al cátodo.

El semiconductor debe tener la mínima caída de tensión posible en la fase de conducción sin
que se originen pérdidas excesivamente altas en corte cuando se suprime el exceso de carga.
Además de la concepción con un cierto grosor adicional, la ruptura brusca se puede reducir
mediante una hábil distribución de dopados en el lado del ánodo del componente. Los
fabricantes emplean diferentes nombres para conceptos que son similares (al menos en su
acción), por ejemplo, SPT (Soft Punch Through, Suave Perforación) o FS (Field Stop, Parada de
Campo). Debe señalarse también que para los usuarios es más importante que nunca limitar
en lo posible las inductancias parásitas en sus sistemas, debido al diseño más agresivo de los
componentes modernos.Esta norma especifica aproximadamente 1-3 FIT (fallos por unidad de
tiempo) por cm de área superficial de componente, que corresponde a entre 1 y 3 fallos por
cada mil millones de horas de operación y cm . La prueba de la tasa de fallos de nuevos
componentes se suele obtener hoy día mediante bombardeo de protones o neutrones en
aceleradores, que simula con suficiente exactitud el efecto de la radiación cósmica natural.

VENTAJAS

En inversores de fuente de tensión sin limitación di/dt externa (como los circuitos típicos
IGBT), dicha limitación ha de tener lugar mediante control del propio dispositivo de
conmutación, lo que causa pérdidas sustanciales de conexión.

En inversores con altas tensiones, la combinación de las pérdidas de conexión del interruptor y
las pérdidas derecuperación del diodo constituyen entre el 40 y 60 por ciento de las pérdidas
totales del inversor, dependiendo de la frecuencia de conmutación.
Pérdidas de conexión notablemente menores tienen lugar en un interruptor de silicio utilizado
con un limitador di/dt pasivo,liberando al dispositivo de carga térmica y, en consecuencia,
permitiendo en principio una mayor potencia de salida parael inversor. Sin embargo, debe
señalarse que a pesar de todo se producen pérdidas, dado que se transfieren al circuito de
circulación libre del limitador de di/dt.

DIODOS DE POTENCIA

Diodos de potencia. Componente electrónico ampliamente utilizado en

la electrónica de potencia. A diferencia de los diodos de baja potencia estos se caracterizan por
ser capaces de soportar una alta intensidad con una pequeña caída de tensión en estado de
conducción y en sentido inverso, deben ser capaces de soportar una fuerte tensión negativa de
ánodo con una pequeña intensidad de fugas.

CARACTERÍSTICAS

La curva característica se muestra a continuación en la figura VII.

Las características más importantes del diodo podemos agrupar de la siguiente forma:

Características estáticas

Parámetros en bloqueo (polarización inversa).

Parámetros en conducción.

Modelo estático.

Parámetros en bloqueo

Tensión inversa de trabajo (VRWM):Tensión inversa máxima que puede ser soportada por el
diodo de forma continuada sin peligro de avalancha.

Intensidad de pico repetitivo (IFRM):Máxima intensidad que puede ser soportada cada 20 ms
por tiempo indefinido, con duración de pico de 1ms a determinada temperatura de la cápsula.

Intensidad de pico único (IFSM):Es el máximo pico de intensidad aplicable por una vez cada 10
minutos o más, con duración de pico de 10ms.

Modelo estático

Figura II.

Los distintos modelos del diodo en su región directa (modelos estáticos) se representan en la
figura II. Estos modelos facilitan los cálculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado según el nivel de precisión que necesitemos. Estos modelos se suelen emplear para
cálculos a mano, reservando modelos más complejos para programas de simulación como
PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el fabricante, e incluso pueden venir ya
en las librerías del programa. a) Modelo Ideal b) Diodo ideal en serie con fuente de tensión. c)
Diodo ideal en serie con fuente de tensión y con la resistencia del diodo en conducción.

Características dinámicas

 Tiempo de recuperación inverso (trr).

 Influencia del trr en la conmutación.
 Tiempo de recuperación directo.

Tiempo de recuperación inverso:El paso del estado de conducción al de bloqueo en el diodo no

se efectúa instantáneamente. Si un el diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la
zona central de la unión P-N está saturada de portadores mayoritarios con tanta mayor
densidad de éstos cuanto mayor sea IF.

ta(tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la

intensidad hasta llegar al pico negativo.

tb(tiempo de caída): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que
ésta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unión polarizada en inverso. En la
práctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de éste.

trr(tiempo de recuperación inversa): es la suma de ta y tb.

La relación entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".

Influencia del trr en la conmutación: Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es

despreciable :

Se limita la frecuencia de funcionamiento.

Existe una disipación de potencia durante el tiempo de recuperación inversa.

Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperación rápida. Factores de los
que depende trr :

A mayor IRRM menor trr.

Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor será la capacidad
almacenada, y por tanto mayor será trr.

POTENCIA

Potencia máxima disipable.

Potencia media disipada.

Potencia inversa de pico repetitivo.

Potencia inversa de pico no repetitivo.

Potencia máxima disipable (Pmáx):Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar,
pero no debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento,
llamada ésta potencia de trabajo.

Características térmicas

Temperatura de la unión (Tjmáx):Es el límite superior de temperatura que nunca debemos

hacer sobrepasar a la unión del dispositivo si queremos evitar su inmediata destrucción. En
ocasiones, en lugar de la temperatura de la unión se nos da la "operating temperature range"
(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado
para funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mínimo
y otro máximo.

EL TIRISTOR

El tiristor es una familia de componentes electrónicosconstituido por

elementos semiconductores que utiliza realimentacióninterna para producir una
conmutación.1 Los materiales de los que se compone son de tipo semiconductor, es decir,
dependiendo de la temperatura a la que se encuentren pueden funcionar como aislantes o
como conductores. Son dispositivos unidireccionales (SCR) o bidireccionales (Triac) o (DIAC). Se
emplea generalmente para el control de potencia eléctrica.

Para los SCR el dispositivo consta de un ánodo y un cátodo, donde las uniones son de tipo P-N-
P-N entre los mismos. Por tanto se puede modelar como 2 transistores típicos P-N-P y N-P-N,
por eso se dice también que el tiristor funciona con tensión realimentada. Se crean así 3
uniones (denominadas J1, J2, J3 respectivamente), el terminal de puerta está a la unión J2
(unión NP).

Algunas fuentes definen como sinónimos al tiristor y al rectificador controlado de silicio

(SCR);2 Aunque en realidad la forma correcta es clasificar al SCR como un tipo de tiristor, a la
par que los dispositivos DIAC y TRIAC.

EL TRANSISTOR BIPOLAR

El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del inglés Insulated Gate
Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductorque generalmente se aplica como
interruptor controlado en circuitos de electrónica de potencia. Este dispositivo posee las
características de las señales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad
de alta corriente y bajo voltaje de saturación del transistor bipolar, combinando una puerta
aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo
dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las
características de conducción son como las del BJT.

El transistor IGBT es adecuado para velocidades de conmutación de hasta 100 kHz y ha

sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energía
como fuente conmutada, control de la tracción en motores y cocina de inducción. Grandes
módulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar
altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.

Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington híbrido. Tiene la capacidad de manejo
de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en
conducción. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutación de la base pueden ser
igualmente altas. En aplicaciones de electrónica de potencia es intermedio entre los tiristores y
los MOSFET. Maneja más potencia que los segundos siendo más lento que ellos y lo inverso
respecto a los primeros.