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osto

Dissertação apresentada à Pró–Reitoria de Pós-Graduação e Pesquisa do


Instituto Tecnológico de Aeronáutica, como parte dos requisitos para obtenção
do título de Mestre em Ciências no Programa de Pós–Graduação em Ciências e
Tecnologias Espaciais, Área de Física e Matemática Aplicadas.

Suzy Fátima Lemos Nogueira

ESTUDO DE UM DETECTOR SEMICONDUTOR DE


RADIAÇÃO IONIZANTE DE INTERESSE AEROESPACIAL,
BASEADO EM UM FOTODIODO PIN.

Dissertação aprovada em sua versão final pelos abaixo assinados:

Prof. Dr. Claudio Antonio Federico


Orientador

Prof. Dr. Luiz Carlos Sandoval Góes


Pró-Reitor de Pós-Graduação e Pesquisa

Campo Montenegro
São José dos Campos, SP, Brasil.
2016
Verso da Folha de Rosto
Dados Internacionais de Catalogação-na-publicação (CIP)
Divisão de Informação e Documentação
Nogueira, Suzy Fátima Lemos
Estudo de um detector semicondutor de radiação ionizante de interesse aeroespacial, baseado em um
fotodiodo PIN / Suzy Fátima Lemos Nogueira.
São José dos Campos, 2016.
111f.

Dissertação de Mestrado – Curso de Ciências e Tecnologias Espaciais. Área de Física e Matemática


Aplicadas – Instituto Tecnológico de Aeronáutica, 2016. Orientador: Prof. Dr. Claudio A. Federico

1. Raios cósmicos. Radiação ionizante; Detectores Semicondutores; Fotodiodo PIN I. Instituto


Tecnológico de Aeronáutica. II. Estudo de um detector semicondutor de interesse aeroespacial, baseado em
um fotodiodo PIN.

REFERÊNCIA BIBLIOGRÁFICA
NOGUEIRA, Suzy F. L. Estudo de um detector semicondutor de radiação ionizante de
interesse aeroespacial, baseado em um fotodiodo PIN. 2016.111f. Dissertação de Mestrado
em Física e Matemática Aplicadas – Instituto Tecnológico de Aeronáutica, São José dos
Campos.

CESSÃO DE DIREITOS

NOME DO AUTOR: Suzy Fátima Lemos Nogueira


TÍTULO DO TRABALHO: Estudo De Um Detector Semicondutor De Radiação Ionizante De Interesse
Aeroespacial, Baseado Em Um Fotodiodo Pin.
TIPO DO TRABALHO / ANO: Dissertação / 2016

É concedida ao Instituto Tecnológico de Aeronáutica permissão para reproduzir cópias desta


dissertação e para emprestar ou vender cópias somente para propósitos acadêmicos e
científicos. O autor reserva outros direitos de publicação e nenhuma parte desta dissertação
pode ser reproduzida sem a sua autorização.

Suzy Fátima Lemos Nogueira


Rua Frida Christine de Almeida Souza, nº 165, Campo dos Alemães.
CEP 12239-411 – São José dos Campos – SP
iii

ESTUDO DE UM DETECTOR SEMICONDUTOR DE


RADIAÇÃO IONIZANTE DE INTERESSE AEROESPACIAL,
BASEADO EM UM FOTODIODO PIN.

Suzy Fátima Lemos Nogueira

Composição da Banca Examinadora:

Prof. Dr. Odair Lélis Gonçalez Presidente - ITA


Prof. Dr. Claudio A. Federico Orientador - IEAv
Prof. Dr. Jonas Rubini Junior Membro Interno - ITA
Prof. Dr. Renato Semmler Membro Externo - IPEN

ITA
iv

Dedicatória

Dedico este trabalho aos meus filhos


Maria Stephani e Thiago Henrique que
souberam compreender minha ausência e
me amaram mesmo assim. Ao meu
esposo Clelio Henrique que foi minha
fortaleza durante a realização deste
trabalho e a minha mãe Cecília, minha
fiel incentivadora nesta árdua jornada
que é a dedicação a pesquisa.
v

Agradecimentos

Agradeço a Deus em primeiro lugar, por colocar em minha vida pessoas maravilhosas
que me mostraram que não há limites para os sonhos quando optamos em torná-los realidade,
agradeço também pelo dom da vida, pela determinação e saúde, que me fortaleceu e me
ajudou a superar as adversidades da vida.
À minha família que sempre me apoiou incondicionalmente em minhas decisões em
seguir pelo caminho do estudo, que me incentivou e que me impediram de desistir dos meus
sonhos quando tudo parecia sem solução. As minhas irmãs Sarah, Cynthia, Sabrina e
Samantha e ao meu irmão Nelson, que por muitas vezes cuidaram dos meus filhos para que eu
pudesse me dedicar a este trabalho, a minha mãe Cecília e ao meu pai (em memória) por me
blindarem da dura realidade da sociedade em que crescemos e, principalmente meu esposo
Clelio Henrique que, por mais uma vez, soube me compreender e me apoiar durante o tempo
de total dedicação a execução deste trabalho.
Ao meu orientador, Prof. Dr. Claudio Antônio Federico por acreditar no meu potencial,
me orientar e apoiar durante o trabalho de mestrado.
Ao meu estimado orientador de Iniciação Cientifica Prof. Dr. Luiz Henrique Claro, que
foi meu ponto de referência e meu grande incentivador nesta minha jornada na vida
acadêmica. Ao tecnologista José Antonio dos Santos, que durante todo o meu tempo de
permanência no IEAv, sempre me apoiou e me auxiliou nas questões de desenvolvimento
principalmente da parte da área de eletrônica.
Ao Pesquisador Dr. Odair Lélis Gonçalez, pelo apoio financeiro e todo conhecimento
científico.
Ao meu professor Dr. Jonas Rubini Junior, por estar sempre em prontidão para me
auxiliar sem nenhuma hesitação tanto para questões voltadas ao desenvolvimento do meu
estudo, quanto para questões pessoais.
Ao Tecnologista Dr. Marcelo Sampaio, pela total disposição em me ajudar a
compreender o sistema de amplificação e aquisição do sinal gerado pelo fotodiodo.
Ao Pesquisador Fernando G. Blanco, pela disposição em me auxiliar na confecção de
um circuito de pré-amplificação do sinal de saída do fotodiodo para testes.
Ao Prof. Dr.Roberto d’Amore, pela sua dedicação e apoio no estudo do ruído e sua
relação com o sinal coletado.
vi

Aos tecnólogos do LAER, que foram de extrema importância na execução dos testes
experimentais.
Ao Instituto Tecnológico de Aeronáutica pela oportunidade de crescimento.
Ao Instituto de Estudos Avançados pela oportunidade da experiência no setor científico
e por suas instalações durante a realização do trabalho.
A CAPES, ao projeto TERRA (IEAv) e ao CNPq pelo suporte financeiro.
Aos meus amigos Ary Garcia, Adriane Prado, Cássia Felix, Hanna Santana, por estarem
sempre ao meu lado, dividindo e me apoiando nas decisões mais complexas durante a
realização deste trabalho. Por fim, a todos os familiares e amigos que direta ou indiretamente
me apoiaram e acreditaram nesta conquista.
vii

“Não reduza o tamanho dos seus sonhos para caber sua realidade,
expanda sua realidade para comportar seus grandes sonhos.”
- Augusto Cury
viii

Resumo

A crescente miniaturização dos componentes eletrônicos e a exposição dos circuitos a


ambientes hostis tais como ambientes com alta incidência de radiação, evidenciaram um
problema que até então era desprezado, levando a um crescente interesse no estudo dos efeitos
da radiação ionizante nos componentes eletrônicos e fotoeletrônicos, em particular os
chamados Efeitos de Evento Único e efeitos de Dose Ionizante Total. Entre os projetos
realizados pelo grupo de pesquisa do IEAv, está o estudo de alguns detectores de radiação
baseado em semicondutores. Dentre as diversas técnicas de medição, uma que se destaca por
sua funcionalidade é a utilização dos fotodiodos de silício tipo PIN (junção PN com uma
camada intrínseca), por serem mais eficientes detectores semicondutores de junção PN e
oferecerem uma boa sensibilidade a várias formas de radiação. Os diodos PIN possuem como
características o tamanho reduzido e baixo consumo de energia permitindo medições
próximas às fontes de radiação, de grande interesse para instalações de irradiação de circuitos
e componentes, onde os mesmos são posicionados próximos às fontes emissoras, bem como
para utilização embarcada em aeronaves e satélites. O objetivo principal deste trabalho foi
estudar e validar o uso do fotodiodo PIN do tipo COTS como detector de radiação ionizante,
além de estudar a eletrônica relacionada à amplificação do sinal gerado pela interação da
partícula com a área ativa do PIN. Foram construídas duas plataformas de testes para serem
utilizadas durante os experimentos com fotodiodos SFH206 e o BPW34 operando em modo
corrente em condição de escuro, com uma tensão de alimentação de 3V, 5V e 12V. Foi
analisada a resposta da corrente gerada pelos fotodiodos em função da uma taxa de dose
atenuada no silício no intervalo de 0,55 a 11,54 Gy/h, com uma incerteza de 3%. A partir da
análise da corrente gerada foi possível realizar a análise da resposta da carga acumulada em
função da taxa de dose, comprovando a excelente linearidade nos fotodiodos Teste em
resposta da corrente gerada e a energia da partícula também foram realizados no fotodiodo
BPW34. O conjunto de informações coletadas permite concluir a viabilidade do uso desse
diodo como dosímetro para radiação ionizante, dentro de determinadas limitações do aparato
experimental.

Palavras-Chave: Radiação; Raios Cósmicos; Detectores Semicondutores; Fotodiodo PIN.


ix

Abstract

The increasing miniaturization of electronic components and the exposure of electronic


circuits to hostile environments, such as environments with high incidence of radiation,
showed a problem that was neglected, leading to a growing interest in studying the effects of
ionizing radiation on electronic and fotoelectronic components and in particular the so-called
Single Event effects and Total Ionizing Dose effects. Among the projects undertaken by IEAv´s
research group is the study of some radiation detectors based on semiconductors. Among the
several measurement techniques, one that stands out for its functionality is to use PIN type
silicon photodiodes (pn junction with the intrinsic layer) because they are the most efficient
detectors PN junction of semiconductor and provide a good sensitivity to various forms of
radiation. The PIN diodes have as characteristics the small size and low power consumption
allowing measurements close to the radiation sources of great interest for circuit irradiation
facilities and components, where they are positioned close to emission sources and to use
embedded in aircraft and satellites. The main objective of this work was to study and validate
the use of the COTs type PIN photodiode as ionizing radiation detector, in addition to
studying the electronic-related signal amplification generated by the interaction of the
particle with the active area of the PIN diode. Two test platforms were constructed to be used
during the experiments with the SFH206 and BPW34 photodiodes, operating in current mode
in dark condition with a supply voltage of 3V, 5V and 12V. Were analyzed the response
current generated by the photodiodes as a function of dose rate attenuated in silicon in the
range from 0.55 to 11.54 Gy / h with a 3% uncertainty. From the analysis of the current
generated it was possible to perform the analysis of the accumulated charge response as a
function of the dose rate, proving the excellent linearity in the photodiodes. Test of the
response of the generated current and the energy of the particle were also carried out in the
photodiode BPW34. The set of information collected allows us to conclude the feasibility of
using this diode as dosimeter to ionizing radiation.

Key-Words: .radiation, cosmic rays, semiconductor detector, PIN photodiode


x

Lista de Figuras

Figura 2-1– Tempo de meia vida de um radionuclídeos . ........................................................ 27


Figura 2-2– Interação dos fótons no corpo humano ................................................................. 33
Figura 2-3– Representação de duas formas básicas da interação da radiação entre fótons e
elétrons ..................................................................................................................................... 34
Figura 2-4– Coeficiente Absorção Linear em função da Energia raio gama para o Si e Ge. ... 35
Figura 2-5–Probabilidade de ocorrência dos efeitos em função do numero atômico do
absorvedor e a energia do fóton incidente ................................................................................ 35
Figura 2-6–Mecanismo de deposição de Dose nos casos de prótons e íons pesados ............... 38
Figura 2-7 – Efeitos em componentes eletrônicos causados por partículas ionizantes. ........... 39
Figura 2-8– Modo Corrente. ..................................................................................................... 42
Figura 2-9– Corrente médio no detector Modo Corrente. ........................................................ 43
Figura 2-10– Representação do Modo Pulso............................................................................ 44
Figura 2-11– Principais efeitos físicos e químicos utilizados na detecção da radiação ionizante
.................................................................................................................................................. 45
Figura 2-12–Representação de átomos de (a) Ge e Si (b) ........................................................ 46
Figura 2-13– Possíveis estruturas de bandas eletrônicas nos sólidos a 0 K. ............................ 47
Figura 2-14– Elétrons na banda de condução e lacunas na banda de Valencia para
temperaturas maiores que 0K. .................................................................................................. 48
Figura 2-15– Energia média necessária para gerar um par de elétrons-lacunas (ε) versus
Energia de gap para alguns tipos de materiais semicondutores................................................ 49
Figura 2-16– Esquema representativo dos mecanismos de ionização, excitação e
armadilhamento em um semicondutor. .................................................................................... 50
Figura 2-17– Seção transversal de um fotodiodo ..................................................................... 51
Figura 2-18– Junção P-N do fotodiodo .................................................................................... 52
Figura 2-19–Coeficiente de absorção (α), em função do comprimento de onda e da energia do
fótons para diversos semicondutores. ....................................................................................... 53
Figura 2-20– Efeito da absorção na eficiência quântica η ........................................................ 55
Figura 2-21– (a) junção PN reversamente polarizada. (b) Densidade de cargas. (c) Intensidade
do campo elétrico. (d) Variação do potencial em função da distância x. ................................. 56
Figura 2-22– Circuito Equivalente de um Fotodiodo de Si. ..................................................... 58
xi

Figura 2-23– Exemplo de uma estrutura e dopagem de um fotodiodo PIN ............................. 60


Figura 2-24– Fotodiodo PIN e Circuitos equivalentes ............................................................. 62
Figura 2-25 – Trajeto dos elétrons pelo fotodiodo PIN, quando polarizado reversamente. ..... 62
Figura 3-1– Fotodiodos utilizados nos testes experimentais: à esquerda o Fd BPW34
(VISHAY) e a direita o Fd SFH206 (SIEMENS) .................................................................... 67
Figura 3-2– Modelo de operação do detector no Modo Fotovoltaico ...................................... 68
Figura 3-3– Modelo de operação do detector no Modo Fotocondutividade. ........................... 69
Figura 3-4– Diagrama em Bloco do detector como Modo Corrente ........................................ 69
Figura 3-5– Arranjo experimental para os experimentos realizados no LRI e no LAER ........ 70
Figura 3-6– Fluxograma do VI utilizado para os testes com tensão fixa. ................................ 72
Figura 3-7– Fotodiodo BPW34 utilizado para os testes no LRI .............................................. 74
Figura 3-8– Arranjo experimental para os testes realizados no LRI ........................................ 74
Figura 3-9– Ajuste da distância com o auxílio de um medidor a laser. ................................... 75
Figura 3-10– Arranjo experimental para os testes de variação angular. .................................. 76
Figura 3-11 – Layout de irradiação dos testes realizados no LAER ........................................ 77
Figura 3-12– Diagrama em bloco de um sistema de detecção de Radiação Modo Pulso ........ 78
Figura 3-13– Circuito Pré-amplificador Sensível à carga.. ...................................................... 79
Figura 3-14– Sinal e várias fontes de ruído para (a) um fotodetector sem ganho por exemplo,
um fotodiodo PIN e (b) um fotodetector com ganho (como por exemplo, um APD). ............. 81
Figura 3-15– Esquema elétrico do Conjunto Detector. ............................................................ 83
Figura 3-16– Placa de Teste do experimento ........................................................................... 84
Figura 3-17– Circuito equivalente do conjunto sensor + pré-amplificador. ............................ 85
Figura 3-18– Ganhos do amplificador de transimpedância. ..................................................... 86
Figura 4-1– Curva I x V do fotodiodo BPW34 sob incidência de luz...................................... 87
Figura 4-2– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 3V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte. ........................... 88
Figura 4-3– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 5V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte. ........................... 89
Figura 4-4– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 12V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte. ......................... 89
Figura 4-5– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 3V para Taxa de Doses. ....................................................................................................... 90
Figura 4-6– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 5V para Taxa de Doses. ....................................................................................................... 91
xii

Figura 4-7– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 12V para Taxa de Doses ...................................................................................................... 91
Figura 4-8– Resposta do fotodiodo BPW34 a diversas fontes radioativas, quando alimentado
com uma tensão de 3V, 5V e 12V. ........................................................................................... 92
Figura 4-9– Resposta do fotodiodo BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V a
taxas de doses que variam de 8,42.10-4 a 11,54 Gy/h. .............................................................. 93
Figura 4-10– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. ......................................... 94
Figura 4-11– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. ......................................... 95
Figura 4-12– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. . ....................................... 95
Figura 4-13– Resposta do fotodiodo BPW34 em função do ângulo de incidência da partícula.
.................................................................................................................................................. 96
Figura 4-14– Comportamento da tensão em cada bateria de medições. .................................. 97
Figura 4-15– Curva IxV do fotodiodo BPW34 em cada bateria de medições. ........................ 98
Figura 4-16– Análise do Coeficiente de Variação (CV) do sistema em função da tensão. ...... 98
Figura 4-17– Curva I x V do fotodiodo BPW34 sob radiação ionizante. ................................ 99
xiii

Lista de Tabelas

Tabela 2-1 – Eventos observados durante uma explosão solar que ocorreu em outubro de 2003
.................................................................................................................................................. 40
Tabela 2-2 - Propriedades dos materiais semicondutores. ....................................................... 48
Tabela 2-3 - Profundidade de penetração do fóton no Si em função do Comprimento de onda.
.................................................................................................................................................. 54
Tabela 3-1 “Screening” dos fotodiodos PIN do tipo COTS ..................................................... 66
Tabela 3-2 - Range de valores suportados para medidas de corrente ....................................... 71
Tabela 3-3 - Principais características das fontes utilizadas nos experimentos. ...................... 73
Tabela 4-1 - Valores calculados na análise numérica ao ruído pertinente do sistema ........... 102
xiv

Lista de Abreviaturas e Siglas

APD Avalanche Photo-Diodes


APDs Active Personal Dosimeter
BC Banda de Condução
Bg Banda Proibida ou Banda Gap
BC Banda de Valência
CAE Chuveiro Atmosférico Extenso
CIs Circuitos integrados
CME Massa Coronal Ejetada
COTs Modelos de dispositivos/componentes comercialmente
disponíveis (Commercial Off the shelf)
DCTA Departamento de Ciência e Tecnologia Aeroespacial
DD Dano por Deslocamento
Ef Energia de Fermi
Eg Energia do gap
ENB Equivalent Noise Bandwitch
Fd Fotodiodo
IAEA International Atomic Energy Agency
ICRP International Commission on Radiological Protection
IEAv Instituto de Estudos Avançados
IR Corrente Reversa
ITAR International Traffic in Arms Regulations
LAER Laboratório de Análise dos Efeitos da Radiação
LMRA Laboratório de Medidas de Radioatividade Ambiental
LET Linear Energy Transfer
LRI Laboratório de Radiações Ionizantes
MBU Multiple Bit Upset
MCA analisador multicanal
MEO Medium Earth Orbit
MSV Square Voltage Mode
NEP Noise Equivalent Power
NI National Instrument
PIN Positivo – Intrínseca – Negativo
PTFE Politetrafluoretileno
Qc Carga crítica
RC Radiação Cósmica
RCG Radiação Cósmica de origem Galáctica
RCP Raios Cósmicos Primários
RCS Radiação Cósmica de origem Solar
SEE Single Event Effects
SEFI Single Event Functional Interrupt
xv

SEU Single Event Upset


SNR Signal-to-Noise Ratio
SUTEC Divisão de Suporte Técnico
SV Volume sensível (Sensitive Volume)
TID Dose Ionizante Total
TF Test Fixture
VI Instrumento Virtual
VIM Vocabulário Internacional de Metrologia
xvi

Sumário

1 Introdução ......................................................................................................................... 18
1.1 Motivação e estado da arte......................................................................................... 20
1.2 Objetivos .................................................................................................................... 21
1.3 Estrutura do texto da dissertação ............................................................................... 22
2 Fundamentos ..................................................................................................................... 23
2.1 Radiação ..................................................................................................................... 23
2.2 Ambiente de Radiação ............................................................................................... 23
2.3 Radiação Cósmica (RC) ............................................................................................. 24
2.4 Radiação Ionizante ..................................................................................................... 25
2.4.1 Unidades e definições ......................................................................................... 25
2.4.2 Interação da radiação com a matéria .................................................................. 31
2.4.3 Efeitos da Radiação Ionizante nos componentes eletrônicos ............................. 36
2.5 Detector de radiação .................................................................................................. 40
2.5.1 Propriedades de um detector............................................................................... 41
2.5.2 Modos de operação do detector .......................................................................... 42
2.5.3 Efeitos físicos e químicos usados na detecção da radiação ................................ 44
2.6 Materiais Semicondutores.......................................................................................... 45
2.6.1 Estruturas de Bandas .......................................................................................... 46
2.6.2 Condução em Termos de Bandas Eletrônicas .................................................... 47
2.6.3 Detectores Semicondutores ................................................................................ 48
2.6.4 Detectores Semicondutores de Silício (Si). ........................................................ 54
2.6.5 Fotodiodos .......................................................................................................... 57
2.7 Fotodiodo PIN ............................................................................................................ 59
2.7.1 Geometria PIN .................................................................................................... 60
2.7.2 Fotodiodo PIN e Circuitos equivalentes. ............................................................ 61
2.7.3 Fotodiodo PIN como detectores de radiação ...................................................... 63
3 Materiais e Métodos ......................................................................................................... 65
3.1 Estudo do fotodiodo PIN (Fd PIN) ............................................................................ 65
3.1.1 Os fotodiodos PIN BPW34 (VISHAY) e SFH206 (SIEMENS) ........................ 66
3.2 Modo de operação do Fotodiodo ............................................................................... 68
3.2.1 Testes realizados com o fotodiodo PIN, como detector no Modo Corrente ....... 69
xvii

3.2.2 Principais características da instrumentação: ..................................................... 70


3.2.3 Principais características das fontes radioativas utilizadas................................. 72
3.2.4 Medidas no Laboratório de Radiação Ionizante (LRI) ....................................... 73
3.2.5 Teste com dependência angular .......................................................................... 75
3.2.6 Medidas no Laboratório de Análise dos Efeitos da Radiação (LAER) .............. 76
3.3 Detector Modo Pulso ................................................................................................. 78
3.3.1 Estudo sobre Ruído............................................................................................. 79
3.3.2 Característica do ruído no sensor ....................................................................... 80
3.3.3 Relação Sinal Ruído ........................................................................................... 82
3.3.4 Metodologia do cálculo do SNR do sistema ...................................................... 83
4 Resultados e Discussões ................................................................................................... 87
4.1 Curva característica do PIN BPW34 (VISHAY) ....................................................... 87
4.2 Resultados obtidos Modo Corrente ............................................................................ 87
4.2.1 Resposta dos fotodiodos em relação à distância. ................................................ 88
4.2.2 Resposta de linearidade dos fotodiodos em relação à Taxa de Dose (Gy/h) ...... 90
4.2.3 Carga acumulada ................................................................................................ 94
4.2.4 Ângulo de incidência da partícula. ..................................................................... 96
4.2.5 Repetitividade para o sistema desenvolvido para os testes no LAER ................ 96
4.2.6 Levantamento da curva IxV do fotodiodo BPW34 ............................................ 98
4.3 Análise Numérica do Ruído no conjunto detector no Modo Pulso ........................... 99
5 Considerações finais ....................................................................................................... 104
REFERÊNCIAS BIBLIOGRÁFICAS ................................................................................... 106
18

1 Introdução

A redução das dimensões dos transistores de um circuito integrado chamada de


escalonamento tecnológico trouxe um aumento não só na capacidade de integração dos
circuitos integrados, como também permitiu que as frequências de operação fossem cada vez
mais elevadas (BALEN, 2010). Porém com essa evolução os circuitos integrados tornaram-se
mais suscetíveis a falhas, além de aumentar a variabilidade do processo de produção, o que
pode acarretar em circuitos operando fora de suas faixas de especificação. Segundo
MESSENGER (1992) outros efeitos colaterais da miniaturização são: o efeito de canal curto,
a corrente de fuga e uma maior vulnerabilidade a falhas transientes ocasionadas por incidência
de radiação.
Considerando a redução de escalonamento dos dispositivos e somados,
principalmente, à exposição dos circuitos a ambientes hostis, tal como a sua exposição a
ambiente com alta incidência de radiação maximizou-se um problema que até então era
desprezado.
Nestas últimas décadas, não só com o desenvolvimento de aeronaves com teto de
operação mais alto e o aumento do fluxo aéreo, como também, com a maior susceptibilidade
dos sistemas aviônicos aos efeitos de radiação ionizante de origem cósmica, o problema da
avaliação do nível de dose de radiação ionizante recebida pelos equipamentos sensíveis de
bordo, bem como dos pilotos e tripulação de aeronaves, passou a ser gradualmente mais
importante, motivando diversos estudos sobre esse assunto, publicado na literatura
especializada internacional (FURUKAWA, 2005; BARTLETT, 2004; WILSON et al, 2008).
Em especial, os efeitos da radiação cósmica sobre componentes e sistemas
optoeletrônicos, antes observáveis apenas em sistemas de uso espacial, já é uma preocupação
inclusive para sistemas de uso embarcado em aeronaves. É importante ressaltar que devido
escalonamento tecnológico dos dispositivos, redução na tensão de alimentação, aumento da
frequência de operação e densidade de agregação dos transistores, a tolerância a falhas deixa
de ser uma preocupação restrita apenas a aplicações aeroespaciais e torna - se um problema a
ser considerado também em aplicações terrestres (ECOFFET, 2007).
Conforme apresentado por VAZ (2015) outro ponto importante para o
desenvolvimento de pesquisas nessa área, é o efeito de uma regulamentação do governo dos
19

EUA que proíbe ou dificulta a exportação de seus componentes eletrônicos tolerantes à


radiação aos demais países impedidos pelo ITAR (International Traffic in Arms Regulations).
Tais características inerentes aos efeitos das radiações em circuitos eletrônicos
evidenciam a necessidade do desenvolvimento nacional de instalações e infraestrutura que
possibilitem o teste e caracterização de circuitos e componentes com relação à sua
susceptibilidade à radiação ionizante. Parte importante dessa infraestrutura corresponde ao
estudo de dispositivos sensores que permitam mensurar, controlar e garantir as doses previstas
em ensaios em campo ou em instalações.
A percepção da radiação, só é realizada, seja qualitativa ou quantitativa, através de
materiais ou instrumentos capazes de captar e registrar sua presença. A detecção é realizada
pelo resultado produzido da interação da radiação com um meio sensível, denominado de
detector. Vários estudos demonstram que o uso de materiais semicondutores como detectores
de radiação resulta em um número de portadores de informação para uma dada radiação
incidente, o que os tornam mais sensíveis do que outro tipo de detector (BARTHE, 2001).
Consequentemente, os detectores semicondutores são os que fornecem, atualmente, a
melhor resolução em energia. Além de dimensões compactas, as suas espessuras efetivas
(áreas sensíveis) podem variar de acordo com os requisitos das aplicações; e ainda formam
pulsos elétricos rápidos. Como desvantagens apresentam a degradação de seu desempenho
devido a danos induzidos pela radiação (SANTOS, 2002). Geralmente é encontrado um fator
de 1800 entre a resposta de um fotodiodo semicondutor de silício e uma câmara de ionização
do mesmo volume, permitindo a redução do volume sensível a umas poucas dezenas de
milímetros cúbicos. (CARDENAS, 2010).
Vários experimentos voltados para o estudo dos efeitos da interação da radiação
ionizante têm sido feitos pela comunidade científica internacional e os resultados têm
suscitado grande preocupação e motivado a elaboração de regulamentos técnicos sobre o
gerenciamento de possíveis efeitos de radiação em sistemas aviônicos (DYER e TRUSCOTT,
1999). As doses de radiação recebidas pelos tripulantes e sistemas aviônicos são depositadas
por partículas secundárias, terciárias e fótons, produzidas pelas interações de raios cósmicos
primários com os átomos constituintes da atmosfera terrestre. Nêutrons são os responsáveis
pela fração de até 40% destas doses para altas altitudes (acima de 10000 m do nível do solo as
aeronaves comerciais já estão expostas a uma taxa de dose de 2,38 μSv/h comparáveis aos
níveis médios de radiação recebidos por profissionais que trabalham em áreas geralmente
expostas a alguma fonte radioativa ionizante) e são os principais causadores de SEEs em
sistemas digitais, (FEDERICO et al., 2011).
20

Segundo CARVALHO (2008) o fotodiodo de Silício com geometria PIN (Fd-PIN) é


um dos mais importantes dispositivos semicondutores na atualidade, usado para detectar
radiações eletromagnéticas de alta energia e partículas nucleares. Uma das grandes vantagens
do uso de fotodiodos PIN como detectores é seu tamanho reduzido, permitindo medições
próximas às fontes de radiação, de grande interesse para instalações de irradiação de circuitos
e componentes, onde os mesmos são posicionados próximos às fontes emissoras, bem como
para utilização embarcada em aeronaves e satélites.

1.1 Motivação e estado da arte

As linhas de pesquisas envolvendo o fotodiodo PIN como detector de radiação


ionizante, podem ser divididas em dois grandes grupos: o primeiro é o desenvolvimento e
fabricação do fotodiodo PIN, desde seu projeto até o crescimento do cristal e teste de
validação, sendo essa a principal linha de pesquisa encontrada principalmente nos países
Asiáticos (KIM et al, 2008; OTA, et al, 1999); o segundo é o emprego de componentes do
tipo COTS (Commercial Off The Shelf), ou seja, comercialmente disponíveis e, esta linha de
pesquisa pode ser subdividida de acordo com o tipo de radiação ionizante a ser detectada.
Para partículas carregadas pesadas uma alternativa é a empregabilidade do fotodiodo PIN
conjuntamente com um cristal cintilador (COSTA et al, 2005; ANDREANI, et al. 2014).
Trabalhos desenvolvidos por LAAN et al. (2013) e JIMENEZ et al. (2005) demonstram a
eficácia da utilização para a detecção de Raios-X e raios gama. AGOSTEO (et al. 2005)
aborda a utilização do PIN, de fabricação pela empresa HAMAMATSU, na detecção de
nêutrons. Há ainda outra linha de pesquisa que consiste em estudos envolvendo os fotodiodos
PIN e simulações utilizando o método Monte Carlo (CAROLAN e ROSENFELD, 2006;
DIZAJI, et al, 2014).

Dentre esses grupos de pesquisa há um consenso ao custo benefício no uso do


fotodiodo PIN, como detector de radiação, por ser um componente relativamente barato (se
comparado com outros tipos de detectores), possuir dimensões pequenas e operam com baixo
consumo, fácil operação e pela versatilidade nas aplicações desse detector tais como:
monitoramento em máquinas de Raios-X na indústria e aplicações medicinais,
monitoramentos da intensidade de fótons em Acelerador Linear, dosímetros pessoais
denominados APDs (Active Personal Dosimeter) e monitoramento da radiação em ambientes
externos, entre outras aplicações.
21

Diferentes grupos da comunidade internacional, envolvendo organizações


regulamentadoras, grupos de pesquisa, comissões técnicas, empresas, entre outros, veem a
necessidade de explorar e mitigar os potenciais riscos, da radiação em voo de altas altitudes,
tanto para os efeitos biológicos nas tripulações quanto os efeitos de SEEs em sistemas
aviônicos a fim de melhorar a segurança de voo (TOBISKA et al., 2015). A Comissão
Internacional de Proteção Radiológica, ICRP (International Commission on Radiological
Protection) reconhece e recomenda que os profissionais de voo (como pilotos e tripulação),
sejam monitorados sobre o nível de radiação que estão expostos durante os voos. Os
detectores semicondutores de Si-PIN (Silicon PIN) já são utilizados na área aeroespacial e
embarcados em aeronaves e espaçonaves (DACHEV, et al. 2010; KUBANCÁK, et al.2013,
PLOC, et al, 2013), porém estes sistemas detectores completos são extremamente caros,
portanto, torna-se de grande interesse para a área aeronáutica e aeroespacial, o
desenvolvimento de um detector de menor custo e de tamanho reduzido.

O desenvolvimento de um setup de avaliação da fluência de radiação utilizando diodos


PIN é de grande importância para o grupo de pesquisa no qual este trabalho está inserido,
trata-se de um assunto emergente, e de total preponderância de grupos do exterior, não se
tendo conhecimento de sistemas com essa finalidade, voltados para aplicação aeroespacial,
realizados por grupos Sul-Americanos. Assim, este trabalho se converterá em uma ferramenta
útil e de significativa importância para estudos de radiação cósmica e de segurança de voo.

1.2 Objetivos

O objetivo geral da dissertação é estudar o uso do fotodiodo PIN do tipo COTS como
detector de radiação ionizante para radiação ionizante, caracterizando-o como sensor de
radiação e estabelecendo suas áreas de aplicabilidade e de interesse aeroespacial.
Para a consecução deste objetivo geral deverão ser atingidos ao longo do trabalho de
pesquisa os seguintes objetivos específicos:
1. Estudo e compreensão do comportamento dos materiais semicondutores
quando submetidos a diferentes fontes de radiação ionizante;
2. Seleção e especificação dos fotodiodos PIN a serem utilizados, por meio de
uma triagem ("screening") de modelos comercialmente disponíveis.
3. Caracterização dos parâmetros do fotodiodo PIN selecionado.
4. Estudo e projeto de um front-end eletrônico dedicado;
22

5. Teste e caracterização do front-end eletrônico


6. Realização de irradiações e calibrações dos sistemas para utilização nos
campos de radiação do IEAv e testes em outros feixes

Paralelamente também será estudada a eletrônica necessária (como por exemplo, o uso
de um pré-amplificador sensível à carga) para o desenvolvimento de um detector em modo
pulso, baseado no semicondutor de Si-PIN.

1.3 Estrutura do texto da dissertação

No capítulo 1, que é o presente capítulo de introdução à dissertação, foi apresentada


sucintamente a contextualização do problema a ser abordado no cenário atual de
conhecimento, bem como foram apresentadas a motivação, justificativa e os objetivos do
presente estudo. Foi também apresentado o método de abordagem do objeto de estudo e, por
fim, um roteiro dos capítulos seguintes (a presente subseção).
No capítulo 2 é apresentada a base de conhecimento necessária para a compreensão do
problema, incluindo fundamentos de radiação ionizante e do ambiente de radiação espacial,
efeitos da interação da radiação com materiais e fundamentos de detectores do tipo PIN.
No capítulo 3 é apresentada a metodologia empregada, são descritos os arranjos experimentais
utilizados nas avaliações e os equipamentos e medições efetuadas.
No capítulo 4 são apresentados os resultados obtidos, incluindo os testes e verificações
realizados para verificação da metodologia e sua análise e discussão.
No capítulo 5 são feitas as considerações finais sobre o trabalho.
23

2 Fundamentos

2.1 Radiação

A radiação pode ser definida como a energia que se propaga de um ponto a outro do
espaço, no vácuo ou em um meio material por meio de um campo constante ou um conjunto
de partículas subatômicas (OKUNO e YOSHIMURA, 2010). Segundo a sua natureza, a
radiação pode ser classificada como: mecânica, eletromagnética ou nuclear. Dependendo do
tipo de interação da radiação com a matéria, podem ocorrer dois tipos de efeitos na matéria:
excitação ou ionização.
Quando partículas ou ondas eletromagnéticas são lançadas contra um átomo em
equilíbrio, elas podem colidir com algum elétron ou com o seu núcleo. Devido à disposição
geométrica, ao número, à carga e ao movimento, a probabilidade de colisão com os elétrons é
muitas vezes superior à probabilidade de colisão com o núcleo. No choque, a radiação
transfere parcial ou totalmente a sua energia que, e provocará uma ionização ou uma reação
nuclear, no átomo ou no núcleo, respectivamente, denominada de radiação ionizante. Quando
a energia absorvida for inferior à energia de ligação, ocorrerá um deslocamento da partícula
alvo, para estados disponíveis nas estruturas eletrônica ou nuclear, gerando os denominados
estados excitados eletrônicos ou nucleares, também denominada como radiação não ionizante.
(TAUHATA, et al 2013).

2.2 Ambiente de Radiação

Diariamente, somos expostos à radiação ionizante de origem natural e artificial


(GONÇALEZ et al., 2012). A radiação artificial é utilizada em vários campos do nosso
cotidiano, desde utilizações na medicina, (radioterapia, braquiterapia, cauterização de uso
dermatológico e oftalmológico, radiografia, tomografia, mamografia, mapeamento com radio
fármacos) (CARDOSO, 1999; LESSA, 2013); na agricultura, como por exemplo, na inspeção
do solo (REICHARD, 1965) e controle de infestação de pragas (ARTHUR, et al, 1993)
conservação pós-colheita (NEVES et al, 2002), aplicações na indústria, como por exemplo, na
realização de ensaios não destrutivos, modificação de materiais poliméricos, preservação e
24

desinfestação de produtos alimentícios e esterilização de produtos farmacêuticos, médicos e


cirúrgicos. (PINO e GIOVECI, 2005), geração de energia (usinas termonucleares, propulsor
nuclear, reatores nucleares) (SILVA, 2016; INTERNATIONAL ATOMIC ENERGY
AGENCY, 2005), na área de pesquisa e entre outras aplicações.
238
As fontes naturais são aquelas oriundas por radionuclídeos (como por exemplo, U,
232 40 176 138
Th, K, Lu, La) presentes no ambiente terrestre e partículas provenientes do espaço
chamadas de Radiação Cósmica (RC), (BRÜCKMANN, 2002; GONÇALEZ et al, 2012). As
fontes artificiais são produtos de bombardeamento de átomos por meio de partículas
aceleradas (como por exemplo, por partículas alfas) ou nêutrons. Esses átomos sofrem
transmutação em um novo elemento que não é encontrado na natureza, podendo ser um
isótopo natural do elemento químico bombardeado ou um isótopo artificial. Um exemplo
239
bastante conhecido é o Pu, resultante da absorção de um nêutron por um núcleo de urânio
(238U), em um reator nuclear. Nas aplicações industriais e na medicina, os mais conhecidos
são o cobalto 60 e o césio 137 (ALVERNAZ, 2010).

2.3 Radiação Cósmica (RC)

Os raios cósmicos são partículas energéticas originadas no espaço, que se deslocam


com velocidades próximas à velocidade da luz, e, pode-se afirmar que grande parte dos raios
cósmicos, é formada por prótons (sendo responsável por quase 90% do montante da
constituição dos Raios Cósmicos), em torno de 9% são núcleos de hélio (partículas alfa) e
cerca de 1% são outras partículas. A variedade de tipos de raios cósmicos indica que suas
fontes também são diversificadas, podendo ser galácticas ou extragalácticas. (FRIGO, 2013)
As explosões de supernovas (processo resultante da morte de muitas estrelas) dão
origem direta ou indiretamente a radiação cósmica proveniente da nossa Galáxia, denominada
de Radiação Cósmica de origem Galáctica (RCG). Ao ocorrer à explosão da estrela, são
gerados campos magnéticos de grande intensidade e rapidez que alteram a direção e
movimento das partículas de radiação cósmica.
A RCG é partículas carregadas de alta energia formadas fora do sistema solar e que
incidem isotropicamente na Terra e de forma continua. (PEREIRA, 2013). A composição da
RCG é alterada durante a sua passagem pelo espaço devido a interações com matéria
interestelar e, segundo BARTLETT (2004) no ambiente do sistema solar 98% desta radiação
são compostas de núcleos e 2% de elétrons, sendo que, dos núcleos são constituídos de 88%
25

de prótons, 11% de partículas alfa e aproximadamente 1% de núcleos pesados. Essas


radiações não possuem direção definida e perdem energia ao atravessarem o material e podem
sofrer deflexão pelo campo magnético. (FEDERICO, 2011). A RCG possui um fluxo na Terra
anti-correlacionado com a atividade solar e pode depositar quantias significativas de energia.
(PEREIRA, 2013; PRADO, 2015).

2.4 Radiação Ionizante

As radiações ionizantes são geralmente caracterizadas pela sua capacidade de excitar e


ionizar átomos de matéria com os quais interagem. Uma vez que a energia necessária para
fazer com que um elétron da camada de valência escape do átomo é da ordem
aproximadamente de 4 a 25 eV, logo as radiações devem possuir valores de energias cinética
ou quântica igual ou acima desta magnitude para serem chamadas de "ionizantes" (ATTIX,
1986).
A ICRU (Comissão Internacional de Unidades e Medições de Radiação, 1971)
classifica a radiações ionizantes, enfatizando as principais diferenças entre as interações com
radiações carregadas e não carregadas com a matéria, em:
RADIAÇÃO DIRETAMENTE IONIZANTE: partículas carregadas rápidas (podendo ser
classificadas como leves ou pesadas), que depositam sua energia à matéria diretamente, por
interações com forças coulombianas ao longo da trajetória da partícula (OKUNO e
YOSHIMURA, 2010).
RADIAÇÃO IONIZANTE INDIRETA: fótons (raios X ou gama) ou nêutrons, ou seja,
partículas não carregadas, que primeiro transferem sua energia para partículas carregadas na
matéria, das quais passam por poucas grandes interações. As partículas carregadas rápidas
resultantes, em seguida, por sua vez transferem a energia para a matéria, por um processo
secundário de interação (ATTIX, 1986).
A massa, a carga e a energia da radiação incidente vão determinar os mecanismos
importantes das interações com o meio. (KNOLL, 1999).

2.4.1 Unidades e definições

As grandezas utilizadas na área de Física das Radiações estão inseridas em três


principais categorias: grandezas físicas; grandezas de proteção (grandezas dosimétricas
26

utilizadas especificamente para o corpo humano) e grandezas operacionais (utilizadas para


monitoramento de áreas e monitoração individual) (OKUNO e YOSHIMURA, 2010).

2.4.1.1 Constante de decaimento (λ)

Não há como prever quando um átomo instável irá realizar transformação para se
estabilizar, esse é um processo aleatório. Porém, para um grupo de átomos instáveis, da
mesma espécie e contidos numa amostra, o número de transformação por segundo é
proporcional ao número de átomos que estão se transformando naquele instante, ou seja, a
probabilidade de decaimento por átomo por segundo é constante e essa probabilidade é
denominada de Constante de Decaimento (λ) e é característico de cada material (THAUATA,
2013).

2.4.1.2 Atividade (A)

A atividade de um radionuclídeo é caracterizada pelo número desintegrações ou


transformações nucleares que ocorrem em certo intervalo de tempo e pode ser expressa pela
Eq.(2-1), (OKUNO e YOSHIMURA, 2010):

A = λN = A0 e−λt (2-1)

Onde N é o número de átomos radioativos, A0 é atividade no instante inicial t0, do


elemento radioativo, A é a atividade no instante 𝑡 = 𝑡0 + 𝑑𝑡, 𝜆 é a constante de desintegração
do radionuclídeo e 𝑑𝑡 = 𝑡 − 𝑡0 é o intervalo de tempo decorrido.
A unidade de medida no SI da atividade de uma fonte é o becquerel (Bq).e
corresponde à atividade de um material radioativo que apresenta uma desintegração por
segundo. A unidade curie (Ci), ainda é utilizada em equipamentos antigos ou em alguns
países (como os EUA.) e equivale a 3,7x1010Bq, que corresponde aproximadamente à
atividade de 1g de 226Ra (OKUNO e YOSHIMURA, 2010).

2.4.1.3 Meia-vida do radionuclídeos (T1/2)


27

É o intervalo de tempo necessário para transformar a metade do número de átomos


deste radionuclídeos, que pode ocorrer entre 10-15s a 1015s, dependendo do grau de
instabilidade do mesmo, e pode ser visualizado na Figura 2-1:

Figura 2-1– Tempo de meia vida de um radionuclídeos .

A relação entre o tempo de meia-vida (T1/2) e a constante de decaimento (λ) é dada


pela Eq. (2-2) e é característico de cada radionuclídeo:

ln2 0,693
T1⁄ = = (2-2)
2 λ λ

2.4.1.4 Energia (E)

A unidade para medidas da energia da radiação no SI é o joule (J), mas


tradicionalmente a unidade utilizada em física das radiações é o elétronvolt (eV). Um
elétronvolt é a energia cinética adquirida pela aceleração de um elétron quando submetido a
uma diferença de potencial de um volt, onde 1 eV = 1,602.10-19J (KNOLL,1999).
A energia de um fóton está relacionada com a sua frequência pela Eq. (2-3):

E = hf (2-3)

Onde h = 6,626.10-34J.s ou 4,135.10-15eV.s é a constante de Planck e f é a frequência


em Hz.
O comprimento de onda está relacionado com a energia do fóton por Eq.(2-4):
28

1240. 10−6
λ= (2-4)
E

Onde λ é dado em metros e E em eV (KNOLL, 1999).

2.4.1.5 Exposição (X)

A exposição à radiação é determinada pela razão entre o número de cargas elétricas de


mesmo sinal produzidas no ar, pela unidade de massa de ar. Assim a unidade de medida no SI
de Exposição é C/(kg de ar)., mas a unidade antiga de exposição, o röntgen (R) ainda é muito
utilizado, e equivale a 2,58 x 10-4 C/kgar (OKUNO e YOSHIMURA, 2010).
A definição de exposição é utilizada especificamente para raios-X e raios-γ no ar. É
uma quantidade fácil de medir com uma câmara de ionização, no entanto se torna
inconveniente quando o objeto irradiado é matéria viva ou outro material.
No ar, a ionização é produzida principalmente pelo freiamento de elétrons de recuo
resultantes do espalhamento Compton dos raios-X e raios-γ. A quantidade de radiação
produzida, no entanto, depende do coeficiente de absorção para raios-X e raios- γ, além da
ionização específica dos elétrons. Considerando a radiação isotrópica de uma fonte pontual e
desprezando a absorção pelo ar, a taxa de ionização por unidade de tempo ou taxa de
exposição devido a uma dada fonte é dada pela Eq. 2-5:

Γ. A. t
Ẋ = (2-5)
d2

Onde A é a atividade em bq, t é o tempo de exposição, d é à distância da fonte em


metros e Γ é uma constante de taxa de exposição que é característico de cada fonte e sua
unidade é dada em R.cm2.mCi-1.h-1 (OKUNO e YOSHIMURA, 2010).

2.4.1.6 Dose absorvida (D)

A dose absorvida é definida como sendo a energia total absorvida em um volume


elementar da matéria por unidade de massa, Eq. (2-6). Essa grandeza é válida para qualquer
29

meio, para qualquer tipo de radiação e em qualquer geometria de irradiação (OKUNO e


YOSHIMURA, 2010).

̅̅̅̅̅
d∈
D= (2-6)
dm

Onde ̅̅̅̅̅
d ∈ é a energia media em joule, depositada pela radiação no ponto de interesse,
num meio de massa dm, em kg.
A unidade utilizada atualmente é o gray (Gy), onde 1 Gy = 1Jkg-1. A unidade mais
antiga de dose absorvida é o rad (radiation absorved dose) onde 1 Gy = 100rad.

2.4.1.7 Poder de Freamento (Stopping Power)

O valor que representa a taxa de perda de energia por unidade de comprimento do


trajeto x por uma partícula carregada de tipo Y e energia cinética E, Eq.(2-7), em um meio de
número atômico Z, é conhecido como poder de freamento com unidade [MeV/cm]
(ATTIX,1986)

𝑑𝐸
𝑆= (2-7)
𝑑𝑥

2.4.1.8 Teoria da Cavidade

Ao se colocar um detector em um ambiente sujeito a irradiação, haverá uma mudança


neste meio, ou seja, uma “cavidade” que irá alterar as propriedades de absorção da radiação,
já que existe uma diferença na densidade e no número atômico entre os meios. (FERREIRA,
2009). Logo se pode afirmar que com a presença do detector, a quantidade de radiação
absorvida, será diferente da dose absorvida sem que haja interferência no meio.
Um detector, segundo FEDERICO (2002), é constituído por um volume sensível, ou
área sensível, preenchido com um meio g, cercada por uma parede composta por outro meio
w, e a relação entre a dose absorvida no meio (𝐷𝑤 ) e a dose absorvida no detector (𝐷𝑔 ) é dada
por meio da teoria da cavidade.
30

Basicamente, as aproximações envolvidas na teoria da cavidade dependem das


dimensões da cavidade em relação ao alcance dos elétrons secundários gerados pela radiação
primaria no meio que envolve a cavidade, podendo ser admitidos três situações diferentes: a)
a cavidade é pequena em relação ao alcance dos elétrons, b) Uma situação intermediária onde
as dimensões da cavidade são da ordem de grandeza do alcance dos elétrons e c) A cavidade é
grande em relação ao alcance dos elétrons (FEDERICO, 2002).
Ao assumir a primeira situação, onde a cavidade é muito pequena em relação ao
alcance dos elétrons, não há perturbação do espectro de partículas no meio, logo a relação
entre a dose na cavidade Dcav (meio g) e a dose do meio Dmeio (meio w) são dadas pela relação
entre o poder de freamento (“Stopping Power”) de colisão de massa na cavidade (Scav) e no
meio (Smeio), conforme a teoria Bragg-Gray, descrita na Eq.(2-8) (ATTIX, 1986; FEDERICO,
2002):

𝐷𝑐𝑎𝑣 𝑆𝑐𝑎𝑣 𝑐𝑎𝑣


= = 𝑆𝑚𝑒𝑖𝑜 (2-8)
𝐷𝑚𝑒𝑖𝑜 𝑆𝑚𝑒𝑖𝑜

Para uma situação oposta à descrita anteriormente, onde a cavidade é suficientemente


grande, há um estabelecimento de espectro dentro da cavidade, para este caso a relação entre
as doses na cavidade e no meio é dada pela Eq. (2-9), essa relação e dada pelos coeficientes
de massa de absorção de energia dos respectivos locais (FEDERICO, 2002).

𝜇
𝐷𝑐𝑎𝑣 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑐𝑎𝑣
= (2-9)
𝐷𝑚𝑒𝑖𝑜 (𝜇𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑚𝑒𝑖𝑜

Em uma situação onde o espectro de partículas no meio é perturbado pela


cavidade, mas não chega a estabelecer um comportamento determinado, a relação entre a dose
da cavidade e no meio, é utilizada a teoria que foi proposta por Burlin e esta teoria estabelece
a seguinte relação entre as doses na cavidade e no meio, Eq.(2-10):

𝜇
𝐷𝑐𝑎𝑣 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑐𝑎𝑣 𝑐𝑎𝑣
= 𝑑𝑆𝑚𝑒𝑖𝑜 + (1 − 𝑑) 𝜇 (2-10)
𝐷𝑚𝑒𝑖𝑜 ( 𝑒𝑛⁄𝜌)
𝑚𝑒𝑖𝑜
31

cav
S meio
Onde é a razão do poder de freamento da cavidade e do meio circundante,
(en/) são os coeficientes de massa de absorção de energia da cavidade e do meio, e o
parâmetro “d” é dado pela Eq.(2-11), (FEDERICO, 2002):

1 − 𝑒𝑥𝑝(−𝐵 𝑥 )
𝑑= (2-11)
𝐵𝑥

Onde B é o coeficiente de massa efetivo de atenuação dos elétrons da cavidade (meio


g) e x é o percurso médio dos elétrons na cavidade.
Conforme afirma FEDERICO (2002) o princípio de equivalência, definida por Bragg-
Gray (1394) e reconsiderada por Laurence (1937), define que a dose absorvida no meio, assim
como a cavidade do detector, depende do poder de freamento de massa do meio e da
cavidade, e pode ser expressa pela Eq.(2-12):

cav 1 Eo Scav (E)


Smeio = ∫ [ ] dt (2-12)
Eo 0 Smeio (E)

Onde: E é a energia cinética do elétron, Eo é a energia cinética inicial do elétron, Scav


é o poder de freamento da cavidade e Smeio é o poder de freamento do meio (FEDERICO,
2002; FERREIRA, 2009).

2.4.2 Interação da radiação com a matéria

Ao penetrar em um material, a radiação interage transferindo a energia para os átomos


e moléculas que estejam em sua trajetória. Ao interagir com um meio material, a radiação
pode provocar (ALVERNAZ, 2010; OKUNO e YOSHIMURA, 2010):
 IONIZAÇÃO - processo de formação de átomos eletricamente carregados, ou seja,
íons, pela remoção ou acréscimo de um ou mais elétrons - característico das radiações
ionizantes.
 EXCITAÇÃO - adição de energia a um átomo, elevando-o do estado de equilíbrio de
energia ao estado de excitação. Os elétrons são deslocados de seus orbitais de
equilíbrio e, ao retornarem, emitem a energia excedente sob a forma de radiação (luz
ou raios-X característicos).
32

 ATIVAÇÃO DO NÚCLEO - interação de radiações com energia superior à energia de


ligação dos núcleos e que provoca reações nucleares, resultando em um núcleo
residual e na emissão de radiação.
 RADIAÇÃO DE FREAMENTO (“Bremsstrahlung”) - radiação, em particular raios-
X, emitida em decorrência da perda de energia cinética de elétrons que interagem com
o campo elétrico de núcleos de átomos-alvo, átomos estes com elevado número
atômico, ou mesmo que interagem com a eletrosfera.
Quando as partículas carregadas ou a radiação eletromagnética atravessam a matéria, o
mecanismo que mais contribui para a perda de energia é a interação com os elétrons. Isto se
justifica pelo fato do raio do núcleo ser da ordem de 10.000 vezes menor que o raio do átomo.
No caso específico de partículas carregadas, este fenômeno é facilmente evidenciado a partir
da dispersão que elas experimentam ao interagir com a matéria. As partículas mais pesadas
são pouco desviadas de sua direção original quando interagem, perdendo energia. As
partículas betas, por serem menos pesadas, são desviadas com ângulos muito maiores ao
interagirem com o meio. As perdas de energia resultante de colisões com núcleos são várias
ordens de grandeza menores que as resultantes da interação com elétrons (ALVERNAZ,
2010).

2.4.2.1 Alcance

Quando uma partícula atravessa um átomo, ela pode interagir tanto com os elétrons
carregados negativamente quanto com o próprio núcleo deste átomo carregado positivamente.
Devido à força eletromagnética, a partícula, em função de sua carga, tenta atrair ou repelir os
elétrons ou núcleos próximos de sua trajetória, perdendo parte de sua energia. Essas
partículas, à medida que penetram na matéria, sofrem diversas colisões e interações com
perda de energia até que, a uma dada espessura do material, toda energia é dissipada e a
partícula, portanto, para de se deslocar, assim, denomina-se alcance a distância média
percorrida por uma partícula carregada, em uma dada direção, distância essa que depende de
alguns fatores, como: (ALVERNAZ, 2010):
 ENERGIA: quanto maior a energia inicial da partícula, maior será o seu alcance.
 MASSA: Partículas mais leves têm alcance maior que partículas mais pesadas de
mesma energia e carga;
33

 CARGA: Uma partícula menos carregada possui alcance maior que uma partícula com
mais carga;
 DENSIDADE DO MEIO: o alcance da partícula está diretamente relacionado com a
densidade do material, onde quanto maior for essa densidade, menor será o poder de
penetração da partícula.

2.4.2.2 Gama e raios X

A interação da radiação eletromagnética ionizante com a matéria é diferente dos


processos anteriormente mencionados. Assim, quando um feixe de raios X ou gama atravessa
um material, três possíveis destinos aguardam cada um desses fótons, que são: (SPRAWLS,
1995; SOARES e LOPES, 2001):

 PENETRAÇÃO em uma seção da matéria sem interação;


 INTERAÇÃO com a matéria e completa absorção, depositando sua energia;
 INTERAÇÃO e espalhamento, tendo parte da sua energia depositada;
A Figura 2-2, a seguir, ilustra a interação dos fótons no corpo humano.

Figura 2-2– Interação dos fótons no corpo humano (Adaptado de SPRAWLS, 1995).

A interação do raios-X e gama com a matéria produz poucas ou nenhuma interação


durante seu trajeto, diferentemente do que ocorre com as partículas carregadas. Os três
34

processos principais de interação é o efeito fotoelétrico, efeito Compton e a produção de pares


(OKUNO e YOSHIMURA, 2010).
O EFEITO FOTOELÉTRICO é o processo onde o fóton transfere toda a sua energia
para um elétron localizado em uma das camadas atômicas. O elétron sai do átomo com uma
energia cinética igual à diferença entre a energia do fóton incidente e a sua energia de ligação.
Este elétron cede sua energia ao meio produzindo a ionização e excitação dos seus átomos. É
importante notar que neste processo toda a energia do fóton incidente é cedida ao meio, o
efeito fotoelétrico é predominante em baixas energias. (SPRAWLS, 1995)
No EFEITO COMPTON o fóton incidente é espalhado por um elétron das últimas
camadas, isto é, fracamente ligado ao átomo, que recebe parte da energia do fóton. O fóton
espalhado terá uma energia menor e uma direção diferente daquela do fóton incidente.
(SPRAWLS, 1995). Ambos os efeitos são mostrados na Figura 2-3.

Figura 2-3– Representação de duas formas básicas da interação da radiação entre fótons e
elétrons (Adaptado de SPRAWLS, 1995).

A PRODUÇÃO DE PARES ocorre somente quando fótons de energia a partir de


1,02 MeV passam próximos a núcleos de elevados números atômicos. Neste caso a radiação
X ou raios gamas interage com o núcleo e desaparece, dando origem a um par elétron
pósitron. O pósitron após transmitir, por colisões, a sua energia cinética aos átomos do meio,
volta a se combinar com um elétron, dando origem a dois fótons, cada um com energia de
0,511 MeV. A formação de pares é predominante para energias elevadas e para elementos de
grande número atômico. (SOARES e LOPES, 2001; SPRAWLS, 1995)
Na Figura 2-4 tem-se um resumo dos valores dos coeficientes de absorção linear dos
efeitos acima mencionados em função de energia de raios gama para o silício e germânio.
35

Figura 2-4– Coeficiente Absorção Linear em função da Energia raio gama para o Si e Ge
(Adaptado de ORTEC, 2016).

A probabilidade de ocorrência desses processos depende da energia do fóton incidente


e com o numero atômico e a densidade do meio, e pode ser observado na Figura 2-5 a seguir,
(OKUNO e YOSHIMURA, 2010):

Figura 2-5–Probabilidade de ocorrência dos efeitos em função do numero atômico do


absorvedor e a energia do fóton incidente (Adaptado de OKUNO e YOSHIMURA, 2010).
36

2.4.3 Efeitos da Radiação Ionizante nos componentes eletrônicos

Os componentes eletrônicos modernos são muito sensíveis ao ambiente radioativo. A


presença de alta energia e partículas ionizantes (prótons, íons e elétrons) induz muitos efeitos
perceptíveis. Estes efeitos variam desde a degradação de desempenho até as perturbações
funcionais que podem afetar qualquer operação do sistema. (DUZELLIER,2005). Nos
componentes eletrônicos denominados Circuitos integrados (CIs) os efeitos aparecem como
uma mudança transitória ou permanente dos parâmetros elétricos dos componentes do
circuito, seu mau funcionamento ou, até mesmo, sua falha completa e inoperacionalidade.
Estes efeitos podem ser classificados como transientes ou cumulativos, podendo, também, ser
reversíveis ou não reversíveis (GONÇALEZ et al., 2012).
Os principais efeitos da radiação podem ser classificados em três categorias:
1. Dose Ionizante Total (TID): os efeitos são cumulativos e induzidos por uma
exposição homogênea e contínua por prótons e elétrons dos cinturões de
radiação; 2. Evento de Efeito Único (SEE): são as anomalias funcionais
probabilísticos induzidas por uma única interação de partículas (íons pesados
ou prótons oriundos dos RCG ou erupções solares) e, 3. Dano por
Deslocamento (DD): que leva a degradação gradual do desempenho de
dispositivos.

2.4.3.1 Dose Ionizante Total (TID)

O TID é caracterizado pelo efeito da dose total acumulada no dispositivo. Isto ocorre
quando a partícula ionizante atinge os componentes eletrônicos com energia suficiente para
liberar os elétrons do material formando pares de elétrons - lacunas. Estes pares de elétrons-
lacunas se acumulam no componente e modificam seu funcionamento (MACHADO, 2013;
PRADO, 2012).
A dose é usada para quantificar os efeitos da liberação de carga por ionização, é
definida como a energia depositada pela unidade de massa do material (que deve ser
especificado), e pode ser medida em termos de J/kg. Em dispositivos CMOS o acúmulo de
dose leva a mudança da tensão de limiar (“threshold voltage”) devido às lacunas que ficam
aprisionadas no volume do óxido ou na interface do metal-óxido do dispositivo (DYER, 2001;
ARRUDA, 2006).
37

2.4.3.2 Dano por Deslocamento (DD)

Quando uma partícula de alta energia incide sob um componente eletrônico, ela pode
deslocar o núcleo de um ou mais átomos da rede cristalina do material levando a inoperância
do componente (MACHADO, 2013). As partículas que produzem danos por deslocamentos
incluem prótons, elétrons com energias acima de 150 MeV e nêutrons. (ARRUDA, 2006). O
DD também é causado pelo efeito cumulativo da radiação ionizante, mas o que o difere do
TID é o fato dos átomos serem deslocados para fora da sua estrutura, e quando um número
suficiente de átomos é deslocado ocorre à falha do dispositivo. As partículas pesadas como
nêutrons e prótons são mais eficazes na ocorrência deste efeito do que as partículas mais leves
como elétrons e raio gama. (PRADO, 2012).

2.4.3.3 Efeitos de evento único (SEE)

Os SEEs são causados pela deposição de energia por uma única partícula que interage
com o dispositivo e se caracteriza por qualquer mudança, que pode ser medida ou observada,
no estado ou desempenho de um dispositivo microeletrônico, componente, sistema digital ou
analógico (PRADO, 2012).
Um SEE ocorrerá se a carga depositada for maior do que a carga crítica (Q C) associada
à estrutura do dispositivo (parâmetro característico do material) . O uso do parâmetro de LET
(Linear Energy Transfer) permite cálculos da energia depositada em um volume de
dimensões conhecidas (EDEP).
Conforme DUZELLIER (2005), o LET, ao contrário do que ocorre com os íons
energéticos, dos prótons é muito baixo para induzir diretamente um SEE em dispositivos, e
interagem através de interações nucleares elásticas ou inelásticas em sua trajetória e
transferência de sua energia para o átomo de recuo. À medida que a massa do recuo é maior
do que a do próton incidente, então seu LET é associado, portanto, para os prótons, o SEE é
um mecanismo indireto e a deposição de carga resultante é devido a partículas secundárias,
(Figura 2-6). Apenas partículas com LET suficiente para atravessar o trajeto do Volume
Sensível (SV do inglês “Sensitive Volume”) para depositar mais carga do que a carga critica
poderá causar um SEE. As dimensões do SV podem ser experimentalmente estimadas através
da medição da seção de choque dependente do LET no dispositivo.
38

Figura 2-6–Mecanismo de deposição de Dose nos casos de prótons e íons pesados (Adaptado
de DUZELLIER, 2005).

Os efeitos de SEE mais importantes para aplicações aeroespaciais são o “Single Event
Upset” (SEU), o “Multiple Bit Upset” (MBU) e o “Single Event Functional Interrupt”
(SEFI), entretanto deve-se ressaltar que existem outros tipos de efeitos, tais como os “Single
Effect Transients”, “Single Event Latch-ups” entre outros (INTERNATIONAL
ELECTROTECHNICAL COMMISSION, 2006; PRADO, 2015).
Os efeitos da radiação nos dispositivos eletrônicos podem ser classificados conforme
proposto por MACHADO (2013), (Figura 2-7).
39

Figura 2-7 – Efeitos em componentes eletrônicos causados por partículas ionizantes


(MACHADO, 2013, p.22).

DUZELLIER (2005) em seu estudo fornece uma lista de eventos observados em naves
espaciais que foram induzidos pela grande explosão solar que ocorreu em outubro de 2003 e
que estão descritos na Tabela 2-1 a seguir.
40

Tabela 2-1 – Eventos observados durante uma explosão solar que ocorreu em outubro de 2003
Data Satélite Descrição do Evento
24 de outubro GOES-9,10 Alta taxa de erros de bit
25/28-29 de outubro RHESSI Reset espontâneo do CPU
Vários “auto-shutdowns”de
26 de out.-5 de nov. SMART-1
propulsão elétrica
Reset no “star tracker” e
Sonda “Microwave acionamento autônomo do
28 de outubro
Anisotropy” “backup tracker”. O “star
tracker” foi recuperado.
Erro de memória, corrigido
29 de outubro Mars Odyssey com uma reinicialização
fria em 31 de outubro.
Apesar da estabilização
28-30 de outubro FedSat triaxial, o satélite começa a
oscilar. (upset).
Algumas das 4 naves
espaciais têm resets no
28-30 de outubro Cluster
processador. Dano
recuperado.
Fonte: DUZELLIER (2005)

2.5 Detector de radiação

Um detector de radiação é definido como um dispositivo que, quando exposto a um


meio onde exista um campo de radiação, possua a sensibilidade para indicar a sua presença.
Existem diversos processos pelos quais diferentes radiações podem interagir com o meio
material utilizado para medir ou indicar características dessas radiações e seu entendimento
está diretamente ligado ao tipo de detector a ser utilizado em cada processo, e que serão
descritos nos tópicos a seguir, (OKUNO e YOSHIMURA, 2010; TAUHATA et al., 2013).
41

2.5.1 Propriedades de um detector

Para um dispositivo ser classificado como um detector de radiação é necessário que,


além de ser adequado para a medição, apresente algumas características, tais como (OKUNO
e YOSHIMURA, 2010):
a) REPETITIVIDADE, definida pelo grau de concordância dos resultados obtidos sob as
mesmas condições de medição;
b) REPRODUTIBILIDADE, grau de concordância dos resultados obtidos em diferentes
condições de medição;
c) ESTABILIDADE, aptidão de o instrumento conservar constantes suas características
de medição ao longo do tempo;
d) EXATIDÃO, grau de concordância dos resultados com o “valor medido” ou “valor de
referência”;
e) PRECISÃO, grau de concordância dos resultados entre si, normalmente expresso pelo
desvio padrão em relação à média;
f) SENSIBILIDADE, razão entre a variação da resposta de um instrumento e a
correspondente variação do estímulo; e
g) EFICIÊNCIA, capacidade de converter em sinais de medição os estímulos recebidos.

2.5.1.1 Modelo Básico de detectores.

Ao se analisar um detector, de modo geral, é importante saber o tipo de irradiação que


ele estará sujeito, podendo ser uma única interação de uma partícula (como por exemplo uma
partícula alfa) ou um “quantum” de energia (como por exemplo raios gamas). O tipo de
interação, irá determinar o meio de detecção a ser utilizado.
A interação ou tempo de paragem (“Stopping Time”) é muito pequeno (para gases é
tipicamente de alguns nanossegundos ou de algumas picossegundos em semicondutores). Na
maioria das situações práticas, este tempo é tão curto que a deposição de energia de radiação
pode ser considerada instantânea, (KNOLL,1989), o tempo de paragem (T) pode ser calculado
pela Eq. (2-13):
𝑚𝐴
𝑇 ≅ 1,2 . 10−7 𝑅√ (2-13)
𝐸
42

Onde T é o tempo de paragem e pode ser expresso em segundos, R é o alcance da


partícula em metros, mA é a massa da partícula em uma (unidade de massa atômica), e E é a
energia da partícula em MeV, (KNOLL ,1989).

2.5.2 Modos de operação do detector

Há três modos de operação para um detector: modo de pulso, o modo de corrente e


modo de tensão quadrada - MSV (do inglês “Mode Square Voltage”), sendo que este último
modo é limitado a algumas aplicações com algumas características únicas. Embora os três
modos sejam operacionalmente distintos, eles estão interligados através de sua dependência
comum sobre a sequência de pulsos de corrente que é à saída do modelo de detector
simplificado, (KNOLL, 1989).
Neste trabalho será somente abordado o modo corrente e o modo pulso.
Modo Corrente: O diagrama da Figura 2-8, abaixo, mostra um dispositivo de
medição de corrente (um amperímetro ou, mais precisamente, um aparelho que trabalhe na
faixa do pico amperes) ligado através dos terminais de saída do detector de radiação.

Figura 2-8– Modo Corrente (Adaptado de KNOLL, 1989, p.105).

Ao assumir que os dispositivos de medição têm um tempo de resposta fixa T, então o


sinal registrado a partir de uma sequência de eventos será dado pela Eq. (2-14):

𝐸
𝐼𝑜 ≅ 𝑟𝑄 = 𝑟 𝑞 (2-14)
𝑊
43

Onde: r é a taxa de eventos, Q = Eq / W é a carga produzida para cada evento, E é a


energia média depositada por evento, W é a energia média necessária para produzir um par de
unidades de carga (por exemplo, par de elétrons-lacuna) e q equivale a 1,6x10-19C.
Para irradiação no estado estacionário do detector, esta corrente média também pode
ser reescrita como a soma de Io (corrente constante), mais a dependência do componente
flutuante σi tempo - (t) esboçado, abaixo, na Figura 2-9:

Figura 2-9– Corrente médio no detector Modo Corrente (KNOLL, 1989).

Onde σi (t) é uma variável dependente do tempo aleatório que ocorre como uma
consequência da natureza aleatória do evento de radiação, interagindo dentro do detector.
Por conseguinte, o desvio padrão do número de eventos que ocorrem a uma taxa r em um
tempo de medição eficaz T é simplesmente, Eq. (2-15):

𝜎𝑛= √𝑟𝑇 (2-15)

Se cada impulso contribui com a mesma carga, o desvio padrão fracionado no sinal
medido devido a flutuações aleatórias no tempo de chegada dos pulsos é dado pela Eq.(2-16)

̅̅̅̅̅̅
𝜎 𝐼(𝑡) 𝜎𝑛 1
= = (2-16)
𝐼𝑜 𝑛 √𝑟𝑇

Onde ̅̅̅̅̅̅
𝜎𝐼(𝑡) é a média de tempo do desvio padrão na corrente medida, T é o tempo de
resposta do picoamperímetro e Io é a corrente de saída média no medidor. Este resultado é útil
para estimar a incerteza associada com um determinado modo de medição de corrente.
Modo pulso: Ao rever várias aplicações de detectores de radiação, nota-se que a
operação do modo de pulso é usada com muitos detectores quando as taxas de eventos são
44

muito elevadas. Os detectores que são aplicados à dosimetria de radiação também estão
normalmente operando no modo de corrente. O modo pulso é útil no aumento da resposta
relativa de eventos de amplitude larga e encontra uma ampla aplicação na instrumentação
de reatores nucleares. A maioria das aplicações, no entanto, é mais bem servida pela
preservação de informações sobre a amplitude e o calendário de eventos individuais que
só o modo de pulso pode proporcionar. A natureza do sinal de pulso produzido a partir de
um único evento depende das características de entrada do circuito para que o detector
esteja ligado (normalmente um pré-amplificador). O circuito equivalente geralmente é ser
representado conforme demonstra a Figura 2-10:

Figura 2-10– Representação do Modo Pulso (Adaptado de KNOLL, 1989).

Onde R representa a resistência de entrada do circuito, e C representa a capacitância


equivalente tanto do próprio detector como do circuito de medição (KNOLL,1989).

2.5.3 Efeitos físicos e químicos usados na detecção da radiação

Os detectores de radiação podem ser definidos como transdutores, ou seja, convertem


a interação da radiação em um sinal que pode ser medido ou avaliado No esquema abaixo da
Figura 2-11, encontram-se representados os principais efeitos físicos e químicos da radiação
ionizante, atualmente utilizados como propriedade iterativa para detecção de radiação
ionizante, bem como os meios utilizados na detecção e características estruturais de cada tipo
de detector (DAROS, 2016; OKUNO e YOSHIMURA, 2010).
45

Figura 2-11– Principais efeitos físicos e químicos utilizados na detecção da radiação ionizante
(Adaptado de DAROS, 2016).

O volume sensível no detector é a região onde a interação da radiação produz um sinal


correspondente a essa interação. Há algumas formas de se relacionar o sinal produzido no
detector com a radiação (OKUNO e YOSHIMURA, 2010):
 CONTADOR: o sinal simplesmente detecta a presença da radiação no local e
conta os números de interações produzidas na área sensível do detector;
 DOSÍMETRO: o sinal produzido representa a dose absorvida na área sensível
do detector;
 ESPECTRÔMETRO: o sinal produzido na área sensível do detector, trás
informações tanto da presença da radiação, quanto do nível de energia da
partícula incidente.
Neste trabalho serão somente abordados os detectores semicondutores, já que os
detectores do tipo Si- PIN, utilizado neste estão inclusos nesta categoria.

2.6 Materiais Semicondutores

Semicondutores é um grupo de materiais que possuem condutividades intermediárias


entre metais e isoladores, onde a condutividade destes materiais pode variar em ordem de
grandeza por alterações na temperatura, excitação óptica e o numero de impurezas presente na
rede cristalina. A variabilidade de propriedades elétricas torna os materiais semicondutores
46

escolhas naturais para serem utilizados em componentes eletrônicos (STREETMAN e


BANERJEE, 2009).
Os materiais semicondutores mais simples são constituídos por átomos tetravalentes
(Figura 2-12), ou seja, possuem quatro elétrons na camada de Valência. No caso dos cristais
de Ge e Si os átomos são unidos através da ligação covalente, ou seja, cada elétron da camada
de valência é compartilhado simultaneamente com outro átomo (BOYLESTAD e
NASHELSKY, 1998; MELLO e BIASI, 1975).

Figura 2-12–Representação de átomos de (a) Ge e Si (b) (BOYLESTAD e NASHELSKY,


1998).

2.6.1 Estruturas de Bandas

À medida que átomos isolados são reunidos para formar sólido, ocorrem várias
interações entre átomos vizinhos. As forças de atração e repulsão entre os átomos procuram
encontrar um equilíbrio no espaçamento interatômico apropriado na formação do cristal,
neste processo, ocorrem mudanças importantes nas configurações do nível de energia do
elétron, e essas mudanças resultam nas variadas propriedades elétricas dos sólidos
(STREETMAN e BANERJEE, 2009).
Nos materiais sólidos são possíveis quatro estruturas diferentes de bandas eletrônicas a
uma temperatura de 0 kelvin (0K). Na primeira estrutura, Figura 2-13 (a) a camada mais
externa é apenas parcialmente preenchida. A energia correspondente ao mais alto estado de
47

energia ocupado a 0K é chamada de Energia de Fermi (Ef). Este tipo de estrutura é típico de
alguns metais, em particular daqueles que tem um único elétron de valência em s.
(STREETMAN e BANERJEE, 2009). Para o segundo tipo de estrutura, Figura 2-13(b),
também encontrada nos metais, há uma sobreposição de uma banda vazia para uma banda
ocupada. Por fim, as duas estruturas finais são semelhantes, uma banda de valência (BV) é
completamente preenchida e é separada de uma banda, de condução, (BC) vazia. Um espaço
(banda proibida ou banda gap, Bg) separa as duas bandas. A única diferença entre as estruturas
está na largura da Bg, que é maior em materiais isolantes, Figura 2-13(c), do que nos
semicondutores, Figura 2-13(d):

Figura 2-13– Possíveis estruturas de bandas eletrônicas nos sólidos a 0 K.

2.6.2 Condução em Termos de Bandas Eletrônicas

À medida que a temperatura de um semicondutor é aumentada a partir de 0 K, alguns


elétrons na banda de valência recebem energia térmica suficiente para serem excitados através
da banda proibida (também conhecida como Energia do gap - Eg,) para a banda de condução.
O resultado é um material com alguns elétrons em uma banda de condução parcialmente
preenchida e alguns estados desocupados na banda de valência, Figura 2-14. Por
conveniência, um estado vazio na banda de valência é denominado como lacuna. Se o elétron
da banda de condução e a lacuna são criados pela excitação de um elétron de banda de
valência para a banda de condução, eles são denominados como par de elétrons-lacuna. Após
48

a excitação para a banda de condução, um elétron é cercado por grande número de estados de
energia desocupados. Assim, os poucos elétrons na banda de condução estão livres para se
deslocarem através dos muitos estados vazios disponíveis (STREETMAN e BANERJEE,
2009)

Figura 2-14– Elétrons na banda de condução e lacunas na banda de Valencia para


temperaturas maiores que 0K (Adaptado de BAHAA e SALEH, 1991).

A Eg nos semicondutores, Figura 2-13(d) a 0K é geralmente menor que 2eV. Os


semicondutores Si e o Ge, possuem uma largura da Eg de 1,1eV e 0,7 eV, respectivamente. A
Tabela 2-2 apresenta algumas características destes semicondutores. (KNOLL, 1989).

Tabela 2-2 - Propriedades dos materiais semicondutores.


Si Ge HgI2 Cd0,8Zn0,2Te
PROPRIEDADE DOS MATERIAIS
(300K) (77K) (300K) (300K)
Número atômico (Z) 14 32 48,52 48,30,52
Densidade (g.cm3) 2,33 5,32 5,86 6
Energia da bandgap (eV) 1,12 0,67 1,47 1,7
Energia de Ionização (eV por par
3,61 2,98 4,3 5
elétron-lacuna)
Fonte KNOLL, 1989.

2.6.3 Detectores Semicondutores

A grande maioria dos detectores de radiação semicondutores em uso atualmente são


fabricados a partir de Si ou Ge. A popularidade destes materiais é atribuída principalmente às
49

excelentes propriedades de transporte de carga, que permitem o uso de grandes cristais sem
perdas excessivas de transportadores de carga a partir da captura e recombinação (KNOLL,
1989).
Uma boa resolução de energia requer um Eg relativamente pequeno, reduzindo assim a
energia média de ionização necessária para excitar um par de elétrons-lacuna, Figura 2-15,
resultando em um aumento na geração de par elétron-lacuna por unidade de energia
depositada, diminuindo assim, as flutuações estatísticas. Além disso, a coleta eficiente da
carga a partir do dispositivo requer grandes valores de mobilidade das cargas (μ) e o tempo de
vida dos transportadores de carga (τ).

Figura 2-15– Energia média necessária para gerar um par de elétrons-lacunas (ε) versus
Energia de gap para alguns tipos de materiais semicondutores. (Adaptado de KNOLL, 1989).

Os detectores semicondutores podem ser fabricados em tamanho reduzido e, mesmo


assim, praticamente todos os pares de elétrons-lacunas produzidos pela radiação incidente irão
contribuir no sinal resultante desta interação. Tanto Si quanto Ge satisfazem razoavelmente
50

bem esses requisitos, o que justifica sua popularidade na utilização destes materiais como
detectores de radiação (KNOLL, 1989).
Um dos mais importantes interesses para uso dos semicondutores na dosimetria é a sua
sensibilidade extremamente elevada em relação ao volume de ionização, em comparação, por
exemplo, com uma câmara de ionização. Apesar da sua resposta para os fótons de baixa
energia, os detectores semicondutores de silício apresentam características que os tornam
muito atraente para medir qualquer dose ou taxa de dose, em relação às câmaras de gás-
ionizante (BARTHE, 2001; HODGSON, 2010).

2.6.3.1 Princípio de operação dos detectores semicondutores

Quando uma partícula atravessa um díodo, ela cria uma trilha de pares elétrons-
lacunas, que geram uma corrente elétrica. Diferente de um átomo ionizado em um gás, que
pode facilmente recombinar-se com um elétron livre, a recombinação dos pares elétrons-
lacunas entre as bandas é muito improvável em um cristal de silício. Isto porque os portadores
de carga têm que transitar através de uma banda com níveis de energia proibidos. Assim, o
tempo de vida dos portadores de carga dependerá das imperfeições e impurezas do cristal. A
Figura 2-16 ilustra esses processos (SANTOS, 2002).

Figura 2-16– Esquema representativo dos mecanismos de ionização, excitação e


armadilhamento em um semicondutor (SANTOS, 2002).

2.6.3.2 Região de depleção


51

Para se aumentar a eficiência de detecção é necessária ampliar a região sensível do


detector. Característica encontrada nos fotodiodos PIN, que são constituídos por três regiões:
uma N, outra P e uma região central denominada I (ou intrínseca), conforme a Figura 2-17. A
dimensão da região intrínseca determina o volume sensível do detector. Esta região é
constituída de um material de alta resistividade, de tipo N ou P, praticamente sem portadores
de carga fixos (região de depleção). Assim, o tempo de vida dos portadores de carga criados
nessa região, pode ser substancialmente maior que o tempo necessário para coletá-los
(SIMÕES, 2008)

Figura 2-17– Seção transversal de um fotodiodo (SIMÕES, 2008).

A junção de uma região n com uma região p irá provocar inicialmente movimentos das
cargas negativas para a região p. O resultado é a criação de uma região com carga líquida
negativa na região p e uma região com carga líquida positiva na região n, evitando novos
movimentos e criando um equilíbrio dinâmico na região, embora com desequilíbrio de carga.
Essa região onde existe o desequilíbrio de carga é denominada de região de depleção e se
estende por ambos os lados da junção, e é responsável pela aceitação do movimento de cargas
em um só sentido, Figura 2-18:
52

Figura 2-18– Junção P-N do fotodiodo (SIMÕES, 2008).

Para um fluxo de radiação constate, pode ser admitido que a corrente gerada também seja
constante, portanto a taxa de dose absorvida (𝐷̇) no Si será proporcional a esta corrente (i). A
constante de proporcionalidade é definida como sensibilidade em corrente (Si) do fotodiodo e
pode ser expressa pela Eq.(2-17) (FERREIRA, 2013):

𝑖
𝑆𝑖 = (2-17)
𝐷̇

A detecção da radiação em um semicondutor é baseada na coleta das cargas


armazenadas produzidas pela interação da radiação na região de depleção ou volume sensível
do detector. A carga produzida é proporcional à energia da radiação depositada no
semicondutor. O número de portadores de carga produzido (No) é dado pela relação
representada na Eq. (2-18) (KNOLL, 1989):

𝐸𝑜
𝑁𝑜 = (2-18)
𝜀𝑝

Onde Eo é a energia depositada no material e 𝜀 p é a energia média para produzir um


par elétron-lacuna. Essas características são importantes nos detectores de radiação, pois as
cargas liberadas em cada interação correspondem à dose absorvida ou energia liberada pela
radiação incidente. (KNOLL, 1989; SANTOS, 2002).

2.6.3.3 A obtenção da profundidade de penetração de um de fóton no silício


53

Para conseguir uma boa resposta do detector é necessário saber a profundidade de


penetração de um fóton no silício, para isso é necessário conhecer o coeficiente de absorção
no mesmo, mas isso varia de acordo com o comprimento de onda e a energia do fóton. Na
Figura 2-19, ilustram-se, as diferentes curvas de absorção para os diferentes tipos de materiais
semicondutores, e pode ser observado o coeficiente de absorção para o Si com comprimentos
de ondas que variam de 500nm a 800nm.

Figura 2-19–Coeficiente de absorção (α), em função do comprimento de onda e da energia do


fótons para diversos semicondutores (Adaptado de CASTELO, 2010).

A partir dos valores apresentados na Figura 2-19, CASTELO (2010) calculou a


profundidade de penetração de fótons (1/α) no Si e pode ser visto na Tabela 2-3, para os
comprimentos de onda que variam de 500 a 800nm:
54

Tabela 2-3 - Profundidade de penetração do fóton no Si em função do Comprimento de onda.


Comprimento de Onda λ Coeficiente de absorção Profundidade de penetração 1/α
(nm) (µm-1) (µm)
500 1,2 0,83
550 0,75 1,33
600 0,5 2
650 0,35 2,85
700 0,25 4
750 0,17 5,88
800 0,1 10
Fonte: CASTELO, 2010.

2.6.4 Detectores Semicondutores de Silício (Si).

Os detectores de diodo de Si constituem o principal tipo de detectores de radiação


utilizado para partículas carregadas pesadas, como prótons, alfas e fragmentos de fissão. As
principais vantagens dos detectores de diodo de silício são a resolução, a estabilidade, o
excelente tempo de coleta de carga, a possibilidade de janelas extremamente finas e a
simplicidade de operação. (TAUHATA, 2013)

2.6.4.1 Eficiência quântica

A eficiência quântica η (onde 0 <= η <= 1) de um fotodetector é definida como a


probabilidade de que um único de fóton incidente nos dispositivos gere um par elétron-lacuna
que contribuirá para a corrente do detector e pode ser representada conforme a Eq. (2-19):

𝜂 = (1 − 𝑅). (1 − 𝑒 𝑎𝐿 ) (2-19)

Onde R é a potência óptica na refletância de superfície, α é o coeficiente de absorção e


L, é a espessura da área ativa. Uma vez que o coeficiente de absorção é uma função do
comprimento de onda α = α (λ), geralmente α diminui à medida que λ aumenta, conforme a
Figura 2-20 (BAHAA e SALEH,1991):
55

Figura 2-20– Efeito da absorção na eficiência quântica η (Adaptado de BAHAA e SALEH,


1991).

Entre e os semicondutores, a junção PIN, pode chegar até 80% de eficiência quântica.
A inclusão da parte intrínseca tem duas vantagens: a primeira é que o material nesta parte
possui quase que exclusivamente, átomos de baixa energia uma vez que não possuem
impurezas para produzirem portadores negativos ou positivos, portanto, nesta região a
absorção é praticamente total e a segunda vantagem é que a região intrínseca pode ser
dimensionada para ter uma área relativamente grande de modo a aumentar a área sensível do
fotodetector (FERIS, 2016).

2.6.4.2 Corrente de fuga (corrente de escuro)

Na detecção de radiação para baixas energias, o nível de ruído do detector é um fator


muito importante, uma vez que uma boa relação sinal-ruído (ou SNR do inglês “Signal-to-
Noise Ratio”) é necessária (SILVA, 2000). A maior fonte de ruído do detector é a flutuação
proveniente da corrente de fuga do dispositivo. A corrente de fuga, também é conhecida como
corrente de escuro ou corrente reverso e trata-se da corrente que se obtêm quando o detector
não está exposto à radiação, ou seja, o dispositivo encontra-se em um ambiente sem
incidência de qualquer fóton de luz.
Esta corrente consiste de duas componentes: uma que flui através da parte interna do
detector, e outra que flui pela sua superfície. A corrente através do volume do detector (parte
interna) corresponde à corrente de saturação reversa de corrente da geração térmica dos
portadores minoritários, já a corrente de fuga que flui pela superfície, é resultado das
impurezas ali presentes, que criam trajetos de menor resistência facilitando o fluxo da
corrente (SILVA, 2000).
56

A corrente de fuga é citada nas folhas de dados (“datasheets”) dos fotodiodos como
corrente reversa IR e sua intensidade, além de depender do tipo do detector, depende, também
da temperatura, da geometria da região de depleção e da tensão de polarização reversa.
(KNOLL, 1989; SILVA, 2000).

2.6.4.3 Capacitância do detector

Outro ponto importante para que haja uma rápida coleta dos portadores de carga,
evitando-se grandes perdas por recombinação, é que seja aplicada ao detector uma tensão de
polarização reversa, (SILVA, 2000). O efeito é bem similar a um capacitor de placas
paralelas, ou seja, à medida que esta tensão vai aumentando, mais cargas vão se formando na
junção.
A Figura 2-21 mostra a densidade de cargas, a intensidade do campo elétrico e a
variação do potencial em função da distância, em uma junção - PN, na qual a densidade de
impurezas aceitadoras é muito maior do que a concentração de doadoras.

Figura 2-21– (a) junção PN reversamente polarizada. (b) Densidade de cargas. (c) Intensidade
do campo elétrico. (d) Variação do potencial em função da distância x (SILVA, 2000, p 13).

A capacitância da junção pode ser calculada pela Eq. (2-20):


57

𝐴
𝐶 = 𝜀( ) (2-20)
𝑑

Onde ε é a permissividade elétrica do material semicondutor, A é a área ativa do


detector e d é a espessura da região de depleção. E pode ser utilizada para estimar a espessura
da região de depleção, quando se conhece a capacitância e a área ativa do detector.
A relação entre a espessura da região de depleção e a tensão VR aplicada na junção PN,
na qual a densidade de impurezas aceitadoras é muito maior que a concentração de doadoras é
dada, por Eq.(2-21)

2𝜀𝑉𝑅 𝛼
𝑑≅( ) (2-21)
𝑒𝑁

Onde N representa a concentração de impurezas doadoras e α é um coeficiente


determinado pelo processo de fabricação do cristal. Substituindo-se d da Eq. 2-23 pelo da Eq.
2-22 e assumindo um valor de ½ para α obtém-se a seguinte Eq.(2-22):

1⁄
𝑒𝜀𝑁 2
𝐶 ≅ 𝐴( ) (2-22)
2𝑉𝑅

Através desta equação anterior pode-se perceber que capacitância da região de


depleção diminui com o aumento da tensão reversa aplicada à junção semicondutora,
(SILVA, 2000).

2.6.5 Fotodiodos

Os fotodiodos são sensores semicondutores de luz que geram uma corrente ou tensão
quando a junção P-N é iluminada pela incidência de fótons ou partículas ionizantes. O termo
fotodiodo e muito vasto e em sua definição inclui até mesmo como elementos de baterias
solares, mas geralmente refere-se a sensores usados para detectar a intensidade de luz. E os
mesmos podem ser classificados por função e por modo de construção, sendo que os tipos
básicos são, (SIMÕES, 2008):
• Fotodiodo PIN;
• Fotodiodo tipo Schottky;
58

• Fotodiodo tipo avalanche (APD).


Todos esses tipos de fotodiodos são amplamente usados para detectar a quantidade de fótons
e/ou a radiação ionizante e entre suas principais características pode-se citar (SIMÕES, 2008):
• Excelente linearidade com relação à partícula/fóton incidente;
• Baixo ruído;
• Larga resposta espectral;
• Compacto;
• Leve e
• Longa durabilidade.

2.6.5.1 Circuito Equivalente

Um fotodiodo de Si pode ser representado por um circuito equivalente conforme


ilustra a Figura 2-22, a seguir.

Figura 2-22– Circuito Equivalente de um Fotodiodo de Si (SIMÕES, 2008).

Onde IL: corrente gerada pela luz incidente (proporcional à quantidade de luz), ID:
corrente no diodo ideal, Cj: capacitância da junção, Rsh: resistência de desvio (Shunt) da
junção PN, I’: corrente na resistência de desvio, VD: Voltagem sobre o fotodiodo, Rs:
Resistência em série do fotodiodo: representa a resistência de carga das junções P e N, IO:
corrente de saída e VO: voltagem de saída.
Pelo circuito equivalente anterior, a corrente de saída IO será dada pela Eq. (2-23):

𝑒𝑉𝐷
𝐼𝑜 = −𝐼𝐷 − 𝐼 ′ = 𝐼𝐿 − 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 − 1) − 𝐼 ′ (2-23)
𝑘𝑇
59

Sendo IS é a corrente de saturação reversa do fotodiodo, E a carga do elétron, k é


constante de Boltzmann (1,38064852 × 10-23 m2 kg s-2 K-1) e T é a temperatura absoluta
do fotodiodo.
Admitindo que a VOC seja a voltagem de saída quando IO é nula (saída em aberto).
Logo, VOC será dada pela Eq. (2-24):

𝑘𝑇 𝐼𝐿 − 𝐼 ′
𝑉𝑜𝑐= (𝑙𝑛 − 1) + 1 (2-24)
𝑒 𝐼𝑆

Considerando I’ desprezível, e sabendo que IS cresce exponencialmente em relação à


temperatura ambiente, pode-se afirmar que VOC é inversamente proporcional a temperatura
ambiente e proporcional ao logaritmo de IL, vale ressaltar que essa relação não é válida para
níveis baixos de luz.
Para a corrente de curto circuito ISC (corrente de saída quando a resistência de carga RL
for nula e VO é zero), pode ser expressa pela Eq. (2-25), a seguir:

𝑒(𝐼𝑆𝑐 . 𝑅𝑆 ) 𝐼𝑆𝑐 . 𝑅𝑆
𝐼𝑆𝑐 = 𝐼𝐿 − 𝐼𝑆 (𝑒𝑥𝑝 − 1) − (2-25)
𝑘𝑇 𝑅𝑠ℎ

Na equação apresentada acima, a linearidade ISC é limitada pelo segundo e terceiro


termo, mas sabendo que o valor de RS é da ordem de alguns Ohms e Rsh da ordem de 107 a
1011 Ohms, esses termos se tornam desprezíveis. (SIMÕES, 2008).

2.7 Fotodiodo PIN

Como mencionado anteriormente, os fotodiodos são sensores de luz semicondutores


que geram uma corrente ou tensão quando iluminado por luz. Os fotodiodos Si- PIN podem
ser utilizados para detectar diferentes tipos de radiação diretamente ou indiretamente pelo
acoplamento de um cintilador (material que cintila, em um comprimento de onda, quando
submetido à radiação), é um dos mais importantes dispositivos semicondutores usados
atualmente para detectar partículas de alta energia. Além do tamanho compacto, os fotodiodos
de Si-PIN possuem outras características desejáveis. Entre estas se destacam a superior
resolução em energia, uma velocidade em resposta relativamente alta e pouca espessura, a
60

qual pode ser variada, dependendo da aplicação requerida. As desvantagens incluem a


limitação do tamanho e facilidade de degradação induzida pela radiação (LI 2004; REDUS et
al., 2002; BACALA, 2001).

2.7.1 Geometria PIN

O fotodiodo Si-PIN é composto basicamente por três regiões: o cátodo, a camada


epitaxial (região intrínseca) e o ânodo, conforme mostra a Figura 2-23. O catodo é uma região
N de largura altamente dopada; a camada intrínseca é uma região N levemente dopada,
epitaxialmente crescido ao longo do cátodo; o ânodo é uma região P altamente dopada
colocada na parte superior da camada intrínseca (BUATTI, 2006; CARVALHO, 2008;
FERREIRA, 2009).

Figura 2-23– Exemplo de uma estrutura e dopagem de um fotodiodo PIN (Adaptado de


BUATTI, 2006).

A principal diferença entre os diodos PN e os diodos de estrutura PIN é justamente a


adição desta camada intrínseca, o que permite que os diodos do tipo PIN possam suportar uma
grande tensão reversa (dependendo da sua largura e dopagem). A presença desta região
também tem efeitos importantes sobre a característica direta do fotodiodo e comportamento
dinâmico, (BUATTI, 2006).
A geometria PIN permite que o volume ativo do detector seja estendido de vários
milímetros, o que o torna suficiente para capturar todas as cargas depositadas pela interação
61

da radiação. O volume ativo requerido para uma detecção eficiente da radiação depende do
material usado como substrato, da energia da radiação, do tipo de radiação que será detectada
e da aplicação específica (LI, 1991).
Os detectores de Ge sempre operaram com temperaturas baixas para reduzir a corrente
de fuga gerada termicamente. Em aplicações de baixo ruído como espectrometria de raios-X,
detectores de Si-PIN também têm sido refrigerados pela mesma razão (HUBER et al., 1995).
A corrente de fuga no detector aumenta exponencialmente com a temperatura, mas o sistema
de refrigeração pode reduzir de forma considerável a corrente de fuga, (CARVALHO, 2008;
REDUS et al., 2001).
O valor mínimo do potencial de ionização (Eg) em um cristal de silício intrínseco é de
1,12eV, mas a energia média necessária para gerar um par elétron-lacuna a temperatura
ambiente, no Si, é de aproximadamente 3,6eV, esta diferença é devido à contribuição da
energia cinética absorvida pelo elétron emitido e da energia transferida à rede cristalina para
emissão de fônons. A Eq. (2-26) representa a distribuição da energia absorvida pelo átomo
(FERREIRA, 2009):

W = Eg + rEr + 2Ef (2-26)

Onde: W = Energia necessária para a produção de um par elétron-lacuna, Eg = Energia


de gap da banda no semicondutor, r = Número de fônons gerados por ionização, Er = Energia
do fônon e Ef = Energia do elétron (ou lacuna) depois da formação do íon.

2.7.2 Fotodiodo PIN e Circuitos equivalentes.

Um desenho básico do fotodiodo PIN é mostrado na Figura 2-24 (a). Se o fotodiodo


PIN é inversamente polarizado, não existe carga armazenada na região - I e o dispositivo
comporta-se como uma capacitância (CT) desviada por uma resistência paralela (RP), Figura
2-24 (c) (DOHERTY, JR e JOOS, 1998).
62

Figura 2-24– Fotodiodo PIN e Circuitos equivalentes (Adaptado de DOHERTY, Jr e JOOS,


1998).

O circuito equivalente quando o PIN é polarizado diretamente é demonstrado na


Figura 2-24 (b), sendo composto por uma combinação da resistência (RS) em série com uma
pequena indutância (L). Rs é uma função da corrente de polarização direta (If). A tensão sobre
Ls depende das propriedades geométricas do conjunto, sendo que Ls é um pequeno elemento
parasita e não interfere no desempenho do fotodiodo PIN em aplicações com sinais de
frequências abaixo de 1 GHz (DOHERTY, JR e JOOS, 1998).

2.7.2.1 Circuito equivalente para polarização reversa.

Uma representação básica pode ser vista na Figura 2-25 sobre o trajeto dos elétrons
pelo fotodiodo PIN, quando polarizado reversamente.

Figura 2-25 – Trajeto dos elétrons pelo fotodiodo PIN, quando polarizado reversamente
(FERIS, 2013).
63

Os elétrons iniciam o trajeto, pela parte P do diodo, deslocando-se até a junção PI. Os
fótons incidem nos átomos da parte I transferindo elétrons para a banda de condução e criando
buracos na banda de valência. Estes buracos recebem elétrons que chegam da parte P. Estes
novos portadores negativos absorvem a energia dos fótons e se transferem, também, para a
banda de condução e assim sucessivamente. Desta maneira ocorre o estabelecimento de uma
corrente elétrica que só pode ocorrer devida à incidência de fótons na região compreendida
entre as junções PI e IN do diodo PIN.
O circuito equivalente da polarização reversa consiste no fotodiodo de capacitância
PIN (CT), um resistor shunt (Rp), e a indutância parasitária (LS), como indicado na Figura
2-24(c). A equação de definição para CT é definida pela Eq.(2-27):

𝜀𝐴
𝐶𝑡 = (2-27)
𝑊

Onde ε= constante dielétrica do Silício, A = área da junção do fotodiodo e ρ =


resistividade do Silício (DOHERTY, Jr e JOOS, 1998). Que é válido para frequências acima
da frequência de relaxação dielétrica da região-I, ou seja, (Eq.(2-28)):

𝑓 >= 1⁄2𝜋𝜀 (2-28)

2.7.3 Fotodiodo PIN como detectores de radiação

Os fotodiodos Si-PIN têm sido utilizados como detectores de radiação nuclear, durante
muitos anos. Eles são mais eficientes detectores semicondutores PN e oferecem boa
sensibilidade a várias fontes de radiação de radiação, não necessitam operar em baixas
temperaturas, sendo eficazes em toda na faixa de temperatura que compreende de -55oC à
+150°C. O fotodiodo PIN detecta a radiação por meio da geração de uma foto corrente
transitória durante o tempo em que o impulso de radiação é absorvido pela região- I
(DOHERTY, JR e JOOS, 1998).
As reações predominantes de fótons de alta energia com o Si são colisões inelásticas
com elétrons e colisões elásticas com átomos livres da rede. No primeiro caso, os elétrons
absorvem energia suficiente (1,1eV) para transitarem da banda de valência para a banda de
condução, gerando um par de transportadores (transitória) que vai sobreviver durante um
64

tempo relacionado como o tempo de recombinação ou de tempo de vida dos portadores


minoritários. O tempo de recombinação típico é de vários microssegundos em fotodiodos Si-
PIN (SIMON e HILLER, 1978). A resposta do fotodiodo PIN com a interação de um fóton é
diretamente proporcional à intensidade do feixe incidente (Ix) e é definido como demonstra a
Eq. (2-29):

𝑁𝑝 𝐸𝑝
𝐼𝑥 = (2-29)
𝐴

Onde 𝑁𝑝 é o número de fótons por segundo, 𝐸𝑝 é a energia do fóton (keV) e a A é a


área considerada. (CONTRERAS, et al,2009).
65

3 Materiais e Métodos

A metodologia adotada para este trabalho foi dividida em duas fases: a primeira
consiste no estudo do comportamento do fotodiodo PIN quando irradiado (estudo do Fd como
detector modo corrente) e a segunda fase foi o estudo e compreensão da eletrônica necessária
para o desenvolvimento do detector semicondutor de radiação ionizante (estudo do Fd como
detector modo pulso).

3.1 Estudo do fotodiodo PIN (Fd PIN)

O primeiro procedimento adotado neste trabalho foi à seleção e especificação do Fd


que será utilizado nos testes, para isso foi realizado um "Screening" dos principais
dispositivos comercialmente disponíveis. Foram levadas em consideração as principais
características, tais como: Área Sensível (em mm2), Responsividade (A/W), Corrente no
escuro Reversa (nA), Tensão Reversa (V), e custo, obtidos a partir das pesquisas e revisões
contidas nas bibliografias utilizadas levantadas na pesquisa bibliográfica e a partir dos dados
encontrados nos “datasheets” dos mesmos foi elaborada a Tabela 3-1, contendo as
informações relevantes:
66

Tabela 3-1 “Screening” dos fotodiodos PIN do tipo COTS


Corrente
Área Tensão no
Comprimento Responsivi- Capacitân-
Fotodiodo Sensível Reversa escuro
de onda (nm) dade (A/W) cia (F)
(mm2) (V) Reversa
(nA)

AXUV100 100 850 0,45 10 --- 4,40.10-08

BPW34 7,5 900 --- 60 30 4,00.10-11

OPR5913 26 890 0,4 10 100 2,50.10-10

PS100 100 950 0,65 50 5 8,00.10-11

S3590-08 100 900 0,6 100 6 4,00.10-11

SFH203 1 850 0,62 50 1 1,10.10-11

SFH206K 7,02 850 0,62 32 2 7,20.10-11

UM9441 --- --- --- 100 100 1,00.10-11

VTB8440BH 5,16 --- ---- 40 2 1,00.10-09

Fonte: Datasheets dos componentes

Entre os vários tipos de fotodiodos PIN COTS disponíveis, foram escolhidos dois
modelos para serem utilizados como fonte de estudos iniciais para o trabalho: o BPW34 da
VISHAY e o SHF206 da SIEMENS, a escolha ocorreu principalmente pelo baixo valor de
custo e fato desses componentes não estarem na lista de componentes com aquisição restrita
pelos fabricantes.

3.1.1 Os fotodiodos PIN BPW34 (VISHAY) e SFH206 (SIEMENS)

Os fotodiodos BPW34 geralmente possui um custo abaixo de 1 Dólar (MOUSER,


2016), e sua área sensível é de 7.5mm2, sendo encapsulados por uma camada de plástico de
0,7 mm de espessura (VISHAY, 2011). Os fotodiodos de silício do tipo PIN modelo SFH 206
(SIEMENS) possuem área útil de 7,0 mm2 sendo encapsulados por uma camada de plástico de
67

1,2 mm de espessura. Os Fd utilizados para os testes experimentais podem ser vistos na


Figura 3-1:

Figura 3-1– Fotodiodos utilizados nos testes experimentais: à esquerda o Fd BPW34


(VISHAY) e a direita o Fd SFH206 (SIEMENS)

Os fotodiodos selecionados estão disponíveis a partir de vários fabricantes de


semicondutores e foram originalmente projetados para trabalhar no comprimento de onda
visível à região do infravermelho. Uma vez que esses Fd são sensíveis à luz, para serem
utilizados como detectores de radiação nuclear são necessária uma adequação para protegê-los
contra a incidência de fótons de luz.
A capacitância do fotodiodo PIN se torna um fator determinante quando a intenção é
detectar pulso de corrente na faixa de nanoampere (nA). A capacitância interna é importante,
pois ela implica se os pequenos pulsos de corrente serão detectados. A interação da radiação
pode gerar um único par de elétrons-lacuna durante alguns nanosegundos, logo a capacitância
precisa ser extremamente pequena para que essa interação possa ser perceptível na tensão do
fotodiodo (LAQUAI,2012).
Em contraponto, se a área ativa do Fd for aumentada, para que se obtenha uma maior
sensibilidade para se detectar pequenas quantidades de radiação, a capacitância também se
torna maior. Isto significa que é importante encontrar um bom equilíbrio entre a capacitância
quando o objetivo é detectar pulsos individuais de radiação (LAQUAI, 2012). A capacitância
do BPW34 e do SFH206 está na ordem de alguns picoFarad (pF) - entre 10pF a 50pF - e
depende da polarização reversa aplicada, portanto, obtêm-se pulsos de tensão de da ordem de
vários microssegundos de duração.
As tensões reversas de até 30V são admissíveis sem causar uma grande degradação da
junção PN. No entanto, para a operação onde a intenção é reduzir o custo e/ou peso do
sistema como um todo (como por exemplo, em missões espaciais), uma tensão reversa de 8V
a 12V é recomendado (LAQUAI,2012)
68

3.2 Modo de operação do Fotodiodo

Os dois principais modos de operação dos fotodetectores são: no modo Fotovoltaico e


no modo Fotocondutividade.
No modo Fotovoltaico (Figura 3-2), também chamado de modo corrente, o sinal
obtido corresponde ao nível médio de corrente, e sua operação é similar ao modo de trabalho
das células solares (SANTOS, 2002). Este modo é utilizado quando se deseja medir a soma
dos efeitos produzidos pela radiação incidente durante um período de tempo e, esta corrente
varia com a intensidade da partícula incidente (KNOLL, 1989)

Figura 3-2– Modelo de operação do detector no Modo Fotovoltaico (Adaptado de


CARVALHO, 2008).

Neste formato, nenhuma tensão externa é aplicada no detector, de que forma que os
portadores de cargas gerados pela incidência da radiação ionizante são coletados pela ação do
campo elétrico formado pela região de depleção. (CARVALHO,2008)
Quando se pretende medir a atividade de uma fonte radioativa ou se pretende medir
eventos individuais é utilizado o modo Fotocondutividade ou também chamado de modo de
Pulso (CARVALHO,2008; SANTOS,2002). Neste formato é aplicada uma tensão reversa
externamente ao detector, resultando em um aumento na intensidade de campo elétrico e
aumentando a região de depleção do semicondutor (Figura 3-3), (SILVA, 2000).
69

Figura 3-3– Modelo de operação do detector no Modo Fotocondutividade. (Adaptado de


CARVALHO, 2008).

No modo fotocondutividade os portadores gerados pela incidência da radiação são


acelerados pela ação do campo elétrico coletados rapidamente, diminuindo as perdas por
recombinação, o que resulta um aumento dos portadores que irá contribuir para a formação do
pulso elétrico na extremidade do detector (SILVA, 2000). Este modo é utilizado
principalmente na espectrometria, pois cada pulso produzido corresponde ao somatório dos
efeitos produzidos pela incidência da partícula ionizante (KNOLL, 1989).

3.2.1 Testes realizados com o fotodiodo PIN, como detector no Modo Corrente

Para o estudo do fotodiodo como detector em Modo de Corrente (como descrito no


item 2.5.2) foi desenvolvido uma plataforma de teste representado pelo diagrama em bloco da
Figura 3-4, composta por um detector, eletrômetro e por um módulo de monitoramento e
análise de dados:

Figura 3-4– Diagrama em Bloco do detector como Modo Corrente

Como ilustra a Figura 3-4, o Fd PIN é o próprio Detector; o eletrômetro é composto


por um Test Fixture (Agilent Technologies 16442B) e uma unidade de Fonte-Medida, SMU,
(Keithley 237) que irá fazer o interfaceamento com o sistema de aquisição de dados através de
70

um modulo de interface GPIB-USB da National Instrument que é composto por um


“notebook” que coletará e armazenará os dados, com o auxílio do software LabView
(National Instruments)
Os testes experimentais realizados no Fd PIN foram realizados em duas etapas: a
60
primeira realizada com uma fonte de Co disponível no Laboratório de Radiação Ionizantes
(LRI) onde foram testados os fotodiodos BPW34 e o SFH206, submetidos à taxa de doses de
0,55 a 11,54 Gy/h. A segunda etapa do experimento foi realizado no Laboratório de Análise
dos Efeitos da Radiação (LAER) no qual o fotodiodo BPW34 foi submetido a várias fontes
radioisotópicas. A instrumentação utilizada e o arranjo experimental para os experimentos
realizados no LRI e no LAER pode ser vista na Figura 3-5.

Figura 3-5– Arranjo experimental para os experimentos realizados no LRI e no LAER

3.2.2 Principais características da instrumentação:

3.2.2.1 Eletrômetro Keithley (High Voltage Source-Measure Unit 236-237)

A Unidade de Fonte-Medida Modelo 237 é um instrumento totalmente programável,


capaz de fornecer tensão de medição ou corrente simultaneamente. Este sistema é composto
por quatro instrumentos: fonte de tensão, fonte de corrente, medidor de tensão, e medidor de
corrente (KEITHLEY INSTRUMENTS, 1990). A Tabela 3-2 apresenta os range de valores
suportados para medidas de corrente pelo aparelho.
71

Tabela 3-2 - Range de valores suportados para medidas de corrente


Fonte I Medidas I

Precisão (1ano, 18°- Resolução Resolução Precisão


I Máx “Step Size”
28°C) 4-digt. 4-digt. (1ano, 18°-28°C)

±1 nA 100 fA ± (0,3% + 450fA) 100 fA 10 fA ± (0,3% + 100 fA)


±10 nA 1 pA ± (0,3% +2pA) 1 pA 100 fA ± (0,3% + 1 pA)
±100 nA 10 pA ± (0,21% +20pA) 10 pA 1 pA ± (0,21% + 6 pA)
±1 µA 100 pA ± (0,05% +200pA) 100 pA 10 pA ± (0,04% + 60 pA)
±10 µA 1 nA ± (0,05% +2nA) 1 nA 100 pA ± (0,35% + 700 pA)
±100 µA 10 nA ± (0,05% +20nA) 10 nA 1 nA ± (0,35% + 6 nA)
±1m A 100 nA ± (0,05% +200nA) 100 nA 10 nA ± (0,35% + 60 nA)
±10mA 1µA ± (0,05% +2µA) 1µA 100nA ± (0,35% + 600nA)
±100mA 10µA ± (0,05% +20µA) 10µA 1µA ± (0,35% + 6µA)
Fonte: KEITHLEY INSTRUMENTS, 1990.

3.2.2.2 Software Labview

Para fazer o armazenamento dos dados obtidos durante o experimento foi escolhido à
utilização de um VI disponibilizado pela própria NI, que faz a comunicação diretamente com
o eletrômetro da Keithley através do modulo de GPIB.
O VI (Instrumento Virtual) consiste na combinação de hardware, placas de aquisição
de dados ou instrumentos tradicionais, para aquisição de dados e software para testes que
analisa e apresenta os dados adquiridos. Normalmente são utilizados com
microcomputadores. (SILVA, 1993)

3.2.2.3 VI’s utilizados nos experimentos

Com o intuito de fazer o monitoramento “online” dos experimentos, foi necessário


desenvolver dois VI’s que além de fazer o monitoramento e armazenamento dos dados,
também fizessem o controle da tensão fornecida aos Fd durante os testes. Como solução foi
adaptado um VI do software LabView disponibilizado pela própria National Instruments.
72

Basicamente um VI fornece uma tensão de 0 a 12V e faz levantamento da curva IxV


“online” enquanto irradiado. O outro VI foi desenvolvido para fazer o controle da alimentação
fornecida pelo eletrômetro (3V, 5V e 12V) e um fluxograma do VI utilizado, pode ser visto na
Figura 3-6.

Inicio

Fornece a
alimentação de 3V
e faz 5 leituras de
corrente do Fd.

Fornece a
alimentação de 5V
e faz 5 leituras de
corrente do Fd.

Fornece a
alimentação de
12V e faz 5 leituras
de corrente do Fd.

FIM

Figura 3-6– Fluxograma do VI utilizado para os testes com tensão fixa.

3.2.3 Principais características das fontes radioativas utilizadas

Os experimentos realizados neste trabalho, como já mencionado anteriormente, foram


realizados em duas etapas: no LRI e no LAER. As principais características das fontes
utilizadas nos testes experimentais podem ser vistas na Tabela Erro! Fonte de referência n
ão encontrada. a seguir:
73

Tabela 3-3 - Principais características das fontes utilizadas nos experimentos.


Local do Atividade
Fonte Data Referência
experimento (kBq)
(GONÇALEZ e

60
FEDERICO,
LRI Co 4,73x1010 06/08/2007
2008; PEREIRA
et al, 2008)
241
Am 364,9
137
LAER Cs 396,6 28/06/1984
(IAEA, 1984)
60
Co 340,4
152
Eu 396,4

3.2.4 Medidas no Laboratório de Radiação Ionizante (LRI)

Para as medidas realizadas no LRI, foi necessário o desenvolvimento de um material


de apoio ao experimento. Foi confeccionado um cabo triaxial de 3 metros de comprimento e
soldado em uma das suas extremidades um terminal para fixar o fotodiodo, Figura 3-7(B).
Para minimizar os efeitos dos ruídos externos e para garantir que o fotodiodo esteja em
condição de escuro, ou seja, sem incidência de nenhum fóton de luz foi desenvolvido pelo
grupo de apoio do IEAV- SUTEC uma caixa de alumínio onde a Fd foi colocado, conforme
Figura 3-7(A). Esta caixa contém algumas furações necessárias para a passagem do
cabeamento e para realização dos testes de irradiação do PIN. Para garantir o equilíbrio
eletrônico no componente, em um dos furos foi colocada uma camada de PMMA, como pode
ser observado na Figura 3-7(C):
74

Figura 3-7– Fotodiodo BPW34 utilizado para os testes no LRI

O arranjo experimental de todas as irradiações realizadas no LRI pode ser observado


na Figura 3-8:

Figura 3-8– Arranjo experimental para os testes realizados no LRI

O Fd BPW34 foi testado a uma distância de 3,05m; 1,55m; 1,00m; 0,75m; 0,65m e
0,55m do Irradiador, aferidas com o auxílio de um medidor a laser de distância (BOSCH,
modelo GLM 150 profissional, com uma precisão de medida de ±1 𝑚𝑚), vide Figura 3-9.
Em todas as medidas o fotodiodo estava em condição de escuro e polarizado reversamente em
temperatura ambiente, controlada por um termômetro digital (LUFFT, modelo OPUS 10, com
uma incerteza de ±0,36%).
75

Figura 3-9– Ajuste da distância com o auxílio de um medidor a laser.

3.2.5 Teste com dependência angular

Para o teste referente à dependência angular do fotodiodo, foi utilizado o PIN BPW34
e como procedimento experimental foi adotado uma distância inicial de 1,55m da fonte
durante um tempo de 10 minutos para cada ângulo, com uma taxa dose de 1,65 Gy/h. A
60
variação angular foi de 0º, 40º, 70º e 90º referente à fonte de Co e pode ser visto na Figura
3-10:
76

Figura 3-10– Arranjo experimental para os testes de variação angular.

3.2.6 Medidas no Laboratório de Análise dos Efeitos da Radiação (LAER)

Como procedimento inicial foi feito o levantamento da curva IxV do fotodiodo


BPW34. As curvas características foram realizadas com fotodiodos na condição de escuro e
também na presença de luz. Para os fotodiodos no escuro, foi aplicada uma tensão variada de
lV a -20V. Enquanto que para os fotodiodos na presença de luz, a tensão variou de 1V a -5V.
A fonte de iluminação utilizada foi uma lâmpada de 60W. Todas as medidas foram realizadas
com temperatura ambiente em torno de 23 oC.

3.2.6.1 Arranjo experimental com fontes isotópicas radioativas

Nos experimentos contendo fontes isotópicas radioativas foram adotados os seguintes


procedimentos: os fotodiodos foram colocados dentro da TF, conectados no modo
fotocondutividade e polarizados reversamente alimentados por uma tensão variável de 0V a
12V; foram testados em condições no escuro sob incidência de fontes radioisotópicas (60Co,
152 137 241
Eu, Cs e Am) que emitem radiação gama. Para se garantir o equilíbrio eletrônico,
77

também foi utilizada uma camada de acrílico de 5 mm de espessura entre a fonte e o Fd,
241
exceto para a fonte de Am, que devido à baixa energia dos gamas emitidos, não foi
necessário à utilização do acrílico.
As medidas iniciais do levantamento da curva IxV foram do “Background” e as
medidas posteriores foram realizadas quando os fotodiodos foram expostos a uma fonte
isotópica durante um tempo de 180s, totalizando o levantamento de 14 curvas de IxV.
Também foram realizados os testes com tensão fixa descrito no fluxograma da Figura 3-6.
Este procedimento foi adotado para cada fonte isotópica e, todas as medidas foram realizadas
em condição de escuro e temperatura ambiente controlada.

3.2.6.2 Cálculo da taxa de Dose

O cálculo da taxa de dose foi efetuado considerando o layout apresentado na Figura


3-11 e a partir da atividade de cada fonte, corrigida para seu decaimento radioativo conforme
Eq.(2-2).

Figura 3-11 – Layout de irradiação dos testes realizados no LAER

Para tal, foi utilizada a seguinte sequência de cálculos, baseado na Teoria da cavidade
de Bragg-Gray descrita no item 2.4.1.8:
1 – Cálculo da taxa de exposição no ar, conforme Eq.(2-5);
2 – Conversão da taxa de exposição para taxa de dose no ar, utilizando-se o fator de
conversão de 0,876 rad/R (TAUHATA, 2013);
3 – Conversão da taxa de dose no ar para taxa de dose no PMMA conforme Eq. (2-9);
4 – Correção da taxa de dose em função da atenuação no PMMA, excedente ao
alcance dos elétrons secundários de maior energia;
5 – Conversão da taxa de dose no ar para taxa de dose no silício em rad/s, conforme
Eq (3-1).
78

𝑆𝑆𝑖
𝐷̇𝑆𝑖 = 𝐷̇𝑃𝑀𝑀𝐴 ( ) (3-1)
𝑆𝑃𝑀𝑀𝐴

3.3 Detector Modo Pulso

O sistema de detecção adotado para o detector no modo pulso (Figura 3-12) para
estudo segue o padrão da Instrumentação Nuclear e é definida pela norma NIM (Nuclear
Instrumentation Modules), (U.S. NIM COMMITTEE, 1990). Basicamente, um sistema de
detecção é composto por: sensores (conjunto detector), amplificadores operacionais,
conversores analógicos digitais (ADC) e pelo conjunto computador - software, para análise e
manipulação dos dados adquiridos, MCA - Multichannel Analyser, (RIBAS, 2011). Na Figura
3-12 temos um diagrama em bloco de um sistema de detecção de radiação operando no modo
pulso.

Figura 3-12– Diagrama em bloco de um sistema de detecção de Radiação Modo Pulso

Para operar como um detector de radiação, o diodo PIN é polarizado reversamente e o


sinal de saída flui como corrente (i) num resistor de carga (RL). O nível do pulso dependerá
do número de elétrons liberados que, por sua vez, dependerá da energia transferida para o
material do detector O pico do pulso permite estimar o nível da energia da radiação detectada.
Na situação real, muitos fótons interagem com o detector em certo intervalo de tempo.
A função dos pré-amplificadores é transformar a carga coletada na detecção num pulso
de tensão de amplitude proporcional à carga total coletada no detector (KNOLL, 1989). A
carga total será proporcional ao valor de Vout, desde que a duração do pulso de entrada seja
pequena se comparada à constante de tempo CfRf. Ci indica a capacitância de entrada que é
formada pela capacitância interna do diodo e o meio físico de ligação até o pré-amplificador
(Figura 3-13) (SAMPAIO, 2002).
79

Figura 3-13– Circuito Pré-amplificador Sensível à carga. (Adaptado de SAMPAIO, 2002).

Vários tipos de amplificadores são utilizados na norma NIM. Eles podem ser
agrupados como: amplificadores lentos (circuitos de medição de energia), amplificadores
rápidos (circuitos geradores de marca de tempo) e os amplificadores espectroscópicos.
O analisador multicanal (MCA) é composto por um conversor analógico-digital,
memória de armazenagem, tela para visualização, dispositivos para controle de partida,
parada, tempo de aquisição e conversor analógico-digital. A função do analisador multicanal é
construir um histograma do número de eventos que ocorrem para cada nível de energia n,
correspondendo, portanto ao espectro de energias ou tempo.

3.3.1 Estudo sobre Ruído

Ao avaliar o comportamento dinâmico de um único componente eletrônico ou de um


sistema eletrônico inteiro, a distorção e a potência limitam a faixa dinâmica máxima de
desempenho e, por outro lado, o ruído é o limite inferior. A medição do ruído é um requisito
fundamental para a concepção de qualquer análise eletrônica (NATIONAL INSTRUMENT,
2016).
O ruído em sistemas eletrônicos é um fenômeno perceptível em aplicações como
radiodifusão, radar meteorológico, radar de aviónica e áudio, entre outros. Aumentar a
capacidade do sistema tem a ver com o aumento da relação sinal / ruído da resposta do
mesmo. Sendo uma consideração essencial na concepção de sistemas eletrônicos em geral,
seu estudo é vital para o bom funcionamento do projeto, contudo vale ressaltar que o ruído é
um assunto que deve ser abordado com atenção, pois é necessário lidar com estatísticas,
80

funções de distribuição de probabilidade, entre outros temas mais complexos, (NATIONAL


INSTRUMENT,2016)
As fontes de ruído estão divididas em dois grandes grupos: as internas (característica
intrínsecas do próprio componente) e as externas (acopladas ao dispositivo física ou
eletromagneticamente). (CAPUTO e JACKSON, 2009; NATIONAL INSTRUMENT,2016;
SIMÕES, 2008).

3.3.2 Característica do ruído no sensor

Nas condições de trabalho real, o fotodiodo PIN gera uma corrente cujo valor flutua
em torno de sua média. Essas flutuações aleatórias são consequências dos ruídos. Algumas
fontes de ruídos estão ligadas diretamente a detecção da partícula incidente (BAHAA e
SALEH, 1991):
 Ruído da chegada da partícula;
 Ruído fotoeletrônico;
 Ruído de ganho;
 Ruído do circuito receptor.
Essas 4 fontes de ruídos são esquematizadas na Figura 3-14. O sinal que entra no
detector contém um ruído intrínseco do fóton. Nesse processo, a média do sinal diminui por
um fator η. O ruído também diminui, mas por um fator menor que o do sinal; portanto a razão
sinal/ruído dos fotoelétrons é menor que os fótons incidentes. Se o fotodetector tiver um
mecanismo de ganho, ele amplifica tanto o sinal quanto o ruído, e introduz seu próprio ruído
de ganho.
81

Figura 3-14– Sinal e várias fontes de ruído para (a) um fotodetector sem ganho por exemplo,
um fotodiodo PIN e (b) um fotodetector com ganho (como por exemplo, um APD). (BAHAA
e SALEH, 1991, p.674).

Assim como em outros sensores de luz, o menor limite para a detecção de luz em
fotodiodos e determinado pelas características de ruído do dispositivo. Para uma análise nos
diodos PIN, consideraremos apenas os quatro mecanismos de ruído mais relevantes: o ruído
de fundo (Background); o ruído de escuro; o ruído Shot e o ruído térmico. O ruído do
fotodiodo é, então, a soma desses ruídos e da foto-corrente, Eq (3-2). (BAAH e SALEH,
1991)

in = √ij 2 + is D2 + is L2 [A] (3-2)

Onde ij é vista como o ruído térmico de R sh e é dado pela Eq.(3-3):

4kTB
ij = √ [A] (3-3)
R sh

Onde K é a constante de Boltzmann (1,38x10-23 j/K), T é a temperatura absoluta em


Kelvin e B a largura de banda do ruído.
O ruído Shot de is D que se origina da corrente iD e dado pela Eq.(3-4)
82

is D = √2qiD B[A] (3-4)

Sendo: q é a carga do elétron (1.62 x 10-19C), iD é a corrente de escuro e B a largura de


banda do ruído. Com a incidência de luz, uma foto-corrente iL passa a existir. Então, is L é
dado por, Eq.(3-5):

is L = √2qiL B [𝐴] (3-5)

Se iL >> 0.026/R sh ou iL >>iD , o ruído da corrente is L se torna predominante em


relação ao fator de ruído de ij e is D . As amplitudes de cada uma dessas fontes de ruídos são
proporcionais à raiz quadrada da largura de banda B medida.
O menor limite para a detecção de luz em um fotodiodo é geralmente expresso como a
intensidade da luz incidente necessária para gerar uma corrente igual à corrente de ruído. Essa
e a energia do ruído equivalente NEP (Noise Equivalent Power) e pode ser relacionada
através da Eq. (3-6), (BERTONE e WEBB, 1996).

Corrente do ruído
NEP [W⁄Hz1/2 ] = (3-6)
Responsividade

3.3.3 Relação Sinal Ruído

As presenças de ruídos indiferentemente se forem internos ou externos ao sistema, faz


com que os sinais de saída sejam modificados, se tornando diferente do sinal original
(SIMÕES, 2008). A qualidade do sinal é especificada pela razão sinal/ruído SNR (Signal to-
Noise Ratio), que e definida pela razão, em decibéis, do valor da raiz quadrada media (rms) do
sinal de saída pelo valor rms do ruído presente, isto é Eq.(3-7):

VsinalRMS
SNR = 20log ( ) (3-7)
VruídoRMS

Quanto maior for esta razão, melhor será a identificação do sinal puro do ruído
existente no circuito (SIMÕES, 2008).
83

3.3.4 Metodologia do cálculo do SNR do sistema

Para que seja possível identificar as principais fontes de ruídos do detector, num
primeiro momento será estudado o conjunto Detector (fotodiodo PIN BPW34, VISHAY) +
Pré-amplificador (OPA627, Texas Instruments) e o esquema elétrico deste sistema pode ser
visto na Figura 3-15:

Figura 3-15– Esquema elétrico do Conjunto Detector.

A corrente de entrada no circuito é o parâmetro que será amplificado pelo pré-


amplificador e, posteriormente, convertido em tensão. O sinal gerado pelo conjunto detector
será enviado para o Amplificador Ortec 572, e repassado para o analisador multicanal
(ORTEC EASY-MCA-8K™) que será responsável em tratar e gerar os dados finais para
análise juntamente com o software MAESTRO.
A metodologia adotada para calcular a SNR do sistema, consiste praticamente em duas
etapas: a) Levantamento da curva característica do Fotodiodo polarizado modo fotocondutivo
a fim de se determinar o range de corrente de trabalho do pré-amplificador e b) Estudo do
Ruído no sistema.
84

a) Levantamento da curva característica IxV do Fotodiodo polarizado no modo


fotocondutivo: foi utilizado o arranjo experimental desenvolvido para o Levantamento
da Curva I x V no LAER já descrito anteriormente.

b) Estudo do Ruído no sistema:


A análise do ruído no sistema foi realizada no circuito apresentado na figura 3-16 e,
seguindo as recomendações da norma NIM, a placa de Teste (Figura 3-16) foi elaborada para
que o fotodiodo e pré-amplificador ficassem o mais próximo possível para maximizar a
relação sinal/ruído:

Figura 3-16– Placa de Teste do experimento

A Placa de Teste é composta por um sistema de alimentação responsável em fornecer


as tensões para os Amplificadores Operacionais (+12V e -12V) e a alimentação do fotodiodo
(-5V), por um sistema pré-amplificador + sensor e um amplificador de sinal. Neste primeiro
momento foi verificada a relação sinal/ruído do conjunto pré-amplificador + sensor.
O AmpOp escolhido para os testes preliminares é um amplificador de transimpedância
com FET na entrada, o OPA627 da Texas Instruments.
Na prática o pré-amplificador sensível à carga, assume o comportamento de um filtro
passa baixa de primeira ordem e a largura de banda equivalente do ruído (ENB do inglês
Equivalent Noise Bandwitch) é usado para somar este valor extra. Logo podemos adotar que
ENB= 1,57. fc (SIMÕES, 2008). Para filtros com ordens superiores, o ENB se aproxima da
frequência de corte do filtro.
85

A análise numérica do ruído no circuito é feita a partir de um circuito equivalente ao


circuito da Figura 3-16. O circuito equivalente foi elaborado com o auxílio de uma ferramenta
online disponibilizado pela Analog Devices, e pode ser visto na Figura 3-17

Figura 3-17– Circuito equivalente do conjunto sensor + pré-amplificador. (Disponibilizado


pela Analog Device)

Onde Ens é a tensão total de ruído na saída do pré-amplificador, Ensc é o gerador de


corrente de ruído de entrada, Enst é o gerador de tensão de ruído de entrada, EnR é o gerador
de tensão de ruído pela resistência de realimentação RR. Id é o gerador de ruído na resistência
da junção do fotodiodo, Cd representa à capacitância e Rsh a resistência “shunt” do mesmo. Os
valores do capacitor CR e a resistência RR influenciam a frequência de corte fc, que coincide
com a frequência de corte do ganho de corrente de ruído e a tensão total de ruído gerada pelo
fotodiodo (EnsD). (SIMÕES, 2008)
Para efeitos de análise, será usado o princípio de superposição, ou seja, será analisada
cada fonte isoladamente assumindo que não há outra fonte de ruído no circuito.
A tensão rms total de ruído na saída do AmpOp é dada pela Eq.(3-8)

2
𝐸𝑛𝑠 = √𝐸𝑛𝑠𝑡 2 + 𝐸𝑛𝑠𝑐 + 𝐸𝑛𝑠𝑅 2 + 𝐸𝑛𝑠𝐷 2 (3-8)

Para obter um melhor resultado na análise da relação sinal/ruído, é necessário


identificar os ganhos do amplificador de transimpedância envolvidos, como ilustra a Figura
3-18:
86

Figura 3-18– Ganhos do amplificador de transimpedância. (BAKER, 1994)


.
Analisando o gráfico da Figura 3-18, pode ser observado que a curva superior
representa o ganho em malha aberta Ama (ω) do amplificador onde fu é a frequência de ganho
unitário. A curva central representa o ganho de transipemdância ZR (ω) e, a curva inferior
mostra o ganho para os geradores de tensão do ruído, sendo dada pela relação 1/β (ω), onde β
(ω) é o fator de realimentação. A curva inferior é delimitada por duas assíntotas, uma
amplitude unitária e apresenta um zero na frequência fz e apresenta pólos na frequência fp e fi,
sendo que fi é dado pela interseção com a curva do ganho em malha aberta Ama (ω) (BAKER,
1994).
87

4 Resultados e Discussões

A seguir serão apresentados os resultados e as análises dos dados obtidos durante os


testes experimentais.

4.1 Curva característica do PIN BPW34 (VISHAY)

A partir dos dados coletados no processo de caracterização do fotodiodo BPW34, foi


feito o levantamento da curva característica sob a incidência da luz branca, Figura 4-1:

Curva I x V
0,12
0,1
0,08
0,06
0,04
0,02
Corrente (A)

2,9E-16
-0,02
-0,04
-0,06
-0,08
-0,1
-0,12
Tensão (V)

Figura 4-1– Curva I x V do fotodiodo BPW34 sob incidência de luz.

4.2 Resultados obtidos Modo Corrente

Nesta seção serão apresentados os resultados obtidos pelos fotodiodos operando no modo
corrente descrito no item 3.2.1.
88

4.2.1 Resposta dos fotodiodos em relação à distância.

Os fotodiodos BPW34 e SFH206 foram testados a uma distância de 3,05m; 1,55m;


60
1,00m; 0,75m; 0,65m e 0,55m, com uma incerteza de +/- 1 mm, do centro da fonte de Co
disponível no LRI. Os resultados obtidos durante a irradiação com as respectivas taxas de
doses atenuadas no Si foram: 0,55; 1,61; 3,62; 6,29; 8,31 e 11,54 Gy/h, com uma incerteza de
3% e estão representados na Figura 4-2 para uma tensão de alimentação do Fd de 3V, na
Figura 4-3 para uma tensão de alimentação de 5V e na Figura 4-4 para uma tensão de
alimentação e 12V.

Figura 4-2– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 3V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.
89

Figura 4-3– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com
uma tensão de 5V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.

Figura 4-4– Resposta em corrente dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados
com uma tensão de 12V para diferentes distâncias em relação ao centro da fonte.

A análise das figuras apresentadas demonstra a queda da corrente média gerada com o
aumento da distância da fonte nos fotodiodos, sendo que o BPW34 obteve uma melhor
sensibilidade em corrente que o Fd SHF206, além disto, pode-se fazer uma comparação entre
as tensões de alimentação, onde quanto maior a alimentação, maior será a resposta em
corrente no Fd.
90

4.2.2 Resposta de linearidade dos fotodiodos em relação à Taxa de Dose (Gy/h)

Com os valores obtidos em cada posição dos fotodiodos foi possível fazer uma análise
de linearidade da resposta em corrente em função da Taxa de Dose no intervalo de 0,55 Gy/h
a 11,54 Gy/h, representados nas Figura 4-5,Figura 4-6 e Figura 4-7 submetidos a uma tensão
de 3V, 5V e 12V respectivamente.

Figura 4-5– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 3V para diferentes taxas de dose.

Com a análise linear do gráfico, foi obtido um valor de R2 para o Fd BPW34 de


99,90% e de 99,71% para o Fd SFH206.
91

Figura 4-6– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 5V para diferentes taxas de dose.

A partir da análise linear do gráfico, foi obtido um valor de R2 para o Fd BPW34 de


99,87% e de 99,84% para o Fd. SFH206 e para esta tensão o fotodiodo SFH206 apresentou
uma maior sensibilidade ao ruído do sistema.

Figura 4-7– Resposta dos fotodiodos BPW34 e SFH206 quando alimentados com uma tensão
de 12V para diferentes taxas de dose.
92

Com a análise linear do gráfico, foi obtido um valor de R2 para o Fd BPW34 de


99,86% e de 99,70% para o Fd SFH206. Através dos valores obtidos para cada tensão de
alimentação e se compararmos o comportamento de cada fotodiodo, pode-se concluir que a
melhor resposta de sensibilidade da corrente média gerada em função da variação da Taxa de
Dose foi obtida com o fotodiodo BPW34 quando alimentado por uma tensão de 12V.
Para complementar a análise do comportamento do fotodiodo em função da taxa de
dose foi também executada um segundo experimento com o setup de testes apresentado no
3.2.6.1, que consiste no sistema com TF mostrado na Figura 3-5, onde foram utilizadas fontes
isotópicas de baixa atividade.
A resposta da corrente para os testes realizados com o fotodiodo BPW34 para taxas de
doses atenuadas no Si de 8,42.10-4 Gy/h; 9,22. 10-5 Gy/h; 1,09.10-3 Gy/h e 6,19. 10-2 Gy/h,
quando alimentado com uma tensão de 3V, 5V e 12V podem ser observado na Figura 4-8. As
taxas de dose foram calculadas conforme a metodologia apresentada no item 3.2.6.2.

Figura 4-8– Resposta do fotodiodo BPW34 a diversas fontes radioativas, quando alimentado
com uma tensão de 3V, 5V e 12V.

Os valores de R2 para os valores de tensão de alimentação de 3V, 5V e 12V foram


respectivamente de 39,47%, 43,08% e 61,81% e esses valores baixos de coeficiente de
determinação podem ser atribuídos ao ruído no qual o sistema está exposto, já que a dimensão
da corrente gerada está na ordem de picoamperes, muito próxima ao background do sistema.
93

Analisando o gráfico é possível verificar uma aparente linearidade da resposta da corrente


gerada, com o aumento da taxa de dose e, como já verificado nos experimentos realizados no
LRI, para uma tensão de 12V, o fotodiodo obteve a melhor resposta em função da corrente
gerada durante a irradiação.
Com os resultados obtidos nos testes experimentais tanto no LRI, quanto no LAER,
chegou-se a conclusão que o Fd BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V, foi o
que obteve a melhor resposta em sensibilidade da corrente gerada pela incidência da radiação
em relação ao Fd SFH206 ou em relação ao próprio Fd BPW34 operando em outras tensões.
Desta forma os estudos subsequentes foram restritos ao Fd BPW34, quando alimentado com
12V, como fonte de estudo.
Com os valores obtidos no gráfico da Figura 4-8 e juntamente com os valores obtidos
no gráfico da Figura 4-7, foi possível fazer uma análise global, para diversas taxas de doses
que variam de 8,42.10-4 Gy/h a 11,54 Gy/h, apresentada na Figura 4-9.

Figura 4-9– Resposta do fotodiodo BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V a
taxas de doses que variam de 8,42.10-4 a 11,54 Gy/h.

Na Figura 4-9 observa-se uma clara discrepância entre os dados obtidos com a fonte
60
de Co do LRI e os dados obtidos com as fontes radioisotópicas de baixa intensidade. Esta
discrepância deve-se ao fato de que as taxas de dose obtidas com as fontes radioisotópicas são
baixas e produzem sinais da mesma ordem de grandeza do ruído de fundo do sistema,
tornando difícil uma discriminação adequada do sinal.
94

4.2.3 Carga acumulada

A análise da resposta do Fd BPW34 quando alimentado a uma tensão de 12V pela


carga acumulada em função da taxa de dose absorvida foi baseada nos estudos descritos por
FERREIRA (2013) em sua tese de doutorado, no qual afirma que a carga é obtida pela
integração da corrente gerada durante o tempo de exposição da fonte. Foram analisadas as
respostas em função da dose acumulada absorvida no Si, representadas nas Figura 4-10 a
Figura 4-12, onde a reta representa uma aquisição de dados contínua, com intervalo de
aquisição em média de 1,10 s:

Figura 4-10– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34.


95

Figura 4-11– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34.

Figura 4-12– Resposta da carga acumulada do fotodiodo BPW34. .

A partir da análise dos gráficos, pode-se comprovar a linearidade de resposta da carga


em função de diferentes doses acumuladas no fotodiodo BPW34, no intervalo de taxa de dose
de 6,29 a 11,54 Gy/h. A dose total suportada por este FD é da ordem de 103 Gy
(WITTENBURG, 1988).
96

4.2.4 Ângulo de incidência da partícula.

O teste em função do ângulo de incidência foi realizado para o fotodiodo BPW34, a


60
uma distância de 1 metro da fonte de Co, com uma taxa de dose absorvida no Si de 1,65
Gy/h, com uma variação angular de 0° a 90°, quando alimentado com uma tensão de 3V, 5V e
12V pode ser visto na Figura 4-13

Figura 4-13– Resposta do fotodiodo BPW34 em função do ângulo de incidência da partícula.

A análise do gráfico demonstra que a melhor resposta do fotodiodo foi para uma
tensão de alimentação de 12V e, que sua resposta é dependente do ângulo de incidência da
partícula, onde de 0° a 70° não há uma grande diferença na corrente gerada, porém tendo uma
queda significativa a partir de 90°.

4.2.5 Repetitividade para o sistema desenvolvido para os testes no LAER

Para o teste de repetitividade do sistema desenvolvido para os experimentos realizados


no LAER foi realizado um total de 120 levantamentos de curva IxV do fotodiodo BPW34 na
condição de escuro, polarizado reversamente e alimentado com uma tensão variável de 0V a
97

12V, em temperatura ambiente em torno de 23oC. Esses levantamentos de curva foram em 10


baterias de medições, onde entre cada bateria havia um intervalo de 10 minutos.
O valor médio da corrente para cada bateria de medidas pode ser visto na Figura 4-14
onde se pode observar o comportamento referente a cada tensão utilizada nos testes:

Figura 4-14– Comportamento da tensão em cada bateria de medições.

O valor médio da corrente de cada bateria em função da tensão pode ser visto na Figura 4-15
a seguir
98

Figura 4-15– Curva IxV do fotodiodo BPW34 em cada bateria de medições.


A Figura 4-16 a seguir apresenta o Coeficiente de Variação (CV) do sistema em
função da tensão, com um valor mínimo de 0,81% e atingindo o valor máximo de 1,14%.

Figura 4-16– Análise do Coeficiente de Variação (CV) do sistema em função da tensão.

4.2.6 Levantamento da curva IxV do fotodiodo BPW34


99

A resposta do comportamento da curva IxV do fotodiodo BPW34 sob a incidência de


radiação ionizante pode ser observada na Figura 4-17, para os testes realizados no LAER:

Figura 4-17– Curva I x V do fotodiodo BPW34 sob radiação ionizante.

Analisando o gráfico acima é possível verificar a resposta do fotodiodo quando


exposto para cada fonte radioisotópica e seu comportamento com uma alimentação variada de
0V a 12V.

4.3 Análise Numérica do Ruído no conjunto detector no Modo Pulso

Conforme observado anteriormente, foi observado que o estudo do ruído é crítico no


desenvolvimento de sistemas de detecção. Nesta subseção é feita uma análise numérica do
ruído no conjunto detector descrito no item 3.3, operando no modo pulso, com a finalidade de
avaliar as principais fontes de ruído interno e externo ao sistema, de forma a permitir
aperfeiçoamentos posteriores no sentido de mitigar tais influências em projetos futuros de
sistemas de detecção.
Partindo da Eq (3-8) foi necessário fazer o cálculo das frequências 𝑓𝑐 , 𝑓𝑧 , fu e fi . Os
valores das frequências fc, fz, foram calculadas respectivamente pelas equações Eq.(4-1) e
Eq.(4-2):
100

1
𝑓𝑐 = = 6,373𝑘𝐻𝑧 (4-1)
2𝜋𝑅𝑅 𝐶𝑅

1
𝑓𝑧 = 𝑅 𝑅
= 2,65𝑘𝐻𝑧 (4-2)
2𝜋 (𝑅 𝑠ℎ+𝑅𝑅 ) (𝐶𝑑 + 𝐶𝑅 )
𝑠ℎ 𝑅

O valor de fu foi obtido através do datasheet do AmpOp OPA627: fu = 16MHz e fi foi


calculado através da Eq.(4-3)

𝑓𝑢 𝐶𝑅
𝑓𝑖 = = 6,67𝑀𝐻𝑧 (4-3)
𝐶𝑅 + 𝐶𝑑

Com o valor calculado de fi pode-se obter o valor da densidade espectral de tensão


(enta) e corrente de ruído (enia) de entrada do amplificador, através dos dados do OPA 627:
𝑒𝑛𝑡𝑎 = 8𝑛𝑉/√𝐻𝑧 e 𝑒𝑛𝑖𝑎 = 1,6𝑓𝐴/√𝐻𝑧
A partir desses dados, pode-se calcular a tensão de ruído de entrada do AmpOp,
Eq.(4-4):

𝐶𝑑
𝐸𝑛𝑠𝑡 = (1 + ) . 𝑒𝑛𝑡𝑎 √(1,57𝑓𝑖 ) − 𝑓𝑐 = 62,1𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠 (4-4)
𝐶𝑅

O valor rms devido à fonte de ruído de corrente de entrada do amplificador, Eq.(4-5),


é:

𝐸𝑛𝑠𝑐 = 𝑍𝑅 (𝜔). 𝑒𝑛𝑖𝑎 √(1,57𝑓𝑖 ) − 𝑓𝑐 = 2,59𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠 (4-5)

Assumindo que o valor do ruído do resistor de realimentação RR é constante em toda


faixa de frequência de operação do circuito e é calculado por,Eq.(4-6)

𝐸𝑛𝑠𝑅 = √4𝐾𝑇𝑅𝑅 1,57𝑓𝑐 = 9,10𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠 (4-6)

A análise da tensão total do ruído devido às fontes internas do fotodiodo é dada a


partir dos dados disponíveis no datasheet do BPW34, onde se obteve o valor da corrente no
escuro de ID = 2nA. Da Eq.(3-4) temos que 𝑖𝑠𝐷 = 2,019𝑝𝐴 𝑟𝑚𝑠
101

Como a análise foi realizada em condições de escuro, o valor de isL = 0, Eq.(3-5).


Assumindo um valor de 𝑅𝑠ℎ = 5. 109 𝛺, o valor do ruído térmico foi calculado pela Eq.(3-3) e
é de: 𝑖𝑗 = 0,145𝑝𝐴 𝑟𝑚𝑠. Portanto o valor rms da corrente total, Eq.(3-2), é de 𝑖𝑛 =
2,024𝑝𝐴 𝑟𝑚𝑠
Portanto o valor rms da tensão total de ruído devido aos geradores internos do
fotodiodo será dado pela Eq.(4-7):

𝐸𝑛𝑠𝐷 = 𝑖𝑛 𝑅𝑅 = 1,012𝜇𝑉 (4-7)

O valor rms da tensão total de ruído na saída do amplificador foi dado pela Eq.(3-8) e
é de : 𝐸𝑛𝑠 = 62,82𝜇𝑉 𝑟𝑠𝑚
A corrente mínima detectável no sistema será Eq.(4-8):

𝐸𝑛𝑠
𝐼𝑚í𝑛 = = 125,6𝑝𝐴 (4-8)
𝑅𝑅

Com o auxílio de um osciloscópio digital, o sinal de saída do circuito foi analisado e


foi obtido um valor de tensão de rms de 9,89mV, e o valor de SNR em decibéis do sistema foi
dado pela Eq.(3-7) e é de 43,9 dB.
Na Tabela Tabela 4-1 é apresentado um resumo dos valores calculados na análise
numérica do ruído pertinente ao sistema adotado como fonte de estudo:
102

Tabela 4-1 - Valores calculados na análise numérica ao ruído pertinente do sistema

Fontes de Ruído Equações Valores obtidos

Tensão de ruído de entrada do 𝐶𝑑


𝐸𝑛𝑠𝑡 = (1 + ) . 𝑒𝑛𝑡𝑎 √(1,57𝑓𝑖 ) − 𝑓𝑐 62,1𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠
AmpOp 𝐶𝑅
Valor de rms devido à fonte de
ruído de corrente de entrada do 𝐸𝑛𝑠𝑐 = 𝑍𝑅 (𝜔). 𝑒𝑛𝑖𝑎 √(1,57𝑓𝑖 ) − 𝑓𝑐 2,59𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠
AmpOp
Valor do ruído do resistor de
𝐸𝑛𝑠𝑅 = √4𝐾𝑇𝑅𝑅 1,57𝑓𝑐 = 9,10𝜇𝑉 𝑟𝑚𝑠
realimentação RR
Análise da tensão total do
ruído devido às fontes internas in = √ij 2 + is D2 + is L2 2,024𝑝𝐴 𝑟𝑚𝑠
do fotodiodo
Valor rms da tensão total de
𝐸𝑛𝑠𝐷 = 𝑖𝑛 𝑅𝑅 1,012𝜇𝑉
ruído das fontes do fotodiodo
Valor rms da tensão total de 2
𝐸𝑛𝑠 = √𝐸𝑛𝑠𝑡 2 + 𝐸𝑛𝑠𝑐 + 𝐸𝑛𝑠𝑅 2 + 𝐸𝑛𝑠𝐷 2 62,82𝜇𝑉
ruído na saída AmpOp
Corrente mínima detectável no 𝐸𝑛𝑠
𝐼𝑚í𝑛 = 125,6𝑝𝐴
sistema 𝑅𝑅
VsinalRMS
Relação SNR do sistema SNR = 20log ( ) 43,9 dB
VruídoRMS

Através dos resultados obtidos na análise numérica do ruído do conjunto detector, foi
observado que o valor da corrente mínima detectável do sistema é insuficiente para a detecção
de baixas doses com o fotodiodo PIN e o pré-amplificador utilizado. Foram construídos e
testados mais três sistemas objetivando melhorar esse limiar de detecção com os pré-
amplificadores OPA4241 e OPA129U, ambos da Burr-Brown, e um circuito de amplificação
desenvolvido a partir do FET 2N4416A, cujos resultados também não foram satisfatórios e
não se obteve um limiar melhor de resposta do nível de detecção.
Com um aprofundamento de pesquisa bibliográfica especificamente no que tange à
forma de uso do fotodiodo como detector de radiação no modo pulso (AGOSTEO e at., 2005;
CAMARGO,2005; KIM e at., 2008; KLEIN e at., 1993), foi observado que, para essa
aplicação, os fotodiodos que possuem uma área sensível acima de 100mm2 (como por
exemplo o S3590 da HAMAMATSU, com um custo na ordem de R$750,00), são os que
103

permitem obter uma melhor resposta para o limiar de detecção, associado a um pré-
amplificador com um nível de ruído de entrada mais baixo (como por exemplo o A250 da
AMPTEK, com o custo na ordem de U$525).
Das análises efetuadas, observa-se que a metodologia de avaliação numérica da
relação sinal ruído é um indicativo importante das características do sistema utilizado e cujos
valores calculados são compatíveis com o observado experimentalmente. Para o presente
sistema de detecção, as dimensões do FD utilizado, juntamente com a relação sinal-ruído do
sistema comprovam que o sistema atual não possui capacidade de detectar baixas doses ou
taxas de dose, entretanto foram delineadas as demandas e necessidades para futuro
desenvolvimento desta linha de trabalho.
104

5 Considerações finais

O objetivo principal deste trabalho foi estudar o comportamento de um fotodiodo PIN


sob incidência da radiação ionizante e também estudar o setup eletrônico necessário para
utilizar este tipo de diodo como detector de radiação com capacidades espectrométricas. Para
isto foi realizado teste inicialmente em dois componentes comercialmente disponíveis e de
baixo custo, o Fd BPW34 (VISHAY) e o SFH206 (SIEMENS).
Foi realizado um estudo do comportamento da curva IxV do fotodiodo BPW34 e sua
resposta sob incidência de radiação ionizante. A caracterização dos fotodiodos foi realizada
em modo corrente, expostos a taxas de doses de 10-4 Gy/h até cerca de 12 Gy/h, quando
alimentados a uma tensão de 3V, 5V e 12V. Além do estudo da relação da carga acumulada
com a taxa de Dose.
Com os resultados gerados foi possível verificar a boa linearidade da resposta em
função da taxa de dose no intervalo de 0,55 Gy/h a 11,54 Gy/h para os dois fotodiodos e,
comparando os resultados obtidos, o Fd BPW34, quando alimentado com uma tensão de 12V,
foi o que obteve uma melhor resposta na corrente gerada. Para baixas taxas de dose os
resultados da corrente gerada pelo diodo se aproximam muito da corrente mínima detectável
pelo sistema utilizado tornando difícil uma avaliação conclusiva.
A análise da resposta em função da dose acumulada também apresenta resultados
lineares, indicando a possível aplicabilidade deste tipo de Fd para avaliações de dose
acumulada.
Foi realizado um estudo do comportamento da resposta do fotodiodo BPW34 em
função da energia média da partícula incidente, entretanto a baixa relação sinal/ruído para o
sistema detector utilizado não permitiu resultados conclusivos.
Foi efetuado teste da dependência angular de detecção para o Fd BPW34, observando-
se que o mesmo apresenta pouca dependência direcional (<10%) para ângulos de incidência
de até 70o. Esta característica sugere que o componente pode ser utilizado para controle e
dosimetria de processos em instalações que utilizem fontes de radiação direcionais ou
pontuais, mas devem ser feitas considerações especiais para o caso de campos isotrópicos ou
semi-isotrópicos, como o campo de radiação cósmica.
Foi também testado um sistema de detecção com eletrônica dedicada, para o qual foi
efetuado um estudo numérico de ruído no sistema de detecção. Através dos resultados obtidos
105

na análise de ruído pode-se concluir que a modelagem das fontes de ruído mostrou-se
satisfatória para o sistema adotado sendo que o valor de corrente mínima detectável calculada
é compatível com o observado experimentalmente e situa-se em um patamar muito elevado de
ruído, impossibilitando a análise de sinais oriundos de baixas doses e taxas de dose no sistema
de detecção utilizado
A análise de ruído evidenciou as principais fontes de ruído e a contribuição de cada
fonte externa e interna de ruído, evidenciando se como uma ferramenta importante para
futuras adaptações no sistema a ser adotado para se desenvolver um sistema detector
semicondutor completo baseado em um fotodiodo PIN. Foram desenhados e testados três
outros sistemas de detecção utilizando o mesmo Fd PIN, entretanto observou-se que um
sistema com relação sinal ruído adequado implicaria na utilização de componentes de elevado
custo aos qual o presente estudo não teve acesso.
Ainda com relação ao SNR, observou-se que a área de detecção do fotodiodo é um
fator fundamental principalmente em objetivos relacionados à utilização de Fd como
elementos espectrométricos. Os Fd mais adequados são aqueles com área útil em torno de 100
mm2 ou superior, cujo custo também se situa em patamares bem elevados. Observou-se, pela
literatura consultada, que a utilização de Fd com elementos cintiladores para a conversão de
radiação em luz visível é uma das alternativas factíveis para minimizar o problema de sinal,
desde que se pretenda utilizar o detector como dosímetro.
106

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