Atomic Layer Deposition (ALD)

Presentación equipo

Bryan Valenzuela
Universidad de Santiago de Chile
Av. Ecuador 3493, R.M.

25 de ENE 2019
Introducción
Que es el ALD?

Es una técnica de deposición de película delgada basada en el

uso secuencial de un proceso químico en fase gaseosa
Se considera una subclase de deposición química de vapor.
La mayoría de las reacciones de ALD usan dos químicos,
llamados precursores.
Los precursores nunca están presentes simultáneamente en
el reactor

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Como funciona?
En un proceso donde un sustrato se expone a dos reactivos A y B
de una manera secuencial, sin solapamiento y mediante
interacciones moleculares, permite la deposición de un material
exclusivamente.

Figure: Representación general y esquemática de la técnica ALD

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Ejemplo

ALD
2Al(CH3)3 + 3H2O −→ Al2O3 + 6CH4

Figure: Ejemplo del funcionamiento del ALD, para depositar Al2O3

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Características
Diferencia entre otros métodos

Figure: Comparación esquemática entre diferentes métodos de

nanosíntesis

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Ventajas y Desventajas

Ventajas:
I Método controlado
I Síntesis a temperaturas bajas
I Bastante sensibilidad
Desventajas:
I Alto costo tanto del equipamiento general, como de los
precursores
I Tiempo de producción mas lento para algunos elementos
I Limitaciones químicas

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Modelos

Figure: Savannah S100

Ultratech Figure: 500R-200
Advanced Systems
Figure: NLD-4000

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Aplicaciones
Microelectrónica
Es útil para la fabricación de microelectrónica debido a su
capacidad para producir espesores precisos y superficies
uniformes.

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Bio medicina

Están emergiendo en toda la industria biomédica en

administración de fármacos, implantes e ingeniería de tejidos.

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Conclusiones
Preguntas
References

Riikka L. Puurunen.
Surface chemistry of atomic layer deposition: A case study for
the rimethylaluminum/water process.
Journal of Applied Physics, 30 June 2005.