Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
Apostila
para a disciplina
Dispositivos Semicondutores
1. Introdução..............................................................................................3
3. A junção pn ..........................................................................................15
6. Transistor MOSFET............................................................................31
1. Introdução
Esta apostila não pode nem deve tentar substituir nem as aulas nem os
livros recomendados para a matéria.
[1] S.M. Sze, Physics of Semiconductor Devices, segunda edição, John Wiley &
Sons, 1981
[2] Sergio M. Rezende, A Física de Materiais e Dispositivos Semicondutores,
Editora da Universidade Federal de Pernambuco, 1996
[3] Richard S. Mueller, Theodore I. Kamins, Device Electronics for Integrated
Circuits, Addison-Wesley, 1993
Determinados temas anexos que são tratados brevemente em sala de aula,
como comportamento transiente e ruído, efeito de avalanche no diodo, transistor
MOSFET sub-micrônico, exemplos e aplicações, bem como fabricação de dispositivos
não estão incluídos nesta primeira versão da apostila.
2. Física e propriedades de
semicondutores
mq 4
En 2 (1)
2 2 4 0 n2
13,6eV
En (2)
n2
A unidade eV corresponde a energia de um elétron com potencial elétrico
de 1 Volt. A unidade eV é mais apropriada para o mundo atômico que a unidade
convencional da energia, o Joule. A relação entre as unidades é
1 eV = 1,69E-19 J (3)
5
Num átomo com muitos elétrons, os vários elétrons são distribuídos nos
níveis de menor energia possível, obedecendo ao Princípio de Exclusão de Pauli.
Como o elétron é dotado de spin, cada nível de energia comporta dois elétrons com
spins opostos.
baixa. Quando o tubo está completamente cheio, não se observa fluxo de água
mesmo quando uma parte do tubo é levantado.
Se o nível ED fica perto do nível EC, é necessário pouca energia para que
um elétron passe do nível ED para o nível EC. À temperatura normal quase todos os
elétrons do nível ED passam para o nível EC e a concentração dos elétrons livres
aumenta sensivelmente.
Para que as impurezas tenham o efeito desejado, o nível E A deve ser vazio
para poder aceitar elétrons. Estas impurezas se chamam aceitadores.
Pela pequena distância entre EV e EA, muitos elétrons podem sair da faixa
de valência e atingir o nível EA, aumentando assim a concentração de lacunas
(cargas positivas) na banda de valência.
8
Definimos:
n concentração de elétrons livres,
p concentração de lacunas livres.
1
F(E) (4)
E EF
1 exp
kT
onde
EF energia de Fermi,
k constante de Boltzmann,
T temperatura absoluta
2 E EC
N (E) Mc 2 3 me 3 2 (5)
9
onde
Mc constante de valor inteira dependente do tipo do
cristal
me massa efetiva de um elétron.
n F ( E ) N ( E ) dE (7)
EC
EF EC
n N C exp (8)
kT
onde
32
2 me kT
NC 2 MC (9)
h2
Da mesma maneira é possivel determinar a concentração de lacunas:
EV EF
p N V exp (10)
kT
Multiplicando as equações (8) e (10) obtemos
Eg
np N C NV exp (11)
kT
Como Eg é uma constante, percebemos que o produto das concentrações de
elétrons e lacunas livres à temperatura fixa sempre é uma constante.
10
Definimos:
ni concentração intrínseca de elétrons livres,
pi concentração intrínseca de lacunas livres.
ni = pi (12)
Usando equação (11) chegamos a uma relação muito importante para as
concentrações de cargas livres:
np = ni2 (13)
Usando novamente (11) consegue-se calcular ni:
Eg
ni N C NV exp (14)
kT
A concentração intrínseca cresce com aumento da temperatura.
EC EV kT NV
Ei ln (15)
2 2 NC
Como NC e NV têm valores próximos e kT<<|EC+EV| podemos aproximar
11
EC EV
Ei (16)
2
Isto significa que a energia de Fermi de um semicondutor intrínseco é
situada no centro da banda proibida.
n NA p ND (17)
1 2
nn0 ND NA ND NA 4ni 2 ND (18)
2
se N D NA ni e N D NA.
NC nn 0
EF EC kT ln kT ln Ei (19)
ND ni
EF Ei
n ni exp (20)
kT
12
Ei EF
p ni exp (21)
kT
Num semicondutor tipo n, o nível de Fermi é acima do nível intrínseco e
num semicondutor tipo p o nível de Fermi é abaixo do nível intrínseco.
B
E (22)
t
D
H J cond J tot (23)
t
D ( x, y, z) (24)
B 0 (25)
B 0 H (26)
D (r, t ) S (t t ) E ( r , t ) dt (27)
13
Jn q n nE + qDn n (28)
Jp q p pE qDp p (29)
Jcond Jn Jp (30)
n kT n
Jn q n nE + qDn q n nE + (31)
x q x
p kT p
Jp q p pE qDp q p pE (32)
x q x
Estas equações são válidas para campos elétricos fracos. Para fortes
campos, os termos nE e pE devem ser substituídos pela velocidade de saturação v s.
n n EF Ei
(33)
x kT x x
V 1 Ei
E( x ) (34)
x q x
inserindo (33) e (34) em (31),
Ei EF Ei
Jn n n n n (35)
x x x
EF
Jn n n 0 (36)
x
n 1
Gn U n Jn (37)
t q
p 1
Gp Up Jp (38)
t q
onde Gn e Gp são a taxa de geração de elétrons e lacunas causadas por
influência externa como excitação ótica com fótons de alta energia ou ionização por
impacto com campo elétrico muito forte. A taxa de recombinação de elétrons num
semicondutor p é Un e pode ser aproximado pela expressão (n p-npo)/ n, onde np é a
densidade de portadores minoritários, n po a densidade de portadores minoritários
em equilíbrio e n a duração de vida dos elétrons. Uma expressão similar vale para
lacunas.
2
np np n po E np np
Gn np nE Dn (39)
t n
n
x x x2
pn pn pno E pn 2
pn
Gp pn pE Dp (40)
t p p
x x x2
3. A junção pn
Assim temos:
q NA ; xp x 0
( x) q ND ; 0 x xn (41)
0 ; outros x
A zona entre -xp<x<xn não contem cargas livres. Por isso ela se chama
zona de depleção.
E ( x)
(42)
x S
NA
q x xp ; xp x 0
E ( x) S
(43)
ND
Em q x;0 x xn
S
ND NA
onde Em q xn q xp
S S
V
E( x ) (44)
x
q NA 2
x xp ; xp x 0
2
V ( x) S
(45)
q ND 2
Vbi x xn ;0 x xn
2 S
onde
17
q
Vbi N A x p2 N D xn 2 (46)
2 S
Vbi Ei EF Ei EF (47)
x xp x xn
ou
kT N A kT N D kT N A N D
Vbi ln ln ln (48)
q ni q ni q ni 2
Comparando as equações (46) e (48) obtemos a largura W da zona de
depleção:
2 S N A ND 2 kT N A N D N A N D
(49)
S
W xn xp V ln
q N A N D bi q 2
N A ND ni 2
dQ
(50)
S
C'
dV W
Quando se aplica uma tensão externa ao dispositivo, ela se subtrai do
potencial interno Vbi. Assim a largura da zona de depleção e a capacitânica são
modificadas:
2 S 1 1
W V V (51)
q NA N D bi
1
2
2 1 1 1
C' (52)
q S NA ND Vbi V
18
2) a aproximação de Boltzmann
As diferenças de concentrações de cargas livres tem relação exponencial
com a diferença de níveis de energia correspondente.
E Fn Ei
n ni exp (53)
kT
Ei E Fp
p ni exp (54)
kT
Ei E Fn E Fp
Definimos: q, n q,e p q (ver transparência T5) para
19
escrever
q n
n ni exp (55)
kT
q p
p ni exp (56)
kT
O produto pn passa a ser:
E Fn E Fp
pn ni 2 exp (57)
kT
ou:
q p n
pn ni 2 exp (58)
kT
Para polarização direta temos EFp-EFn>0 e pn>ni2 e para polarização
reversa EFp-EFn<0 e pn<ni2.
2
np np np0 E np np
Gn np E Dn (59)
t n
n
x n
x x2
Para o lado p, sem campo elétrico, ela se apresenta como:
2
np np0 np
0 Dn (60)
n x2
Precisamos de duas condições de contorno para resolver esta equação. A
primeira condição de contorno é:
np ( x ) np0 (61)
kT n
Jn q n nE ((26))
q x
n q n q n qn
ni exp n
(62)
x kT kT x kT x x
e substituímos o campo elétrico pelo gradiente do potencial obtendo
kT qn
(63)
n
Jn q nn q n
x q kT x x
(64)
n
Jn q nn
x
Supomos que a densidade de corrente não varia dentro da junção, mas
sabemos que a concentração de elétrons varia de várias ordens de grandeza. Isso
somente é possível se o gradiente do potencial p aproxima se de zero na mesma
proporção que n aumenta. Isso significa que p é praticamente constante. Para n
V p n (65)
V
np pp ni 2 exp (66)
kT
ni 2 V
np exp (67)
pp kT
Com p p ( x xp ) p p0 e n p 0 p p 0 ni 2 ,
qV
np ( x xp ) n p 0 exp (68)
kT
Assim a solução de equação (60) é dada por:
21
qV x xp
np np0 n p 0 exp 1 exp (69)
kT Ln
onde Ln Dn n .
np qDn n p 0 qV
Jn qDn exp 1 (70)
x x xp
Ln kT
pn qDp pn 0 qV
Jp qDp exp 1 (71)
x x xn
Lp kT
onde Lp Dp p .
qV
J Jn Jp J S exp 1 (72)
kT
qDp pn 0 qDn n p 0
com J S
Lp Ln
4. O transistor bipolar
A invenção do transistor bipolar no ano 1947 por uma equipe dos Bell
Laboratories representa um dos maiores avanços na elétrônica porque era o
primeiro dispositivo semicondutor ativo que substituia a válvula triodo.
Com estes três contatos, o transistor pode ser usado dentro de um circuito
elétrico em três configurações: base comum, emissor comum e coletor comum (ver
transparência T7). Pela maior facilidade, usaremos a configuração de base comum
para derivar as características do transistor bipolar.
2
n( x ) n( x ) n E
0; x xE (73)
x2 DE E
2
p( x) p( x) p B
0;0 x W (74)
x2 DB B
2
n( x ) n( x) nC
0; x xC (75)
x2 DC C
23
n( x ) nE (76)
qVEB
n( x E ) n E nE exp 1 (77)
kT
qVEB
p(0) pB pB exp 1 (78)
kT
qVCB
p(W ) pB pB exp 1 (79)
kT
qVCB
n( x C ) nC nC exp 1 (80)
kT
n( x ) nC (81)
W LB
p(W ) pB p(0) pB e x LB
p(W ) pB p(0) p B eW LB
x LB
p( x ) pB e e
2 sinh(W LB ) 2 sinh(W LB ) (82)
para 0 x W
x xE
nE n( x E ) nE exp ;x xE
LE
n( x ) (83)
x x
nC n( xC ) nC exp C ; xC x
LC
com LB DB B LC DC C LE DE E
p( x ) n( x )
JE Jp Jn qDB qDE (84)
x 0 x xE x x 0 x x xE
DB pB 1 D n qVEB DB pB 1 qV
JE q q E E exp 1 q exp CB 1 (85)
LB tanh(W LB ) LE kT LB sinh(W LB ) kT
24
p( x ) n( x )
JC Jp Jn qDB qDC (86)
x W x xC x x W x x xC
DB pB 1 Dn qVEB DB pB 1 qV
JC q q C C exp 1 q exp CB 1 (87)
LB sinh(W LB ) LC kT LB tanh(W LB ) kT
IB AJ E AJ C (88)
IC
0 hFB (89)
IE
I pE I pC IC
0 T M (90)
IE I pE I pC
25
J p (x W) 1
T (91)
Jp (x 0) cosh(W LB )
1
J p (x W) n E DE L B
1 (92)
JE p B DB LE
IC
0 hFE (93)
IB
Nota que 0 e 0 são ligados por
(94)
0
0
1 0
então,
pB DB LE 1 pB 1 NE 1
hFE (95)
1 nE DE LB tanh(W L B ) nE W NB W
Assim podemos ver que um bom transistor com alto fator de amplificação
deve ter W pequeno e dopagem forte no emissor.
percebemos que o ganho de corrente é muito grande e que a corrente aumenta com
VCE. A saturação pouco expressiva em configuração emissor comum é devido a uma
diminuição da largura efetiva de base e um aumento de 0 com VCE e se chama de
efeito Early. A tensão VA onde se encontram as tangentes das curvas é chamada de
tensão de Early.
I I
F R
IE IC
E II R NI F C
I
B
B
IE IF I IR (96)
IC IR N IF (97)
27
qVEB
IF I F 0 exp 1 (98)
kT
qVCB
IR I R 0 exp 1 (99)
kT
qVEB qVCB
IE I F 0 exp 1 I I R 0 exp 1 (100)
kT kT
qVEB qVCB
IC N I F 0 exp 1 I R 0 exp 1 (101)
kT kT
Quatro parâmetros são necessários para o modelo Ebers-Moll de um
transistor: IR0, IF0, N, e I.
5. O capacitor MOS
q m q Eg 2
NA ni exp (102)
kT
Além desta condição, supomos que o isolador é perfeito e não contém carga
armazenada. Assim não pode ter fluxo de corrente através do dispositivo e o nível de
Fermi no semicondutor é sempre constante.
qN A ;0 x W
( x) (103)
0;outros x
A equação de Poisson leva facilmente ao potencial em função de x:
29
2
x
S 1 (104)
W
qN AW 2
onde S
2 S
S acumulação de lacunas
S bandas planas
S depleção de lacunas
S concentração intrínseca
S inversão
2 S
W 2 B (105)
qN A
t ox
Vi QS (107)
ox
t ox
VT QS 2 B (108)
ox
tox
VT 2 B 2 S qN A 2 B (109)
ox
1
C (110)
1 1
Cox CD
Para uma espessura constante do óxido tox, a capacitância por área Cox é
constante. A capacitância por área CD é dada por
31
QS
CD (111)
S
6. Transistor MOSFET
2 S
Wm 2 B V ( y) (112)
qN A
QB qN AWm 2 s qN A V ( y ) 2 B (113)
onde V(y) varia de VS para y=0 até VD para y=L. A carga total no
semicondutor passa a ser
(114)
ox
QS VG 2 B V ( y)
tox
e a carga livre disponível para conduzir corrente é então,
Qn QS QB (115)
1
dR dy (116)
W n Qn ( y )
dV dV
ID W n Qn ( y ) (117)
dR dy
Integrando dos dois lados temos,
L VD
I D dy W n Qn ( y ) dV (118)
0 0
W VD 2 32 32
(119)
ox
ID n VG 2 B V 2 S qN A VD 2 2
L t ox 2 D 3 B B
W VD
(120)
ox
ID n VG VT V
L t ox 2 D
Esta característica pode ser vista na transparência T20, onde percebemos
curvas parabólicas para VD pequeno. Quando a parábola atinge um máximo, o
MOSFET entra em saturação e a corrente ID é independente de VD:
W ox 2
I Dsat n VG VT (121)
L t ox
Neste capítulo determinamos a característica de corrente do transistor
MOSFET com canal tipo n, o NMOS. As características do transistor com canal tipo
p, o PMOS são equivalentes para polarizações inversas.