Eletrônica - 2 - Capítulo - 2 - 2017 (1) - Somente Leitura

CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ
RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica

CEFET-RJ Eletrotécnica
RJ Eletrotécnica
Eletrônica II
CEFET-RJ
Capítulo 1:
CEFET-RJ Eletrotécnica TransistoresCEFET-RJ
CEFET-RJ Eletrotécnica Eletrotécnica CEFET-RJ
Objetivo:
Apresentar o transistor, suas características e
exemplos de aplicação
Apresentação do Transistor
O transistor é um componente eletrônico

que começou a popularizar-se na
década de 1950, tendo sido o principal
responsável pela revolução da eletrônica
na década de 1960. São utilizados
principalmente como amplificadores e
interruptores de sinais.
Amplificador de Sinais
Entende-se por “amplificar” o procedimento de tornar

um sinal elétrico mais fraco num sinal mais forte.
O transistor é um dispositivo de três camadas,

formando uma configuração semelhante a um
“sanduíche”.
Estrutura Interna
Tipos de Transistores
História dos Transistores
O transistor de silício ou germânio foi inventado nos

Laboratórios da Bell Telephone por John Bardeen e
Walter House Brattain em 1947, sendo
posteriormente laureados com o Nobel de Física em
1956.
O objetivo do projeto era criar um dispositivo

compacto e barato para substituir as válvulas
termoiônicas usadas nos sistemas telefônicos da
época.
Válvula Termoiônica
A válvula termoiônica ou válula

eletrônica é um dispositivo
eletrônico formado por um
invólucro de vidro de alto vácuo
chamado de ampola contendo
vários elementos metálicos, algo
similar a uma lâmpada.
Válvula Termoiônica
A indústria norte-americana não adotou imediatamente

o transistor nos equipamentos eletrônicos de
consumo, preferindo continuar a usar as válvulas
termoiônicas, cuja tecnologia era amplamente
dominada.
Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os

rádios portáteis fabricados pela Sony, que o transistor
passou a ser adotado em escala mundial.
Terminais do Transistor
Coletor
Base
Emissor
Estrutura Interna
Identificação dos Terminais
Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do

mesmo tipo de material, não é possível trocar as
ligações de um terminal pelo outro, porque existem
diferenças de volume de material e de intensidade de
dopagem entre as pastilhas.
C
E C B
E
B
A estrutura interna de um transistor se assemelha a dois

diodos conectados de frente.
Polarização do Transistor
Existem três situações de funcionamento do

transistor em relação às polaridades das tensões das
junções J1 e J2.
J1 J2
E C
B
a) J1 e J2 reversamente polarizadas (Corte)
J1 J2
E- + - -C
- +
B +
Nesse modo, não há fluxo de corrente. É dito que o
transistor está cortado, pois as correntes são nulas. É
como se os terminais estivessem abertos.
b) J1 e J2 diretamente polarizadas (Saturação)
J1 J2
E+ + - +C
- +
-
B
Neste caso, ambas as junções entram em condução.

c) J1 direta e J2 reversamente polarizadas (Região Ativa)
J1 J2
E+ + - + - -C
+
-
B
Neste caso, teremos o chamado Efeito Transistor.

Efeito Transistor
Ao circular a corrente de base a tendência seria os

portadores saírem pelo terminal de base, entretanto
como a base é estreita e feita para apresentar um
caminho mais longo para os portadores injetados pelo
emissor, esses se deslocam pela base e atingem a região
próxima a junção J2.
Efeito Transistor
Na junção J2 existe um campo elétrico favorável, que

coleta as lacunas para o terminal de coletor. O efeito
transistor ocorre justamente em função da base ser
estreira e do fato da maioria dos portadores serem
coletados.
Efeito Transistor
Tipo P Tipo N Tipo P
E C
B
Efeito Transistor
IBIB
E C
B
Efeito Transistor
IB
E C
B
Efeito Transistor
IB
E C
B
Efeito Transistor
IB
E C
B
Tensões e Correntes do Transistor
V V
V V
V V
Ganho de Corrente do Transistor
IE = IC + IB
Ganho de corrente
V IC = α . IE entre Coletor e Emissor
V V
V
Ganho de corrente
IC = β . IB entre Coletor e Base
α
β =
1−α
Ganho de Corrente do Transistor
IC
Região de Saturação
IC SAT
Região de Corte β
IB SAT IB
IC = 0 IC = β . IB IC = IC SAT
Exercícios de Fixação
Exercício 1: Determine VCE, IC e VC
Considere: β = 10 , IB = 1 mA e VD = 0,7 V
Determinando IC:
·
Logo:
1 · 10 · 10
10 · 10
Determinando VC:
·
Logo:
10 · 10 · 1 · 10
Determinando VCE :
Pela malha de Ic, temos:
Colocando em evidência:
Logo:
15 10 0,7
,
Exercício 2: Determine VCE, IC e VC , na saturação.
Considere:
β = 10 , IBsat = 1,3 mA , VBE = 0,7 V e VD = 0,7 V
Determinando IC:
Na saturação, temos que:
!"# para $ !"#
Como:
!"# !"# ·
Logo:
!"# 1,3 · 10 · 10
!"# 13 · 10
&'(
Determinando VC:
Na saturação, temos que:
!"# !"# ·
Logo:
!"# 13 · 10 · 1 · 10
&'(
Determinando VCE sat :
Pela malha de Ic, temos:
!"# !"#
Logo:
!"# 15 13 0,7
&'( ,
Exercício 3: Determine RB que leva o transistor a
saturação.
Considere:
β = 10 , IBsat = 1,3 mA , VBE = 0,7 V e VD = 0,7 V
saturação.
Determinando RB sat :
Pela malha de IB, temos:

!"#
!"#
Logo:
!"# 15 0,7
&'( ,
saturação.
Determinando RB sat :
Como:
!"# !"# / !"#
Logo:
!"# 14,3/1,3 · 10
+ &'( ,-
RJ Eletrotécnica
Eletrônica II
CEFET-RJ
Capítulo 2:
CEFET-RJ Eletrotécnica Circuitos Amplificadores
CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ
Objetivo:
Curvas características do transistor
Configurações CC, BC e EC
Ponto quiescente
Conexão Darlington
Análise de circuitos amplificadores

Eletrônica - 2 - Capítulo - 2 - 2017 (1) - Somente Leitura

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CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ

RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica CEFET-RJ Eletrotécnica

O transistor é um componente eletrônico

Entende-se por “amplificar” o procedimento de tornar

O transistor é um dispositivo de três camadas,

O transistor de silício ou germânio foi inventado nos

O objetivo do projeto era criar um dispositivo

A válvula termoiônica ou válula

A indústria norte-americana não adotou imediatamente

Foi por meio de produtos japoneses, notadamente os

Embora as pastilhas do coletor e do emissor sejam do

A estrutura interna de um transistor se assemelha a dois

Existem três situações de funcionamento do

a) J1 e J2 reversamente polarizadas (Corte)

b) J1 e J2 diretamente polarizadas (Saturação)

Neste caso, ambas as junções entram em condução.

c) J1 direta e J2 reversamente polarizadas (Região Ativa)

Neste caso, teremos o chamado Efeito Transistor.

Ao circular a corrente de base a tendência seria os

Na junção J2 existe um campo elétrico favorável, que

Tipo P Tipo N Tipo P

Tipo P Tipo N Tipo P

Tipo P Tipo N Tipo P

Tipo P Tipo N Tipo P

Tipo P Tipo N Tipo P

Pela malha de Ic, temos:

!"# para $ !"#

Determinando VCE sat :

Pela malha de Ic, temos:

Pela malha de IB, temos:

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