UJT VÀ BJT

I.UJT:
Transistor thường (BJT) gọi là Transistor lưỡng cực vì có hai nối PN trong lúc UJT chỉ có một
độc nhất nối P-N. Tuy không thông dụng như BJT, nhưng UJT có một số đặc tính đặc biệt nên
một thời đã giữ vai trò quan trọng trong các mạch tạo dạng sóng và định giờ.

Cấu tạo và đặc tính của UJT:

Hình sau đây mô tả cấu tạo đơn giản hoá và ký hiệu của UJT

Một thỏi bán dẫn pha nhẹ loại n-- với hai lớp tiếp xúc kim loại ở hai đầu tạo thành hai cực nền
B1 và B2. Nối PN được hình thành thường là hợp chất của dây nhôm nhỏ đóng vai trò chất bán
dẫn loại P. Vùng P này nằm cách vùng B1 khoảng 70% so với chiều dài của hai cực nền B1, B2.
Dây nhôm đóng vai trò cực phát E.

2. Đặc tuyến Xét mạch như hình 6.3. RBB có trị số từ vài k đến 10 k, ta có: VB  BB B1 R R
.VCC (6.3)  VB= .VCC > 0 (Vì R1 , R2 << RCC) Dòng IB: IB = BB 1 2 CC R R R V   
BB CC R V (6.4) IB khoảng vài mA vì RBB lớn. Khi chỉnh nguồn VDC về 0, ta có VE = 0, VE
< VB nên diode EB bị phân cực nghịch và có dòng điện rỉ đi từ B  E, dòng điện rỉ có trị số rất
nhỏ. Khi chỉnh nguồn VDC tăng sao cho điện thế 0 < VE < VB thì dòng điện rỉ giảm dần và khi
VE = VB thì dòng IE = 0. Tiếp tục tăng VDC sao cho VB < VE < VB + V thì diode EB được
phân cực thuận nhưng dòng không đáng kể. Đến khi VE = VP = VB+V thì diode EB được phân
cực thuận nên dẫn điện và dòng IE tăng lên cao, chiều IE từ E  B. VP = VB+V: được gọi là
điện thế đỉnh. Do vùng bán dẫn P của diode EB có mật độ rất cao, khi diode EB được phân cực
thuận, lỗ trống từ P đỗ dồn sang thanh bán dẫn N, kéo điện tử từ cực âm của nguồn VBB vào cực
 UJT VÀ BJT
nền B1 tái hợp với lỗ trống. Lúc đó hạt tải trong thanh bán dẫn N tăng cao đột ngột làm cho điện
trở RB1 giảm xuống và VB cũng bị giảm xuống kéo theo VE giảm xuống trong khi dòng IE cứ
tăng cao. Trên đặc tuyến IE(VE) có khoảng điện thế VE bị giảm trong khi dòng điện IE lại tăng
nên người ta gọi đây là vùng điện trở âm. Khi RB1 giảm thì điện trở liên nền RBB cũng bị giảm
và dòng IB tăng lên gần bằng hai lần trị số ban đầu vì bây giờ điện trở liên nền xem như RBB 
𝑉𝑐𝑐
RB2.𝐼𝑏 = 𝑅𝐵2.

Mạch khảo sát đặc tuyến của UJT

II)BJT:
1. Transisror là gì?
Trong điện tử transistor là một linh kiện bán dẫn, khi hoạt động trong mạch điện tử, transistor có
vai trò như một cái van cách li điều chỉnh dòng điện, điện áp trong mạch. Nhờ vai trò quan trọng
này transistor được ứng dụng rộng rãi.
2. Về cấu tạo Transistor
Transistor gồm ba lớp bán dẫn ghép với nhau hình thành hai mỗi tiếp giáp P- N, nếu ghép theo
thứ tự PNP ta được transistor thuận, nếu ghép theo thứ tự NPN ta được transistor ngược. Về cấu
tạo, transistor tương đương với hai diode đấu ngược chiều nhau.
 UJT VÀ BJT

Theo hình trên ba lớp bán dẫn được nối ra thành ba cực, cực gốc ký hiệu là B, lớp bán dẫn B có
rất mỏng và có nồng độ tạp chất thấp.

Hai lớp bán dẫn bên ngoài được nối ra thành cực phát Emitter viết tắt là E, cực thu hay cực góp
viết tắt là C (collector) viết tắt là C. vùng bán dẫn E và C có cùng loại bán dẫn nhưng kích thước
và nồng độ tạp chất lại khác nhau nên chúng không thể hoán đổi vị trí cho nhau.

3. Về nguyên lý hoạt động của Transistor

Transistor ngược hay thuận có hoạt động khác nhau, khi xét về hoạt động của transistor NPN
theo sơ đồ:
 UJT VÀ BJT

 Ta cấp một nguồn một chiều UCE vào hai cực C và E. Trong đó (+) là nguồn vào cực C,
(-) là nguồn vào cực E.
 Cấp nguồn một chiều UBE đi qua công tắc và trở hạn dòng vào hai cực B và E, trong đó
cực (+) vào chân B và cực (-) vào chân E.
 Khi công tắc mở, ta thấy rằng mặc dù hai cực C và E đã được cấp điện nhưng vẫn không
có dòng điện chạy qua, lúc này dòng IC = 0.
 Khi công tắc đóng, mối P – N được phân cực thuận khi đó có dòng điện chạy từ nguồn
(+) UBE qua công tắc tới R hạn dòng và qua mối BE về cực (-) tạo thành dòng IB.
 Ngay khi dòng IB xuất hiện, lập tức dòng IC chạy qua mối CE làm bóng đèn phát sáng,
khi đó dòng IC mạnh gấp nhiều lần dòng IB.
 Như vậy rõ ràng dòng IC hoàn toàn phụ thuộc vào dòng IB, khi đó có công thức

IC = β.IB

Trong đó:

 IC là dòng chạy qua mối CE

 UJT VÀ BJT
 IP là dòng chạy qua mối BE
 Β Là hệ số khuếch đại của transistor

Khi có điện UCE nhưng các điện tử và lỗ trống không thể vượt qua mối tiếp giáp P-N để tạo
thành dòng điện, khi xuất hiện dòng IBE do lớp bán dẫn P tại cực rất mỏng và nồng độ pha tạp
thấp, vì vậy số điện tử tự do từ lớp bán dẫn nhỏ trong số các điện tử đó thế vào lỗ trống tạo thành
dòng IB. Còn lại phần lớn số điện tử bị hút về phía cực C dưới tác dụng của điện áp UCE tạo
thành dòng ICE chạy qua transistor.

Đối với hoạt động của PNP:

Transistor PNP có hoạt động tương tự transistor NPN nhưng cực tính của các nguồn điện UCE
và UBE ngược lại. Dòng IC từ E sang C còn dòng IB đi từ E sang B.