LEO ESAKI

HIROSHI AMANO
Dos premios Nobel en Fı́sica

Olgaris Casquete, Daniela Jiménez, Andrés Suárez

Historia de la Fı́sica
Facultad de Ciencias, Escuela de Fı́sica
Universidad Central de Venezuela

13 de febrero de 2019

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 Leo Esaki
Leo Esaki nació en Osaka, Japón, el 12 de marzo de 1925. Es uno de los fı́sicos japoneses en ganar el
premio Nobel en Fı́sica. Asistió a la Tercera Escuela Secundaria (equivalente a la universidad de enseñanza
media actual) en Kyoto. Aunque vivió la 2da guerra mundial, pudo sobrevivir a ella, y formarse como
profesional en el área de fı́sica. En 1947, a sólo dos años del cese del conflicto bélico y en un Japón aún
con secuelas, obtuvo su B.S. en Fı́sica, en la Universidad de Tokio.
Por un tiempo trabajó en Sony Corporation, donde realizó
investigaciones en heavily-doped de Ge y Si, descubriendo
el diodo de túnel Esaki como resultado. Este, constituye
el primer dispositivo de electrón cuántico. Por tal hallazgo,
recibió su Ph.D en Fı́sica en 1957, también de la Universidad
de Tokio.
En 1960 viaja a Estados Unidos, y desde entonces, fue
contratado por el IBM Thomas J. Watson Research Center,
Yorktown Heights, New York. En 1967, se convierte en miem-
bro de tal institución, al ser nombrado como IBM Fellow.
Desde 1969, ha sido pionero junto con sus compañeros, en
el diseño de la estructura de semiconductores cuánticos. Tales
como los superlattices y pozos cuánticos, ambos, semiconduc-
tores hechos por el hombre. Los orı́genes de tales estructuras
se remontan a los documentos seminales de Esaki y Raphael
Bu, publicados en 1969 y 1970. Afirmaron que las estructuras
semiconductoras de propiedades electrónicas extraordinarias
podrı́an diseñarse utilizando los principios de la teorı́a cuánti-
ca y sintetizarse con las técnicas avanzadas de epitaxia.
En 1973 recibe el Premio Nobel de Fı́sica junto con
Ivar Giaever y Brian David Josephson, por sus trabajos sin
precedentes con respecto al efecto túnel en sólidos. En reco-
nocimiento a su papel pionero en la apertura de este nuevo
campo, conocido como estructuras cuánticas de semiconductores, Esaki compartió con sus dos colegas el
Premio Internacional de Nuevos Materiales de la Sociedad Fı́sica Americana de 1985. En 1991, fue galar-
donado con la Medalla de Honor IEEE, ”Por sus contribuciones y liderazgo en túneles, semiconductores
superlattices y pozos cuánticos”.
Otros premios obtenidos a lo largo de su carrera incluyen el Nishina Memorial Award (1959), Asahi
Press Award (1960), el Toyo Rayon Foundation Award por la promoción de la ciencia y tecnologı́a (1960),
el Morris N. Liebmann Memorial Prize de IRE (1961), Stuart Ballantine Medal del Franklin Institute
(1961), el Japan Academy Award (1965), y la Orden de Cultura del Gobierno japonés (1947).
Esaki es miembro de la Academia Americana de Artes y Ciencias, y es un asociado extranjero tanto
de la Academia Nacional de Ciencias como de la Academia Nacional de Ingenierı́a. Además de sus logros
cientı́ficos, Esaki también ha ayudado a interpretar Japón para Occidente y viceversa. A través de sus
ingeniosos ensayos, ha ayudado a cerrar la brecha entre las dos culturas que él, como un cientı́fico con un
pie en cada una, ha logrado superar. Esaki mantiene estrechos vı́nculos con su tierra natal, visitando varias
veces al año. Es director de IBM-Japón, miembro de la Academia de Japón, director de la Fundación de
Ciencia Yamada y profesor adjunto de la Universidad de Waseda.

Obras

Leo Esaki y Giovanni Soncini: Actas del Instituto de Estudios Avanzados de la OTAN sobre ”Tec-
nologı́a de circuitos integrados a gran escala: estado del arte y perspectivas”, Erice, Italia, 1981.
Leo Esaki: Destacados en fı́sica de la materia condensada y perspectivas de futuro, 1991.

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El trabajo de Leo Esaki En la fı́sica cuántica, la materia se describe como ondas y partı́culas. Un
resultado de esto es el fenómeno de los túneles, lo que significa que las partı́culas pueden pasar a través
de barreras que no deberı́an poder atravesar de acuerdo con la fı́sica clásica.
A través de un experimento aparentemente simple en 1958, Leo Esaki demostró un tipo de túnel
previamente desconocido en material semiconductor. Al aplicar un potencial a una unión de un semicon-
ductor se producı́a un efecto ’túnel’, que permitı́a que los electrones atravesasen las uniones que tuvieran
un grosor de solo un centenar de átomos.
En contra de lo que esperaba, la resistencia de los electrones a la barrera disminuı́a al aumentar la
tensión. Esto llevó a una mayor investigación sobre los semiconductores.
Fenómenos como la emisión de campo, vital para las memorias flash, son dilucidados cuánticamente
a través de las consecuencias del efecto túnel. Esaki es también conocido por la invención del diodo de
Esaki, que aprovechaba el fenómeno anterior.

Hiroshi Amano
Hiroshi Amano nació en Hamamatsu, Prefectura de Shizuoka, Japón, el 11 de septiembre de 1960.
Hamamatsu es famoso como el lugar de nacimiento del profesor Kenjiro Takayanagi, un pionero japonés
en el desarrollo de la televisión y también de Soichiro Honda, quien estableció Honda Motor en 1946. Una
posible razón por la que Amano consideró una carrera en ingenierı́a puede haber sido la influencia de
crecer en una ciudad tan industrial.
Pasó la escuela primaria, secundaria y preparatoria en Ha-
mamatsu. Era un niño débil que a menudo estaba enfermo. Su
abuela frecuentemente le contaba sus experiencias miserables
durante la Segunda Guerra Mundial, ası́ que aprendió mucho
sobre la guerra. En la escuela primaria, se concentró en depor-
tes como el béisbol y el fútbol. Durante la escuela primaria y
secundaria, no le gustaba estudiar porque la única razón para
estudiar parecı́a ser aprobar el examen de admisión para la
escuela secundaria.
En la escuela secundaria, tuvo el mismo profesor de ma-
temáticas durante tres años. Este le enseñó la importancia del
pensamiento lógico y cómo abordar problemas difı́ciles en ma-
temáticas. Descubrió que podı́a resolver problemas difı́ciles si
pensaba lógicamente. Aunque se interesó mucho en resolver
problemas de matemáticas, todavı́a no tenı́a una buena razón
para estudiar.
Se mudó a Nagoya en 1979 para ingresar a la Universidad
de Nagoya como estudiante del Departamento de Ingenierı́a
Eléctrica. Allı́, al escuchar una interpretación muy profunda
del carácter ”Kanji”, que significa ingenierı́a, se sintió muy
motivado. Encontrando ası́ la razón para estudiar ingenierı́a:
mejorar el estilo de vida de las personas.
En particular, se mostró interesado por el área de compu-
tación. Y es que en la década de los setenta, se dio el surgi-
miento de compañı́as como Microsoft (1975) y Apple (1976). El desarrollo de las computadores personales
PC se desarrolló en aquel entonces rápidamente. Por su parte, Amano quiso colaborar en tal proceso.
Al escoger un tema para su tésis, en su tercer año universitario (1982), escogió GaN-based blue LEDs.
Esto, porque pensó que podrı́a utilizar la tecnologı́a de los blue LEDs para desarrollar televisores y PCs
más inteligentes, y que hasta ese momento habı́an usado los Braun tubes. Hasta que en 1983 recibe su
Licenciatura en Ingenierı́a en la Universidad de Nagoya. Posteriormente obtuvo su Maestrı́a y Doctorado

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en Ingenierı́a, en los años 1985 y 1989 respectivamente, en la misma universidad.
En 1989, se convirtió en Investigador Asociado del Laboratorio Akasaki. En 1992, se trasladó a la
Escuela de ciencia y tecnologı́a, Universidad de Meijo, para trabajar junto al profesor Akasaki. En di-
cha institución, consiguió el puesto de Profesor Asistente. Posteriormente, ocupó el puesto de Profesor
Asociado (1998) y luego de Profesor (2002). En 2010, se movió al Departamento de Ingenierı́a de la Uni-
versidad de Nagoya, donde siguió trabajando como Profesor. Desde el 2011, ha sido Director del Centro
de Investigación Akasaki, en la Universidad de Nagoya.
Ha recibido distintos honores: el IEEE/LEOS Engineering Achievement Award (1996); el Rank Prize,
por la Fundación Rank Prize, UK (1998); el Marubun Academic Award, por la Marubun Academic
Promotion Foundation, Japón, (2002); el Takeda Award, por la Fundación Takeda, Japón (2002); el
Japanese Association for Crystal Growth JACG Award, Japón (2008); el NISTEP Award, por el National
Institute of Science and Technology Policy, Japón (2009); la Orden de Cultura del Emperador Japonés
(2014); y el Premio Nobel en Fı́sica, por la Fundación Nobel, Sweden (2014).
Ha sido miembro de la Sociedad Japonesa de Fı́sica Aplicada(JSAP por sus siglas en inglés) desde
2009, y miembro de el Instituto de Fı́sica (IOP), de Gran Bretaña, desde 2011.

El trabajo de Hiroshi Amano Al inicio de los años 60 comenzó una década de revolución tecnológica
con el nacimiento de Internet y el descubrimiento del led en el espectro visible. Los leds son dispositivos
electrónicos semiconductores como lo es el transistor, y su composición determina el color de la luz que
emiten.
Aunque las investigaciones sobre la tecnologı́a led se habı́an reducido casi completamente en la década
de los 70, se puede admirar como Hiroshi Amano hizo una elección que muchos cientı́ficos no se atreven a
hacer: seguir una lı́nea de investigación minoritaria, que no está de moda y no atrae tantos fondos como
otras más populares.
En 1994 Shuji Nakamura presento el primer led azul de alto brillo, partiendo del material Nitruro
de Galio-Indio (InGaN). Por otro lado, Isamu Akasaki y Hiroshi Amano trabajaban en paralelo, en
la nucleación cristalina del Nitruro de Galio sobre substratos de zafiro, obteniendo ası́ el dopaje tipo-
p con dicho material. Como consecuencia de sus investigaciones, Nakamura, Akasaki y Amano fueron
galardonados con el Premio Nobel de Fı́sica del 2014.
Amano contribuyó a hacer realidad a finales de los años ochenta lo que tantos cientı́ficos habı́an dejado
por imposible en los años setenta, un diodo luminoso azul, que abrió la puerta a la luz blanca que está
reduciendo el coste de la iluminación en todo el planeta y al mismo tiempo inició la segunda revolución
digital, la de los teléfonos inteligentes y las grandes pantallas planas.
Pero a él como japonés, le interesa el hecho de que la luz led facilitará la reducción del consumo
eléctrico que se ha fijado Japón para 2020 como medida para depender menos de la energı́a nuclear, tras
la catástrofe de Fukushima.