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Tema:
Profesional
Quinto “A”
Alumnos participantes:
Módulo y Docente:
OBJETIVOS
OBJETIVO GENERAL
OBJETIVOS ESPECIFICOS
INTRODUCCION
Unas cuantas décadas que han seguido a la introducción del transistor, hacia finales de los años
cuarenta, han sido testigos de un cambio asombroso en la industria de la electrónica. La
miniaturización que se ha lograda nos ha dejado sorprendidos de sus alcances. Sistemas
completos aparecen ahora sobre una oblea de silicio, miles de veces más pequeña que un solo
elemento de las redes iniciales. El tipo más simple de dispositivo constituido como un
semiconductor es el diodo que desempeña un papel importante en los sistemas electrónicos;
Con sus características que son muy similares a la de un interruptor, aparece en una amplia
variedad de aplicaciones que van desde las más sencillas a las más complejas.
El diodo semiconductor se forma uniendo un material tipo P con uno tipo N, construidos de la
misma base: germanio (Ge) o silicio (Si), mediante técnicas especiales. En el momento en que
son unidos los dos materiales, los electrones y los huecos en la región de la unión se combinan,
dando por resultado una falta de portadores en la región cercana a la unión. A esta región de
iones positivos y
A la corriente que existe bajo las condiciones de polarización inversa se le llama corriente de
saturación inversa (IS). Mediante el empleo de la física del estado sólido se ha llegado a
encontrar que la corriente a través del diodo semiconductor es una función del voltaje aplicado
entre sus terminales, de la siguiente manera:
MATERIALES Y METODOLOGIA
EXPERIMENTACION
MATERIAL
a) Por observación, identifique el Ánodo y Cátodo de los distintos diodos que está
utilizando, dibuje y anote sus observaciones.
Silicio IN4001 o IN4004.
b) Empleando un “MULTIMETRO ANALÓGICO”, como primera prueba, en la función de
“OHMS” compruebe el inciso anterior, conectando el ohmetro en los extremos del
diodo en polarización directa y polarización inversa, como se indica en la figura 1,
reportando en cada caso la resistencia medida:
Polarización Directa
Polarización inversa
VD (mV) ID (nA)
0. -100 -45.57
1
0.2 -200 -52.25
0. -300 -53.30
3
0.4 -400 -53.54
0. -500 -53.66
5
0.6 -600 -53.76
0. -700 -53.8
7
d) Realice el procedimiento del inciso b, con una de carga RL de 1 KΩ, como se muestra
en la figura 3, mida el voltaje del diodo VD, la corriente ID, registre sus datos en la
tabla 2
VD (mV) ID (uA)
0.1 99.68 319.18
nA
0.2 197.62 2.36
0.3 286.52 13.43
0.4 352.05 48.01
0.5 393.96 106.63
0.6 420.33 179.63
0.7 439.54 260.34
POLARIZACIÓN DIRECTA
MV MA
0,1 100 13,87
0,2 200 0
0,3 300 0
0,4 400 0,055
0,5 499,99 0
0,6 599,99 0,111
0,7 699,99 0
POLARIZACIÓN INVERSA
MV PA
0,1 -100 -100,1
0,2 -200 -200,2
0,3 -300 -300,3
0,4 -400 -400,4
0,5 -499,99 -500,4
0,6 -599,99 -
6000,509
0,7 -699,99 -700,69
f) Construya las gráficas de la curva característica de los diodos en polarización directa
con los valores obtenidos de las tablas anteriores.
POLARIZACIÓN DIRECTA
Fuente Vab
0 21.996 nV
1 999.990 mV
2 2.000 V
3 3.000 V
4 4.000 V
5 5.000 V
6 6.000 V
7 7.000 V
8 8.000 V
9 9.000 V
10 9.750 V
11 9.752 V
12 9.754 V
13 9.756 V
14 9.758 V
15 9.760 V
Fuente ID
0 21.99600 pA
1 10.19200 Na
2 20.42800 Na
3 30.64200 Na
4 40.85600 Na
5 51.07000 Na
6 61.28400 Na
7 71.49800 Na
8 81.71200 Na
9 91.83800 Na
10 250.13800 Ua
11 1.24800 Ma
12 2.24600 Ma
13 3.24400 Ma
14 4.24200 Ma
15 5.24000 Ma
EXPERIMENTO 4. CARACTERIZACIÓN DE UN DIODO ZENER EN
POLARIZACIÓN DIRECTA
a) Arme el circuito como se muestra en la figura 5.
Lectura 1: Lectura 2:
Lectura 3: Lectura 4:
Lectura 5: Lectura 6:
Lectura 7: Lectura 8:
Polarización inversa
Es cuando la corriente en el diodo desea circular en sentido opuesto a la flecha (la flecha del
diodo), o sea del cátodo al ánodo. En este caso la corriente no atraviesa el diodo, y se comporta
prácticamente como un circuito abierto [1].
3.- ¿Cuál es la importancia de los semiconductores?
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a
medida que se eleva la temperatura o bien por la adicción de determinadas impurezas resulta
posible su conducción. Su importancia en electrónica es inmensa en la fabricación de
transistores, circuitos integrados.
4.- Mencione tres ventajas de los dispositivos semiconductores.
Los dispositivos hechos con material semiconductores suelen conocerse como
componentes de estado sólido. Estos componentes son más robustos que los tubos de
vacío que se construían de vidrio, metal y materiales cerámicos.
Los dispositivos semiconductores operan con voltajes muy pequeños.
El pequeño tamaño de los dispositivos semiconductores los hace muy apropiados para
uso en equipo portátil, además de que son mucho más económicos que los tubos de
vacío.
5.- Explique qué pasa si se aumenta el voltaje de polarización inversa a un diodo
semiconductor y se tiene una sobrecarga.
Si se aumenta el voltaje el diodo llega a si tensión inversa de ruptura, la cual es la máxima tensión
en sentido inverso que puede soportar un diodo sin entrar en conducción; esta tensión para un
diodo rectificador es destructiva, por ello cuando se diseña un circuito siempre se utiliza un factor
de seguridad que no está determinado, sino que depende del diseñador.
6.- Investigue cuatro tipos de diodos y describa el funcionamiento brevemente.
Diodo Zener: Es un tipo especial de diodo, que siempre se utiliza polarizado inversamente. Hay
que recordar que los diodos comunes, como el diodo rectificador (en donde se aprovechan sus
características de polarización directa y polarización inversa), conducen siempre en el sentido de
la flecha.
Diodo LED: Es un dispositivo semiconductor que emite luz incoherente de espectro reducido
cuando se polariza de forma directa la unión PN en la cual circula por él una corriente eléctrica.
Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia, el LED es un tipo especial de diodo que
trabaja como un diodo común, pero que al ser atravesado por la corriente eléctrica, emite luz, este
dispositivo semiconductor está comúnmente encapsulado en una cubierta de plástico de mayor
resistencia que las de vidrio que usualmente se emplean en las lámparas incandescentes.
Diodo Schottky o diodo de barrera Schottky: llamado así en honor del físico alemán Walter H.
Schottky, es un dispositivo semiconductor que proporciona conmutaciones muy rápidas entre los
estados de conducción directa e inversa (menos de 1ns en dispositivos pequeños de 5 mm de
diámetro) y muy bajas tensiones umbral (también conocidas como tensiones de codo, aunque en
inglés se refieren a ella como "knee", o sea, de rodilla).
Diodo Rectificador: Son circuitos que sirven para convertir la corriente alterna (como la de los
enchufes de tu casa) en corriente directa (como la de las baterías). En general, casi todos los
aparatos eléctricos funcionan con corriente directa y, dado que en las casas solo hay corriente
alterna, es necesario convertirla a corriente directa para que funcionen los equipos. Esta
conversión se hace internamente en los aparatos y ahí es donde se utilizan los diodos
rectificadores.
El diodo ideal es un componente discreto que permite la circulación de corriente entre sus
terminales en un determinado sentido, mientras que la bloquea en el sentido contrario. El
funcionamiento del diodo ideal es el de un componente que presenta resistencia nula al paso de
la corriente en un determinado sentido, y resistencia infinita en el sentido opuesto.
8.- Explique cómo afecta la temperatura a un material semiconductor.
Es la zona operativa de un diodo Zener, una vez que se llega a un determinado voltaje, llamado
voltaje o tensión de Zener (Vz), el aumento del voltaje (siempre negativamente) es muy pequeño,
pudiendo considerarse constante. Para este voltaje, la corriente que atraviesa el diodo Zener,
puede variar en un gran rango de valores. A este rango se le llamara Región Zener.
10.- ¿Qué es resistencia estática y resistencia dinámica?
Resistencia estática: Mide la oposición que presenta el diodo al paso de la corriente continua
(CC). A partir de la ley de Ohm, la resistencia estática de un diodo se expresa en la forma
siguiente:
Restática = V/I.
Resistencia dinámica: se define como la oposición que presenta el diodo al paso de una señal
alterna o variable en el tiempo.
11.- Describa la electroluminiscencia en un LED
Los diodos de silicio tienen un voltaje de polarización directa de 0,7 voltios. Una vez que el
diferencial de voltaje entre el ánodo y el cátodo alcanza los 0,7 voltios, el diodo empezará a
conducir la corriente eléctrica a través de su unión pn, sin embargo, los diodos de germanio, tienen
una tensión de polarización directa de 0,3 voltios.
Debido a que el silicio es relativamente fácil y barato de obtener y procesar, los diodos de silicio
son más frecuentes que los diodos de germanio. El germanio es un material poco común que se
encuentra generalmente junto con depósitos de cobre, de plomo o de plata. Debido a su rareza, el
germanio es más caro, por lo que los diodos de germanio son más difíciles de encontrar (y a veces
más caros) que los diodos de silicio.
13.- Explique la respuesta de conducción de corriente de un semiconductor sujeto a
frecuencias altas.
La juntura de todo diodo (NP), posee una capacidad eléctrica en picofaradios, esta capacidad es
más alta en diodos de baja frecuencia y mucho más baja en altas frecuencias.
El espesor de las uniones tiene que ver con su velocidad. Los diodos normales lentos, poseen en
realidad tres capas, no solo la P y N. Entre ambas hay un tercero denominada I (de semiconductor
intrínseco, es decir sin dopaje). El espesor de dicha capa es tanto mayor cuanto más elevada sea
la tensión inversa que tiene que poder soportar. Así pues, lo diodos más rápidos, no pueden
soportar tensiones inversas elevadas.
Hay otras tecnologías de fabricación que proporcionan mayor rapidez, como los diodos
Epitaxiales y los de unión Schottky. Con todos ellos es difícil conseguir tensiones inversas
elevadas, pero son muy útiles rectificando tensiones bajas