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Para aquellos símbolos en los que el terminal del sustrato se muestra, aquí se representa conectado internamente

al terminal de fuente. Esta es la configuración típica, pero no significa que sea la única configuración importante. En
general, el MOSFET es un dispositivo de cuatro terminales, y en los circuitos integrados muchos de los MOSFET
comparten una conexión común entre el sustrato, que no está necesariamente conectada a los terminales de la
fuente de todos los transistores.

Ecuaciones del transistor J-FET

Ecuación de entrada
Mediante la gráfica de entrada del transistor también llamada Curva característica de transferencia universal, a la
izquierda de la figura adjunta, se pueden deducir las expresiones analíticas que permiten analizar
matemáticamente el funcionamiento de este. Así, existen diferentes expresiones para las distintas zonas de
funcionamiento.
En la región activa del JFET, siempre que la tensión entre puerta y fuente VGS sea menor que el módulo de la
tensión de estrangulamiento o estricción, en la cual el JFET cae en la zona de saturación, Vp también llamada
VGS(off) , la curva de valores límite de ID viene dada por la expresión:

Los puntos incluidos en esta curva representan la corriente ID y la tensión VGS en la zona de saturación, mientras
que los puntos del área bajo la curva representan la zona óhmica. Si |VGS| > |Vp| (zona de corte) la corriente de
drenaje es cero (ID=0).
Curva característica de transferencia universal, a la izquierda y curva característica de drenaje de un transistor JFET Canal N.
Las correspondientes a un JFET Canal P son el reflejo horizontal de estas.
Diodo Real
Daniel Torres Ospina Cod.20091007018
Andres Viveros Cod. 20071007002
Gilberto Vargas Ariza Cod. 20091007018

En ingeniería desearíamos tener un diodo ideal, un diodo en el que cuando el esta conduciendo y su corriente es
positiva circulando del ánodo al cátodo el voltaje en la tensión eléctrica en el diodo es cero y que cuando el voltaje a
través del diodo es negativo la corriente eléctrica es cero. Lo que tenemos en realidad es un diodo que cuando esta
conduciendo y su corriente es positiva el voltaje a través del diodo no es 0 es aproximadante 0.7v(para un diodo de
silicio) o 0.3v(para un diodo de Germanio). Volviendo al diodo de silicio, no solo ocurre eso, el voltaje a través del
diodo ni siquiera es constante, va a ir aumentando con cada grado centígrado que suba la temperatura del diodo
aproximadamente en 2mV.
Si el voltaje inverso en el diodo se hace lo suficientemente grande no refiriéndose a 1V sino decenas o centenas de
voltios negativos entonces al llegar a cierto valor llamado el voltaje de ruptura del diodo, comienza a fluir corriente en
el diodo al revés, el voltaje de ruptura es relativo puede ser -50V,-100V,-500V y hasta -1000V.
Como hemos dicho el voltaje de ruptura es un voltaje muy grande y negativo, cualquier corriente a través del diodo
en ese voltaje representa una potencia eléctrica alta que dañaría el diodo, por lo tanto vamos a diseñar los circuitos
de manera que no vamos a estar ni cerca de ese voltaje de ruptura, vamos a trabajar de un voltaje negativo bajo
hacia la derecha como se muestra en la grafica.

Ahora que vamos a hacer con ese diodo real?, lo vamos a aproximar de esta manera, vamos a decir que cuando la
corriente es positiva que fluye del ánodo al cátodo, el voltaje es 0.7V y que cuando el voltaje es menor a 0.7V la
corriente del diodo es 0, esa va a ser la primera aproximación a l diodo real. Lo vamos a representar de esta manera.

Si la corriente va del ánodo al cátodo, el diodo se comporta como una fuente de


Voltaje de 0.7V, si la corriente va en sentido contrario de cátodo al ánodo el diodo
se comporta como un circuito abierto y su corriente es 0.

Vamos ahora a una segunda aproximación:


Como vemos hay una pendiente en el voltaje del diodo, ya no es de 0.7V, ahora hay una diferencia un incremento
de voltaje respecto de 0.7V que se acentua para valores de corriente mas elevados y es proporcional a la corriente.
Asi que el voltaje Vd se calcula asi:

El voltaje 0.7V mas el incremente de V, y ese incremento dijimos es proporcional a la corriente del diodo. Como
vemos el voltaje Vd. es en Voltios, 0.7 también es en voltios por lo tanto si Id es corriente K debe de estar es
unidades de resistencia (Ohm):

El nombre de de esta resistencia es Resistencia dinámica del diodo, y con esta logramos obtener la ecuación de del
diodo real. El equivalente circuital de esta ecuación es:

Como vemos es un diodo ideal en serie con los elementos que complementaran el voltaje no nulo de este diodo real,
cuando esta conduciendo el voltaje es 0.7V mas el voltaje que es proporcional a la corriente del diodo y a la resistencia
dinámica del diodo como vemos en la ecuación. Como hemos dicho antes si la corriente fluye de cátodo a ánodo el
diodo se comporta como un circuito abierto y todo el circuito de la ecuación se comportara como un circuito abierto.
Si la corriente va de ánodo a cátodo el diodo se comporta como un coroto circuito y el circuito de la ecuación queda
de esta manera:
Este representa el segundo modelo de la segunda aproximación del diodo real. Y concluimos la diferencia entre el
diodo ideal y el real.
TRANSISTOR Corte y saturación,
Recta de carga con el BTJ
El transistor bjt se puede usar en circuitos de control en los cuales es necesario activar o
desactivar algún dispositivo, para ello se lo polariza para que trabaje en regiones de corte y saturación
en forma alternada, se dice que el transistor bjt trabajará como conmutador, como interruptor o como
switch.
El uso del bjt en corte y saturación es muy útil, por ejemplo si se tiene un circuito mediante el cual
se quiere controlar el encendio y el apagado de una bombilla, pero resulta que el circuito no es capaz
de suministrar suficiente corriente para encender la bombilla, es en estos casos que se utiliza el bjt en
corte y saturación.
La siguiente figura muestra la forma mas común de polarizar el transistor bjt, en este caso un npn,
cuando se lo quiere polarizar para que trabaje en corte y saturación, RC representa la carga que se
quiere controlar como por ejemplo un led, una bombilla, un contactor, un motor, entre muchos otros
dispositivos, la cual necesita para que funcione adecuadamente una tensión y una corriente, la tensión
VCC del circuito de polarización se iguala a la tensión que necesita la carga, la corriente IC será la
corriente que necesita la carga; a través de RB llegará la señal de control, la cual debe tener suficiente
tensión para encender el diodo base emisor, es decir la tensión mínima de control tiene que ser mayor
a VBE=0,7V, la tensión sobre RB dependerá de la cantidad de corriente que se tome de la señal la
cual será igual a IB.
En la imagen, la señal es una onda cuadrada, la cual tiene un valor mínimo de 0V y un valor
máximo de VBB.
Se cumple que IC=β*IB
Para que el transistor entre en corte IC tiene que ser cero IC=0, lo cual ocurre si IB=0, y esto será
cuando VBB=0.
De la malla 2 se tiene la ecuación de la recta de carga.
VCE=VCC-RC*IC
Cuando IC=0, la VCEcorte=VCC, es decir que en el corte a través de RC no hay corriente y toda
la tensión VCC caerá sobre el colector emisor.

Para que el transistor entre en saturación, la VCE=0, en teoría entre el colector y el emisor habrá
un cortocircuito, en realidad la VCE nunca es cero, pero para facilitar los cálculos se asume que es
cero, al hacer esto se obtiene la corriente de colector de saturación:
ICsat=VCC/RC
que es la corriente que la carga necesita para funcionar adecuadamente, una vez que se tiene el valor
de la corriente que necesita RC, a partirde IC=β*IB se puede obtener el valor de la corriente de la base
necesaria para obtener la corriente de saturación, la cual es:
IB=ICsat/β
resulta que β se ve afectada por la temperatura y por la IC, por lo cual si β cambia, IB cambiará y esta
a su vez cambiará el valor de IC, lo cual podría sacar al transistor de la saturación, por ese motivo se
hace que IB=5*ICsat/β, de esta forma se logra asegurar la saturación ya que si β cambia IB cambiará
pero ICsat no se verá afectada.
De la malla 1, para encontrar el valor adecuado de RB para asegurar la saturación se tiene:
VBB=IB*RB+VBE, de donde
RB=(VBB-0,7)/IB, luego:
RB=(VBB-0,7)/(5*ICsat/β)