Академический Документы
Профессиональный Документы
Культура Документы
DOSEN PENGAMPU
Ir.Regina Sirait,MT
Anggota Kelompok :
Akifah Salsabila
Amri Situmorang
Annisa
Aulia Rahman Nasution
Puji syukur kehadirat Tuhan yang Maha Esa sebab atas segala rahmat, karunia, serta taufik
dan hidayah-Nya, makalah mengenai “Transistor Bipolar (BJT)” ini dapat diselesaikan tepat
waktu. Meskipun kami menyadari masih banyak terdapat kesalahan didalamnya. Tidak lupa
pula kami ucapkan terima kasih kepada Ibu Ir.Regina Sirait,MT. yang telah membimbing dan
memberikan tugas ini.
Demikian yang dapat kami sampaikan, semoga makalah ini dapat bermanfaat. Kami juga
yakin bahwa makalah kami jauh dari kata sempurna dan masih membutuhkan kritik serta
saran dari pembaca, untuk menjadikan makalah ini lebih baik ke depannya.
Penyusun
Transistor Bipolar
Transistor bipolar dinamakan demikian karena kanal konduksi utamanya menggunakan
dua polaritas pembawa muatan: elektron dan lubang, untuk membawa arus listrik. Dalam
BJT, arus listrik utama harus melewati satu daerah/lapisan pembatas dinamakan depletion
zone, dan ketebalan lapisan ini dapat diatur dengan kecepatan tinggi dengan tujuan untuk
mengatur aliran arus utama tersebut.
Transistor Bipolar atau nama lainnya adalah transistor dwikutub adalah jenis transistor
paling umum di gunakan dalam dunia elektronik. Di dalam transistor ini terdapat 3 lapisan
material semikonduktor yang terdiri dari dua lapisan inti, yaitu lapisan P-N-P dan lapisan N-
P-N. Transistor bipolar juga memiliki 3 kaki yang masing masing di beri nama Basis (B),
Colektor (C) dan Emiter (E). Perbedaan antara fungsi dan jenis-jenis transisor ini terlihat
pada polaritas pemberian tegangan bias dan arah arus listrik yang berlawanan.
Transistor bipolar adalah inovasi yang mengantikan transistor tabung (vacum tube).
Selain dimensi transistor bipolar yang relatif lebih kecil, disipasi dayanya juga lebih kecil
sehingga dapat bekerja pada suhu yang lebih dingin. Dalam beberapa aplikasi, transistor
tabung masih digunakan terutama pada aplikasi audio, untuk mendapatkan kualitas suara
yang baik, namun konsumsi dayanya sangat besar. Sebab untuk dapat melepaskan elektron,
teknik yang digunakan adalah pemanasan filamen seperti pada lampu pijar.
Batas operasi aman transistor, biru: batas IC maksimum, merah: batas VCE maksimum, ungu: batas daya
maksimum
Transistor dwikutub mempunyai lima daerah operasi yang berbeda, terutama dibedakan oleh
panjar yang diberikan:
Aktif-maju (atau aktif saja): pertemuan emitor-basis dipanjar maju dan pertemuan
basis-kolektor dipanjar mundur. Hampir semua transistor didesain untuk mencapai
penguatan arus tunggal emitor yang terbesar ( ) dalam moda aktif-maju. in
forward-active mode. Dalam keadaan ini arus kolektor-emitor beberapa kali lipat
lebih besar dari arus basis.
Aktif-mundur (atau aktif-terbalik atau terbalik): dengan membalik pemanjaran
pada moda aktif-maju, transistor dwikutub memasuki moda aktif-mundur. Pada moda
ini, daerah emitor dan kolektor bertukar fungsi. Karena hampir semua BJT didesain
untuk penguatan arus moda aktif-maju yang maksimal, pada moda terbalik
beberapa kaki lipat lebih rendah. Moda transistor ini jarang digunakan, dan hanya
diperhitungkan untuk kondisi kegagalan dan untuk beberapa jenis logika dwikutub.
Tegangan tembus panjar terbalik pada basis mungkin lebih rendah pada moda ini.
Jenuh: dengan semua pertemuan dipanjar maju, BJT memasuki moda jenuh dan
memberikan konduksi arus yang besar dari emitor km kolektor. Moda ini
berkorespondensi dengan logika hidup, atau sakelar yang tertutup.
Putus: pada keadaan putus, pemanjaran bertolak belakang dengan keadaan jenuh
(semua pertemuan dipanjar terbalik). Arus yang mengalir sangat kecil, dengan
demikian berkorespondensi dengan logika mati, atau sakelar yang terbuka.
Tembusan bandang
Walaupun daerah-daerah tersebut didefinisikan dengan baik untuk tegangan yang cukup
besar, mereka bertumpang tindih jika tegangan panjar yang dikenakan terlalu kecil (kurang
dari beberapa ratus milivolt).
Pada gambar diatas terlihat arus IC maksimum adalah 40 mA dan tegangan VCE maksimum
sebesar 20 Volt. Disamping nilai arus dan tegangan maksimum tersebut yang tidak boleh
dilampaui adalah daya kolektor maksimum PCmaks. Dalam gambar PCmaks ini ditunjukkan
oleh garis lengkung putus-putus. PCmaks atau disipasi daya kolektor maksimum ini
merupakan perkalian IC dengan VCE. Dengan demikian titik kerja harus diletakkan di dalam
batas-batas tersebut.
Transistor yang bekerja pada titik A kurang begitu memuaskan karena termasuk pada kurva
non-linier, sehingga sinyal output yang dihasilkan cenderung cacat. Demikian juga pada titik
C, karena terletak hampir pada batas kemampuan VCE transistor. Disamping itu transistor
juga akan cepat panas. Titik B merupakan pilihan terbaik sebagai titik kerja transistor sebagai
penguat, karena terletak di tengah-tengah, sehingga memungkinkan transistor dapat
menguatkan sinyal input secara maksimum tanpa cacat. Agar transistor bekerja pada suatu
titik kerja tertentu diperlukan rangkaian bias. Rangkaian bias ini akan menjamin pemberian
tegangan bias persambungan E-B dan B-C dari transistor dengan benar. Transistor akan
bekerja pada daerah aktif bila persambungan E-B diberi bias maju dan B-C diberi bias
mundur.
Dalam praktek dikenal berbagai bentuk rangkaian bias yang masing-masing mempunyai
keuntungan dan kerugian. Kemantapan kerja transistor terhadap pengaruh temperatur
merupakan faktor yang perlu diperhatikan dalam menentukan bentuk rangkaian bias. Karena
perubahan temperatur akan mempengaruhi β (faktor penguatan arus pada CE) dan arus bocor
ICBO.
B. Rangkaian Transistor
Seperti namanya, yang dimaksud dengan Konfigurasi Common Base (CB) atau Basis
Bersama adalah konfigurasi yang kaki Basis-nya di-ground-kan dan digunakan bersama
untuk INPUT maupun OUTPUT. Pada Konfigurasi Common Base, sinyal INPUT
dimasukan ke Emitor dan sinyal OUTPUT-nya diambil dari Kolektor, sedangkan kaki Basis-
nya di-ground-kan. Oleh karena itu, Common Base juga sering disebut dengan istilah
“Grounded Base”.
Konfigurasi Common Base ini menghasilkan Penguatan Tegangan antara sinyal INPUT dan
sinyal OUTPUT namun tidak menghasilkan penguatan pada arus.
Konfigurasi Common Collector (CC) atau Kolektor Bersama memiliki sifat dan fungsi yang
berlawan dengan Common Base (Basis Bersama). Kalau pada Common Base menghasilkan
penguatan Tegangan tanpa memperkuat Arus, maka Common Collector ini memiliki fungsi
yang dapat menghasilkan Penguatan Arus namun tidak menghasilkan penguatan Tegangan.
Konfigurasi Kolektor bersama (Common Collector) ini sering disebut juga dengan Pengikut
Emitor (Emitter Follower) karena tegangan sinyal Output pada Emitor hampir sama dengan
tegangan Input Basis.
Konfigurasi Common Emitter (Emitor Bersama)
Konfigurasi Common Emitter (CE) atau Emitor Bersama merupakan Konfigurasi Transistor
yang paling sering digunakan, terutama pada penguat yang membutuhkan penguatan
Tegangan dan Arus secara bersamaan. Hal ini dikarenakan Konfigurasi Transistor dengan
Common Emitter ini menghasilkan penguatan Tegangan dan Arus antara sinyal Input dan
sinyal Output.
Common Emitter adalah konfigurasi Transistor dimana kaki Emitor Transistor di-ground-kan
dan dipergunakan bersama untuk INPUT dan OUTPUT. Pada Konfigurasi Common Emitter
ini, sinyal INPUT dimasukan ke Basis dan sinyal OUTPUT-nya diperoleh dari kaki Kolektor.
Pada Gambar di bawah, kapasitor disebut sebagai kapasitor kopling karena menghubungkan
sinyal AC melalui resistor. Dengan cara ini memungkinkan kita menghubungkan sinyal AC
ke penguat tanpa mengganggu titik Q.
C
SHORT
. .
DC
R R
V V . .
AC
. .
Kapasitor Bypass
Seperti pada gambar, kapasitor bypass membuat titik E terhubung langsusng pada
ground. Kapasitor bypass penting karena membuat ground AC pada sebuah penguat tanpa
mengganggu titik kerja Q.
R E R E
AC
Ground
C
V V
(a) (b)